显示设备的制作方法 专利技术说明

办公文教;装订;广告设备的制造及其产品制作工艺显示设备1.相关申请的交叉引用2.本技术要求于2021年12月29日在韩国知识产权局(kipo)提交的第10-2021-0191839号韩国专利申请的优先权和权益，上述韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。技术领域3.一个或多个实施例涉及显示设备。背景技术：4.有机发光显示设备包括显示元件，例如，以根据电流而变化的亮度发光的有机发光二极管。有机发光显示设备的像素包括显示元件、驱动晶体管和开关晶体管，驱动晶体管根据驱动晶体管的栅极和源极之间的电压来控制供应到显示元件的电流的量，开关晶体管将数据信号传输到驱动晶体管以控制显示元件的亮度。技术实现要素：5.一个或多个实施例包括在包含氧化物半导体晶体管的像素的驱动期间减小对于每个驱动频率的亮度差异的显示设备。6.将通过本公开实现的技术目的不限于上述目的，并且根据本公开的描述，本领域技术人员将清楚地理解本文中未提及的其它技术目的。7.附加方面将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地将根据该描述而明显，或者可以通过实践本公开的所呈现的实施例来获知。8.根据本公开的方面，一种显示设备包括：像素部，包括多个像素，所述多个像素中的每一个电连接到第一扫描线、第二扫描线、第三扫描线、控制线和数据线；以及栅极驱动电路，分别通过所述第一扫描线、所述第二扫描线、所述第三扫描线和所述控制线输出第一扫描信号、第二扫描信号、第三扫描信号和控制信号。在以低于最大驱动频率的第一驱动频率驱动的驱动模式下，在一帧期间在一个第一扫描时段和一个或多个第二扫描时段中驱动所述多个像素中的每一个，并且所述栅极驱动电路根据所述第一驱动频率在所述第一扫描时段中将所述第一扫描信号和所述第三扫描信号供应到所述像素部，并且所述栅极驱动电路根据所述最大驱动频率在所述第一扫描时段和所述一个或多个第二扫描时段中将所述第二扫描信号和所述控制信号供应到所述像素部。9.所述一个或多个第二扫描时段中的每一者的长度和所述第一扫描时段的长度可以基本上彼此相等。10.所述第一扫描时段可以包括第一非发光时段和第一发光时段，并且所述一个或多个第二扫描时段中的每一者可以包括分别与所述第一非发光时段和所述第一发光时段相对应的第二非发光时段和第二发光时段。11.在所述第一驱动频率是所述最大驱动频率的1/n的情况下，所述一个或多个第二扫描时段的数量是n-1，其中，n是大于1的自然数。12.所述多个像素中的每一个可以包括至少一个晶体管，所述至少一个晶体管包括：第一晶体管；第二晶体管，电连接在所述第一晶体管的栅极和所述数据线之间，所述第二晶体管的栅极电连接到所述第一扫描线；第三晶体管，电连接在所述第一晶体管的所述栅极和第一电压线之间，所述第三晶体管的栅极电连接到所述第三扫描线；第四晶体管，电连接在所述第一晶体管的第二端子和第二电压线之间，所述第四晶体管的栅极电连接到所述第二扫描线；第五晶体管，电连接在所述第一晶体管的第一端子和第三电压线之间，所述第五晶体管的栅极电连接到所述控制线；第一电容器，电连接在所述第一晶体管的所述栅极和所述第一晶体管的所述第二端子之间；第二电容器，电连接在所述第三电压线和所述第一晶体管的所述第二端子之间；以及有机发光二极管，包括电连接到所述第一晶体管的所述第二端子的阳极。13.所述第一晶体管至所述第五晶体管中的每一者可以是n沟道氧化物半导体晶体管。14.所述第一扫描时段可以包括：第一时段，在所述第一时段中，所述第二扫描信号和所述第三扫描信号各自具有第一电平的电压以使所述至少一个晶体管中的至少一个晶体管导通，并且所述第一扫描信号和所述控制信号各自具有第二电平的电压以使所述至少一个晶体管中的至少一个晶体管截止；第二时段，在所述第二时段中，所述第一扫描信号和所述第二扫描信号各自具有所述第二电平的所述电压，并且所述第三扫描信号和所述控制信号各自具有所述第一电平的所述电压；第三时段，在所述第三时段中，所述第一扫描信号具有所述第一电平的所述电压，并且所述第二扫描信号、所述第三扫描信号和所述控制信号各自具有所述第二电平的所述电压；以及第四时段，在所述第四时段中，所述第一扫描信号、所述第二扫描信号和所述第三扫描信号各自具有所述第二电平的所述电压，并且所述控制信号具有所述第一电平的所述电压。15.所述一个或多个第二扫描时段可以包括第五时段，在所述第五时段中，在所述第一扫描信号、所述第三扫描信号和所述控制信号各自具有所述第二电平的所述电压以使所述至少一个晶体管中的至少一个晶体管截止的时段的一部分中，所述第二扫描信号具有所述第一电平的所述电压以使所述至少一个晶体管中的至少一个晶体管导通。16.所述一个或多个第二扫描时段中的所述第五时段的时序和所述第一扫描时段中的所述第一时段的时序可以基本上彼此相同。17.所述第一扫描时段还可以包括第六时段，所述第六时段在所述第三时段和所述第四时段之间，在所述第六时段中，所述第一扫描信号、所述第三扫描信号和所述控制信号各自具有所述第二电平的所述电压，并且所述第二扫描信号具有所述第一电平的所述电压，并且所述一个或多个第二扫描时段还可以包括第七时段，所述第七时段在所述第五时段之后并且在所述控制信号从所述第二电平转变为所述第一电平之前，在所述第七时段中，所述第二扫描信号具有所述第一电平的所述电压。18.所述多个像素中的每一个还可以包括电连接在所述第一晶体管的所述第二端子和第四电压线之间的第三电容器。19.在所述第一扫描时段中，通过所述第四电压线供应的第四电压可以在所述第一时段开始之前从高电平转变为低电平，并且在所述第六时段结束之后从所述低电平转变为所述高电平，并且在所述一个或多个第二扫描时段中，所述第四电压可以在所述第五时段开始之前从所述高电平转变为所述低电平，并且在所述第七时段结束之后从所述低电平转变为所述高电平。20.在所述第一扫描时段中，通过所述第二电压线供应的第二电压可以在所述第一时段开始之前从高电平转变为低电平，并且在所述第六时段开始之前从所述低电平转变为所述高电平，并且在所述一个或多个第二扫描时段中，所述第二电压可以在所述第五时段开始之前从所述高电平转变为所述低电平，并且在所述第七时段开始之前从所述低电平转变为所述高电平。21.根据本公开的另一方面，一种显示设备包括：像素部，包括多个像素，所述多个像素中的每一个电连接到第一扫描线、第二扫描线、第三扫描线、第四扫描线、控制线和数据线；以及栅极驱动电路，分别通过所述第一扫描线、所述第二扫描线、所述第三扫描线、所述第四扫描线和所述控制线输出第一扫描信号、第二扫描信号、第三扫描信号、第四扫描信号和控制信号。在以低于最大驱动频率的第一驱动频率驱动的驱动模式下，在一帧期间在一个第一扫描时段和一个或多个第二扫描时段中驱动所述多个像素中的每一个，并且所述栅极驱动电路根据所述第一驱动频率在所述第一扫描时段中将所述第一扫描信号和所述第三扫描信号供应到所述像素部，并且所述栅极驱动电路根据所述最大驱动频率在所述第一扫描时段和所述一个或多个第二扫描时段中将所述第四扫描信号和所述控制信号供应到所述像素部。22.所述多个像素中的每一个可以包括至少一个晶体管，所述至少一个晶体管包括：第一晶体管；第二晶体管，电连接在所述第一晶体管的栅极和所述数据线之间，所述第二晶体管的栅极电连接到所述第一扫描线；第三晶体管，电连接在所述第一晶体管的所述栅极和第一电压线之间，所述第三晶体管的栅极电连接到所述第三扫描线；第四晶体管，电连接在所述第一晶体管的第二端子和第二电压线之间，所述第四晶体管的栅极电连接到所述第二扫描线；第五晶体管，电连接在所述第一晶体管的第一端子和第三电压线之间，所述第五晶体管的栅极电连接到所述控制线；第六晶体管，电连接在所述第一晶体管的所述第二端子和第四电压线之间，所述第六晶体管的栅极电连接到所述第四扫描线；第一电容器，电连接在所述第一晶体管的所述栅极和所述第一晶体管的所述第二端子之间；第二电容器，电连接在所述第三电压线和所述第一晶体管的所述第二端子之间；以及有机发光二极管，包括电连接到所述第一晶体管的所述第二端子的阳极。23.所述多个像素中的每一个可以包括至少一个晶体管，所述至少一个晶体管包括：第一晶体管；第二晶体管，电连接在所述第一晶体管的栅极和所述数据线之间，所述第二晶体管的栅极电连接到所述第一扫描线；第三晶体管，电连接在所述第一晶体管的所述栅极和第一电压线之间，所述第三晶体管的栅极电连接到所述第三扫描线；第四晶体管，电连接在所述第一晶体管的第二端子和第二电压线之间，所述第四晶体管的栅极电连接到所述第二扫描线；第五晶体管，电连接在所述第一晶体管的第一端子和第三电压线之间，所述第五晶体管的栅极电连接到所述控制线；第六晶体管，电连接在所述第一晶体管的所述第一端子和第四电压线之间，所述第六晶体管的栅极电连接到所述第四扫描线；第一电容器，电连接在所述第一晶体管的所述栅极和所述第一晶体管的所述第二端子之间；第二电容器，电连接在所述第三电压线和所述第一晶体管的所述第二端子之间；以及有机发光二极管，包括电连接到所述第一晶体管的所述第二端子的阳极。24.所述第一晶体管至所述第六晶体管中的每一者可以是n沟道氧化物半导体晶体管。25.所述第一扫描时段可以包括：第一时段，在所述第一时段中，所述第二扫描信号和所述第三扫描信号各自具有第一电平的电压以使所述至少一个晶体管中的至少一个晶体管导通，并且所述第一扫描信号和所述控制信号各自具有第二电平的电压以使所述至少一个晶体管中的至少一个晶体管截止；第二时段，在所述第二时段中，所述第一扫描信号和所述第二扫描信号各自具有所述第二电平的所述电压，并且所述第三扫描信号和所述控制信号各自具有所述第一电平的所述电压；第三时段，在所述第三时段中，所述第一扫描信号具有所述第一电平的所述电压，并且所述第二扫描信号、所述第三扫描信号和所述控制信号各自具有所述第二电平的所述电压；第四时段，在所述第四时段中，所述第一扫描信号、所述第二扫描信号和所述第三扫描信号各自具有所述第二电平的所述电压，并且所述控制信号具有所述第一电平的所述电压；以及第六时段，在所述第三时段和所述第四时段之间，在所述第六时段中，所述第一扫描信号、所述第二扫描信号、所述第三扫描信号和所述控制信号各自具有所述第二电平的所述电压，并且所述第四扫描信号具有所述第一电平的所述电压。26.所述一个或多个第二扫描时段可以包括：第五时段，在所述第五时段中，在所述第一扫描信号、所述第三扫描信号、所述第四扫描信号和所述控制信号各自具有所述第二电平的所述电压的时段的一部分中，所述第二扫描信号具有所述第一电平的所述电压；以及第七时段，所述第七时段在所述第五时段之后并且在所述控制信号从所述第二电平转变为所述第一电平之前，在所述第七时段中，所述第四扫描信号具有所述第一电平的所述电压。27.所述一个或多个第二扫描时段可以包括第七时段，在所述第七时段中，在所述第一扫描信号、所述第二扫描信号、所述第三扫描信号和所述控制信号各自具有所述第二电平的所述电压的时段的一部分中，所述第四扫描信号具有所述第一电平的所述电压。28.所述一个或多个第二扫描时段中的所述第七时段的时序和所述第一扫描时段中的所述第六时段的时序可以基本上彼此相同。29.所述第四扫描线可以电连接到三个或更多个相邻行中的所述第二扫描线，并且所述第四扫描信号可以是供应到所述三个或更多个相邻行中的所述第二扫描线的第二扫描信号。附图说明30.根据以下结合附图的进行的描述，本公开的特定实施例的以上以及其它方面、特征和优点将更加明显，在附图中：31.图1是根据实施例的显示设备的一部分的示意性平面图；32.图2是根据实施例的显示设备的示意性框图；33.图3是根据实施例的像素的像素电路的等效电路的示意图；34.图4是用于操作图3的像素电路的信号的示意性时序图；35.图5是根据实施例的第一驱动模式下的信号的示意性时序图；36.图6是根据实施例的第二驱动模式下的信号的示意性时序图；37.图7是示出在第一驱动模式和第二驱动模式下根据驱动频率驱动显示设备的方法的示例的示意性概念图；38.图8和图9是示出通过显示设备的亮度测量得到的光波形的示例的示意性曲线图；39.图10示出了根据另一实施例的第二驱动模式下的信号的示意性时序图；40.图11是根据另一实施例的像素的像素电路的等效电路的示意图；41.图12和图13示出了用于在第二驱动模式下操作图11的像素电路的信号的示意性时序图；42.图14是根据另一实施例的像素的像素电路的等效电路的示意图；43.图15是根据另一实施例的像素的像素电路的等效电路的示意图；44.图16示出了用于在第二驱动模式下操作图15的像素电路的信号的示意性时序图；45.图17示出了根据实施例的用于在第二驱动模式下操作图3的像素电路的信号的示意性时序图；46.图18是根据另一实施例的像素的像素电路的等效电路的示意图；47.图19是根据实施例的第二驱动模式下的第二扫描时段的示意性时序图；48.图20是示出根据实施例的显示元件的结构的示意性截面图；49.图21a至图21d是示出根据实施例的显示元件的结构的示意性截面图；50.图22a是示出图21c的有机发光二极管的示例的示意性截面图；51.图22b是示出图21d的有机发光二极管的示例的示意性截面图；以及52.图23是示出根据实施例的显示设备的像素的结构的示意性截面图。具体实施方式53.现在将详细地参考实施例，在附图中示出了实施例的示例，在附图中，同样的附图标记始终指代同样的元件。在这方面，实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为局限于本文中所阐述的描述。因此，下面仅通过参考附图描述实施例，以说明说明书的各方面。术语“和/或”包括一个或多个相关联的配置可以限定的所有组合。例如，“a和/或b”可以被理解为表示“a、b或者a和b”。出于其含义和解释的目的，短语“……中的至少一个(种)”旨在包括“从……的组中选择的至少一个(种)”的含义。例如，“a和b中的至少一个(种)”可以被理解为表示“a、b或者a和b”。54.可以对实施例应用各种修改，并且将在附图中示出并在具体实施方式部分中描述特定实施例。参考下面结合附图的详细描述，实施例的效果和特征以及实现这些效果和特征的方法将更清楚。然而，实施例可以以各种形式实现，而不受下面呈现的实施例的限制。55.在下面的实施例中，将理解的是，尽管在本文中可以使用术语“第一”和“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。56.在下面的实施例中，如本文中所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式“一个”、“一种”和“所述(该)”也旨在包括复数形式(或含义)。57.在下面的实施例中，将进一步理解的是，本文中所使用的术语“包括”、“包含”和/或其变型说明存在所陈述的特征或元件，但是不排除存在或附加一个或多个其它特征或元件。58.在下面的实施例中，将理解的是，当层、区或元件被称为“形成在”另一层、区或元件“上”时，所述层、区或元件可以直接或间接地形成在所述另一层、区或元件上。即，例如，可以存在居间层、居间区或居间元件。59.为了便于说明，附图中的元件的尺寸可能被夸大。例如，因为为了便于说明而任意地示出了附图中的元件的尺寸和厚度，所以下面的实施例不限于此。60.在实施例中，布线“在第一方向或第二方向上延伸”的含义不仅包括以直线形状延伸，而且还包括沿着第一方向或第二方向以z字形或曲线延伸。61.在下面的实施例中，当x和y彼此连接时，可以包括x和y电连接的情况、x和y在功能上连接的情况以及x和y直接连接的情况。这里，x和y可以是物体，例如设备、装置、电路、布线、电极、端子、导电膜、层等。因此，例如，特定的连接关系不限于在附图或详细描述中描述的连接关系，并且可以包括除了在附图或详细说明中描述的连接关系之外的情况。62.例如，x和y彼此电连接的情况可以包括能够使x和y之间电连接的一个或多个元件(例如，开关、晶体管、电容器、电感器、电阻器、二极管等)连接在x和y之间的情况。63.在下面的实施例中，与装置状态结合使用的术语“导通”可以表示装置的激活状态，并且术语“截止”可以指装置的非激活状态。与由装置接收的信号结合使用的术语“导通”可以指激活装置的信号，并且术语“截止”可以指将装置禁用的信号。装置可以由高电平电压或低电平电压激活。例如，p沟道晶体管由低电平电压激活，并且n沟道晶体管由高电平电压激活。因此，应当理解的是，p沟道晶体管和n沟道晶体管的“导通”电压处于相反的(低与高)电压电平。64.考虑到讨论中的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)，如本文中所使用的“大约”或“近似”包括所陈述的值，并且指在由本领域普通技术人员所确定的特定值的可接受的偏差范围内。例如，“大约”可以指在一个或多个标准偏差内，或者在所陈述的值的±30％、±20％、±10％或±5％内。65.除非在本文中另有定义或暗示，否则本文中所使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本公开所属领域的技术人员通常理解的相同的含义。将进一步理解的是，除非在本文中明确地如此定义，否则术语(例如在通用的词典中定义的术语)应当被解释为具有与它们在相关领域的上下文和本公开中的含义一致的含义，并且不应以理想的或过于形式化的意义来解释。66.图1是根据实施例的显示设备的一部分的示意性平面图。根据本公开的显示设备可以包括如图1中所示的显示面板。显示设备可以包括具有显示面板的任意显示设备。例如，显示设备可以是诸如智能电话、平板个人计算机(pc)、膝上型计算机、电视机和广告牌等的各种产品。显示面板可以包括显示区域da和在显示区域da外部的外围区域pa。67.显示区域da是用于显示图像的部分(或区域)，并且像素可以布置在显示区域da中。当从近似垂直于显示面板的方向(z轴方向)观察时，显示区域da可以具有各种形状，例如，椭圆形形状、多边形形状和特定图形的形状等。图1示出了显示区域da具有带有倒圆角的近似矩形形状。包括在根据本公开的显示设备中的显示面板具有显示区域da，显示区域da具有在作为水平方向的第二方向(x轴方向)上的长度大于在作为垂直方向的第一方向(y轴方向)上的长度的形状。包括具有这样的形状的显示区域da的显示面板可以被解释为使包括在显示面板中的基底包括具有这样的形状的显示区域da。各种驱动电路可以定位在显示面板的外围区域pa中。68.图2是根据实施例的显示设备1的示意性框图。69.参考图2，根据实施例的显示设备1可以包括像素部110、第一栅极驱动电路120、第二栅极驱动电路130、数据驱动电路150、电源电路160和控制器170。70.显示设备1的像素部110可以设置在图1的显示区域da中。显示设备1的外围区域pa(参见图1)可以被提供有第一栅极驱动电路120、第二栅极驱动电路130、数据驱动电路150、电源电路160和控制器170。71.像素px可以设置在像素部110中。像素px可以以诸如条纹排列、排列和马赛克排列等的各种形状布置，以提供图像。像素部110可以设置在基底的显示区域da中。每个像素px可以包括作为显示元件的有机发光二极管和连接到有机发光二极管的像素电路。每个像素px可以通过有机发光二极管发射例如红光、绿光、蓝光或白光。72.第一扫描线、第二扫描线和第三扫描线以及发光控制线可以在像素部110中以规则的间隔彼此间隔开并且以行布置。第一扫描线、第二扫描线、第三扫描线以及发光控制线可以各自在第一方向(例如，行方向)上延伸，并且可以连接到定位在同一行中的像素px。第一扫描线中的每一条可以将第一扫描信号gw传输到同一行中的像素px。第二扫描线中的每一条可以将第二扫描信号gi传输到同一行中的像素px。第三扫描线中的每一条可以将第三扫描信号gr传输到同一行中的像素px。发光控制线中的每一条可以将发光控制信号em传输到同一行中的像素px。数据线可以在像素部110中以规则的间隔彼此间隔开并且以列布置。数据线中的每一条可以在第二方向(例如，列方向)上延伸，并且可以连接到定位在同一列中的像素px。数据线中的每一条可以将数据信号data传输到同一列中的像素px。73.显示设备1可以支持可变刷新率(vrr)。显示设备1可以通过在最大驱动频率和最小驱动频率之间的范围内改变驱动频率来操作。在下面的描述中，假设显示设备1以最大驱动频率操作的模式被称为常规模式(第一驱动模式)，并且显示设备1以低于最大驱动频率的驱动频率(第一驱动频率)操作的模式被称为低速驱动模式(第二驱动模式)。显示设备1可以在低速驱动模式下操作以降低功耗。可以在第一驱动模式或第二驱动模式下驱动像素px中的每一个。74.第一栅极驱动电路120可以连接到像素部110的第一扫描线、第二扫描线和第三扫描线，并且可以响应于第一驱动控制信号cs1将第一扫描信号gw、第二扫描信号gi和第三扫描信号gr分别供应到第一扫描线、第二扫描线和第三扫描线。在第一扫描信号gw、第二扫描信号gi和第三扫描信号gr具有导通电压的情况下，像素px的连接到相对应的扫描线的晶体管导通。在第二驱动模式下，第一栅极驱动电路120可以根据第一驱动频率将第一扫描信号gw和第三扫描信号gr供应到像素部110，并且根据最大驱动频率将第二扫描信号gi供应到像素部110。75.第二栅极驱动电路130可以连接到像素部110的发光控制线，并且可以根据第二驱动控制信号cs2将发光控制信号em供应到发光控制线。在第二驱动模式下，第二栅极驱动电路130可以根据最大驱动频率将发光控制信号em供应到像素部110。76.数据驱动电路150可以连接到像素部110的数据线，并且可以根据第三驱动控制信号cs3将表示色阶的数据信号data供应到数据线。数据驱动电路150可以将具有色阶并且从控制器170输入的输入图像数据转换为电压或电流的形式的数据信号data。77.电源电路160可以生成驱动像素px所需的电压。例如，电源电路160可以生成第一驱动电压elvdd、第二驱动电压elvss、基准电压vref和初始化电压vint。电源电路160可以将第一驱动电压elvdd、第二驱动电压elvss、基准电压vref和初始化电压vint供应到像素部110的像素px。78.第一驱动电压elvdd的电平可以大于第二驱动电压elvss的电平。基准电压vref的电平可以小于第一驱动电压elvdd的电平。初始化电压vint可以是能够使有机发光二极管截止的电压。在实施例中，初始化电压vint的电平可以低于或等于第二驱动电压elvss的电平。在实施例中，初始化电压vint的电平可以大于第二驱动电压elvss的电平，并且初始化电压vint和第二驱动电压elvss之间的电平差可以小于使像素px的显示元件能够发光所需的阈值电压。79.控制器170可以通过控制第一栅极驱动电路120、第二栅极驱动电路130和数据驱动电路150的操作时序来控制像素部110。控制器170可以从外部图形控制器(未示出)接收图像数据rgb和用于控制图像数据rgb的显示的外部控制信号cont。外部控制信号cont可以包括例如垂直同步信号、水平同步信号、数据使能信号和时钟信号中的至少一者。控制器170可以响应于外部控制信号cont生成第一驱动控制信号cs1、第二驱动控制信号cs2和第三驱动控制信号cs3，并且将生成的第一驱动控制信号cs1、第二驱动控制信号cs2和第三驱动控制信号cs3分别传输到第一栅极驱动电路120、第二栅极驱动电路130和数据驱动电路150。图像数据rgb可以包括像素px的亮度信息。亮度可以具有设定数量(例如，1024(＝210)、256(＝28)或64(＝26))的色阶(灰度级)。80.尽管图2示出了第一栅极驱动电路120和第二栅极驱动电路130彼此分开，但是在实施例中，第一栅极驱动电路120和第二栅极驱动电路130可以被实现为用于输出第一扫描信号gw、第二扫描信号gi、第三扫描信号gr和发光控制信号em的栅极驱动电路。81.第一栅极驱动电路120、第二栅极驱动电路130、数据驱动电路150、电源电路160和控制器170可以以分开的集成电路芯片或单个集成电路芯片的形式形成并且直接安装在形成有像素部110的基底上、安装在柔性印刷电路膜上、以带载封装(tcp)的形式附接在基底上，或者第一栅极驱动电路120、第二栅极驱动电路130、数据驱动电路150、电源电路160和控制器170可以直接形成在基底上。82.图3是根据实施例的像素px的像素电路pc的等效电路的示意图。83.参考图3，像素px可以包括作为显示元件的有机发光二极管和连接到有机发光二极管的像素电路pc。像素电路pc可以包括第一晶体管t1至第五晶体管t5以及第一电容器c1和第二电容器c2。第一晶体管t1可以是其中根据栅极-源极电压来确定源极-漏极电流的量的驱动晶体管，并且第二晶体管t2至第五晶体管t5可以是根据栅极-源极电压(即，基本上栅极电压)导通/截止的开关晶体管。第一晶体管t1至第五晶体管t5可以被实现为薄膜晶体管。根据晶体管的类型(p型或n型)和/或操作条件，第一晶体管t1至第五晶体管t5中的每一者的第一端子可以是源极或漏极，并且第一晶体管t1至第五晶体管t5中的每一者的第二端子可以是与第一端子不同的端子。例如，在第一端子是源极的情况下，第二端子可以是漏极。84.像素px可以连接到用于传输第一扫描信号gw的第一扫描线gwl、用于传输第二扫描信号gi的第二扫描线gil、用于传输第三扫描信号gr的第三扫描线grl、用于传输发光控制信号em的发光控制线el和用于传输数据信号data的数据线dl。驱动电压线pl可以被配置为将第一驱动电压elvdd传输到第一晶体管t1。初始化电压线vil可以被配置为将初始化电压vint传输到有机发光二极管。基准电压线vrl可以被配置为将基准电压vref传输到第一晶体管t1的栅极。85.第一晶体管t1至第五晶体管t5可以包括氧化物半导体材料。由于氧化物半导体具有高载流子迁移率和低漏电流，所以即使在驱动时间长的情况下，电压降也不大。换言之，对于氧化物半导体，由于低频驱动期间的电压降导致的图像的颜色变化不大，所以低频驱动是可能的。因此，因为第一晶体管t1至第五晶体管t5包括氧化物半导体材料，所以可以实现防止漏电流的产生并且同时降低功耗的显示设备。此外，在使用氧化物半导体晶体管的情况下，因为在没有通过准分子激光退火(ela)的结晶工艺来形成低温多晶硅(ltps)半导体晶体管的情况下可以降低显示面板的制造成本，所以对于实现具有大尺寸的显示设备是有利的。86.氧化物半导体对光敏感，并且电流量等可能因外部光而改变。因此，可以考虑通过在氧化物半导体下面放置金属层来吸收或反射来自外部的光。被放置在第一晶体管t1至第五晶体管t5的氧化物半导体下面的金属层可以用作下栅极(栅极电极)。换言之，第一晶体管t1至第五晶体管t5可以是具有两个栅极(第一栅极和第二栅极)的双栅极晶体管。第一栅极和第二栅极可以设置在不同的层上以面向彼此。例如，第一晶体管t1至第五晶体管t5中的每一者可以是n沟道氧化物半导体晶体管，并且第一晶体管t1至第五晶体管t5中的每一者的第一栅极和第二栅极可以定位为面向彼此，氧化物半导体位于第一栅极和第二栅极之间。87.第一晶体管t1可以包括连接到第一节点n1的第一栅极、连接到第三节点n3的第二栅极、连接到第二节点n2的第一端子和连接到第三节点n3的第二端子。第一晶体管t1的第二栅极可以连接到第一晶体管t1的第二端子并且由施加到第一晶体管t1的第二端子的电压控制，并且可以改善第一晶体管t1的输出饱和特性。第一晶体管t1的第一端子可以经由第五晶体管t5连接到驱动电压线pl，并且第一晶体管t1的第二端子可以连接到有机发光二极管的像素电极。第一晶体管t1可以用作驱动晶体管，并且根据第二晶体管t2的开关操作接收数据信号data并且控制流到有机发光二极管的驱动电流id的量。88.第二晶体管t2(数据写入晶体管)可以包括连接到第一扫描线gwl的第一栅极和第二栅极、连接到数据线dl的第一端子和连接到第一节点n1(或第一晶体管t1的第一栅极)的第二端子。第二晶体管t2可以由通过第一扫描线gwl传输的第一扫描信号gw导通以将数据线dl与第一节点n1电连接，并且可以将通过数据线dl传输的数据信号data传输到第一节点n1。89.第三晶体管t3(第一初始化晶体管)可以包括连接到第三扫描线grl的第一栅极和第二栅极、连接到基准电压线vrl的第一端子和连接到第一节点n1(或第一晶体管t1的第一栅极)的第二端子。第三晶体管t3可以由通过第三扫描线grl传输的第三扫描信号gr导通，并且可以将通过基准电压线vrl传输的基准电压vref传输到第一节点n1。90.第四晶体管t4(第二初始化晶体管)可以包括连接到第二扫描线gil的第一栅极和第二栅极、连接到第三节点n3(或第一晶体管t1的第二端子)的第一端子和连接到初始化电压线vil的第二端子。第四晶体管t4可以由通过第二扫描线gil传输的第二扫描信号gi导通，并且可以将通过初始化电压线vil传输的初始化电压vint传输到第三节点n3。91.第五晶体管t5(例如，发光控制晶体管)可以包括连接到发光控制线el的第一栅极和第二栅极、连接到驱动电压线pl的第一端子和连接到第二节点n2(或第一晶体管t1的第一端子)的第二端子。第五晶体管t5可以由通过发光控制线el传输的发光控制信号em导通或截止。92.第一电容器c1可以连接在第一节点n1和第三节点n3之间。第一电容器c1的第一端子可以连接到第一晶体管t1的第一栅极，并且第一电容器c1的第二端子可以连接到第一晶体管t1的第二栅极和第二端子、第四晶体管t4的第一端子以及有机发光二极管的像素电极。作为存储电容器的第一电容器c1可以存储第一晶体管t1的阈值电压(vth)和与数据信号data相对应的电压。93.第二电容器c2可以连接在第三节点n3和驱动电压线pl之间。第二电容器c2的第一端子可以连接到驱动电压线pl，并且第二电容器c2的第二端子可以连接到第一晶体管t1的第二栅极和第二端子、第一电容器c1的第二端子、第四晶体管t4的第一端子以及有机发光二极管的像素电极。第一电容器c1的电容可以大于第二电容器c2的电容。94.有机发光二极管可以包括像素电极(阳极)和面向像素电极的对电极(阴极)，并且对电极可以接收第二驱动电压elvss。对电极可以是对于像素px公共的公共电极。95.图4是用于操作图3的像素电路pc的信号的示意性时序图。下面参考图3和图4给出描述。96.像素px可以在第一驱动模式下通过将一帧1f划分为第一时段d1至第四时段d4来操作。在下文中，第一时段d1至第三时段d3是在其期间像素px不发光的第一非发光时段p1(例如，被包括在第一非发光时段p1中)，并且第四时段d4是在其期间像素px发光的第一发光时段p2。97.可以在第一时段d1期间作为导通电压供应第二扫描信号gi。可以在第三时段d3期间作为导通电压供应第一扫描信号gw。换言之，第二扫描信号gi具有导通电压的时段可以在第一扫描信号gw具有导通电压的时段之前。可以在第一时段d1和第二时段d2期间作为导通电压供应第三扫描信号gr。可以在第一时段d1和第三时段d3期间作为截止电压供应发光控制信号em，并且在第二时段d2和第四时段d4期间作为导通电压供应发光控制信号em。第一扫描信号gw、第二扫描信号gi和第三扫描信号gr的脉冲宽度可以是导通电压维持时段。发光控制信号em的脉冲宽度可以是具有截止电压的时段。导通电压可以是作为高电平的电压的晶体管导通电压。98.可以通过驱动电压线pl供应第一驱动电压elvdd，可以通过基准电压线vrl供应基准电压vref，并且可以通过初始化电压线vil供应初始化电压vint。99.第一时段d1可以是初始化时段，在初始化时段中，与第一晶体管t1的第一栅极连接的第一节点n1和与有机发光二极管的像素电极(阳极)连接的第三节点n3被初始化。100.在第一时段d1中，可以通过第二扫描线gil供应具有导通电压的第二扫描信号gi，并且可以通过第三扫描线grl供应具有导通电压的第三扫描信号gr。第一扫描信号gw和发光控制信号em可以作为截止电压供应。第二扫描信号gi的导通电压可以具有大约一水平扫描时段(h)的宽度。101.第四晶体管t4可以由第二扫描信号gi导通，并且第三晶体管t3可以由第三扫描信号gr导通。当第三晶体管t3导通时，基准电压vref可以被供应到第一节点n1(例如，第一晶体管t1的栅极)。当第四晶体管t4导通时，第三节点n3(例如，有机发光二极管的像素电极)可以被设定为初始化电压vint。因此，当寄生地形成在有机发光二极管中的电容器(未示出)放电时，有机发光二极管可以被初始化。102.第二时段d2可以是用于补偿第一晶体管t1的阈值电压的补偿时段。在第二时段d2中，第一扫描信号gw可以保持截止电压，第二扫描信号gi可以转变为截止电压，第三扫描信号gr可以保持导通电压，并且发光控制信号em可以转变为导通电压。103.当在第二时段d2中通过第三扫描线grl供应具有导通电压的第三扫描信号gr时，第三晶体管t3可以导通，并且当通过发光控制线el供应具有导通电压的发光控制信号em时，第五晶体管t5可以导通。因此，当基准电压vref被供应到第一节点n1并且第一驱动电压elvdd被供应到第二节点n2时，第一晶体管t1导通，并且在第一晶体管t1的第二端子的电压下降到基准电压vref与第一晶体管t1的阈值电压(vth)之间的差(vref-vth)以下的情况下，第一晶体管t1可以截止。第一电容器c1可以被充入有与第一晶体管t1的阈值电压(vth)相对应的电压。104.第三时段d3可以是数据信号data被供应到像素px的数据写入时段。在第三时段d3中，第二扫描信号gi可以保持截止电压，第三扫描信号gr和发光控制信号em转变为截止电压，并且第一扫描信号gw可以转变为导通电压。第一扫描信号gw的导通电压可以具有大约一水平扫描时段的宽度。105.当在第三时段d3中通过第一扫描线gwl供应具有导通电压的第一扫描信号gw时，第二晶体管t2可以导通。在这种状态下，作为截止电压的第二扫描信号gi、第三扫描信号gr和发光控制信号em可以分别使第四晶体管t4、第三晶体管t3和第五晶体管t5截止。106.第二晶体管t2可以将数据信号data从数据线dl传输到第一节点n1(例如，第一晶体管t1的第一栅极)。因此，第一节点n1的电压可以从基准电压vref改变为与数据信号data的电压相对应。在这种状态下，第二节点n2的电压可以根据第一节点n1的电压的变化量而改变。第二节点n2的电压可以根据第一电容器c1、第二电容器c2和有机发光二极管的寄生电容器之间的电容比而改变。因此，第一电容器c1可以被充入有第一晶体管t1的阈值电压(vth)和与数据信号data相对应的电压。107.第四时段d4可以是有机发光二极管发光的时段。当发光控制信号em在第四时段d4中转变为导通电压时，第一扫描信号gw、第二扫描信号gi和第三扫描信号gr可以是截止电压。108.在第四时段d4中，作为截止电压的第一扫描信号gw、第二扫描信号gi和第三扫描信号gr可以分别使第二晶体管t2、第四晶体管t4和第三晶体管t3截止，具有导通电压的发光控制信号em可以使第五晶体管t5导通，并且因此，第一驱动电压elvdd可以被供应到第二节点n2。109.第一晶体管t1可以输出具有与存储在第一电容器c1中的电压(换言之，通过从第一晶体管t1的栅极-源极电压(vgs)(第一节点n1和第三节点n3之间的电压)中减去第一晶体管t1的阈值电压(vth)而获得的电压(vgs-vth))的量相对应的驱动电流id(id∝(vgs-vth)2)，并且有机发光二极管可以发射对应于与第一晶体管t1的阈值电压(vth)无关的驱动电流id的量的亮度的光。110.图5是根据实施例的第一驱动模式下的信号的示意性时序图。图6是根据实施例的第二驱动模式下的信号的示意性时序图。图7是示出在第一驱动模式和第二驱动模式下根据驱动频率驱动显示设备的方法的示例的示意性概念图。下面参考图3、图5至图7给出描述。图5和图6是示出分别具有大约120hz的最大驱动频率和大约30hz的第一驱动频率的显示设备的示例的示意性时序图。111.参考图5，在以大约120hz驱动显示设备的情况下，帧1f可以包括第一扫描时段ds，并且第一扫描时段ds可以包括第一非发光时段p1和第一发光时段p2。第一扫描时段ds可以被限定为写入数据信号并且因此像素发光的显示扫描时段。112.参考图6，在以大约30hz驱动显示设备的情况下，帧1f可以包括第一扫描时段ds和三个第二扫描时段ss。第二扫描时段ss可以包括第二非发光时段p1'和第二发光时段p2'。第二扫描时段ss可以被限定为不写入数据信号、保持在第一扫描时段ds中写入的数据信号并且像素发光的自扫描时段。113.第二扫描时段ss可以包括第二非发光时段p1'的时段(或部分时段)中的第五时段d5。在第五时段d5中，可以作为截止电压供应第一扫描信号gw、第三扫描信号gr和发光控制信号em，并且可以作为导通电压供应第二扫描信号gi。114.在第五时段d5中，作为截止电压的第一扫描信号gw、第三扫描信号gr和发光控制信号em可以分别使第二晶体管t2、第三晶体管t3和第五晶体管t5截止，具有导通电压的第二扫描信号gi可以使第四晶体管t4导通，并且因此初始化电压vint可以被供应到第三节点n3。在第五时段d5中，有机发光二极管可以不发光。115.第二扫描时段ss的长度可以与第一扫描时段ds的长度相同。第二非发光时段p1'和第二发光时段p2'的时序可以分别对应于第一非发光时段p1和第一发光时段p2的时序。在第二非发光时段p1'中，发光控制信号em可以是截止电压，并且截止电压的脉冲宽度可以与第一非发光时段p1相同。例如，如图6中所示，第一扫描时段ds的第一非发光时段p1为11h(即，11×h)，并且第二扫描时段ss的第二非发光时段p1'(例如，发光控制信号em的截止电压的脉冲宽度)为11h。第一扫描时段ds的第一非发光时段p1中的第一时段d1的时序可以与第二扫描时段ss的第二非发光时段p1'中的第五时段d5的时序相同。116.在以第一驱动模式驱动显示设备的情况下，帧1f可以包括第一扫描时段ds，并且在以第二驱动模式驱动显示设备的情况下，帧1f可以包括第一扫描时段ds和一个或多个第二扫描时段ss。参考图7，在最大驱动频率为n hz的情况下，第一驱动频率为n/n hz(n≥2)，并且在第二驱动模式下，帧1f可以包括第一扫描时段ds和(n-1)个第二扫描时段ss。例如，在最大驱动频率为大约480hz并且第一驱动频率为大约240hz的情况下，在第二驱动模式下，帧1f可以包括第一扫描时段ds和第二扫描时段ss，并且在第一驱动频率为大约30hz的情况下，在第二驱动模式下，帧1f可以包括第一扫描时段ds和十五(15)个第二扫描时段ss。在最大驱动频率为大约120hz并且第一驱动频率为大约1hz的情况下，在第二驱动模式下，帧1f可以包括第一扫描时段ds和一百一十九(119)个第二扫描时段ss。117.图8和图9是示出了通过显示设备的亮度测量得到的光波形的示例的示意性曲线图。图8示出了在第一驱动模式和第二驱动模式中的每一者下在根据图5和图6的时序图驱动的显示设备中测量的光波形的亮度变化的示例。图9示出了在第一驱动模式和第二驱动模式下在根据图5和图6的时序图驱动的显示设备中测量的光波形的亮度变化的示例。下面描述最大驱动频率为大约120hz并且第一驱动频率为大约1hz的示例。118.参考图3、图5和图8，在第一驱动模式下，因为有机发光二极管在第一时段d1、第二时段d2和第三时段d3中不发光，所以由像素px表示的亮度可以降低，并且在数据信号data施加到第五晶体管t5之后第五晶体管t5导通的情况下，有机发光二极管开始发光，使得由像素px表示的亮度可以增加。例如，对于120hz驱动，每秒施加数据信号120次，并且非发光时段可以出现120次。在第二驱动模式下，对于1hz驱动，因为每秒施加数据信号一次，所以非发光时段可以出现一次。因此，在120hz驱动和1hz驱动之间可能产生与光波形面积差(△a)相对应的亮度差。119.参考图6和图9，在第二驱动模式下，对于1hz驱动，根据每秒施加数据信号一次，每秒可以出现第一非发光时段p1和一百一十九(119)个第二非发光时段p1'。此外，通过与第一非发光时段p1的第一时段d1相对应地将第五时段d5插入到第二非发光时段p1'中以使有机发光二极管的阳极初始化，120hz驱动和1hz驱动的光波形彼此大致匹配，使得可以在没有亮度差异的情况下对于每个驱动频率进行驱动。120.在下文中，省略了冗余描述，并且仅描述它们之间的差异。121.图10示出了根据另一实施例的第二驱动模式下的信号的示意性时序图。在图10中，上面的时序图是第一扫描时段ds的时序图，并且下面的时序图是第二扫描时段ss的时序图。图10中所示的第一扫描时段ds的时序图可以应用于第一驱动模式下的第一扫描时段ds的时序图。122.参考图3和图10，第一扫描时段ds可以包括第一时段d1至第四时段d4，并且还包括第六时段d6。第二扫描时段ss可以包括第五时段d5，并且还包括第七时段d7。第一扫描时段ds的第六时段d6的时序可以与第二扫描时段ss的第七时段d7的时序相同。123.第一扫描时段ds的第六时段d6可以被包括在第三时段d3和第四时段d4之间。可以在数据写入到像素之后并且在光发射之前插入第六时段d6。在第六时段d6中，因为作为截止电压供应第一扫描信号gw、第三扫描信号gr和发光控制信号em并且作为导通电压供应第二扫描信号gi，所以第四晶体管t4可以导通并且第三节点n3可以被初始化为初始化电压vint。124.可以在光发射之前并且在第五时段d5之后将第二扫描时段ss的第七时段d7插入到第二非发光时段p1'(参见图6)中。在第七时段d7中，因为作为截止电压供应第一扫描信号gw、第三扫描信号gr和发光控制信号em并且作为导通电压供应第二扫描信号gi，所以第四晶体管t4可以导通，并且第三节点n3可以被初始化为初始化电压vint。125.在像素根据图5和图6的实施例表现高色阶的情况下，在第一扫描时段ds和第二扫描时段ss中，亮度差被最小化，并且在表现低色阶(例如，11色阶至31色阶)的情况下，根据有机发光二极管的电容器充电速度的电压变化所需时间变长，并且因此，可能产生像素电极(阳极)中的电位差。因此，在表现低色阶的情况下，在第一扫描时段ds中驱动像素的情况下的亮度与在第二扫描时段ss中驱动像素的情况下的亮度之间可能产生差异。如图10中所示，因为在光发射之前将第六时段d6插入到第一扫描时段ds中并且将第七时段d7插入到第二扫描时段ss中，从而使阳极初始化，所以可以在表现低色阶的情况下减少像素电极(阳极)的电压变化时间。126.图11是根据另一实施例的像素px的像素电路pc的等效电路的示意图。图12和图13示出了用于在第二驱动模式下操作图11的像素电路pc的信号的示意性时序图。在图12和图13中，上面的时序图是第一扫描时段ds的时序图，并且下面的时序图是第二扫描时段ss的时序图。图12和图13中所示的第一扫描时段ds的时序图可以应用于第一驱动模式下的第一扫描时段ds的时序图。127.参考图11，像素px可以包括作为显示元件的有机发光二极管以及连接到有机发光二极管的像素电路pc。像素电路pc可以包括第一晶体管t1至第六晶体管t6以及第一电容器c1和第二电容器c2。通过将第六晶体管t6附加到图3中所示的像素px的像素电路pc而获得图11中所示的像素px的像素电路pc。在下文中，省略了对相同配置的详细描述。128.第一晶体管t1可以是驱动晶体管，并且第二晶体管t2至第六晶体管t6可以是开关晶体管。第一晶体管t1至第六晶体管t6中的每一者可以是n沟道氧化物半导体晶体管，并且第一晶体管t1至第六晶体管t6中的每一者可以具有定位为面向彼此的第一栅极和第二栅极，氧化物半导体位于第一栅极和第二栅极之间。129.第六晶体管t6(例如，复位晶体管)连接在第一晶体管t1的第二端子与偏移电压线vol之间。第六晶体管t6可以包括连接到第四扫描线ebl的第一栅极和第二栅极、连接到第三节点n3(或第一晶体管t1的第二端子)的第一端子以及连接到偏移电压线vol的第二端子。第六晶体管t6根据通过第四扫描线ebl传输的第四扫描信号eb而导通，以将通过偏移电压线vol供应的偏移电压vofs传输到第三节点n3。130.图2中所示的像素部110还可以包括第四扫描线ebl，并且第四扫描线ebl可以在第一方向(例如，行方向)上延伸并且连接到定位在同一行中的像素px。图2中所示的显示设备1还可以包括第三栅极驱动电路，第三栅极驱动电路连接到第四扫描线ebl并且将第四扫描信号eb提供到第四扫描线ebl。偏移电压vofs可以是与第二驱动电压elvss相同或大于初始化电压vint的恒定电压。131.参考图11和图12，第一扫描时段ds可以包括第一时段d1至第四时段d4，并且还包括第六时段d6。第二扫描时段ss可以包括第七时段d7。第一扫描时段ds的第六时段d6的时序可以与第二扫描时段ss的第七时段d7的时序相同。第六时段d6和第七时段d7可以是阻止电流流入有机发光二极管以使有机发光二极管显示黑色的旁路时段。132.第一扫描时段ds的第六时段d6可以被包括在第三时段d3和第四时段d4之间。可以在数据写入到像素之后并且在光发射之前插入第六时段d6。在第六时段d6中，因为作为截止电压供应第一扫描信号gw、第二扫描信号gi、第三扫描信号gr和发光控制信号em，并且通过第四扫描线ebl供应具有导通电压的第四扫描信号eb，所以第六晶体管t6可以导通。当第六晶体管t6导通时，第三节点n3(例如，有机发光二极管的像素电极)可以被复位为偏移电压vofs。133.可以在光发射之前将第二扫描时段ss的第七时段d7插入到第二非发光时段p1'(参见图6)中。在第七时段d7中，因为作为截止电压供应第一扫描信号gw、第二扫描信号gi、第三扫描信号gr和发光控制信号em，并且通过第四扫描线ebl供应具有导通电压的第四扫描信号eb，所以第六晶体管t6可以导通。当第六晶体管t6导通时，第三节点n3(例如，有机发光二极管的像素电极)可以被复位为偏移电压vofs。134.由第二驱动模式下的第一扫描时段ds的光波形表示的亮度小于由第一驱动模式下的第一扫描时段ds的光波形表示的亮度。可以通过升高初始化电压vint来增加第二驱动模式下的第一扫描时段ds的光波形的亮度，然而，这可能降低第一晶体管t1的栅极-源极电压(vgs)以干扰阈值电压补偿，从而引起图像中的色斑增加的问题。在基准电压vref随着初始化电压vint的升高而升高以便确保阈值电压补偿的情况下，第三节点n3的电压改变，并且因此，电流在有机发光二极管中流动，使得黑色亮度可以增大。135.如图11和图12中所示，在第一扫描时段ds的第一时段d1中，第三节点n3被初始化为初始化电压vint，并且在第六时段d6中，第三节点n3被复位为高于初始化电压vint的偏移电压vofs，并且因此，在第二驱动模式下，在确保阈值电压补偿的同时，可以增加第一扫描时段ds的光波形的亮度。136.在实施例中，如图11和图13中所示，第二扫描时段ss可以包括第五时段d5并且还包括第七时段d7，在第五时段d5中，第三节点n3以与第一扫描时段ds的第一时段d1相对应的时序被初始化为初始化电压vint，在第七时段d7中，第三节点n3在光发射之前被复位为偏移电压vofs。137.图14是根据另一实施例的像素px的像素电路pc的等效电路的示意图。138.图14的像素电路pc与图11的像素电路pc的不同之处在于第六晶体管t6的第一栅极和第二栅极连接到第二扫描线gil(例如，第(n+x)第二扫描线giln+x)。139.第六晶体管t6的第一栅极和第二栅极连接到第(n+x)第二扫描线giln+x(其中，x≥3)，并且可以接收第(n+x)第二扫描信号gi(n+x)。这里，x可以是3或更大的自然数。图14中所示的第二驱动模式下的像素电路pc的驱动时序与图6或图10中所示的驱动时序相同。在图14的实施例中，因为使用相邻行(三个或更多个分开的相邻行)的第二扫描线gil来使第六晶体管t6导通或截止，所以不需要提供单独的栅极驱动电路来控制第六晶体管t6，并且因此，可以减小外围区域pa(参见图1)。140.图15是根据另一实施例的像素px的像素电路pc的等效电路的示意图。图16示出了用于在第二驱动模式下操作图15的像素电路pc的信号的时序图。在图16中，上面的时序图是第一扫描时段ds的时序图，并且下面的时序图是第二扫描时段ss的时序图。图16中所示的第一扫描时段ds的时序图可以应用于第一驱动模式下的第一扫描时段ds的时序图。141.参考图15，像素px可以包括作为显示元件的有机发光二极管以及连接到有机发光二极管的像素电路pc。像素电路pc可以包括第一晶体管t1至第五晶体管t5以及第一电容器c1至第三电容器c3。通过将第三电容器c3附加到图3中所示的像素px的像素电路pc而获得图15中所示的像素px的像素电路pc。在下文中，省略了对相同配置的详细描述。142.第三电容器c3可以连接在第三节点n3和偏移电压线vol之间。第三电容器c3的第一端子可以连接到第一晶体管t1的第二栅极和第二端子、第一电容器c1的第二端子、第四晶体管t4的第一端子以及有机发光二极管的像素电极。第三电容器c3的第二端子可以连接到用于传输偏移电压vofs的偏移电压线vol。143.参考图16，第一扫描时段ds可以包括第一时段d1至第四时段d4，并且还包括第六时段d6。第二扫描时段ss可以包括第五时段d5，并且还包括第七时段d7。第一扫描时段ds的第六时段d6的时序可以与第二扫描时段ss的第七时段d7的时序相同。因为第一时段d1至第七时段d7与参考图10描述的那些相同，因此省略其详细描述。144.偏移电压vofs可以是在高电平电压和低电平电压之间摆动的ac电压。145.偏移电压vofs可以在第一扫描时段ds的第一时段d1开始的时刻处或在第一时段d1开始之前从高电平转变为低电平，并且在第六时段d6结束的时刻处或在第六时段d6结束之后从低电平转变为高电平。换言之，偏移电压vofs可以从第一时段d1开始的时刻起到第二时段d2、第三时段d3和第六时段d6结束的时刻为止具有导通电压的脉冲宽度。146.偏移电压vofs可以在第二扫描时段ss的第五时段d5开始的时刻处或在第五时段d5开始之前从高电平转变为低电平，并且可以在第七时段d7结束的时刻处或在第七时段d7结束之后从低电平转变为高电平。换言之，偏移电压vofs可以从第五时段d5开始的时刻起到第七时段d7结束的时刻为止具有导通电压的脉冲宽度。147.图17示出了根据实施例的用于在第二驱动模式下操作图3的像素电路pc的信号的示意性时序图。在图17中，上面的时序图是第一扫描时段ds的时序图，并且下面的时序图是第二扫描时段ss的时序图。图17中所示的第一扫描时段ds的时序图可以应用于第一驱动模式下的第一扫描时段ds的时序图。148.参考图17，初始化电压vint可以是在高电平电压和低电平电压之间摆动的ac电压。149.初始化电压vint可以在第一扫描时段ds的第一时段d1开始的时刻处或在第一时段d1开始之前从高电平转变为低电平，并且可以在第三时段d3结束的时刻处或在第三时段d3结束之后或者在第六时段d6开始的时刻处或在第六时段d6开始之前从低电平转变为高电平。换言之，初始化电压vint可以从第一时段d1开始的时刻起到第二时段d2和第三时段d3结束的时刻为止具有导通电压的脉冲宽度。150.初始化电压vint可以在第二扫描时段ss的第五时段d5开始的时刻处或在第五时段d5开始之前从高电平转变为低电平，并且可以在第七时段d7开始的时刻处或在第七时段d7开始之前从低电平转变为高电平。换言之，初始化电压vint可以从第五时段d5开始的时刻起到第七时段d7开始的时刻为止具有导通电压的脉冲宽度。151.图18是根据另一实施例的像素的像素电路的等效电路的示意图。152.参考图18，像素px可以包括作为显示元件的有机发光二极管以及连接到有机发光二极管的像素电路pc。像素电路pc可以包括第一晶体管t1至第六晶体管t6以及第一电容器c1和第二电容器c2。通过将第六晶体管t6附加到图3中所示的像素px的像素电路pc而获得图18中所示的像素px的像素电路pc。在下文中，省略了对相同配置的详细描述。153.第一晶体管t1可以是驱动晶体管，并且第二晶体管t2至第六晶体管t6可以是开关晶体管。第一晶体管t1至第六晶体管t6中的每一者可以是n沟道氧化物半导体晶体管，并且第一晶体管t1至第六晶体管t6中的每一者可以具有定位为面向彼此的第一栅极和第二栅极，氧化物半导体位于第一栅极和第二栅极之间。154.第六晶体管t6连接在第一晶体管t1的第一端子和偏移电压线vol之间。第六晶体管t6可以包括连接到第四扫描线ebl的第一栅极和第二栅极、连接到第二节点n2(或第一晶体管t1的第一端子)的第一端子以及连接到偏移电压线vol的第二端子。第六晶体管t6根据通过第四扫描线ebl传输的第四扫描信号eb而导通，以将通过偏移电压线vol传输的偏移电压vofs传输到第二节点n2。155.图18中所示的像素电路pc可以通过将电压施加到第一晶体管t1的漏极(或第一端子)(第二节点n2)而通过第一晶体管t1的漏极-源极电压(vds)控制来控制有机发光二极管的阳极的电压。图18中所示的像素电路pc在第一驱动模式和第二驱动模式下的驱动时序与图12或图13中所示的驱动时序相同。156.图19是根据实施例的第二驱动模式下的第二扫描时段ss的示意性时序图。157.如图19中所示，在第二扫描时段ss中，可以以与图12中所示的第一扫描时段ds的第二时段d2相对应的时序作为导通电压供应发光控制信号em。图19示出了在图12中所示的第二扫描时段ss中改变的发光控制信号em的电压电平的示例。本公开的实施例不限于此，并且发光控制信号em可以以与图19中所示的方式基本上相同或相似的方式应用于图6、图10、图13、图16和图17中所示的第二扫描时段ss，使得可以改变第二非发光时段p1'(参见图6)中的发光控制信号em的电压电平。158.图20是示出根据实施例的显示元件的结构的示意性截面图。图21a至图21d是示出根据实施例的显示元件的结构的示意性截面图。159.参考图20，作为根据实施例的显示元件，有机发光二极管可以包括像素电极201(第一电极或阳极)、对电极205(第二电极或阴极)以及位于像素电极201和对电极205之间的中间层203。160.像素电极201可以包括透光导电氧化物，诸如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)、氧化铟镓(igo)或氧化铝锌(azo)。像素电极201可以包括包含银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)或它们的化合物的反射层。例如，像素电极201可以具有ito/ag/ito的三层结构。161.对电极205可以设置在中间层203上。对电极205可以包括具有低功函数的金属、合金、导电化合物或它们的任意组合。例如，对电极205可以包括锂(li)、ag、mg、al、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)、镱(yb)、银-镱(ag-yb)、ito、izo或它们的任意组合。对电极205可以包括透射电极、半透射电极或反射电极。162.中间层203可以包括发射一种颜色(或者特定或选定的颜色)的光的高分子量或低分子量有机材料。除了各种有机材料之外，中间层203还可以包括诸如有机金属化合物的含金属化合物和诸如量子点的无机材料等。163.在实施例中，中间层203可以包括发射层以及分别设置在发射层下方和上方的第一功能层和第二功能层。第一功能层可以包括例如空穴传输层(htl)和/或空穴注入层(hil)。第二功能层可以是将被设置在发射层上方的可选元件。第二功能层可以包括电子传输层(etl)和/或电子注入层(eil)。164.在实施例中，中间层203可以包括在像素电极201和对电极205之间顺序地彼此堆叠的两个或更多个发射部以及设置在两个发射部之间的电荷产生层cgl(参见图21a)。在中间层203包括发射部和电荷产生层cgl的情况下，有机发光二极管可以是串联发光元件。具有发射部的堆叠结构的有机发光二极管可以改善色纯度和发光效率。165.发射部可以包括发射层以及分别位于发射层下方和上方的第一功能层和第二功能层。电荷产生层cgl可以包括负电荷产生层和正电荷产生层。负电荷产生层和正电荷产生层可以进一步改善作为包括发射层的串联发光元件的有机发光二极管的发光效率。166.负电荷产生层可以是n型电荷产生层。负电荷产生层可以供应电子。负电荷产生层可以包括主体和掺杂剂。主体可以包括有机材料。掺杂剂可以包括金属材料。正电荷产生层可以是p型电荷产生层。正电荷产生层可以供应空穴。正电荷产生层可以包括主体和掺杂剂。主体可以包括有机材料。掺杂剂可以包括金属材料。167.在实施例中，如图21a中所示，有机发光二极管可以包括顺序地彼此堆叠的第一发射部eu1和第二发射部eu2，第一发射部eu1包括第一发射层eml1，第二发射部eu2包括第二发射层eml2。电荷产生层cgl可以设置在第一发射部eu1和第二发射部eu2之间。例如，有机发光二极管可以包括顺序地彼此堆叠的像素电极201、第一发射层eml1、电荷产生层cgl、第二发射层eml2和对电极205。第一功能层和第二功能层可以分别设置在第一发射层eml1下方和上方。第一功能层和第二功能层可以分别设置在第二发射层eml2下方和上方。第一发射层eml1可以是蓝色发射层，并且第二发射层eml2可以是黄色发射层。168.在实施例中，如图21b中所示，有机发光二极管可以包括各自包含第一发射层eml1的第一发射部eu1和第三发射部eu3以及包含第二发射层eml2的第二发射部eu2。第一电荷产生层cgl1可以设置在第一发射部eu1和第二发射部eu2之间，并且第二电荷产生层cgl2可以设置在第二发射部eu2和第三发射部eu3之间。例如，有机发光二极管可以包括顺序地彼此堆叠的像素电极201、第一发射层eml1、第一电荷产生层cgl1、第二发射层eml2、第二电荷产生层cgl2、第一发射层eml1和对电极205。第一功能层和第二功能层可以分别设置在第一发射层eml1下方和上方。第一功能层和第二功能层可以分别设置在第二发射层eml2下方和上方。第一发射层eml1可以是蓝色发射层，并且第二发射层eml2可以是黄色发射层。169.在实施例中，除了第二发射层eml2之外，有机发光二极管的第二发射部eu2还可以包括设置在第二发射层eml2下方和/或上方并且直接接触第二发射层eml2的第三发射层eml3(参见图21c)和/或第四发射层eml4(参见图21d)。直接接触可以指在第二发射层eml2和第三发射层eml3之间和/或在第二发射层eml2和第四发射层eml4之间没有设置其它层。第三发射层eml3可以是红色发射层，并且第四发射层eml4可以是绿色发射层。170.例如，如图21c中所示，有机发光二极管可以包括顺序地彼此堆叠的像素电极201、第一发射层eml1、第一电荷产生层cgl1、第三发射层eml3、第二发射层eml2、第二电荷产生层cgl2、第一发射层eml1和对电极205。作为另一示例，如图21d中所示，有机发光二极管可以包括顺序地彼此堆叠的像素电极201、第一发射层eml1、第一电荷产生层cgl1、第三发射层eml3、第二发射层eml2、第四发射层eml4、第二电荷产生层cgl2、第一发射层eml1和对电极205。171.图22a是示出图21c的有机发光二极管的示例的示意性截面图，并且图22b是示出图21d的有机发光二极管的示例的示意性截面图。172.参考图22a，有机发光二极管可以包括顺序地彼此堆叠的第一发射部eu1、第二发射部eu2和第三发射部eu3。第一电荷产生层cgl1可以设置在第一发射部eu1和第二发射部eu2之间，并且第二电荷产生层cgl2可以设置在第二发射部eu2和第三发射部eu3之间。第一电荷产生层cgl1和第二电荷产生层cgl2中的每一者可以包括负电荷产生层ncgl和正电荷产生层pcgl。173.第一发射部eu1可以包括蓝色发射层beml。第一发射部eu1还可以包括位于像素电极201和蓝色发射层beml之间的空穴注入层hil和空穴传输层htl。在实施例中，p掺杂层(未示出)可以进一步被包括在空穴注入层hil和空穴传输层htl之间。可以通过用p型掺杂材料对空穴注入层hil进行掺杂来形成p掺杂层。在实施例中，蓝光辅助层(未示出)、电子阻挡层(未示出)和缓冲层(未示出)中的至少一者可以进一步被包括在蓝色发射层beml和空穴传输层htl之间。蓝光辅助层可以提高蓝色发射层beml的光输出效率。蓝光辅助层可以通过调节空穴电荷平衡来提高蓝色发射层beml的光输出效率。电子阻挡层可以防止电子注入到空穴传输层htl中。缓冲层可以根据从发射层发射的光的波长来补偿共振距离。174.第二发射部eu2可以包括黄色发射层yeml和设置在黄色发射层yeml下方并直接接触黄色发射层yeml的红色发射层reml。第二发射部eu2还可以包括位于第一电荷产生层cgl1的正电荷产生层pcgl和红色发射层reml之间的空穴传输层htl，并且还包括位于黄色发射层yeml和第二电荷产生层cgl2的负电荷产生层ncgl之间的电子传输层etl。175.第三发射部eu3可以包括蓝色发射层beml。第三发射部eu3还可以包括位于第二电荷产生层cgl2的正电荷产生层pcgl和蓝色发射层beml之间的空穴传输层htl。第三发射部eu3还可以包括位于蓝色发射层beml和对电极205之间的电子传输层etl和电子注入层eil。电子传输层etl可以是单层或多层。在实施例中，蓝光辅助层、电子阻挡层和缓冲层中的至少一者可以进一步被包括在蓝色发射层beml和空穴传输层htl之间。空穴阻挡层和缓冲层中的至少一者可以进一步被包括在蓝色发射层beml和电子传输层etl之间。空穴阻挡层可以防止空穴注入到电子传输层etl中。176.图22b中所示的有机发光二极管与图22a中所示的有机发光二极管的不同之处在于第二发射部eu2的堆叠结构，但是它们之间的其它配置是相同的。参考图22b，第二发射部eu2可以包括黄色发射层yeml、设置在黄色发射层yeml下方并直接接触黄色发射层yeml的红色发射层reml以及设置在黄色发射层yeml上方并直接接触黄色发射层yeml的绿色发射层geml。第二发射部eu2还可以包括位于第一电荷产生层cgl1的正电荷产生层pcgl和红色发射层reml之间的空穴传输层htl，并且还包括位于绿色发射层geml和第二电荷产生层cgl2的负电荷产生层ncgl之间的电子传输层etl。177.图23是示出根据实施例的显示设备的像素的结构的示意性截面图。178.参考图23，显示设备可以包括像素。像素可以包括第一像素px1、第二像素px2和第三像素px3。第一像素px1、第二像素px2和第三像素px3中的每一者可以包括像素电极201、对电极205和中间层203。在实施例中，第一像素px1可以是红色像素，第二像素px2可以是绿色像素，并且第三像素px3可以是蓝色像素。每个像素可以包括作为显示元件的有机发光二极管，并且每个像素的有机发光二极管可以电连接到像素电路。179.像素电极201可以独立地被提供在第一像素px1、第二像素px2和第三像素px3中的每一者中。180.第一像素px1、第二像素px2和第三像素px3中的每一者的有机发光二极管的中间层203可以包括顺序地彼此堆叠的第一发射部eu1、电荷产生层cgl和第二发射部eu2，换言之，电荷产生层cgl位于第一发射部eu1和第二发射部eu2之间。电荷产生层cgl可以包括负电荷产生层ncgl和正电荷产生层pcgl。电荷产生层cgl可以是跨第一像素px1、第二像素px2和第三像素px3连续地形成的公共层。181.第一像素px1的第一发射部eu1可以包括在像素电极201上及上方顺序地彼此堆叠的空穴注入层hil、空穴传输层htl、红色发射层reml和电子传输层etl。第二像素px2的第一发射部eu1可以包括在像素电极201上及上方顺序地彼此堆叠的空穴注入层hil、空穴传输层htl、绿色发射层geml和电子传输层etl。第三像素px3的第一发射部eu1可以包括在像素电极201上及上方顺序地彼此堆叠的空穴注入层hil、空穴传输层htl、蓝色发射层beml和电子传输层etl。第一发射部eu1的空穴注入层hil、空穴传输层htl和电子传输层etl中的每一者可以是跨第一像素px1、第二像素px2和第三像素px3连续地形成的公共层。182.第一像素px1的第二发射部eu2可以包括在电荷产生层cgl上及上方顺序地彼此堆叠的空穴传输层htl、辅助层axl、红色发射层reml和电子传输层etl。第二像素px2的第二发射部eu2可以包括在电荷产生层cgl上及上方顺序地彼此堆叠的空穴传输层htl、绿色发射层geml和电子传输层etl。第三像素px3的第二发射部eu2可以包括在电荷产生层cgl上及上方顺序地彼此堆叠的空穴传输层htl、蓝色发射层beml和电子传输层etl。第二发射部eu2的空穴传输层htl和电子传输层etl中的每一者可以是跨第一像素px1、第二像素px2和第三像素px3连续地形成的公共层。在实施例中，在第一像素px1、第二像素px2和第三像素px3的第二发射部eu2中，空穴阻挡层和缓冲层中的至少一者可以进一步被包括在发射层和电子传输层etl之间。183.可以根据共振距离确定红色发射层reml的厚度h1、绿色发射层geml的厚度h2和蓝色发射层beml的厚度h3。辅助层axl是被附加以满足共振距离的层，并且可以包括共振辅助材料。例如，辅助层axl和空穴传输层htl可以包括相同的材料。184.尽管图23示出了辅助层axl仅被提供在第一像素px1中，但是本公开不限于此。例如，辅助层axl可以被提供在第一像素px1、第二像素px2和第三像素px3中的至少一者中，以满足第一像素px1、第二像素px2和第三像素px3中的每一者的共振距离。185.显示设备还可以包括设置在对电极205外部的覆盖层207。覆盖层207可以根据相长干涉的原理来改善发光效率。因此，提高了有机发光二极管的光提取效率，并且因此，可以改善有机发光二极管的发光效率。186.在本说明书中，供应信号(例如，特定或选定的信号)可以指供应导通电压(例如，高电平电压)，而不供应信号(例如，特定或选定的信号)可以指供应截止电压(例如，低电平电压)。187.根据以上实施例，在仅由氧化物半导体晶体管组成的像素电路中，通过在低频驱动下周期性地插入用于使有机发光二极管的阳极初始化的时段，可以提供在可变频率驱动下驱动频率之间的亮度差不可感知的显示设备。188.根据实施例，可以提供在包括氧化物半导体晶体管的像素的驱动期间减小对于每个驱动频率的亮度差异的显示设备。189.以上描述是本公开的技术特征的示例，并且本公开所属领域中的技术人员将能够进行各种修改和变化。因此，上面描述的本公开的实施例可以单独实现或彼此组合实现。190.因此，在本公开中公开的实施例不旨在限制本公开的技术精神，而是用于描述本公开的技术精神，并且本公开的技术精神的范围不受这些实施例限制。本公开的保护范围应由所附权利要求解释，并且应当解释的是，等同范围之内的所有技术精神都包括在本公开的范围内。









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