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高压热处理装置用的气体管理组件的制作方法 专利技术说明

作者:admin      2023-07-05 11:07:53     537



电气元件制品的制造及其应用技术1.本发明涉及一种在高压环境下对处理对象物进行热处理时所使用的热处理装置。背景技术:2.一般来说,在半导体制造工艺中,离子植入(ion implantation)工艺会在晶圆的界面产生损伤。退火(annealing)是通过热处理来恢复晶圆面产生相关损伤的工艺。除了退火之外,在激活杂质时,形成薄膜(cvd)时,在进行ohmic接触合金工艺时,也要对晶圆进行热处理。3.在进行热处理时,气体会对晶圆产生作用。该气体可以高压供应于容纳晶圆的腔室。热处理工艺结束后,使用的气体从腔室中排出。排气完成后,热处理后的晶圆就可从腔室中取出。然后,将新的晶圆和气体供应至腔室以进行下一步的热处理。4.腔室需要具有一定程度的密封力,这样才能防止气体外泄。腔室的密封力(和隔热能力)对于防止腔室内的热量外泄也很重要。这种密封力同时也是降低腔室温度的一个障碍性因素。5.具体而言,由于热处理是在高温环境下进行的,因此有必要在热处理期间或热处理结束后降低腔室的温度。例如,在热处理结束后,在对热处理晶片进行提取时,首先就需要降低腔室的温度。然而,由于腔室的密封性良好,腔室的冷却需要很长时间。因此,这就导致对晶圆的热处理工艺的作业时间(tact time)变长的问题出现。技术实现要素:6.要解决的问题7.本发明的其中一个目的在于,提供一种高压热处理装置,能根据不同需要,对腔室进行急速冷却。8.解决问题的手段9.为了解决上述技术性课题,本发明的实施例提供一种高压热处理装置,其包括:内部腔室,容纳要进行热处理的对象物;外部腔室,其设置有:收容上述内部腔室的高温区域,以及温度低于上述高温区域的低温区域;供气模块,其设置有:工艺气体管线,以高于大气压的第一压力向上述内部腔室供应用于上述热处理的工艺气体,以及保护气体管线,以第二压力向上述外部腔室供应保护气体,上述第二压力的设定与第一压力紧密相关;转换模块,将上述高温区域和上述低温区域转换成连通状态;以及吹扫模块,在上述连通状态下,将上述高温区域内的上述保护气体吹扫至上述低温区域。10.在这里,上述吹扫模块,包括:圆环主体,包裹上述内部腔室;以及排放通道,形成于上述圆环主体,将接收的吹扫气体向上述内部腔室进行排气。11.在这里,还包括上述排放通道,其包括:环形管线,沿上述圆环主体的圆周方向延伸形成;以及多个分支管线,设置于上述环形管线,与上述内部腔室位置相对。12.在这里,上述加热模块,设置于上述高温区域,对上述工艺气体和上述高温区域内的上述保护气体进行加热;而上述排放通道,将上述吹扫气体向上述内部腔室和上述加热模块之间的空间进行排放。13.在这里,上述加热模块,包括:加热器,朝向上述内部腔室而设置;以及隔热块,设置于上述外部腔室的内面,可阻断上述加热器产生的热传递至上述外部腔室之外;而上述排放通道,将上述吹扫气体排放,并使其流向上述隔热块。14.在这里,上述供气模块,还包括:吹扫气体管线,将上述吹扫气体注入至上述排放通道。15.在这里,上述外部腔室,还包括:具有内部空间的外壳;以及分隔板,将上述内部空间分隔成上述高温区域和上述低温区域;而上述外壳,还包括:与上述分隔板一起限定低温区域的封盖部,并且上述封盖部和上述分隔板中的至少一个容纳有冷却媒介,其用于将吹扫至上述低温区域的上述保护气体冷却。16.在这里,上述分隔板,设置有可打开的排放孔,用于将上述高温区域和低温区域相连通;而上述转换模块,包括:通孔封盖,与上述排放孔相对应地设置;以及驱动单元,将上述通孔封盖在上述排放孔关闭的位置和上述排放孔打开的位置之间进行移动。17.在这里,上述外部腔室的设置,使上述保护气体在上述低温区域与冷却媒介进行热交换而冷却后,再向上述高温区域循环。18.在这里,还包括:排气模块,从上述内部腔室和上述外部腔室将上述工艺气体和上述保护气体进行排气;而上述排气模块,在上述吹扫模块运转时,对上述保护气体排气,使上述第二压力维持不变。19.本发明的另一实施例提供一种高压热处理装置,其包括:内部腔室,容纳要进行热处理的对象物;外部腔室,收容上述内部腔室;供气模块,其设置有:工艺气体管线,以高于大气压的第一压力向上述内部腔室供应用于上述热处理的工艺气体,以及保护气体管线,以第二压力向上述外部腔室供应保护气体,上述第二压力的设定与第一压力紧密相关;以及吹扫模块,将上述吹扫气体向上述外部腔室注入后,吹扫上述保护气体;而上述吹扫模块,包括:圆环主体,包裹上述内部腔室而设置;以及排放通道,设置于上述圆环主体,接收上述吹扫气体并向上述内部腔室排放。20.在这里,上述排放通道,包括:环形管线,沿上述圆环主体的圆周方向延伸形成;以及多个分支管线,设置于上述环形管线,与上述内部腔室位置相对。21.在这里,还包括:加热模块,设置于上述外部腔室,对上述工艺气体和上述保护气体进行加热;而上述排放通道,将上述吹扫气体向上述内部腔室和上述加热模块之间的空间进行排放。22.在这里,上述供气模块,还包括:吹扫气体管线,与上述保护气体管线相连,向上述排放通道供应上述吹扫气体。23.在这里,还包括:排气模块,从上述内部腔室和上述外部腔室将上述工艺气体和上述保护气体排气;而上述排气模块,在上述吹扫气体注入时,对上述保护气体排气,使上述第二压力维持不变。24.发明的效果25.具有如上所述结构的本发明中高压热处理装置,其外部腔室不仅收容内部腔室,还将包含的高温区域和低温区域分开设置,这样供气模块供应的保护气体受到排气模块的作用下,从高温区域向低温区域排出,在高温区域被加热的保护气体就会在低温区域进行热交换,从而完成迅速冷却过程。26.冷却的保护气体回归高温区域后,就能以快于自然冷却的速度将高温区域以及内部腔室冷却。这样就完成了对高温腔室的迅速冷却,半导体晶圆的热处理工艺也就能极大缩短其作业时间(tact time)。附图说明27.图1是图示本发明一实施例中的高压热处理装置100的概念图。28.图2是图示用于说明图1中高压热处理装置100控制结构的框图。29.图3是图示用于说明图1中高压热处理装置100的转换模块150以及吹扫模块160相关结构其中一个形态的部分截面图。30.图4是图示图3中的转换模块150以及吹扫模块160相关结构另一形态的部分截面图。31.图5是图示图4中分隔板123的平面图。32.图6是图示图3的转换模块150一个形态的概念图。33.图7是图示图3的转换模块150另一形态的概念图。34.图8是图示图3的吹扫模块160的平面图。35.(附图标记说明)36.100:高压热处理装置ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ110:内部腔室37.120:外部腔室ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ121:壳体38.123:分隔板ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ125:高温区域39.127:低温区域ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ130:供气模块40.140:排气模块ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ150:转换模块41.151:通孔封盖ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ155:致动器42.160:吹扫模块ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ161:圆环主体43.165:排放通道ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ170:加热模块44.180:感知模块190:控制模块具体实施方式45.以下内容将参照附图,对本发明中优选实施例的高压热处理装置进行详细说明。在本说明书中,即使是不同的实施例,对于相同或相似的结构,也将赋予相同或相似的标记序号,对类似的相关说明将用第一次说明文字内容来代替。46.图1是图示本发明一实施例中的高压热处理装置100的概念图。47.参照该图,高压热处理装置100包括:内部腔室110;外部腔室120;供气模块130;排气模块140;转换模块150以及吹扫模块160。48.内部腔室110形成有收容热处理对象物的收容空间。内部腔室110在高温高压的工艺环境下为了防止颗粒化现象产生,可用非金属材质,例如石英来制造。在附图上虽然进行了省略,但在内部腔室110的下端设置有能打开收容空间的门未图示。随着上述门的下降,收容空间就被打开,上述对象物就被抓持器未图示拾取并移送至内部腔室110。内部腔室110的外侧设置有加热器未图示,在加热器的作用下,内部腔室110的文图可以达到数百摄氏度。上述对象物例如可以是晶圆。在这种情况下,上述抓持器可以是能够将上述晶圆堆叠为多个层的晶舟wafer boat。49.外部腔室120是容纳内部腔室110的结构。外部腔室120与内部腔室110不同的是,其不受半导体晶片污染问题的影响,因此可以用金属材料制成。外部腔室120具有壳体121,其具有的内部空间可以容纳内部腔室110的。壳体121的下部也设有门未图示。上述门与内部腔室110的门一起下降,可以打开上述内部空间。50.上述内部空间可以通过分隔板123划分为两个区域。上述分隔板123的下侧可以是内部腔室110所在的高温区域125。上述分隔板123的上侧可以是温度低于上述高温区域125的低温区域127。上述高温区域125通过加热器的加热,使温度升高,达到仅次于内部腔室110的温度,但上述低温区域127的温度明显低于上述高温区域125。低温区域127受冷却介质影响,例如在冷却水的影响下温度会下降。51.供气模块130是向腔室110、120供应气体的结构。上述供气模块130具有与半导体工厂的实际设备供气设备相连的气体供应器131。上述气体供应器131可以有选择性地为上述内部腔室110提供工艺气体,例如氢/氘、氟、氨、氯、氮等。上述气体供应器131可以为上述外部腔室120提供保护性气体,例如惰性气体中的氮气。向上述外部腔室120注入的上述保护气体,具体而言是向外部腔室120和内部腔室110之间的空间注入。这些上述工艺气体和保护性气体分别通过工艺气体管线133或保护气体管线135进入至上述内部腔室110或外部腔室120。气体供应器131可向上述外部腔室120供应上述吹扫气体。为了能吹出保护气体,上述吹扫气体就被吹入外部腔室120,具体而言是填入至上述外部拍那个是120和内部腔室110之间的空间。上述吹扫气体,例如可以是惰性气体的氮气。上述吹扫气体通过从上述保护气体管线135分支出的吹扫气体管线137注入至上述外部腔室120。52.上述工艺气体和上述保护性气体,作为高于大气压的压力,例如其可以形成数倍甚至数十倍气压的高压。另外,当上述工艺气体的压力为第一压力,上述保护性气体的压力为第二压力时,可以维持上述两者的设定关系。例如,上述第二压力可以设定为高于上述第一压力的压力。而这种压力差具有防止上述工艺气体从内部腔室110泄漏的优点。上述吹扫气体在供应过程中,排出部分上述保护气体,而上述第二压力就可以继续维持下去。53.排气模块140是将上述工艺气体和上述保护气体从腔室110、120进行排气的结构。为了从上述内部腔室110排出上述工艺气体,排气管141连接于上述内部腔室110的上部。上述排气管141设置在上述低温区域127,可从低温区域127向上述外部腔室120的外部延伸。上述排气管141可安装气体排放器143。上述气体排放器143可以是控制上述工艺气体排放的阀门结构。54.为了从外部腔室120排出上述保护气体,类似于上述结构,可以设置与上述外部腔室120相连的排气管145以及安装在其上的气体排放器147。由于这些排气管141和145彼此相连通,因此,在上述工艺气体被上述保护气体稀释后,其浓度便下降,进而又被排出。55.转换模块150是将高温区域125和低温区域127的连通状态进行转换结构。上述转换模块150的运转可以转换上述分隔板123的状态,将状态转换成连通状态。当上述状态变成连通状态时,上述高温区域125和上述保护气体就可以流向上述低温区域127。56.上述吹扫模块160是见过上述高温区域125内的上述保护气体向上述低温区域127吹扫的结构。上述吹扫模块160在结构上可包裹上述内部腔室110。上述吹扫模块160设置于对应于上述内部腔室110的下部高度的位置。上述吹扫模块160是向外部腔室120,具体而言是向上述高温区域125排放上述吹扫气体。在上述吹扫气体的压力作用下,上述高温区域125内的上述保护气体被强制性地流动至上述低温区域127。这种操作只能是在转换模块150将上述高温区域125和低温区域127连通的状态下才可能进行。存在于上述高温区域125的上述保护气体向上述低温区域127移动,失去热能后可再次循环至上述高温区域125。上述保护气体由于强制进行的循环和热交换,上述高温区域125和上述内部腔室110【以及半导体晶圆】就可以急速地被冷却。57.高压热处理装置100的控制结构参照图2进行详细说明。图2是图示用于说明图1中高压热处理装置100控制结构的框图。58.参照本图及图1高,上述高压热处理装置100除了前面描述的供气模块130等结构之外,还可以包括:加热模块170;感知模块180;控制模块190;以及存储模块195。59.上述加热模块170是包含上述加热器的结构。上述加热器可设置在上述外部腔室120的内部空间。上述加热器可以对上述工艺气体加热使其迅速达到工艺温度。60.感知模块180是用于感知上述腔室110,120环境的结构。感知模块180可设置压力器181和测温器185。上述压力器181和测温器185可以设置在各个上述腔室110,120。61.控制模块190是控制供气模块130、排气模块140等的结构。上述控制模块190可以基于上述感知模块180的感知结果来控制上述供气模块130等结构。62.上述存储模块195是为了能将可参考的数据、程序等存储并提供至控制模块的结构。上述存储模块195可包括:闪存flash memory、硬盘hard disk、磁光盘,以及光盘中的至少一种类型的存储介质。63.根据上述结构,上述控制模块190可以根据通过上述压力器181获得的上述腔室110、120的压力,进而来控制供气模块130的运行。上述操作将上述工艺气体和上述保护气体供应至上述腔室110、120,上述腔室110、120就达到了上述第一压力和上述第二压力。64.上述控制模块190还可以根据上述测温器185获得的上述腔室110、120的温度,进而来控制上述转换模块150以及供气模块130的运行。上述转换模块150以及供气模块130,甚至是上述吹扫模块160的运行,是在热处理过程中需要降低上述腔室110,120的温度,或者在热处理结束时进行运行的。65.在上述转换模块150、供气模块130以及上述吹扫模块160的运行下,上述保护气体的强制性循环和热交换得以进行。上述工艺气体被冷却至设定温度一下。上述控制模块190控制上述排气模块190使其运行,将冷却的上述工艺气体进行排气。这就能在上述工艺气体以高温状态排出时,将可能发生的爆炸等危险因素提前规避。66.上述控制模块190将上述吹扫气体注入至上述外部腔室120的过程中,上述排气模块140也可将部分上述保护气体进行排气处理。这就使注入上述吹扫气体的压力维持在上述第二压力水平。67.上述转换模块150以及吹扫模块160的具体结构和运转将参照图3至图8进行说明。68.首先,图3是图示用于说明图1中高压热处理装置100的转换模块150和吹扫模块160相关结构其中一个形态的部分截面图。图4是图示图3中转换模块150和吹扫模块160相关结构另一形态的部分截面图。在该组示图的说明中,为了进行简略说明,对上述腔室110、120的门以及半导体晶圆等结构的图示进行了省略处理。69.如果进一步参考本图进行说明的话,上述壳体121可以包括主体部分121a和封盖部121b。如果说主体部分121a大体上呈圆桶形状,那么封盖部121b与主体部分121a的开放上部形成相对应的形状。上述封盖部121b可以大体上呈现类似圆顶的形状。70.上述分隔板123可以与上述封盖部121b在位置相对的状态下,与其分隔而设置。上述分隔板123被支撑于主体部分121a上并设置在上述封盖部121b的下侧。上述分隔板123与上述主体部分121a一起限定上述高温区域125,与上述封盖部121b一起限定上述低温区域127。71.在上述高温区域125设有上述加热模块170。上述加热模块170可以包括加热器171和隔热块175。上述加热器171与上述内部腔室110的位置相对。上述高温区域125中的保护气体和内部腔室110中的处理气体可以通过上述加热器171产生的热被加热。上述隔热块175可设置在主体部分121a的内面上,并且可以阻断加热器171产生的热传递至上述主体部分121a一侧。上述加热部171作为包裹上述内部腔室110的热线结构,可内设于上述隔热块175。72.与上述加热器171相对应,上述分隔板123的下部可以设置隔热层123a。上述隔热层123a可设置在上述加热模块170的上侧,从而形成正对着上述加热器171的位置关系。上述隔热层123a能阻止在上述加热器171产生的热量传递到低温区域127。73.分隔板123的上部可设置冷却层123b。上述冷却层123b具有容纳冷却介质的空间,冷却介质可以例如是冷却水。与上述冷却层123b相对应,上述封盖部121b也可以设置具有容纳冷却水的空间。上述封盖部121b可容纳比上述分隔板123更多的冷却水。由于上述封盖部121b限定低温区域127的上部,因此排出至低温区域127的上述保护气体上升至最大限度的过程里,主要与上述封盖部121b进行热交换。74.容纳在上述封盖部121b和/或上述冷却层123b中的冷却水将冷气充入低温区域127。因此低温区域127的温度就可以维持较低的温度水平。排入至低温区域127的上述保护气体可与上述冷气进行热交换而冷却。75.在上述分隔板123上还可设置贯通的排放孔123c。上述排放孔123c是将高温区域125和低温区域127连通的结构。上述排放孔123c形成在与上述内部腔室110和加热模块170之间的空间位置相对的位置处,并且上述排放孔123c受到转换模块150的控制进行打开和关闭。76.上述外部腔室120可以使上述保护气体从低温区域127循环至高温区域125。例如,上述外部腔室120可以在上述分隔板123和上述主体部分121a之间,以及在上述主体部分121a和上述加热模块180之间形成间隙g结构。在这种情况下,上述保护气体可以通过上述间隙g进行循环。77.上述吹扫模块160是将上述吹扫气体向上述内部腔室110和上述加热模块170之间的空间喷气的结构。上述吹扫气体在上述内部腔室110反射后向上述隔热块175流动。上述吹扫气体以常温状态被喷出,可对上述内部腔室110和上述隔热块175进行冷却降温。78.根据上述结构,在上述转换模块150关闭上述排放孔123c的情形下图3,上述加热器171产生的热量可加热上述内部腔室110和高温区域125中的气体。上述加热器171产生的热量受到上述隔热层123a的作用不能传热至上述低温区域127。上述低温区域127通过上述封盖部121b和/或冷却层123b的冷却水也可保持低温状态。因此,上述高温区域125和低温区域127两者即使具有相同的压力,两者之间的温度有明显的差异。79.当要冷却上述工艺气体时,上述排放孔123c受到上述转换模块150的控制而被打开。通过上述吹扫气体管线137以及上述吹扫模块160而被注入的上述吹扫气体,对上述高温区域125内的上述保护气体进行强制对流。通过排放孔123c而再流向上述低温区域127。高温状态的上述保护气体在上述低温区域127内与上述冷却水的冷气进行热交换冷却。冷却后的低温保护气体在上述分隔板123与上述主体部分121a之间的间隙g[或排放孔123c]等结构可回归至上述高温区域125。[0080]随着上述保护气体不断通过强制对流循环,上述工艺气体就可以与上述保护气体进行热交换从而达到急速冷却的效果。上述工艺气体在充分冷却后,又可通过上述排气管141排放到外部。[0081]接下来,图5是图示图4中分隔板123的平面图。[0082]参照本图,上述排放孔123c设置在离开冷却层123b的中心位置处。这是因为上述排放孔123c的位置处在与上述内部腔室110和加热模块170之间空间相对应的位置参照图3。[0083]上述冷却层123b的形状呈圆盘形,上述排放孔123c也可以圆形的开口。在这种情况下,上述排放孔123c的直径d1与上述冷却层123b的直径d2相比,可以呈特定的比率关系。具体而言,确定的这个比率可以在从高温区域125排放到低温区域127的过程中,防止由于热量的快速排放而对上述内部腔室110产生热冲击的不利影响。[0084]上述内容是以排放孔123c作为流动通道,举例说明了在上述保护气体从上述高温区域125排出到上述低温区域127的情形,但上述通道也可以是其他形态。例如,由于上述分隔板123是以水平轴为中心进行旋转或升降的结构,基于这种设置,上述分隔板123和壳体121之间形成的空间可以成为上述通道。在这里,上述分隔板123的旋转和下降是受到上述转换模块150的作用而进行相应运转的。[0085]图6是图示图3中转换模块150一个状态的概念图,图7是图示图3中转换模块150另一状态的概念图。[0086]参考本图进一步说明的话,上述转换模块150可以包括通孔封盖151、铰链153、致动器155以及链连杆157。[0087]上述通孔封盖151的尺寸大小于上述排放孔123c相对应。上述通孔封盖151可在封闭位置图6关闭上述排放孔123c。上述通孔封盖151又可在开放位置图7上打开上述排放孔123c。[0088]上述通孔封盖151可以通过铰链153旋转并结合至上述分隔板123。这种设计结构允许通孔封盖151在上述封闭位置和上述开放位置之间旋转。[0089]为了能移动上述通孔封盖151,可设置驱动单元。上述驱动单元可以包括致动器155和连杆157。[0090]上述致动器155是前后运动的结构。上述致动器155可以是前后运转的气缸结构。更具体而言,上述气缸可以是电动机操作下的电动型气缸。[0091]上述连杆157是将上述气缸的移动部与上述通孔封盖151相连接的结构。上述连杆157的一端与上述通孔封盖151相结合。而上述连杆157的另一端与上述移动部可旋转地结合。为了能对应上述连杆157的旋转,在上述连杆157和上述移动部中的一个结构上设置长孔,在另一个上可以设置可移动插入至上述长孔的销。[0092]关于上述吹扫模块160的具体结构,将参照附图8来进行具体说明。图8是图示图3中吹扫模块160的平面图。[0093]参照该图,上述吹扫模块160包括圆环主体161以及排放通道165。[0094]上述圆环主体161的设置在整体上可呈现圆形圈的形状,并包裹上述内部腔室110,因此,其中空部分的尺寸大小可以允许上述内部腔室110插入。为了能便于加工上述排放通道165,上述圆环主体161可以堆叠出两个圆环形的平板结构。[0095]上述排放通道165设置于上述圆环主体161,是提供上述吹扫气体向内部腔室110的通道。上述排放通道165可具有环形管线166和分支管线167。[0096]上述环形管线166是沿着上述圆环主体161的圆周方向延伸而出的结构,其结构例如可以形成圆形的通道。而上述分支管线167于上述环形管线166相连,并朝向上述内部腔室110相对地设置。上述分支管线167可以以一定的间隔设置有多个。[0097]向上述环形管线166供应上述吹扫气体,可以通过输入端169来完成。为此,上述输入端169可与上述吹扫气体管线137相连,并设置于上述圆环主体161的底面。[0098]如上所述的高压热处理装置并不局限于上述实施例的设置和操作方法。上述实施例也可以通过选择性地组合各个实施例中的全部或部分结构来实现各种形式的变形实施例。[0099]例如,吹扫模块160也可以设置于不具备上述转换模块150和低温区域127的外部腔室120。在这种情形下,吹扫模块160将上述吹扫气体供应至内部腔室110和隔热块175之间的空间处,从而吹扫高温的保护气体。而保护气体受到吹扫后,又受到排气模块140的排气。









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