位于直接接合到另一IC管芯的IC管芯上的贯穿模制物互连结构的制作方法 专利技术说明

电气元件制品的制造及其应用技术位于直接接合到另一ic管芯的ic管芯上的贯穿模制物互连结构背景技术：1.单片集成电路(ic)制作具有可能限制最终产品的性能的局限性。出于这一原因，正在研究单片制作的替代方案，例如各种版本的ic管芯集成(或分解)。单片ic制作的一种替代方案是将多个芯片组装成多芯片封装(mcp)。另一种替代方案是晶圆级堆叠。采用晶圆级堆叠技术，将单片制作的ic的两个或更多个晶圆接合在一起。然后，将晶圆单个化成多个堆叠的芯片封装。又一种替代方案是管芯堆叠。在管芯堆叠中，在单独的ic管芯中的所有金属化层已经完成之后，垂直地堆叠单个化的ic管芯。2.多芯片封装的优点是它们可以使来自异质硅工艺的ic管芯能够被组合在一起，使来自相同硅工艺的小的分解的ic管芯能够被组合在一起，或两者兼有。然而，将多个ic管芯集成到单个ic封装中存在许多挑战。附图说明3.在附图中通过示例的方式而非通过限制的方式示出了本文中描述的材料。为了说明的简单和清楚，附图中所示的元件不一定按比例绘制。例如，为了清楚，一些元件的尺寸可以相对于其他元件被夸大。此外，在认为合适时，已在附图中重复使用附图标记来指示对应的或相似的元件。在附图中：4.图1示出了根据一些实施例的用于对具有底侧管芯和包裹在顶侧管芯之下的模制物中的互连结构的ic封装进行组装的方法的流程图。5.图2a至图2h示出了根据一些实施例的对ic封装进行组装的相应的处理阶段的横截面侧视图。6.图3示出了根据一些实施例的用于对具有底侧管芯和位于顶侧管芯之下的过孔结构的ic封装进行组装的方法的流程图。7.图4a至图4f示出了根据一些实施例的用于对ic封装进行组装的相应的处理阶段的横截面侧视图。8.图5示出了根据一些实施例的用于对具有底侧管芯和包裹在顶侧管芯之下的模制物中的互连结构的ic封装进行组装的方法的流程图。9.图6a至图6e示出了根据一些实施例的用于对ic封装进行组装的相应的处理阶段的横截面侧视图。10.图7示出了根据一些实施例的采用ic封装的移动计算平台和数据服务器机器。11.图8是根据一些实施例的电子计算装置的功能框图。具体实施方式12.将多个ic芯片(也被称为贴片(tile)或小芯片)集成到单个ic封装中存在许多挑战。例如，两个或更多个中间ic管芯可以堆叠在较大的顶部ic管芯和底部ic管芯之间。在该布置中，顶部ic管芯可能需要电连接到更低的ic管芯(其可以是封装基板)，例如，用于功率和信号。建立必要的电连接的一种可能的方法是在中间管芯内部使用贯穿硅过孔(tsv)。建立电连接的另一种可能的方法是在与已经填充有电介质材料的中间管芯相邻的区域中使用贯穿电介质过孔(tdv)。13.在中间第一管芯中使用tsv从而将顶部ic管芯连接到底部ic管芯的缺点是其要求中间管芯是为特定的ic管芯封装定制设计的。它还使中间管芯的设计复杂，并且可能增加中间管芯的面积。将tsv用于功率还可能引入热冷却问题。14.在与中间管芯相邻的区域中使用tdv从而将顶部管芯连接到第三ic管芯的缺点与用于填充与中间管芯相邻的并且围绕中间管芯的空间的电介质材料相关。电介质材料典型地是氧化物。生长氧化物是昂贵且缓慢的工艺。此外，生长比大约20-30微米厚的氧化物层具有技术挑战，其中非常难以形成超过40微米的氧化物层。氧化物层需要具有与中间管芯相同的厚度。由于氧化物层被限制于大约20-30微米，因此中间管芯在被附接到顶部管芯之前将需要预先减薄至氧化物层厚度，或者如果氧化物用作空间填充物，则在被附接之后进行减薄。预先减薄的中间管芯是易碎的并且难以处理。比氧化物层厚的中间管芯在结构上更坚固。然而，在附接到顶部ic管芯之后对管芯进行减薄的工艺是困难的。在附接之后进行减薄是困难的，因为中间管芯含有必须被减薄和打开的铜tsv，并且对铜tsv进行减薄是困难的。此外，如果中间管芯正在面向下方，在附接到顶部管芯之后对中间管芯进行减薄是不可能的。15.实施例针对顶侧ic管芯和至少一个底侧ic管芯。使用直接接合(混合接合)技术附接顶侧ic管芯和底侧ic管芯。使用模制化合物来填充围绕位于顶侧ic管芯之下的较小的底侧ic管芯的空间。模制化合物的使用使得底侧ic管芯能够比如果围绕较小的底侧ic管芯的空间填充有氧化物时的底侧ic管芯将需要的厚度厚。在一些实施例中，模制化合物的使用使得底侧ic管芯能够比大约20-30微米厚；在其他实施例中，模制化合物的使用使得底侧ic管芯能够比40微米厚。使用模制化合物来填充与贴片相邻的并且围绕贴片的空间的各种实施例的优点是其比氧化物便宜并且可以施加得更快。各种实施例的另一优点是底侧ic管芯是结构上坚固的，并且由于其厚度而相对容易处理。16.实施例还针对在被附接到顶侧ic管芯之前使其tsv显露的至少一个底侧ic管芯。在至少一个底侧ic管芯附接到顶侧ic管芯之后，使用模制化合物来填充围绕较小的底侧ic管芯的空间。如果底侧ic管芯中的tsv在被附接到顶侧ic管芯之前没有显露，则用于在被包裹在模制物中之后显露tsv的工艺是复杂的。各种实施例的优点是tsv不需要在被包裹在模制物之后显露，并且因此，避免了复杂的显露工艺。17.参考附图描述了实施例。虽然详细地描绘并讨论了具体的构造和布置，但是应当理解的是，这仅是为说明的目的而作出的。相关领域的技术人员将认识到，在不脱离说明书的精神和范围的情况下，其他构造和布置是可能的。对于相关领域的技术人员而言将是显而易见的是，本文中描述的技术和/或布置可以用于除了本文中详细描述的那些系统和应用之外的各种其他系统和应用中。18.以下具体实施方式引用了附图，附图形成具体实施方式的一部分并且示出了示例性实施例。此外，应当理解的是，在不脱离所要求保护的主题的范围的情况下，可以利用其他实施例，并且可以做出结构和/或逻辑改变。还应当注意的是，方向和引用(例如，上、下、顶部、底部等)可以仅用来便于描述附图中的特征。因此，不应从限制的意义上理解以下具体实施方式，并且所要求保护的主题的范围仅由所附权利要求书及其等同物来限定。19.在以下描述中，阐述了众多细节。然而，对于本领域技术人员将是显而易见的是，可以在没有这些特定细节的情况下实施实施例。在一些实例中，公知的方法和装置以框图形式示出而非详细示出，从而避免使实施例难以理解。整个说明书中对“实施例”或“一个实施例”或“一些实施例”的引用表示结合实施例描述的特定特征、结构、功能或特性包括在至少一个实施例中。因此，整个说明书中多处出现短语“在实施例中”或“在一个实施例中”或“一些实施例”不一定是指同一实施例。此外，可以在一个或多个实施例中以适当方式将特定特征、结构、功能或特性进行组合。例如，可以将第一实施例与第二实施例进行组合，只要与这两个实施例相关联的特定特征、结构、功能或特性不是相互排斥的。20.如说明书和所附的权利要求书中所使用的，除非上下文另外清楚地指示，否则单数形式“一”和“所述”也意在包括复数形式。还将理解的是，如本文所使用的术语“和/或”指的是并且涵盖相关联的所列项目中的一个或多个项目的任何和所有可能的组合。21.术语“耦合”和“连接”连同它们的派生词在本文中可以用于描述部件之间的功能或结构关系。应当理解的是，这些术语并非旨在作为彼此的同义词。相反，在特定实施例中，“连接”可以用于指示两个或更多元件彼此直接物理、光或电接触。“耦合”可以用于指示两个或更多元件彼此直接或者间接(在它们之间具有其他居间元件)物理或电接触，和/或两个或更多元件彼此协作或相互作用(例如，如处于因果关系中)。22.如本文中所使用的术语“之上”、“之下”、“在……之间”和“在……上”是指一个部件或材料相对于其他部件或材料的相对位置(在这样的物理关系值得注意的地方)。例如，在材料的语境下，位于另一材料之上或之下的一个材料或层可以直接接触或者可以具有一个或多个居间材料或层。此外，两个材料或层之间的一个材料可以与两个材料/层直接接触或者可以具有一个或多个居间材料/层。对比之下，在第二材料或层“上”的第一材料或层与第二材料/层直接物理接触。在部件组件的语境中将作出类似的区分。23.如整个说明书以及权利要求书中所使用的，由术语“……中的至少一个”或“……中的一个或多个”结合的项目的列表可以表示所列项目的任何组合。例如，短语“a、b或c中的至少一个”可以表示a；b；c；a和b；a和c；b和c；或者a、b和c。24.除非在具体的使用语境中另外指明，否则术语“大多数”表示多于50％或多于一半。例如，大多数是第一组分的成分表示多于一半的成分是第一组分(例如，》50％(原子百分比))。术语“主要”表示最多或最大的部分。例如，主要是第一组分的成分表示成分具有比任何其他组分多的第一组分。主要是第一组分和第二组分的成分表示成分具有比任何其他组分多的第一组分和第二组分。术语“基本上”表示只存在偶然的变化。例如，基本上是第一组分的成分表示成分还可以包括《1％的任何其他组分。基本上是第一组分和第二组分的成分表示成分还可以包括《1％的替代第一组分或第二组分的任何组分。25.术语“封装”一般地是指一个或多个管芯的自包含的载体，其中，管芯附接到封装基板，并且为了保护可以被包封，其中，在管芯与位于封装基板的外部部分上的引线、引脚或凸块之间具有集成的或导线接合的互连。封装可以包含单个管芯或者多个管芯，从而提供具体功能。封装通常安装在印刷电路板上，以用于与其他封装的集成电路和分立部件互连，从而形成更大的电路。26.术语“电介质”一般地是指构成封装基板的结构的任何数量的非导电材料。出于本公开的目的，电介质材料可以作为层压膜的层或者作为被模制在安装于基板上的集成电路管芯之上的树脂而被并入到集成电路封装中。27.术语“金属化”一般地是指形成在封装基板的电介质材料之上并且穿过该电介质材料的金属层。一般对金属层进行图案化，从而形成金属结构(例如迹线和接合焊盘)。封装基板的金属化可以被限制到单个层或由电介质层分隔开的多个层中。28.术语“接合焊盘”一般地是指终止集成电路封装和管芯中的集成的迹线和过孔的金属化结构。术语“焊料焊盘”有时可以代替“接合焊盘”，并且具有相同的含义。另外，术语“导电接触部”可以用于“接合焊盘”，并且具有相同的含义。29.术语“焊料凸块”一般地是指形成在接合焊盘上的焊料层。焊料层典型地具有圆形形状，因此被称为术语“焊料凸块”。30.在本说明书和权利要求书中，术语“导电接触部”和“金属特征”具有相同的含义。在本说明书和权利要求书中，术语“互连结构”可以指“导电柱”或其他互连结构。31.术语“基板”一般是指包括电介质和金属化结构的平面平台。基板机械地支撑并且电耦合位于单个平台上的一个或多个ic管芯，其中一个或多个ic管芯被可模制的电介质材料包封。基板一般包括作为位于两侧上的接合互连的焊料凸块。基板的一般被称为“管芯侧”的一侧包括用于芯片或管芯接合的焊料凸块。基板的一般被称为“连接盘侧”的相对侧包括用于将封装接合到印刷电路板的焊料凸块。32.垂直取向是在z方向上，并且应当理解，对“顶部”、“底部”、“上方”和“下方”的引述是指具有通常含义的z维度上的相对位置。然而，应当理解，实施例不一定限制于图中所示的取向或构造。33.标记为“横截面”、“轮廓”和“平面”的视图对应于笛卡尔坐标系内的正交平面。因此，横截面图和轮廓图是在x-z平面中截取的，并且平面图是在x-y平面中截取的。典型地，在x-z平面中截取的轮廓图是横截面图。在适当时，附图用轴标记以指示图的取向。34.下文描述了包括直接接合到一个或多个底侧管芯的顶侧ic管芯的ic管芯封装。本文中描述的ic封装示例可以部分采用这样的接合技术来制造，即，嵌入顶侧ic管芯的绝缘体内的金属特征直接融合到嵌入底侧管芯的绝缘体内的金属特征。在金属特征和绝缘体两者被融合的情况下，由此产生的复合结构包括冶金互扩散金属和化学接合绝缘体两者的混合接合界面。在接合之前，可以在与每个底侧管芯分隔开的单片工艺中制作每个顶侧ic管芯。这样，每个顶侧ic管芯可以利用与接合到顶侧管芯的底侧管芯相同或不同的半导体装置制作技术。类似地，在组装之前，可以根据与顶侧ic管芯的分隔开的单片工艺制作底侧管芯。35.在本说明书和权利要求书中直接接合也可以被称为混合接合。如上文所描述的，直接接合是指第一ic管芯经由在第一ic管芯和第二ic管芯的金属化特征两者之间(例如，经由金属互扩散)以及在第一ic管芯和第二ic管芯的电介质材料之间形成的接合附接到第二ic管芯。36.图1示出了根据一些实施例的用于对具有底侧管芯和包裹在顶侧管芯之下的模制物中的互连结构的ic封装进行组装的方法的流程图。方法100在102处开始，其中制作或接收经由混合接合被附接到至少一个底侧ic管芯的顶侧ic管芯作为已经在方法100上游制作的预制物。可以由基板(例如玻璃或硅(例如，单晶硅)起始晶圆)单片地制作多个顶侧ic管芯。类似地，可以由基板(例如玻璃或硅(例如，单晶硅)起始晶圆)单片地制作多个底侧ic管芯。37.图2a是可以在102处作为起始材料来接收的一个ic封装200的横截面图示。虽然仅示出了一个ic封装200，但是ic封装200可以是单片晶圆或适合于晶圆级或面板级组装的重组面板的ic封装200中的一个ic封装。38.ic封装200包括顶侧ic管芯202和至少一个底侧ic管芯204。在图2a中，示出了底侧ic管芯204a和底侧ic管芯204b。在各种实施例中，多个底侧ic管芯204可以附接到顶侧集成电路管芯202。虽然在图2a中底侧ic管芯204a被示为没有附接到顶侧管芯202，但是这仅是为了能够容易看到管芯表面226、228。与图2a相反，并且如图2b-图2h中所示，底侧ic管芯204a附接到顶侧管芯202。在一些实施例中，底侧ic管芯204a、204b比30微米厚。在一些实施例中，底侧ic管芯204a、204b比40微米厚。39.顶侧ic管芯202包括装置层206以及已经单片地制作在装置层206之上的后端工序(beol)金属化层208。顶侧集成电路ic管芯202可以包括一个或多个装置层206。类似地，顶侧集成电路ic管芯202可以包括一个或多个金属化层208。顶侧ic管芯202包括第一表面226，其可以是如图所示的顶侧ic管芯202的顶表面，或者在一些实施例中是底表面。40.在前端工序(feol)处理期间，以与某个装置间距相关联的某个装置密度在装置层206中制作有源和/或无源装置。在一些实施例中，有源装置是具有80nm或更小的装置间距的场效应晶体管(fet)。fet可以是任何架构(例如，平面、非平面、单栅极、多栅极)的。在一些实施例中，fet端子具有40-80nm的特征间距。另外，或者替代地，装置层206可以包括除fet之外的有源装置。例如，装置层206可以包括电子存储器结构，例如磁隧道结(mtj)等。除了有源装置之外，或者代替有源装置，装置层206可以包括无源装置(例如，电阻器、电容器、电感器等)。41.在beol处理期间，装置层206的有源装置和无源装置互连成具有在一个或多个金属化层208内的金属结构的电路系统。在装置层206包括n型fet和p型fet两者的一些示例中，fet通过金属结构互连成cmos电路系统。金属化层208可以包括由层间电介质(ild)材料分隔开的任何数量的金属结构。42.如图2a中所示，顶侧ic管芯202还包括多个第一金属特征216以及嵌入位于第一表面226上的金属化层208内的一个或多个第二金属特征220。多个第一金属特征216以及至少一个第二金属特征220嵌入位于金属化层208中的电介质材料内。由于多个第一金属特征216与两个或更多个底侧ic管芯204界面相接，为了便于引用，多个第一金属特征216可以被称为具有与特定的底侧ic管芯204相关联的金属特征的组或集合。具体地，用于与底侧ic管芯204a界面相接的多个第一金属特征216的第一组或第一集合在本文中并且在权利要求书中可以被称为第一硬件界面250。用于与底侧ic管芯204b界面相接的多个第一金属特征216的第二组或第二集合在本文中并且在权利要求书中可以被称为第二硬件界面251。43.每个底侧ic管芯204a、204b包括装置层212以及已经单片地制作在装置层212之上的beol金属化层210。底侧ic管芯204a、204b可以包括一个或多个装置层212。类似地，底侧ic管芯204a、204b可以包括一个或多个金属化层210。44.每个底侧ic管芯204a、204b包括第一表面228，其可以是如图所示的底侧ic管芯204a、204b的顶表面，或者在一些实施例中是底表面。底侧ic管芯204a和204b中的每个底侧ic管芯包括与第一表面228相对的第二表面230。另外，底侧ic管芯204a和204b中的每个底侧ic管芯包括多个(例如，四个)侧壁或侧壁结构236。侧壁236从底侧ic管芯204a、204b的第一表面228延伸到第二表面230。45.上文描述为制作在用于顶侧ic管芯202的装置层206中的任何有源和无源装置可以类似地制作在每个底侧ic管芯204a、204b中的装置层212中。类似于顶侧ic管芯202的一个或多个金属化层208内的金属结构，每个底侧ic管芯204a、204b中的一个或多个金属化层210内的金属结构将装置层212的有源装置互连成电路系统。在一些实施例中，顶侧ic管芯202和底侧ic管芯204中的电路系统可以是相同的。然而，在其他实施例中，顶侧ic管芯202中的电路系统的架构和/或功能可以不同于底侧ic管芯204a、204b中的电路系统的架构和/或功能。46.如图2a中所示，底侧ic管芯204a、204b还包括位于第一表面228上的多个第三金属特征218。多个第三金属特征218嵌入位于第一表面228上的金属化层210中的电介质材料内。多个第三金属特征218在本文中可以被称为第二硬件界面。另外，底侧ic管芯204a、204b包括位于与第一表面228相对的第二表面230上的至少一个接合焊盘232。47.在实施例中，底侧ic管芯204a、204b经由直接接合或混合接合附接到顶侧ic管芯202，其中，在底侧ic管芯204a、204b和顶侧ic管芯202的金属化特征两者之间(例如，经由金属互扩散)以及底侧ic管芯204a、204b和顶侧ic管芯202的电介质材料之间形成接合。48.参考图2a-图2h中的底侧ic管芯204b，底侧ic管芯204b的多个第三金属特征218中的一个或多个第三金属特征与顶侧ic管芯202的多个第一金属特征216中的一个或多个第一金属特征直接接触。在实施例中，位于第二ic管芯204b的表面228处的第二硬件界面的金属特征218与顶侧ic管芯202的第一硬件界面250中的一个第一硬件界面的金属特征216直接接触。49.参考底侧ic管芯204a，如图2b-2h中所示，管芯204a的多个第三金属特征218中的一个或多个第三金属特征与管芯202的多个第一金属特征216中的一个或多个第一金属特征直接接触。管芯202的多个第一金属特征216中的与管芯204a的第三金属特征218接触的这些一个或多个第一金属特征可以替代地被称为多个第一金属特征216的第二组或第二集合。在实施例中，位于第二ic管芯204a的表面228处的第四硬件界面的金属特征218与顶侧ic管芯202的第一硬件界面250中的一个第一硬件界面的金属特征216直接接触。50.回到图1，在操作104、106、108以及110中形成导电柱222。在一些实施例中，可以根据半加成工艺(sap)制作柱222，例如，采用在镀覆掩模内电镀cu，并且在镀覆之后去除镀覆掩模。在104处，如图2b(其是ic封装200的横截面图示)中所示，在顶部管芯和底部管芯之上施加光致抗蚀剂。在图2b中可以看出，底侧ic管芯204a和底侧ic管芯204b至少部分地被包裹在光致抗蚀剂223中。在110处，可以采用本领域中已知的用于施加光致抗蚀剂的任何工艺。另外，可以使用任何适当的光致抗蚀剂材料。51.在图1中的106处，在光致抗蚀剂中形成至少一个开口。可以通过使用掩模和蚀刻工艺形成开口。可以采用本领域中已知的任何掩模和蚀刻工艺来形成开口221。图2c是示出了开口221已经形成在包裹底侧ic管芯204a和底侧ic管芯204b的光致抗蚀剂223中的ic封装200的横截面图示。开口221位于与底侧ic管芯204a和底侧ic管芯204b相邻的区域中。在110处，可以采用本领域中已知的任何掩模和蚀刻工艺。52.在图1中的108处，至少一个导电柱222形成在顶侧管芯上。导电柱222可以是铜，并且可以通过镀覆工艺形成。可以采用本领域中已知的任何镀覆工艺来形成导电柱222。图2d是示出了底侧ic管芯204a和底侧ic管芯204b中的导电柱222的ic封装200的横截面图示。在已经形成在光致抗蚀剂223中的开口221中形成导电柱222。53.在图1中的110处，对导电柱222进行减薄和平面化，并且去除光致抗蚀剂223。图2e是示出了延伸到与底侧ic管芯204a、204b的接合焊盘232相同高度的导电柱222的ic封装200的横截面图示。导电柱222具有暴露(即，未覆盖有光致抗蚀剂材料)的第一端表面240。第一端表面240可以基本上与接合焊盘232的暴露表面在同一平面上，该暴露表面与同tsv 214接触的表面相对。第一端表面240在本说明书和权利要求书中可以被称为导电接触部。可以使用本领域中已知的任何适当的方法来对导电柱222进行减薄和平面化。图2f是示出了已经去除了光致抗蚀剂223的ic封装200的横截面图示。可以使用本领域中已知的任何适当的方法去除光致抗蚀剂223。在图中可以看出，去除光致抗蚀剂223产生了与底侧ic管芯204a、204b的侧面相邻并且位于表面226之下的区域234和235。区域234还与导电柱222的侧面相邻。54.回到图1，方法100在形成模制材料层的112处继续。图2g是示出了导电柱222至少部分地被包裹在位于表面226之上的模制材料层224中的ic封装200的横截面图示。图2g还示出了至少部分地包裹在模制材料层224中的至少一个底侧ic管芯(例如，底侧ic管芯204a、204b)。模制材料层224在本说明书和权利要求书中还可以被称为“模制化合物”。模制材料层或模制化合物224可以是任何适当的有机材料或有机塑料材料，例如环氧树脂材料。模制材料224可以具有相对低的电导率，其中模制材料224有利地是电介质。模制材料224可以是已知适合于ic芯片封装应用的任何替代性材料。在一些示例性实施例中，模制材料224包括固化(例如，热固)树脂或包括包含环氧树脂和/或硅树脂的聚合物。模制材料224还可以包括各种填充物。在一些实施例中，模制材料224具有相对低的体热导率(例如，小于5w/mk)，并且可以例如具有在1-4w/mk的范围内的体热导率。用于将集成电路装置包裹在模制材料层中的处理和技术在本领域中是公知的，并且出于清楚和简洁的目的，不在本文中进行讨论。可以采用本领域中已知的任何适当的方法。55.回到图1，方法100在114处继续，其中对模制材料224进行平面化从而暴露底侧ic管芯204a、204b的接合焊盘232和导电柱222的第一端表面240。例如，研磨和/或抛光工艺可以部分地对模制材料224进行去除和/或平面化从而暴露以显露导电柱和底侧管芯焊盘232。图2h是在材料224已经被平面化之后的ic封装200的横截面图示。在图中可以看出，导电柱222的第一端表面240和底侧管芯焊盘232被暴露。应当理解，模制材料层224限定ic封装200的侧面238。如所提及的，顶侧ic管芯202具有第一表面226(参见图2a)。顶侧ic管芯202还具有与第一表面226相对的第二表面248。第二表面248限定ic封装200的侧面，该侧面是由模制材料层224限定的相对侧面238。56.在各种实施例中，模制材料层224是包括模制化合物的刚性体。刚性体邻接底侧ic管芯204a、204b的侧壁结构236。另外，刚性体邻接顶侧管芯202的第一表面226。导电柱222各自邻接刚性体的模制化合物并且延伸穿过刚性体的模制化合物。互连结构222的侧壁242邻接刚性体的模制化合物。参考图2a、图2h，ic管芯202的侧面226和导电柱222的第一端表面240之间的距离大于90微米。57.回到图1，方法100在116处继续，其中在导电柱和底侧管芯焊盘上形成焊料球。在图2h中可以看出，焊料球246已经形成在导电柱222的第一端表面240上，并且焊料球244已经形成在底侧管芯接合焊盘232上。焊料球244、246可以是具有指示自由表面焊料回流的球形形式的焊料球体。焊料球244、246可以由已知适合于电连接ic管芯的任何焊料成分组成。在一些实施例中，焊料球244、246包括金属。在一些示例性实施例中，焊料球244、246由sn-ag-cu(sac)合金组成。58.回到图1，方法100可以在118处继续，其中底侧管芯附接到封装基板或其他装置。底侧ic管芯204a、204b可以经由管芯焊盘232上的焊料球244连接到封装基板或其他装置。顶侧ic管芯202可以经由导电柱222上的焊料球246连接到封装基板或其他装置。非焊料实施例也是可能的，其中底侧管芯接合焊盘232和导电柱222直接接合(例如，cu-cu凸块)到封装基板或其他装置。59.图3示出了根据一些实施例的用于对具有底侧管芯和被包裹在顶侧管芯之下的模制物中的互连结构的ic封装进行组装的方法的流程图。方法300在302处开始，其中制作或接收经由混合接合附接到至少一个底侧ic管芯的顶侧ic管芯作为已经在方法300上游制作的预制物。可以由基板(例如玻璃或硅(例如，单晶硅)起始晶圆)单片地制作多个顶侧ic管芯。类似地，可以由基板(例如玻璃或硅(例如，单晶硅)起始晶圆)单片地制作多个底侧ic管芯。60.图4a是可以在302处作为起始材料来接收的一个ic封装400的横截面图示。虽然仅示出了一个ic封装400，但是ic封装400可以是单片晶圆或适合于晶圆级或面板级组装的重组面板的ic封装400中的一个ic封装。61.ic封装400包括顶侧ic管芯402和至少一个底侧ic管芯404。在图4a中，示出了底侧ic管芯404a和底侧ic管芯404b。在各种实施例中，多个底侧ic管芯404可以附接到顶侧集成电路管芯402。虽然在图4a中底侧ic管芯404a被示为没有附接到顶侧管芯402，但是这仅是为了能够容易看到管芯表面426、428。与图4a相反，并且如图4b-图4f中所示，底侧ic管芯404a附接到顶侧管芯402。在一些实施例中，底侧ic管芯404a、404b比30微米厚。在一些实施例中，底侧ic管芯404a、404b比40微米厚。62.顶侧ic管芯402包括装置层406以及已经单片地制作在装置层406之上的后端工序(beol)金属化层408。顶侧集成电路ic管芯402可以包括一个或多个装置层406。类似地，顶侧集成电路ic管芯402可以包括一个或多个金属化层408。顶侧ic管芯402包括第一表面426，其可以是如图所示的顶侧ic管芯402的顶表面，或者在一些实施例中是底表面。63.在前端工序(feol)处理期间，以与某个装置间距相关联的某个装置密度在装置层406中制作有源和/或无源装置。在一些实施例中，有源装置是具有80nm或更小的装置间距的场效应晶体管(fet)。fet可以是任何架构(例如，平面、非平面、单栅极、多栅极)的。在一些实施例中，fet端子具有40-80nm的特征间距。另外，或者替代地，装置层406可以包括除fet之外的有源装置。例如，装置层406可以包括电子存储器结构，例如磁隧道结(mtj)等。除了有源装置之外，或代替有源装置，装置层406可以包括无源装置(例如，电阻器、电容器、电感器等)。64.在beol处理期间，装置层406的有源装置和无源装置互连成具有在一个或多个金属化层408内金属结构的电路系统。在装置层406包括n型fet和p型fet两者的一些示例中，fet通过金属结构互连成cmos电路系统。金属化层408可以包括由层间电介质(ild)材料分隔开的任何数量的金属结构。65.如图4a中所示，顶侧ic管芯402还包括多个第一金属特征416以及嵌入位于第一表面426上的金属化层408内的一个或多个第二金属特征420。多个第一金属特征416以及至少一个互连结构422嵌入位于金属化层408中的电介质材料内。由于多个第一金属特征416与两个或更多个底侧ic管芯404界面相接，为了便于引用，多个第一金属特征416可以被称为具有与特定的底侧ic管芯404相关联的金属特征的组或集合。具体地，用于与底侧ic管芯404a界面相接的多个第一金属特征416的第一组或第一集合在本文中并且在权利要求书中可以被称为第一硬件界面450。用于与底侧ic管芯404b界面相接的多个第一金属特征416的第二组或第二集合在本文中并且在权利要求书中可以被称为第一硬件界面451。66.每个底侧ic管芯404a、404b包括装置层412以及已经单片地制作在装置层412之上的beol金属化层410。底侧ic管芯404a、404b可以包括一个或多个装置层412。类似地，底侧ic管芯404a、404b可以包括一个或多个金属化层410。67.每个底侧ic管芯404a、404b包括第一表面428，其可以是如图所示的底侧ic管芯404a、404b的顶表面，或者在一些实施例中是底表面。底侧ic管芯404a和404b中的每个底侧ic管芯包括与第一表面428相对的第二表面430。另外，底侧ic管芯404a和404b中的每个底侧ic管芯包括多个(例如，四个)侧壁或侧壁结构436。侧壁436从底侧ic管芯404a、404b的第一表面428延伸到第二表面430。68.上文描述为制作在用于顶侧ic管芯402的装置层406中的任何有源和无源装置可以类似地制作在每个底侧ic管芯404a、404b中的装置层412中。类似于顶侧ic管芯402的一个或多个金属化层408内的金属结构，每个底侧ic管芯404a、404b中的一个或多个金属化层410内的金属结构将装置层412的有源装置互连成电路系统。在一些实施例中，顶侧ic管芯402和底侧ic管芯404中的电路系统可以是相同的。然而，在其他实施例中，顶侧ic管芯402中的电路系统的架构和/或功能可以不同于底侧ic管芯404a、404b中的电路系统的架构和/或功能。69.如图4a中所示，底侧ic管芯404a、404b还包括位于第一表面428上的多个第三金属特征418。多个第三金属特征418嵌入位于第一表面428上的金属化层410内。多个第三金属特征418嵌入位于金属化层410中的电介质材料内。多个第三金属特征418在本文中可以被称为第二硬件界面。另外，底侧ic管芯404a、404b包括与第一表面428相对的第二表面430上的至少一个接合焊盘432。70.在实施例中，底侧ic管芯404a、404b经由直接接合或混合接合附接到顶侧ic管芯402，其中，在底侧ic管芯404a、404b和顶侧ic管芯402的金属化特征两者之间(例如，经由金属互扩散)以及底侧ic管芯404a、404b和顶侧ic管芯402的电介质材料之间形成接合。在实施例中，位于第二ic管芯404b的表面428处的第二硬件界面的金属特征418(导电接触部)与顶侧ic管芯402的第一硬件界面450中的一个第一硬件界面的金属特征416(导电接触部)直接接触。71.参考底侧ic管芯404a，如图4b-图4f中所示，管芯404a的多个第三金属特征418中的一个或多个第三金属特征与管芯402的多个第一金属特征416中的一个或多个第一金属特征直接接触。管芯402的多个第一金属特征416中的与管芯404a的第三金属特征418接触的这些一个或多个第一金属特征可以替代地被称为多个第一金属特征416的第二组或第二集合。在实施例中，位于第二ic管芯404a的表面428处的第二硬件界面的金属特征418(导电接触部)与顶侧ic管芯402的第一硬件界面450中的一个第一硬件界面的金属特征416(导电接触部)直接接触。72.回到图3，在操作304、306、308以及310中形成导电柱422。在一些实施例中，可以根据半加成工艺(sap)制作柱422，例如，采用在镀覆掩模内电镀cu，并且在镀覆之后去除镀覆掩模。在304处，如图4b(其是ic封装400的横截面图示)中所示，在顶部管芯和底部管芯之上施加光致抗蚀剂。在图4b中可以看出，底侧ic管芯404a和底侧ic管芯404b至少部分地被包裹在光致抗蚀剂423中。在310处，可以采用本领域中已知的用于施加光致抗蚀剂的任何工艺。另外，可以使用任何适当的光致抗蚀剂材料。73.在图3中的306处，在光致抗蚀剂中形成至少一个开口。可以通过使用掩模和蚀刻工艺形成开口。可以采用本领域中已知的任何掩模和蚀刻工艺来形成开口421。图4c是示出了开口421已经形成在包裹底侧ic管芯404a和底侧ic管芯404b的光致抗蚀剂423中的ic封装400的横截面图示。开口421位于与底侧ic管芯404a和底侧ic管芯404b相邻的区域中。在310处，可以采用本领域中已知的任何掩模和蚀刻工艺。74.在图3中的308处，至少一个导电柱422形成在顶侧管芯上。导电柱422可以是铜，并且可以通过镀覆工艺形成。可以采用本领域中已知的任何镀覆工艺来形成导电柱422。图4d是示出了底侧ic管芯404a和底侧ic管芯404b中的导电柱422的ic封装400的横截面图示。导电柱422形成在位于光致抗蚀剂423中的开口421中。75.在图3中的310处，对导电柱422进行减薄和平面化，并且去除光致抗蚀剂423。图4e是示出了延伸到与底侧ic管芯404a、404b的接合焊盘432相同高度的导电柱422的ic封装400的横截面图示。导电柱422具有暴露(即，未覆盖有光致抗蚀剂材料)的第一端表面440。第一端表面440可以基本上与接合焊盘432的暴露表面在同一平面上，该暴露表面与同tsv 414接触的表面相对。可以使用本领域中已知的任何适当的方法来对导电柱422进行减薄和平面化。76.回到图3，方法300在314处继续，其中在导电柱和底侧管芯焊盘上形成焊料球。在图4e中可以看出，焊料球446已经形成在导电柱422的第一端表面440上，并且焊料球444已经形成在底侧管芯接合焊盘432上。焊料球444、446可以是具有指示自由表面焊料回流的球形形式的焊料球体。焊料球444、446可以由已知适合于电连接ic管芯的任何焊料成分组成。在一些实施例中，焊料球444、446包括金属。在一些示例性实施例中，焊料球444、446由sn-ag-cu(sac)合金组成。77.回到图3，方法300在316处继续，其中光致抗蚀剂423被去除。图4f是示出了已经去除了光致抗蚀剂423的ic封装400的横截面图示。可以使用本领域中已知的任何适当的方法去除光致抗蚀剂423。在图中可以看出，去除光致抗蚀剂423产生了与底侧ic管芯404a、404b的侧面相邻并且位于表面426之下的区域434和435。区域434还与导电柱422的侧面相邻。参考图4a、图4f，在一些实施例中，ic管芯402的侧面426和导电柱422的第一端表面440之间的距离大于90微米。78.回到图3，方法300在318处继续，如上文关于方法100所描述的，其中可以形成模制材料层并且然后对其研磨和/或抛光以部分地对模制材料进行去除和/或平面化从而暴露以显露导电柱和底侧管芯焊盘。然而，操作318是可选的，并且方法300可以继续至320，其中底侧管芯404a、404b附接到封装基板或其他装置。底侧ic管芯404a、404b可以经由管芯焊盘432上的焊料球444连接到封装基板或其他装置。顶侧ic管芯402可以经由导电柱422上的焊料球446连接到封装基板或其他装置，使得顶侧ic管芯402与封装基板或其他装置电耦合。非焊料实施例也是可能的，其中底侧管芯接合焊盘432和导电柱422直接接合(例如，cu-cu凸块)到封装基板或其他装置。79.图5示出了根据一些实施例的用于对具有底侧管芯和被包裹在顶侧管芯之下的模制物中的互连结构的ic封装进行组装的方法的流程图。方法500在502处开始，其中制作或接收经由混合接合附接到至少一个底侧ic管芯的顶侧ic管芯作为已经在方法500上游制作的预制物。可以由基板(例如玻璃或硅(例如，单晶硅)起始晶圆)单片地制作多个顶侧ic管芯。类似地，可以由基板(例如玻璃或硅(例如，单晶硅)起始晶圆)单片地制作多个底侧ic管芯。80.图6a是可以在502处作为起始材料来接收的一个ic封装600的横截面图示。虽然仅示出了一个ic封装600，但是ic封装600可以是单片晶圆或适合于晶圆级或面板级组装的重组面板的ic封装600中的一个ic封装。81.ic封装600包括顶侧ic管芯602和至少一个底侧ic管芯604。在图6a中，示出了底侧ic管芯604a和底侧ic管芯604b。在各种实施例中，多个底侧ic管芯604可以附接到顶侧集成电路管芯602。虽然底侧ic管芯604a在图6a中被示为没有附接到顶侧管芯602，但是这仅是为了能够容易看到管芯表面626、628。与图6a相反，并且如图2b-图2h中所示，底侧ic管芯604a附接到顶侧管芯602。在一些实施例中，底侧ic管芯604a、604b比30微米厚。在一些实施例中，底侧ic管芯604a、604b比40微米厚。82.顶侧ic管芯602包括装置层606以及已经单片地制作在装置层606之上的后端工序(beol)金属化层608。顶侧集成电路ic管芯602可以包括一个或多个装置层606。类似地，顶侧集成电路ic管芯602可以包括一个或多个金属化层608。顶侧ic管芯602包括第一表面626，其可以是如图所示的顶侧ic管芯602的顶表面，或者在一些实施例中是底表面。83.在前端工序(feol)处理期间，以与某个装置间距相关联的某个装置密度在装置层606中制作有源和/或无源装置。在一些实施例中，有源装置是具有80nm或更小的装置间距的场效应晶体管(fet)。fet可以是任何架构(例如，平面、非平面、单栅极、多栅极)的。在一些实施例中，fet端子具有40-80nm的特征间距。另外，或者替代地，装置层606可以包括除fet之外的有源装置。例如，装置层606可以包括电子存储器结构，例如磁隧道结(mtj)等。除了有源装置之外，或代替有源装置，装置层606可以包括无源装置(例如，电阻器、电容器、电感器等)。84.在beol处理期间，装置层606的有源装置和无源装置互连成具有在一个或多个金属化层608内金属结构的电路系统。在装置层606包括n型fet和p型fet两者的一些示例中，fet通过金属结构互连成cmos电路系统。金属化层608可以包括由层间电介质(ild)材料分隔开的任何数量的金属结构。85.如图6a中所示，顶侧ic管芯602还包括多个第一金属特征616以及嵌入位于第一表面626上的金属化层608内的一个或多个第二金属特征620。由于多个第一金属特征616与两个或更多个底侧ic管芯604界面相接，为了便于引用，多个第一金属特征616可以被称为具有与特定的底侧ic管芯604相关联的金属特征的组或集合。具体地，用于与底侧ic管芯604a界面相接的多个第一金属特征616的第一组或第一集合在本文中并且在权利要求书中可以被称为第一硬件界面650。用于与底侧ic管芯604b界面相接的多个第一金属特征616的第二组或第二集合在本文中并且在权利要求书中可以被称为第一硬件界面651。86.每个底侧ic管芯604a、604b包括装置层612以及已经单片地制作在装置层612之上的beol金属化层610。底侧ic管芯604a、604b可以包括一个或多个装置层612。类似地，底侧ic管芯604a、604b可以包括一个或多个金属化层610。87.每个底侧ic管芯604a、604b包括第一表面628，其可以是如图所示的底侧ic管芯604a、604b的顶表面，或者在一些实施例中是底表面。底侧ic管芯604a和604b中的每个底侧ic管芯包括与第一表面628相对的第二表面630。另外，底侧ic管芯604a和604b中的每个底侧ic管芯包括多个(例如，四个)侧壁或侧壁结构636。侧壁636从底侧ic管芯604a、604b的第一表面628延伸到第二表面629。88.上文描述为制作在用于顶侧ic管芯602的装置层606中的任何有源和无源装置可以类似地制作在每个底侧ic管芯604a、604b中的装置层612中。类似于顶侧ic管芯602的一个或多个金属化层608内的金属结构，每个底侧ic管芯604a、604b中的一个或多个金属化层610内的金属结构将装置层612的有源装置互连成电路系统。在一些实施例中，顶侧ic管芯602和底侧ic管芯604中的电路系统可以是相同的。然而，在其他实施例中，顶侧ic管芯602中的电路系统的架构和/或功能可以不同于底侧ic管芯604a、604b中的电路系统的架构和/或功能。89.如图6a中所示，底侧ic管芯604a、604b还包括位于第一表面628上的多个第三金属特征618。多个第三金属特征618嵌入位于第一表面628上的金属化层610内。多个第三金属特征618嵌入位于金属化层610中的电介质材料内。多个第三金属特征618在本文中可以被称为第二硬件界面。另外，底侧ic管芯604a、604b包括与第一表面628相对的第二表面629上的至少一个接合焊盘632。90.在实施例中，底侧ic管芯604a、604b经由直接接合或混合接合附接到顶侧ic管芯602，其中，在底侧ic管芯604a、604b和顶侧ic管芯602的金属化特征两者之间(例如，经由金属互扩散)以及底侧ic管芯604a、604b和顶侧ic管芯602的电介质材料之间形成接合。91.参考图6a-图6e中的底侧ic管芯604b，底侧ic管芯604b的多个第三金属特征618中的一个或多个第三金属特征与顶侧ic管芯602的多个第一金属特征616中的一个或多个第一金属特征直接接触。在实施例中，位于第二ic管芯604b的表面628处的第二硬件界面的金属特征618(导电接触部)与顶侧ic管芯602的第一硬件界面650中的一个第一硬件界面的金属特征616(导电接触部)直接接触。92.参考底侧ic管芯604a，如图6b-图6e中所示，管芯604a的多个第三金属特征618中的一个或多个第三金属特征与管芯602的多个第一金属特征616中的一个或多个第一金属特征直接接触。管芯602的多个第一金属特征616中的与管芯604a的第三金属特征618接触的这些一个或多个第一金属特征可以替代地被称为多个第一金属特征616的第二组或第二集合。在实施例中，位于第二ic管芯604a的表面628处的第四硬件界面的金属特征618(导电接触部)与顶侧ic管芯602的第一硬件界面650中的一个第一硬件界面的金属特征616(导电接触部)直接接触。93.回到图5，方法500在504处继续，其中形成模制材料层。图6b是示出了至少一个底侧ic管芯(例如，底侧ic管芯604a、604b)至少部分地被包裹在位于表面626之上的模制材料层624中的ic封装600的横截面图示。模制材料层624在本说明书和权利要求书中还可以被称为“模制化合物”。模制材料层或模制化合物624可以是任何适当的有机塑料材料，例如环氧树脂材料。模制材料624可以具有相对低的电导率，其中模制材料624有利地是电介质。模制材料624可以是已知适合于ic芯片封装应用的任何替代性材料。在一些示例性实施例中，模制材料624包括固化(例如，热固)树脂或包括包含环氧树脂和/或硅树脂的聚合物。模制材料624还可以包括各种填充物。在一些实施例中，模制材料624具有相对低的体热导率(例如，小于5w/mk)，并且可以例如具有在1-4w/mk的范围内的体热导率。用于将集成电路装置包裹在模制材料层中的处理和技术在本领域中是公知的，并且出于清楚和简洁的目的，不在本文中进行讨论。可以采用本领域中已知的任何适当的方法。94.回到图5，方法500在506处继续，其中对模制材料624进行平面化从而暴露底侧ic管芯604a、604b的接合焊盘632。例如，研磨和/或抛光工艺可以部分地对模制材料624进行去除和/或平面化从而暴露以显露底侧管芯焊盘632。图6c是模制材料624已经被平面化之后的ic封装600的横截面图示。在图中可以看出，底侧管芯焊盘632暴露。应当理解，模制材料层624限定ic封装600的侧面638。顶侧ic管芯602具有第一表面626以及与第一表面626相对的第二表面648。第二表面648限定ic封装600的侧面，该侧面是由模制材料层624限定的相对侧面638。95.在各种实施例中，模制材料层624是包括模制化合物的刚性体。刚性体邻接底侧ic管芯604a、604b的侧壁结构636。另外，刚性体邻接顶侧管芯602的第一表面626。96.回到图5，方法500在图5中的508处继续，其中在模制材料624中形成至少一个开口621。图6d是示出了在模制材料624中形成开口621的ic封装600的横截面图示。可以使用钻孔工艺形成开口621。可以使用本领域中已知的激光钻孔或机械钻孔来钻出开口621。如图6d中所示，开口621具有基本上垂直和平行的侧壁。虽然在一些实施例中，开口621可能具有基本上垂直和平行的侧壁，但是在其他实施例中，开口621的侧壁不是平行的，并且开口类似于圆锥体。当采用激光钻孔形成开口621时，激光束的能量在光束中心处最大，并且朝光束的外围衰减，这使得与开口的外边缘相比，在开口的中心处去除了更多的材料。采用激光钻孔时，孔的半径随着孔的深度的增加而减小。激光钻孔产生圆锥形多于圆柱形的开口。开口621形成在第二金属特征620之上，并且特征中的金属可以起到激光停止部的作用，使得激光束不穿透到更低的基板层中。97.回到图5，方法500在图5中的511处继续，其中互连结构630形成在开口621中，并且焊料球628形成在接合焊盘632上。图6e是示出了在开口621中形成互连结构630并且在接合焊盘632上形成焊料球628的ic封装600的横截面图示。在实施例中，互连结构630是焊料特征，每个互连结构包括空腔填充部分660和凸块部分662。空腔填充部分660具有与开口621的轮廓一致的形状。因此，空腔填充部分660可以基本上是圆柱形的或基本上是圆锥形的。凸块部分662可以具有球形形状。在实施例中，互连结构630的凸块部分662可以是第一尺寸，并且焊料球628可以是第二尺寸。例如，凸块部分662可以具有大约100微米的高度以便于电连接到封装基板处，而焊料球628可以具有大约33微米的高度以用于与ic管芯电连接。互连结构630中使用的焊料和焊料球628可以由已知适合于电连接ic管芯的任何焊料成分组成。在一些实施例中，焊料可以包括金属，例如，sn-ag-cu(sac)合金。互连结构630各自邻接刚性体的模制化合物并且延伸穿过刚性体的模制化合物。空腔填充部分660的侧面邻接刚性体的模制化合物。参考图6a、图6c和图6e，在一些实施例中，ic管芯602的侧面626和模制材料层624的侧面638之间的距离大于90微米。互连结构630的位于ic管芯602的侧面626的相对端的端表面与模制材料层624的侧面638在一个平面中。因此，在一些实施例中，互连结构630可以具有大于90微米的高度。98.回到图5，方法500可以在514处继续，其中底侧管芯附接到封装基板或其他装置。底侧ic管芯604a、604b可以经由管芯焊盘632上的焊料球628连接到封装基板或其他装置。顶侧ic管芯602可以经由焊料互连结构630连接到封装基板或其他装置。99.图7示出了采用例如如本文中其他地方所描述的包括堆叠在底侧ic管芯上并且直接接合到底侧ic管芯的顶侧ic管芯、与底侧ic管芯相邻的互连结构以及包括包裹底侧ic管芯、互连结构的模制化合物的刚性体的ic管芯封装750的移动计算平台705和数据服务器机器706。服务器机器706可以是任何商用服务器，例如包括设置于机架内并联网在一起以进行电子数据处理的任何数量的高性能计算平台，在示例性实施例中，其包括ic管芯封装750，例如如本文中其他地方所描述的，ic管芯封装750包括堆叠在底侧ic管芯上并且直接接合到底侧ic管芯的顶侧ic管芯、与底侧ic管芯相邻的贯穿模制物互连结构以及包括包裹底侧ic管芯和互连结构的模制化合物的刚性体。移动计算平台705可以是被配置用于电子数据显示、电子数据处理、无线电子数据传输等中的每一种的任何便携式装置。例如，移动计算平台705可以是平板电脑、智能电话、膝上型计算机等中的任何一种，并且可以包括显示屏(例如，电容式触摸屏、电感式触摸屏、电阻式触摸屏或光学触摸屏)、集成系统710以及电池715。100.不管是被设置在展开图720中所示的集成系统710内，还是作为服务器机器706内的独立的封装，ic管芯封装750可以包括堆叠在底侧ic管芯上并且直接接合到底侧ic管芯的顶侧ic管芯、与底侧ic管芯相邻的贯穿模制物互连结构以及包括包裹底侧ic管芯和互连结构的模制化合物的刚性体。ic管芯封装750还可以耦合到主体基板760，而且主体控制器735、pmic 730以及包括宽带rf(无线)发射机和/或接收机的rf(无线)集成电路(rfic)725中的一个或多个也可以耦合到主体部件905。pmic 730可以执行电池功率调节、dc-dc转换等，并且因此具有耦合到电池715的输入且具有向其他功能模块提供电流源的输出。如进一步所示的，在示例性实施例中，rfic 725具有耦合到天线(未示出)从而实施多个无线标准或协议中的任何无线标准或协议的输出，该无线标准或协议包括但不限于wi-fi(ieee 802.11系列)、wimax(ieee 802.16系列)、ieee 802.20、长期演进(lte)、ev-do、hspa+、hsdpa+、hsupa+、edge、gsm、gprs、cdma、tdma、dect、蓝牙、其派生物以及被指定为3g、4g或更高版本的任何其他无线协议。101.图8是根据本发明的实施例的电子计算装置800的功能框图。例如，可以在移动计算平台705或服务器机器06内部找到计算装置800。装置800还包括容纳多个部件(例如但不限于处理器804(例如，应用处理器))的封装基板802。处理器804可以物理和/或电耦合到封装基板802。在一些示例中，处理器804位于例如如本文其他地方所描述的包括堆叠在底侧ic管芯上并且直接接合到底侧ic管芯的顶侧ic管芯、与底侧ic管芯相邻的贯穿模制物互连结构以及包括包裹底侧ic管芯和互连结构的模制化合物的刚性体的ic管芯封装内。处理器804可以采用ic管芯封装的任何或所有的ic管芯中的电路系统来实施。通常，术语“处理器”或“微处理器”可以指处理来自寄存器和/或存储器的电子数据以将该电子数据转换成可以进一步被存储在寄存器和/或存储器中的其他电子数据的任何装置或装置的部分。102.在各种示例中，一个或多个通信芯片806还可以物理和/或电耦合到封装基板802。在其他实实施方式中，通信芯片806可以是处理器804的部分。取决于其应用，计算装置800可以包括可以物理和电耦合到封装基板802或者可以不物理和电耦合到封装基板802的其他部件。这些其他部件包括但不限于：易失性存储器(例如，dram 832)、非易失性存储器(例如，rom 835)、闪速存储器(例如，nand或nor)、磁存储器(mram 830)、图形处理器822、数字信号处理器、加密处理器、芯片组812、天线825、触摸屏显示器815、触摸屏控制器865、电池816、音频编码解码器、视频编码解码器、功率放大器821、全球定位系统(gps)装置840、罗盘845、加速度计、陀螺仪、扬声器820、相机841以及大容量存储装置(例如硬盘驱动器、固态驱动器(ssd)、压缩光盘(cd)、数字多功能光盘(dvd)等)等。在一些示例性实施例中，上文所述的功能块中的至少两个功能块位于例如如本文中其他地方描述的包括接合到内插器的两侧的ic管芯的复合ic管芯封装结构内。例如，处理器804可以采用位于内插器的第一侧上的ic管芯中的电路系统来实施，并且电子存储器(例如，mram 830或dram 832)可以采用位于内插器的第二侧上的ic管芯中的电路系统来实施。103.通信芯片1106可以实现用于向和从计算装置1100传输数据的无线通信。术语“无线”及其派生词可以用于描述可以通过使用经调制的电磁辐射通过非固态介质来传送数据的电路、装置、系统、方法、技术、通信信道等。该术语并不暗示相关联的装置不含有任何导线，尽管在一些实施例中，它们可能不含有。通信芯片1106可以实施多种无线标准或协议中的任何无线标准或协议。如所讨论的，计算装置1100可以包括多个通信芯片1106。例如，第一通信芯片可以专用于较短程的无线通信，例如wi-fi和蓝牙，并且第二通信芯片可以专用于较长程的无线通信，例如gps、edge、gprs、cdma、wimax、lte、ev-do和其他。104.虽然已经参照各个实施方式描述了本文所阐述的某些特征，但是本说明书不旨在从限制的意义上来被理解。因此，本文中所描述的实施方式的各种修改以及对于本公开所属领域的技术人员而言是显而易见的其他实施方式被认为在本公开的精神和范围之内。105.将要认识到的是，本发明并不限于所描述的实施例，但是可以采用修改和更改来实践而不脱离所附权利要求的范围。例如，以上实施例可以包括如下文进一步提供的特征的特定组合。106.以下示例涉及进一步的实施例。可以在一个或多个实施例中的任何地方使用示例中的细节。本文中描述的设备的所有可选特征也可以相对于方法或工艺来实施。可以以任何组合对示例进行组合。例如，示例4可以与示例2组合。107.示例1：一种集成电路(ic)封装，包括：第一ic管芯，其包括位于第一ic管芯的第一侧处的第一硬件界面和位于第一侧处的一个或多个第一导电接触部；第二ic管芯，其耦合到第一ic管芯，第二ic管芯包括在第二ic管芯的第二侧处的第二硬件界面，其中，第一硬件界面的第二导电接触部各自与第二硬件界面的第三导电接触部中的相应的第三导电接触部直接接触，并且第二ic管芯的侧壁结构延伸到第二ic管芯的第二侧和第三侧；刚性体，其包括模制化合物，并且邻接侧壁结构和第一侧，其中，ic封装的侧面至少部分地由刚性体形成；以及第三硬件界面，其包括：一个或多个互连结构，每个互连结构耦合到一个或多个第一导电接触部中的相应的第一导电接触部，并且每个互连结构包括第四导电接触部和在第三侧处的第五导电接触部，其中，一个或多个互连结构各自邻接刚性体并延伸穿过刚性体从而将第三硬件界面电耦合到第一ic管芯。108.示例2：根据示例1的ic封装，其中，一个或多个互连结构是由铜构成的导电柱。109.示例3：根据示例1的ic封装，其中，一个或多个互连结构是焊料特征，每个互连结构包括空腔填充部分和凸块部分。110.示例4：根据示例1的ic封装，其中，模制化合物包括有机材料。111.示例5：根据示例1的ic封装，其中，第二ic管芯还包括连接第五导电接触部中的一个第五导电接触部与第二ic管芯的金属互连层的贯穿硅过孔。112.示例6：根据示例1的ic封装，其中，第二ic管芯的厚度大于40微米。113.示例7：根据示例1的ic封装，其中，第一ic管芯的第一侧和一个或多个互连结构的第四导电接触部之间的距离大于90微米。114.示例8：一种集成电路(ic)封装，包括：第一ic管芯，其包括位于第一ic管芯的第一侧处的第一硬件界面和位于第一侧处的一个或多个第一导电接触部；第二ic管芯，其耦合到第一ic管芯，第二ic管芯包括在第二ic管芯的第二侧处的第二硬件界面，其中，第一硬件界面的第二导电接触部各自与第二硬件界面的第三导电接触部中的相应的第三导电接触部直接接触；以及第三硬件界面，其包括：一个或多个互连结构，每个互连结构耦合到一个或多个第一导电接触部中的相应的第一导电接触部，并且每个互连结构包括第四导电接触部和在第二ic管芯的第三侧处的第五导电接触部，其中，一个或多个互连结构各自将第三硬件界面电耦合到第一ic管芯。115.示例9：根据示例8的ic封装，其中，第二ic管芯还包括延伸到第二ic管芯的第二侧和第三侧的侧壁结构，并且ic封装还包括：包括模制化合物的刚性体，刚性体邻接第二管芯的侧壁结构和第一侧，其中，ic封装的侧面至少部分地由刚性体形成，并且一个或多个互连结构各自邻接刚性体并延伸穿过刚性体。116.示例10：根据示例9的ic封装，其中，模制化合物包括有机材料。117.示例11：根据示例8的ic封装，其中，一个或多个互连结构是由铜构成的导电柱。118.示例12：根据示例8的ic封装，其中，第二ic管芯还包括将第五导电接触部中的一个第五导电接触部与第二ic管芯的金属互连层连接的贯穿硅过孔。119.示例13：根据示例8的ic封装，其中，第二ic管芯的厚度大于40微米。120.示例14：根据示例8的ic封装，其中，第一ic管芯的第一侧和一个或多个互连结构的第四导电接触部之间的距离大于90微米。121.示例15：一种系统，包括：电源；耦合到电源的集成电路(ic)封装，包括：包括位于第一ic管芯的第一侧处的第一硬件界面和一个或多个第一导电接触部的第一ic管芯；包括位于第二ic管芯的第二侧处的第二硬件界面以及延伸到第二ic管芯的第二侧和第三侧的侧壁结构的第二ic管芯，其中，第一硬件界面和第二硬件界面直接接触；刚性体，其包括模制化合物，并且邻接侧壁结构和第一侧，其中，ic封装的侧面至少部分地由刚性体形成；以及第三硬件界面，其包括：一个或多个互连结构，每个互连结构耦合到一个或多个第一导电接触部中的相应的第一导电接触部，并且每个互连结构包括第四导电接触部和在第三侧处的第五导电接触部，其中，一个或多个互连结构各自邻接刚性体并延伸穿过刚性体从而将第三硬件界面电耦合到第一ic管芯。122.示例16：根据示例15的系统，其中，第一ic管芯包括用于存储数据的存储器电路系统，并且第二ic管芯包括用于对数据执行指令的逻辑电路系统。123.示例17：根据示例15的系统，其中，第一硬件界面包括第二导电接触部；并且第二硬件界面包括第三导电接触部，其中，第一硬件界面的第二导电接触部各自与第二硬件界面的第三导电接触部中的相应的第三导电接触部直接接触。124.示例18：根据示例15的系统，其中，模制化合物包括有机材料。125.示例19：根据示例15的系统，其中，一个或多个互连结构由铜或焊料构成。126.示例20：根据示例15的系统，其中，第二ic管芯的厚度大于40微米。127.然而，以上实施例并不限于此，并且在各种实施方式中，以上实施例可以包括仅采取这样的特征的子集、采取这样的特征的不同顺序、采取这样的特征的不同组合和/或采取与明确列出的那些特征相比的额外的特征。因此，本发明的范围应当参考所附的权利要求连同被赋予这样的权利要求的等同物的完整范围来确定。









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