调节设备和方法与流程 专利技术说明

摄影电影;光学设备的制造及其处理,应用技术调节设备和方法1.相关申请的交叉引用2.本技术要求于2020年11月10日提交的ep申请20206671.8的优先权，该申请通过引用整体并入本文。技术领域3.本发明涉及用于光刻设备的调节设备、用于包括这种调节设备的光刻设备的组件、亚大气压力调节设备在光刻设备中的用途以及调节光刻设备的系统或子系统的方法。背景技术：4.光刻设备是构造成将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以用于例如制造集成电路(ic)。光刻设备可以例如将图案从图案形成装置(例如掩模)投影到设置于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)的层上。5.光刻设备用于将图案投影于衬底上的辐射的波长决定了可以形成于衬底上的特征的最小尺寸。相比于传统的光刻设备(其可以例如使用波长为193nm的电磁辐射)，使用euv辐射(为波长在4-20nm的范围内的电磁辐射)的光刻设备可以用于在衬底上形成更小特征。6.将euv辐射收集成束、将所述束引导到图案形成装置(例如掩模)上、并将经图案化的束投影到衬底上是困难的，因为不可能制备用于euv辐射的折射光学元件。因此，必须使用反射器(即反射镜)执行这些功能。即使构造用于euv辐射的反射器也是困难的。用于euv辐射的最佳可用的正入射反射器是多层反射器(也称为分布式布拉格反射器)，其包括相对高折射率层与相对低折射率层之间交替的大量层。由高折射率层和低折射率层组成的每个区段(period)的厚度等于待被反射的辐射的波长的一半(λ/2)，使得在高折射率边界处反射的辐射与在低折射率边界处反射的辐射之间存在相长干涉。这种多层反射器仍然不能实现特别高的反射率，并且入射辐射的很大部分被多层反射器吸收。7.包括也由辐射源发射的红外辐射的所吸收的辐射能够导致多层反射器的温度上升。已知的多层反射器形成在由具有非常低的热膨胀系数的材料(例如，uletm)制成的衬底上。然而，在某些情况下，束在入射到反射器上时的横截面可以足够小，使得反射器的局部加热会导致反射器的表面形状的不期望变形。这种变形可以导致成像误差，对越来越小的特征成像的持续期望意味着可以容许的变形量将只会减少。8.光刻设备(特别是euv设备)的投影系统中的现有反射器是被动冷却的，即通过辐射、传导和对流冷却。然而，这些冷却模式都不允许高的热传递速率。特别地，反射器通常处于高真空或低氢气压力下，使得通过对流的热传递最小。反射器的主动冷却已经被避免，由于存在将振动引入反射器中的风险，这可能比局部热上升所引起的失真更容易成为问题。9.wo2017/153152描述了一种用于euv辐射的反射器，所述反射器包括反射器衬底和反射表面，所述反射器衬底具有形成在其中的多个冷却剂通道，所述冷却剂通道基本上是直的、基本上彼此平行并且基本上平行于反射表面，并被配置成使得冷却剂平行地流过冷却剂通道且与反射器衬底接触。通过提供彼此平行且平行于反射表面的直的冷却剂通道，可以在不在反射器中产生有问题的振动的情况下，循环冷却剂以控制局部温度。10.已经设想了本发明以提供一种用于光刻设备的改进的或替代的调节系统。技术实现要素：11.根据本发明的第一方面，提供了一种用于光刻设备的调节系统，所述调节系统被配置成调节所述光刻设备的一个或多个光学元件，其中所述调节系统被配置成在所述一个或多个光学元件处具有亚大气压力。12.根据本发明的第二方面，提供了一种用于光刻设备的调节系统，所述调节系统被配置成调节所述光刻设备的一个或多个光学元件，其中所述调节系统被配置成在所述一个或多个光学元件处具有亚大气压力，其中所述调节系统包括液体调节流体，优选地其中，所述液体调节流体是水，并且其中所述系统包括亚大气压力调节流体储存器，所述亚大气压力调节流体储存器用于储存所述液体调节流体的至少部分。13.根据本发明的第三方面，提供了一种用于光刻设备的调节系统，所述调节系统被配置成调节所述光刻设备的一个或多个光学元件，其中所述调节系统被配置成在所述一个或多个光学元件处具有亚大气压力，其中所述调节系统包括液体调节流体，优选地其中，所述液体调节流体是水，并且其中，所述系统包括所述光学元件下游的泵和所述光学元件上游的限流器。14.根据本发明的第四方面，提供了一种用于光刻设备的调节系统，所述调节系统被配置成调节所述光刻设备的一个或多个光学元件，其中所述调节系统被配置成在所述一个或多个光学元件处具有亚大气压力，并且其中在所述光学元件下方设置调节流体储存器，使得所述光学元件与所述调节流体储存器之间的流体静压差将所述光学元件处的压力降低至低于大气压力。15.根据本发明的第五方面，提供了一种用于光刻设备的调节系统，所述调节系统被配置成调节所述光刻设备的一个或多个光学元件，其中所述调节系统被配置成在所述一个或多个光学元件处具有亚大气压力，并且其中所述系统包括第一调节流体储存器和第二调节流体储存器，其中所述第一调节流体储存器和所述第二调节流体储存器经由阀彼此流体连接，所述阀可操作成控制调节流体在所述调节流体储存器中的液位，所述调节流体储存器与所述光学元件流体连通。16.水调节系统可以用于调节模块。在这种情况下，调节覆盖了向模块添加热能或从模块移除热能。由此，冷却指的是移除热能，并且不一定是温度的下降。类似地，加热指的是添加热能，并且不一定是温度的下降。将理解的是，期望任何光学元件的操作温度尽可能保持恒定或至少在受控的温度范围内。虽然本技术将集中于冷却并主要提及冷却，但还应理解，在一些情况下，系统可以用于加热光刻设备的模块或子模块。调节系统通常包括热控制，诸如热交换器、加热器和/或冷却器，以及可选的温度传感器。这样的系统通常还包括向大气敞开的或加压的水浴器或储存器、输送水流的泵、以及通常包括管道、歧管等的分配系统。所述系统被设计成在约3巴至8巴的水压下进行处置和操作。虽然可以使用更高的压力，但对于在超过约10巴进行操作的系统，存在额外的安全要求，因此通常不是优选的。然而，压差会导致机械应力和变形，尽管这些通常不是问题，因为部件的确切形状对设备的操作具有很小的影响(如果有的话)。然而，光刻设备(特别是euv光刻设备)的光学元件对任何变形都非常敏感，即使是非常小的变形。17.已经发现，如果调节系统与光学元件的外部之间的相对压力大于大气压力，则光学元件的表面将发生变形，并且该变形会影响光学元件的性能。由于调节系统用于光刻设备，因此光刻设备的待被调节(无论是冷却还是加热)的主要部分处于真空或仅非常低的气体(通常是氢气)的压力下，所以已经发现期望亚大气压力来避免关键部件的变形和相关联的性能损失。虽然先前已经通过在被调节的系统的衬底内的较深处提供调节通道进行减轻，但是在调节通道需要在衬底内的深处以减少或消除变形的情况下，这会影响热性能并且所提供的调节是不够的。通过在一个或多个光学元件处设置被配置成在亚大气压力下操作(即，具有亚大气压力的操作压力)的调节系统，被调节的光学元件的表面的变形被消除或至少减少到可接受的水平，并且可以在衬底中的不那么深的通道中提供调节流体，这意味着热效率被提高。在本技术的上下文中，亚大气压力是小于1巴的压力。18.调节系统被配置成调节光刻设备的一个或多个光学元件。一个或多个光学元件可以是反射器。所述调节也可以被称为热调节。为了调节光学元件，调节系统需要与光刻设备的一个或多个光学元件热连通。因此，光学元件设置有调节流体通道，所述调节流体通道被配置成允许调节流体流过。在本发明中，这样的调节流体通道内的压力是亚大气压，即小于1巴。在使用中，光刻设备的其他单元之中的光学元件的温度将升高，除非它们被冷却。这是因为光学元件被曝光于光刻过程中使用的辐射，所述辐射的部分被吸收，从而导致温度升高。如果光学元件没有被冷却，则它们将升温并且性能将受到不利影响。随着光刻设备的操作功率的增加，需要类似地增加这种设备的调节能力，特别是冷却能力。在其他情况下，可能需要向光刻设备的部件提供热能，以使它们达到所期望的操作温度。19.调节系统可以被配置成在约0.02巴与约0.9巴之间操作。所述系统优选地在不小于0.02巴的最小压力下操作。所述系统可以在约0.2巴至约0.8巴操作。所述系统可以在约0.1巴、约0.2巴、约0.3巴、约0.4巴、约0.5巴、约0.6巴、约0.7巴、约0.8巴或约0.9巴操作。已经发现，约0.3巴是特别合适的操作压力。如上所述，通过在低于大气压力(1巴)操作，可以避免与由于使用高于1巴的压力而引起的变形相关联的问题，并且还允许将任何调节通道设置成比其他情况更靠近待被调节的表面，从而提高调节效率。当然，如果压力过低，则存在气穴的风险，并将不会存在足以使调节流体流动的压差。另外，如果系统低于调节流体(其可以是水)的蒸汽压力，则调节流体可能在不期望的低温下沸腾，例如水在0.02巴在22℃沸腾。已经发现，在约0.02巴与0.9巴之间的操作压力提供了避免变形、避免气穴、允许调节流体通道足够靠近待被有效调节的表面、以及允许调节流体流过系统之间的正确平衡。在某些情况下，本发明的调节系统还允许避免在压力下时制造光学元件(诸如反射器)的需要。将理解的是，在调节系统中的某些点处，压力可以为约大气压或甚至略高于大气压。即使如此，所述系统也被配置成使得在使用时，在被调节的一个或多个光学元件处的压力是亚大气压。由于光学元件在光刻设备内处于约几帕斯卡氢气的非常低的压力环境中，因此光学元件内的调节流体通道与光学元件的外部之间的压差实际上等于调节流体通道内的调节液体的压力。20.调节系统可以包括液体调节流体，优选为水。调节流体可以设置有一种或多种添加剂以提高性能，诸如防止系统内的腐蚀的防蚀剂。虽然在其他系统中可以使用诸如二氧化碳的调节流体，但这通常需要高得多的压力以获得提供有效调节所需的质量流量，因此需要考虑额外的安全因素，并且所需的高压(诸如从20巴至100巴)与避免变形不兼容。虽然其他的水冷却系统可以描述宽范围的压力，但没有实现本文所描述的特定范围的适用性，也没有实现在被调节的单元(即光学元件)处在亚大气压力下操作。先前已经使用了高于大气压力的压力，由于这些压力可以通过提供标准的泵送设备更容易地实现，所述泵送设备将水加压到高于大气压力，从而将水泵送通过调节系统，变形的问题已经通过修改调节通道的配置而被解决。水由于其安全性、高热质量和可用性而是优选的。21.所述系统可以包括调节流体储存器。调节流体储存器可以至少部分地填充有调节流体，优选为水。通过具有调节流体储存器，存在一定热质量的调节流体，所述调节流体可以循环通过系统以从中移除热量或向其中添加热量。22.所述系统可以包括光学元件下游的泵和光学元件上游的限流器。由此，泵的吸入侧可以与光学元件的调节通道流体连接，使得当泵在运行时，在光学元件处产生低于大气压力的压力。光学元件上游的限流器的存在确保了光学元件处的压力低于大气压力。本发明不受限流器的确切尺寸或性质的特别限制，因为这些将取决于输送调节流体的管道的尺寸、所需的流量以及系统所需的压力，但是这些也可以由技术人员常规地确定，并且在被调节的光学元件处的压力可以被常规地测量以确认其中的压力。23.所述系统可以包括亚大气压力调节流体储存器。由此，所述系统可以包括处于亚大气压力下的调节流体储存器。亚大气压调节流体储存器可以连接到真空泵。真空泵可以被配置成允许通过从储存器中移除气体而控制调节流体储存器内的压力，以提供期望的亚大气压力。可选地，可以设置气体入口，所述气体入口允许将气体(诸如空气或氮气)引入调节流体储存器中，以增加变得过低的压力。所述系统可以包括控制器，所述控制器可操作成控制真空泵和/或气体入口，以便实现期望的亚大气压力。24.在包括亚大气压调节流体储存器的一些实施例中，泵被设置在光学元件的下游，并且限流器被设置在光学元件的上游。在包括亚大气压力调节流体储存器的其他实施例中，泵可以被设置在光学元件的上游，由于调节系统的下游部分连接到亚大气压调节流体储存器，因此光学元件处的压力能够保持在亚大气压。可选地，限流器被设置在泵的上游和光学元件的下游(即，在泵与光学元件之间)，以控制调节流体的流动，并避免光学元件处的压力超过大气压力。25.亚大气压力调节流体储存器可以包括在液体调节流体与气体之间的可变形分离器。所述可变形分离器可以是隔膜的形式。通过在亚大气压力调节流体储存器内在调节流体与气体之间具有可变形分离器，可以在不蒸发任何调节流体的情况下保持亚大气压力。可变形分离器上方的气体的压力可以被调整以控制系统内的压力。气体的组成对本发明没有特别限制，并且例如可以是空气或氮气。可以调整所述气体的压力以调整系统内的压力。另外，分离器能够变形以考虑任何压力变化，并且还用作减振器。26.调节系统可以包括一个或多个减振器，所述减振器可以用于抑制压力控制误差或流动引起的振动。一个或多个减振器可以是一个或多个液压蓄能器的形式。由于光学元件对振动也非常敏感，因此期望在可能的情况下减少或消除振动。通过提供一个或多个减振器(其可以是一个或多个液压蓄能器的形式)，可以减少任何振动。27.在实施例中，调节流体储存器可以设置在光学元件下方，使得光学元件与调节流体储存器之间的流体静压差将光学元件处的压力降低至低于大气压力。由此，如果调节流体储存器被设置在光学元件的返回侧的高度下方，则流体静压差足以将光学元件处的调节流体的压力降低至低于大气压力。可以设置泵以将调节流体供应到光学元件，并通过流体静压差避免高于大气压力的压力。在光学元件与调节流体储存器之间可以存在压力控制装置。所述压力控制装置可以被配置成控制通过所述压力控制装置的调节流体的流动，以便控制光学元件处的压力。可选地，可以设置被配置成控制压力控制装置的压力传感器。可以设置压力控制器，所述压力控制器接收来自压力传感器的输入并且可操作成控制泵和/或气体入口流控制器。28.在实施例中，所述系统可以包括第一调节流体储存器和第二调节流体储存器。第一调节流体储存器和第二调节流体储存器可以经由阀彼此流体连通。阀可以可操作成控制调节流体在冷却剂储存器中的液位，所述冷却剂储存器与光学元件流体连通以控制压力。在实施例中，可以通过提供调节流体溢流而控制调节流体在调节流体储存器中的液位，从而控制光学元件上的静压，其中调节流体溢流的高度与光学元件的高度相关。29.根据本发明的第六方面，提供了一种光刻设备，所述光刻设备包括根据本发明的第一方面的调节系统。光刻设备可以是euv光刻设备。30.根据本发明的第七方面，提供了亚大气压力调节系统在光刻设备中的用途。优选地，所述调节系统是根据本发明的第一方面的调节系统。31.根据本发明的第八方面，提供了一种对光刻设备的系统或子系统进行调节的方法，所述方法包括在亚大气压力下向待被调节的系统或子系统提供液体调节流体。该系统或子系统可以包括光学元件，诸如例如反射器或反射镜。可以存在一个或多于一个的光学元件。可以提供合适的分配装置(诸如管道和歧管)，以允许将调节流体提供到光学元件。32.根据本发明的第九方面，提供了一种光刻方法，所述光刻方法包括将经图案化的辐射束投影到衬底上，其中使用至少一个光学元件引导或图案化经图案化的束，所述光学元件包括根据本发明的任意方面的调节系统。33.将理解的是，关于一个方面或实施例描述的特征可以与关于另一方面或实施例描述的任何特征相结合，并且本文中明确考虑和公开所有这样的组合。附图说明34.现在将仅通过示例的方式，参考所附的示意图来描述本发明的实施例，在附图中相应的附图标记指示相应的部分，并且在附图中：35.图1描绘了根据本发明的实施例的光刻设备；36.图2描绘了根据本发明的系统的第一实施例；37.图3描绘了根据本发明的系统的第二实施例；38.图4描绘了根据本发明的系统的第三实施例；39.图5描绘了根据本发明的系统的第四实施例；40.图6描绘了根据本发明的系统的第五实施例；41.图7描绘了根据本发明的系统的第六实施例；和42.图8描绘了根据本发明的系统的第七实施例。43.当结合附图时，本发明的特征和优点将从下面阐述的详细描述中变得更加明显，在附图中，相同的附图标记始终标识相应的元件。在附图中，相似的附图标记通常指示相同的、功能相似的和/或结构相似的元件。具体实施方式44.图1示出了根据本公开的实施例的光刻。光刻系统包括辐射源so和光刻设备la。辐射源so被配置成产生极紫外(euv)辐射束b。光刻设备la包括照射系统il、被配置成支撑图案形成装置ma(例如，掩模)的支撑结构mt、投影系统ps和被配置成支撑衬底w的衬底台wt。照射系统il被配置成在辐射束b入射到图案形成装置ma上之前调节辐射束b。投影系统被配置成将辐射束b(现在被掩模ma图案化)投影到衬底w上。衬底w可以包括先前形成的图案。在这种情况下，光刻设备将由经图案化的辐射束b与先前形成在衬底w上的图案对准。45.辐射源so、照射系统il和投影系统ps都可以被构造和布置成使得它们可以与外部环境隔离。可以在辐射源so中提供压力低于大气压的气体(例如氢气)。可以在照射系统il和/或投影系统ps中提供真空。可以在照射系统il和/或投影系统ps中提供压力远低于大气压下的少量气体(例如氢气)。46.图1中所示的辐射源so是可以被称为激光产生等离子体(lpp)源的类型。激光器(其可以例如是co2激光器)被布置成经由激光束而将能量沉积到燃料(诸如由燃料发射器提供的锡(sn))中。尽管在以下描述中提及的是锡，但是可以使用任何合适的燃料。燃料可以例如是液体形式，并且可以例如是金属或合金。燃料发射器可以包括喷嘴，被配置成将例如液滴的形式的锡沿着朝向等离子体形成区域的轨迹引导。激光束被入射到等离子体形成区域处的锡上。将激光能量沉积到锡中在等离子体形成区域处产生了等离子体。在等离子体的离子的去激发和复合期间，从等离子体发射包括euv辐射的辐射。47.由近正入射辐射收集器(有时更常见地称为正入射辐射收集器)收集和聚焦euv辐射。收集器可以具有被布置成反射euv辐射(例如具有诸如13.5nm的期望波长的euv辐射)的多层结构。收集器可以是具有两个椭圆形焦点的椭圆形配置。如下所讨论的，第一焦点可以在等离子体形成区域处，并且第二焦点可以在中间焦点处。48.激光器可以与辐射源so分离。在这种情况下，激光束可以借助于包括例如合适的定向镜和/或扩束器的束传递系统(未示出)和/或其他光学器件而从激光器传递到辐射源so。激光器和辐射源so可以一起被认为是辐射系统。49.由收集器反射的辐射形成辐射束b。辐射束b在一点处被聚焦以形成等离子体形成区域的图像，其用作照射系统il的虚拟辐射源。辐射束b被聚焦的点可以被称为中间焦点。辐射源so被布置成使得中间焦点位于或邻近于辐射源的封闭结构中的开口。50.辐射束b从辐射源so进入照射系统il，所述照射系统il被配置成调节辐射束。照射系统il可以包括琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11。琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11一起提供具有期望的横截面形状和期望的强度分布的辐射束b。辐射束b从照射系统il传递，并入射到由支撑结构mt保持的图案形成装置ma上。图案形成装置ma反射并图案化辐射束b。照射系统il可以包括除琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11之外或代替琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11的其他反射镜或装置。51.在从图案形成装置ma反射之后，经图案化的辐射束b进入投影系统ps。投影系统包括多个反射镜13、14，所述多个反射镜被配置成将辐射束b投影到由衬底台wt保持的衬底w上。投影系统ps可以对辐射束应用缩减因子，从而形成特征小于图案形成装置ma上的相应特征的图像。例如可以应用缩减因子4。尽管在图1中投影系统ps具有两个反射镜13、14，但是投影系统可以包括任何数量的反射镜(例如，六个反射镜)。52.在使用中，光刻设备的光学元件(诸如反射镜或反射器)被辐射加热，因此需要调节这样的光学元件。由此，根据本发明的调节系统被集成到光刻设备中以提供所需的调节。调节通常需要在光学元件在使用过程中加热时从所述光学元件移除热能。53.图1中所示的辐射源so可以包括未图示的部件。例如，可以在辐射源中提供光谱滤波器。光谱滤波器可以基本上对euv辐射是透射的，但是基本上对其他波长的辐射(诸如红外辐射)是阻挡的。54.图2至图8是根据本发明的调节系统的示意描绘图。55.图2描述了根据本发明的第一实施例的调节系统15的实施例。调节系统15包括调节流体储存器16。在所描绘的示例中，调节流体储存器16的顶部被示出为打开的或开口的。虽然在实践中，调节流体储存器可以是打开的/开口的或可以不是打开/开口的，但它被描绘为打开/开口的，以展示其中的调节流体17(其可以是水)没有被加压到大气压力以上，并且可以处于环境压力。调节流体储存器17经由可选的限流器18而连接到光学元件19。可以设置可选的压力传感器20，以在调节流体进入光学元件19或光学元件19的内部时测量调节流体的压力。泵21连接在光学元件19与调节流体储存器16之间。在使用中，来自调节流体储存器16(其也可以被称为调节流体室或容器)的调节流体17通过由泵产生的储存器出口与泵入口之间的压力差而进入到光学元件19中。在其他实施例中，流动依赖于基于储罐和光学元件的相对位置的重力。连接到光学元件19的输出侧的泵21将调节流体17泵送回到调节流体储存器16，随后所述调节流体17能够在调节流体储存器16处再循环调节系统15。限流器18可以是任何合适的设计，并且本发明不受限流器的确切性质的特别限制。限流器18用于在光学元件19处提供所需的压降，使得光学元件19处或光学元件19内的调节流体低于大气压力。在所描述的任何实施例中，被调节的光学元件19包含至少一个通道，调节流体可以穿过所述通道以从光学元件19吸收热量或向光学元件19提供热量，并将所述调节流体输送离开，从而调节光学元件19。调节流体储存器16中的调节流体17的液位仅是示意性的，并且可以高于或低于调节流体17经由泵21而返回的点。56.图3描绘了与图2类似的调节系统，但不同之处在于调节流体储存器16不处于大气压力下。相反，所述系统是密封的，使得被降低到期望的亚大气压力，然后关闭以便保持在亚大气压力下。可以提供气体连接22，所述气体连接22能够在压力增加到期望的水平以上时降低系统内的压力。类似地，如果压力下降过多或需要更多的调节流体，则可以向系统中添加额外的气体或调节流体。57.图4描绘了与图3类似的调节系统，但具有可变形的分离器23，所述分离器23可以是膜的形式，所述分离器23将调节流体17与在调节流体储存器16内的在所述调节流体17上方的气体分离。分离器23防止任何调节流体的蒸发，因此避免了调节流体的损失，还避免了具有真空泵或受控气体入口的需要。分离器23还抑制了系统内的由流动引起的振动。58.图5描绘了根据本发明的调节系统15的另一实施例。该实施例类似于图2的实施例，但具有封闭系统并具有亚大气压力调节流体储存器16。调节流体储存器16通过真空泵24而保持处于低于大气压力下。真空泵24被配置成通过移除存在于其中的气体而降低系统内的压力。可以设置受控气体入口，所述受控气体入口可以根据需要向系统添加气体或从系统中移除气体。59.图6描绘了类似于图5的实施例，但用于使调节流体移动通过系统的泵21被设置在调节流体储存器16与光学元件19的入口之间。在该实施例中，调节流体17被泵21泵送而经由限制器18进入光学元件19。光学元件19的出口被流体地连接到亚大气压力调节流体储存器16。真空泵24和气体连接器22能够操作成根据情况而移除和引入气体，以便控制系统内的压力。60.图7描绘了根据本发明的调节系统的又一实施例。在该实施例中，通过利用由将调节流体储存器16位于比光学元件19更低的高度处而引起的流体静压差25来产生低压。流体静压差25使得光学元件19的返回侧上的压力降低。泵21对此进行补偿，并能够向光学元件19的供应侧提供调节流体。围绕调节流体储存器16、泵21和限流器18的虚线框指示这些元件位于光学元件下方，并且这些元件相对于光学元件19的确切定位仅是示意性的。将理解的是，限流器18可以设置成邻近于光学元件19的返回侧。61.图8描绘了根据本发明的调节系统的再一实施例。在该实施例中，存在两个调节流体储存器16a、16b。所述两个调节流体储存器16a、16b经由阀26连接，所述阀26可操作成控制调节流体储存器16a内的水位。这又与连接到光学元件的返回侧的水泵21相结合，控制被提供到光学元件19的调节流体的流体静压。62.总之，本发明提供了一种亚大气调节系统，其能够调节光刻设备的关键部件，并能够直接调节这些部件，从而增加热效率并能够在较高的热负载下提高性能，而不会引起光学元件的不希望的变形。本发明具有冷却光刻设备的光学元件的特定但非排他性的应用。63.虽然上面已经描述了本发明的具体实施例，但是将理解，本发明可以以不同于所描述的方式实践。64.上面的描述旨在是说明性的而不是限制性的。因此，对于本领域技术人员将显而易见的是，在不脱离下面提出的权利要求的范围的情况下，可以对所描述的本发明进行修改。









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