触控显示面板及显示装置的制作方法 专利技术说明

电子电路装置的制造及其应用技术触控显示面板及显示装置1.该案是申请号202010234947.4，申请日2020.03.30，发明名称触控显示面板及其制备方法、显示装置的分案。技术领域2.本技术涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种触控显示面板及显示装置。背景技术：3.屏内触控(incell touch)技术在显示领域是一种极具优势的解决方案，其以窄边框、低成本、高触摸性能、更轻薄等优势一直是技术开发的热点。4.在oled显示领域，特别是oled穿戴显示设备中，将触控结构内嵌于oled面板中，可以节省玻璃成本和贴合成本，使得面板重量轻、透光度高，更满足显示面板对品质的要求。但由于屏内膜层结构变得复杂，保证触控结构能够与触控信号线稳定接触是保证良好触控效果的关键问题。5.需要说明的是，在上述背景技术部分发明的信息仅用于加强对本技术的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。技术实现要素：6.本技术的目的在于提供一种触控显示面板及显示装置，解决现有技术存在的一种或多种问题。7.根据本技术的一个方面，提供一种触控显示面板，包括：8.相对设置的衬底基板和封装盖板，所述衬底基板和封装盖板均包括显示区和围绕所述显示区设置的周边区；9.触控电极层，设于所述封装盖板的显示区；10.第一搭接层，设于所述封装盖板的周边区，连接所述触控电极层，且所述第一搭接层的材料为导电材料；11.支撑层，设于所述衬底基板的周边区；12.第二搭接层，设于所述衬底基板的周边区且覆盖所述支撑层，所述第二搭接层的材料为导电材料，所述第二搭接层与所述第一搭接层接触；13.触控信号线，设于所述衬底基板的周边区，与所述第二搭接层电连接。14.在本技术的一种示例性实施例中，所述触控电极层包括相互绝缘的第一触控电极层和第二触控电极层，所述第一搭接层包括多个第一电极，所述第二触控电极层包括多个第二电极，所述第一搭接层包括多个第一搭接部，多个所述第一搭接部与各所述第一电极、各所述第二电极一一对应的电连接，所述第二搭接层包括多个第二搭接部，各所述第二搭接部与各所述第一搭接部一一对应接触。15.在本技术的一种示例性实施例中，所述支撑层包括多个支撑部，所述多个支撑部与各所述第二搭接部一一对应设置。16.在本技术的一种示例性实施例中，所述第一触控电极层和第二触控电极层同层设置或不同层设置。17.在本技术的一种示例性实施例中，各所述第二搭接部均包括依次层叠设置的第一透明导电氧化物层和第一金属层，所述第一金属层与对应的所述第一搭接部接触。18.在本技术的一种示例性实施例中，所述触控显示面板还包括设于所述衬底基板显示区的发光器件，所述发光器件包括阳极层，所述阳极层包括依次层叠设置的第二透明导电氧化物层、第二金属层和第三透明导电氧化物层；其中，所述第一透明导电氧化物层与所述第二透明导电氧化物层同层设置，所述第一金属层和第二金属层同层设置。19.在本技术的一种示例性实施例中，所述第一透明导电氧化物层的材料为透明氧化铟锡，所述第一金属层的材料为ag。20.根据本技术的另一个方面，提供一种触控显示面板的制备方法，包括：21.提供一衬底基板和封装盖板，所述衬底基板和封装盖板均包括显示区和围绕所述显示区设置的周边区；22.在所述封装盖板的显示区形成触控电极层，采用导电材料在所述封装盖板的周边区形成第一搭接层，所述第一搭接层连接所述触控电极层；23.在所述衬底基板的周边区形成支撑层和触控信号线；24.采用导电材料在所述衬底基板的周边区形成覆盖所述支撑层的第二搭接层，且使所述触控信号线与所述第二搭接层电连接；25.将所述衬底基板和封装盖板对合，使所述第二搭接层与所述触控电极层接触。26.在本技术的一种示例性实施例中，所述制备方法还包括，在所述衬底基板显示区形成发光器件，所述发光器件包括阳极层，其中，形成所述阳极层和所述第二搭接层包括：27.在所述衬底基板上通过同步构图工艺形成位于所述显示区的第二透明导电氧化物层和位于所述周边区的第一透明导电氧化物层；28.通过同步构图工艺形成位于所述显示区的第二金属层和位于所述周边区的第一金属层；29.通过同步构图工艺形成位于所述显示区的第四透明导电氧化物层和位于所述周边区的第三透明导电氧化物层；30.采用光刻工艺去除所述第三透明导电氧化物层；31.对所述第一金属层进行加热，使所述第一金属层生长并能与所述触控电极层接触。32.根据本技术的第三个方面，提供一种显示装置，包括上述任意一项所述的触控显示面板。33.本技术的触控显示面板中在在封装盖板上设置第一搭接层，衬底基板上对应位置设置第二搭接层，并通过支撑层顶起，使第一搭接层和第二搭接层直接接触，从而将触控电极层产生的信号传递至触控信号线。该结构的第一搭接层能与第二搭接层保持稳定的接触，避免接触不良，确保触控信号的稳定传递，进而可以保证触控面板的良好品质。34.应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本技术。附图说明35.此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本技术的实施例，并与说明书一起用于解释本技术的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。36.图1为本实施方式衬底基板的俯视结构示意图；37.图2为本实施方式封装基板的仰视结构示意图；38.图3为本实施方式对自电容式触控显示面板的结构示意图；39.图4为本实施方式为互电容式触控显示面板的一种结构示意图；40.图5为本实施方式为互电容式触控显示面板的另一种结构示意图；41.图6为本实施方式中一种第二搭接层的结构示意图；42.图7为本实施方式中触控显示面板的制备方法流程图；43.图8为本实施方式中掩膜板的结构示意图；44.图9为本实施方式中对第二搭接层进行光刻工艺的示意图；45.图10为本实施方式中剥离上层ito后的第二搭接层的示意图；46.图11为第一搭接层分别为三层和双层时接触效果的扫描电镜图；47.图12为第一搭接层分别为三层和双层时金属ag的透射电镜图。48.图中：100、衬底基板；110、平坦层；120、支撑层；130、第二搭接层；131、第二搭接部；140、触控信号线；150、引线；160、阳极；170、像素界定层；180、隔垫物；190、发光层；101、阴极；132、第一透明导电氧化物层；133、第一金属层；134、第三透明导电氧化物层；161、第二透明导电氧化物层；162、第二金属层；163、第四透明导电氧化物层；49.200、封装盖板；210、触控电极层、211、第一触控电极层；212、第二触控电极层；220、绝缘层；230、第一搭接层；231、第一搭接部；240、封装胶。50.300、掩膜板。具体实施方式51.现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本技术将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。52.本技术实施方式中提供了一种触控显示面板，应用于oled显示面板中。参考图1-图3，本技术实施方式的触控显示面板包括对合设置的衬底基板100和封装盖板200，衬底基板100和封装盖板200均包括显示区和围绕显示区设置的周边区；衬底基板100的显示区设置有发光器件；封装盖板200的显示区设置有触控电极层210，周边区设置有第一搭接层230，第一搭接层230电连接触控电极层210，且第二搭接层130的材料为导电材料；衬底基板100的周边区设置有支撑层120，支撑层120上覆盖有导电的第二搭接层130，第二搭接层130与第一搭接层230接触；衬底基板100的周边区还设置有触控信号线140，触控信号线140与第二搭接层130电连接。53.本实施方式中，触控电极层210和第一搭接层230设置在封装盖板200上，触控信号线140和第二搭接层130均设置在衬底基板100上，第一搭接层230和第二搭接层130均为导电材料且二者直接接触，使触控电极层210产生的信号可以传递至触控信号线140。为了实现第一搭接层230和第二搭接层130的接触，在衬底基板100上设置支撑层120，利用支撑层120将第二搭接层130顶起，可以使第一搭接层230始终与第二搭接层130保持稳定的搭接，防止接触不良，确保触控信号的稳定传递，进而保证触控面板的良好品质。54.下面对本技术实施方式的触控显示面板进行详细说明：55.在本实施方式中，图1和图2所示均可以用于手表等穿戴设备中的椭圆形触控显示面板，图1所示为其中衬底基板100的俯视结构示意图，仅示出了周边区第二搭接层130的结构，图2所示为其中封装盖板200的仰视结构示意图，简要示出了显示区触控电极层210结构和周边区第一搭接层230的结构。该显示面板将触控芯片pin脚设置在面板下方，同时将触控信号线140从左右两端向下延伸至触控芯片pin脚。因此第一搭接层230、第二搭接层130和支撑层120均设置在面板左右两侧，将触控电极层210的各信号从左右两侧分别传递至触控信号线140上。56.图3所示为图1和图2对合后的触控显示面板在x-x’向的截面示意图，图中仅示出了周边区和最靠近周边区的显示区，显示区仅示出了一个子像素的结构，周边区仅示出了与搭接区相关的部分结构。57.具体地，衬底基板100上设置有平坦层110，用于对衬底基板100进行平坦化，子像素设置在平坦层110(pln)上，包括阳极160、用于定义开口区的像素界定层170(pdl)、设于阳极160上的发光层190、设于像素界定层170上的隔垫物180(ps)，以及整面覆盖的阴极101。58.封装盖板200上，触控电极层210包括相互绝缘的第一触控电极层211和第二触控电极层212，第一触控电极层211包括多个相互绝缘的第一电极，第二触控电极层212包括多个相互绝缘的第二电极，第一电极和第二电极分别作为感测电极(rx)和驱动电极(tx)。相应的，第一搭接层230包括多个第一搭接部231，每个电极都对应连接一个第一搭接部231。举例而言，在图2所示的封装盖板200上，触控电极层210一共包括四个第一电极和三个第二电极，第一搭接层230包括七个第一搭接部231，每个电极都对应连接一个第一搭接部231，并通过引线150与各第一搭接部231连接。该图中将七个第一搭接部231分布在显示区的两侧，以保证面板两侧宽度基板一致。第一搭接部231的材料与第一电极或第二电极材料可以相同或不同。59.需要说明的是，图2中由触控电极层210引出的引线150前半部分简要绘制成了一条线，本领域技术人员应当了解，实际上每个电极都有单独的引线150与第一搭接部231连接。60.对应的，衬底基板100上的第二搭接层130包括多个第二搭接部131，多个第二搭接部131与各第一搭接部231一一对应设置，以实现电连接。举例而言，在图1所示的衬底基板100上，第二搭接层130包括七个第二搭接部131，其中四个第二搭接部131的位置与四个第一搭接部231一一对应，另外三个第二搭接部131的位置与另外三个第二搭接部131一一对应。61.对应的，支撑层120也包括多个支撑部，各支撑部可以看作是在平坦层110上设置的凸起，各支撑部与各第二搭接部131一一对应设置，用于将第二搭接部131顶起，使得每个第二搭接部131都能与第一搭接部231接触，保证信号顺利传递。举例而言，在图1所示的衬底基板100上，支撑层120也包括七个支撑部，七个支撑部分别设置在对应的第二搭接部131下方，但由于遮挡该图无法看到支撑层120。62.需要说明的是，图1和图2中的触控电极层210仅为一种示例性结构，实际上第一搭接部231、第二搭接部131和支撑部的数量和位置还可以根据显示面板的形状、触控电极层210的形状、触控信号线140的走线设计等进行对应的设置，本技术不对此进行特殊限定。63.本实施方式的触控搭接方式既可以适用于自电容式触控显示面板，也可以适用于互电容式触控显示面板。64.在一种具体实施例中，如图3所示，第一触控电极层211和第二触控电极层212同层设置，即各第一电极和各第二电极同层设置，组成自电容式触控显示面板。自电容式是指将电极(即第一电极和第二电极)制作成横向、纵向电极阵列，并分别与地构成电容，即电极对地的电容。当手指触摸到电容面板时，手指的电容将会叠加到屏体电容上，使屏体电容量增加。在触摸检测时，自电容触控显示面板依次分别检测横向与纵向电极阵列，根据触摸前后电容的变化，分别确定横向坐标和纵向坐标，然后组合成平面的触摸坐标。65.在另一种具体实施例中，如图4所示，第一触控电极层211和第二触控电极层212不同层设置，两个电极层之间通过绝缘层220隔开，组成互电容式触控显示面板。互电容式触控显示面板是指将两层电极(即第一电极和第二电极)制作成横向、纵向电极阵列，两层电极交叉的地方将会形成电容，也即这两组电极分别构成了电容的两极。当手指触摸到电容屏时，影响了触摸点附近两个电极之间的耦合，从而改变了这两个电极之间的电容量。这样可以得到所有横向和纵向电极交汇点的电容值大小，根据触摸前后电容的变化，分别确定横向坐标和纵向坐标，然后组合成平面的触摸坐标。66.需要注意的是，由于第一电极和第二电极位于不同层，二者与衬底基板100的距离不同，此时需要保证各第一搭接部231相对于封装盖板200的高度一致，以使对合后各第一搭接部231均能与各第二搭接部131接触。67.本实施方式中，支撑层120也设置在平坦层110上，为绝缘材料，具体可以采用平坦化层材料，例如sic、sio等无机材料，或光刻胶等有机材料。第二搭接层130的材料为导体材料，以实现将触控电极层210和触控信号线140电连接的作用。具体而言，第二搭接层130的导体材料包括但不限于金属导体和半导体氧化物。为了简化制备工艺，第二搭接层130的材料可以采用发光器件中的阳极160材料，即透明半导体氧化物/金属/透明半导体氧化物(如ito/ag/ito等)的复合材料，由此可以通过同步构图工艺形成阳极160和第二搭接层130。68.图3-6所示的结构虽然可以实现触控搭接，但当第二搭接层130膜层高度不够或其他膜层过高时，衬底基板100和封装盖板200对合时，容易在第二搭接层130和第一搭接层230之间留下空隙，导致接触不良，进而影响触控信号的有效传递，无法实现准确的触控。如图11所示，为该结构第一搭接层230和第二搭接层130的接触效果图，由图中可以看出，第一搭接层230和第二搭接层130之间具有空隙，二者会导致触控障碍。69.在本实施例中，为了避免接触不良，第二搭接层130设置为两层，即包括依次层叠设置的第一透明导电氧化物层132和第一金属层133，参考图6，第一金属层133与对应的第一搭接层230接触。也就是说，第一透明导电氧化物层132位于下层，覆盖在支撑层120上，第一金属层133位于上层，覆盖在第一透明导电氧化物层132上，直接与对应的第一搭接层230接触。70.具体而言，发光器件包括阳极160、有机发光层190和阴极101，阳极160包括由下至上依次层叠设置的第二透明导电氧化物层161、第二金属层162和第四透明导电氧化物层163；其中，第二搭接层130的第一透明导电氧化物层132与发光器件的第二透明导电氧化物层161同层设置，第二搭接层130的第一金属层133和发光器件的的第二金属层162同层设置。此处，同层设置是指采用相同材料通过同一步构图工艺形成。具体的，第一透明导电氧化物层132材料可以是ito，第一金属层133材料可以是ag。71.如此设置的原因是，由于第一金属层133上不再覆盖其他膜层(如ito)，在显示面板对合后的制备工艺的加热阶段，第一金属层133将会继续生长，直至与上方的第一搭接层230接触，使得第一金属层133和第一搭接层230之间不再有空隙，确保完全接触。而且，该结构的第二搭接层130仍然可以与阳极160通过同步构图工艺形成，仅需要剥离第一金属层133上方的透明导电氧化物层即可。关于制备方法，后续会进行详细说明。72.在本实施方式中，第二搭接层130和触控信号线140之间可以通过引线150实现电连接，即引线150一端电连接第二搭接层130，另一端电连接触控信号线140，如图6所示。引线150和触控信号线140均可以采用现有膜层(例如栅极层等)进行走线设计。在如图所示的实施例中，引线150设置于衬底基板100上且未被平坦层110覆盖，其位于支撑层120远离显示区的一侧，第二搭接层130覆盖在支撑层120上且向远离显示区的方向延伸并覆盖在引线150上，使得第二搭接层130和引线150直接接触，通过引线150将第二搭接层130和触控信号线140连接。在其他实施例中，第二搭接层130也可以不直接覆盖在引线150上，而是通过过孔与引线150进行电连接，也可以实现与触控信号线140电连接。引线150可以根据衬底基板100的各种走线的实际情况进行具体设计，此处不再赘述。73.如图3-6所示的结构中，封装盖板200的显示区还包括设置在触控电极层210远离盖板一侧的绝缘层220，利用绝缘层220将触控电极层210和发光器件的阴极101隔开，防止触控信号和阴极101信号互相干扰。封装盖板200和衬底基板100之间还设置有封装胶240，用于阻挡水氧入侵。74.本技术实施方式还提供一种触控显示面板的制备方法，参考图7所示的流程图，包括：75.步骤s100，提供一衬底基板100和封装盖板200，衬底基板100和封装盖板200均包括显示区和围绕显示区设置的周边区；76.步骤s200，在封装盖板200的显示区形成触控电极层210，采用导电材料在封装盖板200的周边区形成第一搭接层230，第一搭接层230连接触控电极层210；77.步骤s300，在衬底基板100的周边区形成支撑层120和触控信号线140；78.步骤s400，采用导电材料在衬底基板100的周边区形成覆盖支撑层120的第二搭接层130，且使触控信号线140与第二搭接层130电连接；79.步骤s500，将衬底基板100和封装盖板200对合，使第二搭接层130与第一搭接层230接触。80.以如图3-6所示的结构为例，步骤s100中，衬底基板100上通常形成有位于显示区的tft阵列，还可以形成平坦层110以对衬底基板100进行平坦化。81.步骤s200中，触控电极层210的形成根据其具体结构进行，当其为自电容式触控结构时，将第一触控电极层211和第二触控电极层212均在同一层形成，当其为互电容式触控结构时，依次形成第一触控电极层211、绝缘层220和第二触控电极层212。具体制备此处不再赘述。需要说明的是，触控电极层210还需延伸至封装盖板200的周边区，以与位于周边区的触控搭接部电连接。第一搭接层230可以与第一触控电极层211或第二触控电极层212通过同步构图工艺形成。82.进一步地，该步骤还包括在触控电极层210上形成绝缘层220，以使后续对合后触控电极层210和发光器件的阴极101相互绝缘。83.步骤s300中，支撑层120制备方法可以根据材料进行选择，例如，当其为无机材料时可以采用沉积法等方法，当其为有机材料时可以采用蒸镀等方法，制备高度根据需要设计。84.步骤s400中，第二搭接层130采用与发光器件的阳极160相同的材料时，可以与发光器件的阳极160通过一个掩膜版同步形成，由此可以得到图3-图5所示的结构。当需要形成图6所示的结构时，第二搭接层130仍然能与发光器件的阳极160同步形成，但需要增加一道工序用于去除最上层的透明导电氧化物层。85.具体的，发光器件的形成通常包括：在平坦层110上形成各子像素对应的阳极160，再形成像素界定层170定义各子像素的开口区，并在像素定义层上形成隔垫物180，然后在开口区内蒸镀相应的发光层190，最后形成覆盖整个显示区的阴极101。86.以阳极材料为ito/ag/ito为例，形成发光器件的阳极和第二搭接层130包括以下步骤：87.步骤s01，在衬底基板100上通过同步构图工艺形成位于显示区的第二透明导电氧化物层161(ito)和位于周边区的第一透明导电氧化物层132(ito)；88.步骤s02，通过同步构图工艺形成位于显示区的第二金属层162(ag)和位于周边区的第一金属层133(ag)；89.步骤s03，通过同步构图工艺形成位于显示区的第四透明导电氧化物层163(ito)和位于所述周边区的第三透明导电氧化物层134(ito)；90.步骤s04，采用光刻工艺去除第三透明导电氧化物层134。由于该步骤中仅需要去除第二搭接层130最上层的ito层，因此可以采用光刻掩膜工艺，此步骤掩膜板300结构如图8所示，该掩膜板300在衬底基板100周边区的对应位置具有开口。具体的，现在衬底基板100上涂覆光刻胶，通过光刻工艺将支撑层120顶起位置的第三透明导电氧化物层134刻蚀掉，暴露出第一金属层133。该步骤中，刻蚀采用干法刻蚀，避免刻蚀液影响下方的金属层，光刻和剥离的可参考图9-图10所示。91.步骤s05，对第一金属层133进行加热，使ag继续生长并能与第一搭接层230接触。对第一金属层133加热可以通过面板后续制备步骤中现有的加热步骤实现，以简化制备工艺。例如在制备隔垫物180时，会采用加热方式对隔垫物180进行固化，在此步骤中ag会受热生长；在对衬底基板100和封装盖板200对合后进行frit封装时，也会采用加热方式对封装胶240进行固化，在此步骤中ag也会受热生长。在这些步骤中，ag都会生长使得最终与第一搭接层230紧密的贴合在一起。92.第二搭接层130采用双层结构相比采用三层结构，在整个制备过程中仅仅在衬底基板100制备过程中增加了的一道掩膜工艺，该工艺位于阳极蒸镀后，不需要对衬底基板100显示区和封装盖板200的制备进行任何改动，工艺简单，易于实施。93.图11分别示出了不同结构的第二搭接层130在与第一搭接层230对合后的扫描电镜图，图中(a)表示第二搭接层为三层结构时的接触效果，明显可以看到中间的缝隙。图中(b)表示上述方法制备的双层结构的接触效果，可以看出支撑层120和第二搭接层130的总厚度约为3.95μm，第一搭接层230和第二搭接层130之间不再具有空隙，二者实现了良好的接触。94.图12分别示出了不同结构时ag的透射电镜图，图中(a)表示第二搭接层为三层结构时的ag层，图中(b)表示第二搭接层为双层结构时的ag层。由图可知，上述方法制备的双层结构中ag层厚度明显增加，说明ag层确实得到了生长。95.本技术实施方式还提供一种显示装置，该显示装置包括上述实施方式的触控显示面板。由于该显示装置具有上述触控显示面板，因此具有相同的有益效果，本技术在此不再赘述。96.本技术对于显示装置的适用不做具体限制，其可以是电视机、笔记本电脑、平板电脑、可穿戴显示设备、手机、车载显示、导航、电子书、数码相框、广告灯箱等任何具有显示功能的产品或部件。97.虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。98.用语“一个”、“一”、“该”、“所述”和“至少一个”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。99.本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本技术的其它实施方案。本技术旨在涵盖本技术的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本技术的一般性原理并包括本技术未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本技术的真正范围和精神由所附的权利要求指出。









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