半导体结构的制作方法与流程 专利技术说明

电气元件制品的制造及其应用技术1.本公开涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体结构的制作方法。背景技术：2.当前，埋入式字线制造使存在阵列区和标记区形貌有差异的问题，导致半导体器件不能形成通路，影响半导体器件的对准。技术实现要素：3.以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。4.为克服相关技术中存在的问题，本公开提供了一种半导体结构的制作方法。5.本公开实施例提供了一种半导体结构的制作方法，所述半导体结构的制作方法包括：6.提供基底，所述基底包括阵列区以及标记区，所述基底具有依次堆叠的图形转移层、第一保护层、第一掩膜层、第二保护层、牺牲层、第二掩膜层以及第三保护层；其中，所述第一掩膜层具有第一预设图案，所述第一预设图案包括沿第一方向间隔排布的多个第一条形图案，所述第二保护层覆盖所述第一掩膜层的顶面，所述牺牲层覆盖所述第一保护层、所述第一掩膜层以及所述第二保护层，所述第二掩膜层具有第二预设图案，所述第二预设图案包括沿所述第一方向间隔排布的多个第二条形图案，每个所述第二条形图案均位于相邻的两个所述第一条形图案之间，所述第三保护层覆盖所述牺牲层以及所述第二掩膜层，其中，所述标记区的所述第二掩膜层的顶面高于所述阵列区的所述第二掩膜层的顶面；自所述第三保护层的顶面刻蚀所述第三保护层，直至暴露出所述牺牲层的顶面以及位于所述标记区所述第二掩膜层的顶面，保留位于所述阵列区的所述第二掩膜层上的部分所述第三保护层；刻蚀所述牺牲层、位于所述标记区的所述第二掩膜层以及位于所述阵列区的所述第三保护层，直至暴露出所述第二保护层的顶面以及位于所述阵列区的所述第二掩膜层的顶面；去除所述第二保护层，并自所述牺牲层的顶面刻蚀所述牺牲层，直至暴露出所述第一保护层的顶面；以所述第一掩膜层和所述第二掩膜层为掩膜，图案化所述第一保护层和所述图形转移层，以将所述第一预设图案和所述第二预设图案转移至所述图形转移层；基于图案化之后的所述图形转移层，刻蚀所述衬底，得到字线沟槽。7.根据本公开的一些实施例，所述自所述第三保护层的顶面刻蚀所述第三保护层，直至暴露出所述牺牲层的顶面以及位于所述标记区所述第二掩膜层的顶面，保留位于所述阵列区的所述第二掩膜层上的部分所述第三保护层包括：所述阵列区的剩余所述第三保护层的厚度与所述牺牲层的厚度一致。8.根据本公开的一些实施例，所述刻蚀所述牺牲层、位于所述标记区的所述第二掩膜层以及位于所述阵列区的所述第三保护层，直至暴露出所述第二保护层的顶面以及位于所述阵列区的所述第二掩膜层的顶面包括：位于所述阵列区的所述第二掩膜层的顶面与所述第一掩膜层的顶面平齐。9.根据本公开的一些实施例，所述去除所述第二保护层，并自所述牺牲层的顶面刻蚀所述牺牲层，直至暴露出所述第一保护层的顶面包括：刻蚀所述第二保护层、所述牺牲层、所述第二掩膜层以及位于所述标记区的所述第一掩膜层，直至暴露出位于所述阵列区的所述第一掩膜层的顶面；自所述牺牲层的顶面刻蚀所述牺牲层，直至暴露出所述第一保护层的顶面。10.根据本公开的一些实施例，所述刻蚀所述第二保护层、所述牺牲层、所述第二掩膜层以及位于所述标记区的所述第一掩膜层，直至暴露出所述第一掩膜层的顶面包括：于所述阵列区暴露的剩余所述第二掩膜层的顶面低于所述牺牲层的顶面。11.根据本公开的一些实施例，所述刻蚀所述第二保护层、所述牺牲层、所述第二掩膜层以及位于所述标记区的所述第一掩膜层，直至暴露出所述第一掩膜层的顶面包括：于所述标记区暴露的剩余所述第二掩膜层的顶面与所述第一掩膜层的顶面平齐。12.根据本公开的一些实施例，所述以所述第一掩膜层和所述第二掩膜层为掩膜，图案化所述第一保护层和所述图形转移层，以将所述第一预设图案和所述第二预设图案转移至所述图形转移层包括：去除部分所述第一保护层和所述图形转移层，部分所述基底顶面自相邻两剩余所述图形转移层之间露出；去除所述第一掩膜层、所述第二掩膜层以及所述牺牲层，暴露所述第一保护层的顶面。13.根据本公开的一些实施例，所述自所述第三保护层的顶面刻蚀所述第三保护层包括：使用四氟化碳气体和三氟甲烷气体对所述第三保护层干法刻蚀。14.根据本公开的一些实施例，所述刻蚀所述牺牲层、位于所述标记区的所述第二掩膜层以及位于所述阵列区的所述第三保护层包括：使用氧气、四氟化碳气体和三氟甲烷气体对所述牺牲层干法刻蚀。15.根据本公开的一些实施例，所述刻蚀所述第二保护层、所述牺牲层、所述第二掩膜层以及位于所述标记区的所述第一掩膜层包括：使用二氟化碳气体和六氟化硫气体对所述第二保护层干法刻蚀。16.本公开的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：通过去除标记区的部分牺牲层时，同步获得更小的阵列区的剩余牺牲层的暴露面积，使得阵列区和标记区的垂直部分的牺牲层能够被同时去除，达到了阵列区和标记区的第一保护层均能够被暴露的目的，有利于位线耦合和常闭触点覆盖过程的对准。17.应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。附图说明18.此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。19.图1-6是背景技术附图。20.图7是根据一示例性实施例示出的半导体结构的制作方法的流程图。21.图8是根据一示例性实施例示出的半导体结构的制作方法中基底顶面堆叠结构的示意图。22.图9是根据一示例性实施例示出的半导体结构的制作方法中去除第三保护层的示意图。23.图10是根据一示例性实施例示出的半导体结构的制作方法中去除部分牺牲层的示意图。24.图11是根据一示例性实施例示出的半导体结构的制作方法的流程图。25.图12是根据一示例性实施例示出的半导体结构的制作方法中去除第二保护层的示意图。26.图13是根据一示例性实施例示出的半导体结构的制作方法中去除部分牺牲层并暴露第一保护层顶面的示意图。27.图14是根据一示例性实施例示出的半导体结构的制作方法的流程图。28.图15是根据一示例性实施例示出的半导体结构的制作方法中去除部分第一保护层的示意图。29.图16是根据一示例性实施例示出的半导体结构的制作方法中图案化图形转移层的示意图。30.图17是根据一示例性实施例示出的半导体结构的制作方法中图案化衬底的示意图。31.附图标记32.1、基底；11、衬底；12、氧化层；13、图形转移层；2、第一保护层；3、第一掩膜层；4、牺牲层；5、第二保护层；6、第三保护层；7、第二掩膜层。具体实施方式33.为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例中的附图，对公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。34.如背景技术所言，当前，参照图1，埋入字线工艺具体包括：35.s100、提供基底，参照图1，附图1中位置靠上的图示内容为阵列区，位置靠下的图示内容为标记区，在其他附图中无特殊说明时亦是如此。参照图2，基底包括阵列区以及标记区，基底具有堆叠的图形转移层、第一保护层、第一掩膜层、第二保护层、牺牲层、第二掩膜层以及第三保护层。36.s200、去除部分第三保护层和部分牺牲层，参照图3，暴露剩余部分牺牲层的顶面，并暴露第二保护层的顶面，于标记区同步去除部分第二掩膜层，于标记区暴露的第二掩膜层顶面与第二保护层的顶面平齐。37.s300、去除部分剩余牺牲层，参照图4，于阵列区暴露部分第一保护层的顶面。38.s400、去除部分第一保护层，参照图5，于阵列区暴露部分金刚石碳层的顶面。39.s500、去除部分图形转移层，参照图6，暴露基底的部分顶面。40.前述工艺存在套刻和对准标记受损导致不能形成通路的问题，影响半导体器件的对准。41.基于此本公开提供了一种半导体结构的制作方法，通过分步去除部分第三保护层和部分牺牲层，能够获得更小的阵列区的剩余牺牲层的暴露面积，使去除第二保护层后阵列区的剩余牺牲层的暴露面积更小，同时使标记区的部分牺牲层被去除，以达到在等同条件下去除部分剩余牺牲层时，阵列区和标记区的垂直部分的牺牲层能够被同时去除，使得阵列区和标记区的第一保护层均能够被暴露，有利于位线耦合和常闭触点覆盖过程的对准。42.本公开示例性的实施例中提供一种半导体结构的制作方法，如图7所示，图7是根据一示例性实施例示出的半导体结构的制作方法的流程图；图8是根据一示例性实施例示出的半导体结构的制作方法中基底顶面堆叠结构的示意图；图9是根据一示例性实施例示出的半导体结构的制作方法中去除第三保护层的示意图；图10是根据一示例性实施例示出的半导体结构的制作方法中去除部分牺牲层的示意图；图11是根据一示例性实施例示出的半导体结构的制作方法的流程图；图12是根据一示例性实施例示出的半导体结构的制作方法中去除第二保护层的示意图；图13是根据一示例性实施例示出的半导体结构的制作方法中去除部分牺牲层并暴露第一保护层顶面的示意图；图14是根据一示例性实施例示出的半导体结构的制作方法的流程图；图15是根据一示例性实施例示出的半导体结构的制作方法中去除部分第一保护层的示意图；图16是根据一示例性实施例示出的半导体结构的制作方法中图案化图形转移层的示意图；图17是根据一示例性实施例示出的半导体结构的制作方法中图案化衬底的示意图。下面结合图7至图17进行解释。43.下文中记载的一些具体实施方式目的在于便于本领域技术人员理解本实施例，本实施例并不以下文中记载的一些具体实施方式为限。44.参照图7，本公开一示例性实施例提供的一种半导体结构的制作方法，参照图7，半导体结构的制作方法包括：45.s100、提供基底，基底包括阵列区以及标记区，基底具有依次堆叠的图形转移层、第一保护层、第一掩膜层、第二保护层、牺牲层、第二掩膜层以及第三保护层；其中，第一掩膜层具有第一预设图案，第一预设图案包括沿第一方向间隔排布的多个第一条形图案，第二保护层覆盖第一掩膜层的顶面，牺牲层覆盖第一保护层、第一掩膜层以及第二保护层，第二掩膜层具有第二预设图案，第二预设图案包括沿第一方向间隔排布的多个第二条形图案，每个第二条形图案均位于相邻的两个第一条形图案之间，第三保护层覆盖牺牲层以及第二掩膜层，其中，标记区的第二掩膜层的顶面高于阵列区的第二掩膜层的顶面。46.示例性的，参照图8，基底1作为承载基础，基底1包括衬底11以及覆盖于衬底11顶面的氧化层12，图形转移层13覆盖于氧化层12顶面，第一保护层2覆盖图形转移层13，第一掩膜层3覆盖部分第一保护层2，牺牲层4覆盖第一掩膜层3以及剩余的部分第一保护层2，第二掩膜层7覆盖部分牺牲层4，第三保护层6覆盖第二掩膜层7以及剩余的部分牺牲层4。47.s200、自第三保护层的顶面刻蚀第三保护层，直至暴露出牺牲层的顶面以及位于标记区第二掩膜层的顶面，保留位于阵列区的第二掩膜层上的部分第三保护层。48.示例性的，参照图8和图9，由于阵列区中第一掩膜层3和第二掩膜层7的顶面平齐，且第二保护层5和部分牺牲层4均覆盖于第一掩膜层3上方，因此牺牲层4呈几字状弯折延伸，牺牲层4包括位于第二保护层5上方水平设置的顶部水平段、位于第一掩膜层3和第二掩膜层7之间的垂直段、以及位于第二掩膜层7下方的底部水平段，部分第三保护层6向基底1方向延伸至第二掩膜层7上方的相邻两段垂直段牺牲层4之间区域。标记区中第二掩膜层7的顶面与顶部水平段的牺牲层4顶面平齐，第三保护层6同时将顶部水平段的牺牲层4和第二掩膜层7的顶面覆盖。49.本实施例中，阵列区中位于顶部水平段的牺牲层4上方的第三保护层6被去除，牺牲层4得以保留，同时填充于第二掩膜层7上方的相邻两段垂直段牺牲层4之间区域的部分第三保护层6被去除；标记区中的全部第三保护层6被去除，牺牲层4和第二掩膜层7均得以保留。保留于阵列区中的第二掩膜层7上方的相邻两段垂直段牺牲层4之间区域的部分第三保护层6能够在后续步骤中对第二掩膜层7进行保护，使得第二掩膜层7更多的被保留，进而在阵列区能够获得暴露在外高度更小的垂直段的牺牲层4，使得后续步骤中阵列区的垂直段牺牲层4在被去除时的速率能够更接近标记区的垂直段牺牲层4的消失速率，进而达到同时暴露阵列区和标记区上的部分第一保护层2顶面的目的。50.s300、刻蚀牺牲层、位于标记区的第二掩膜层以及位于阵列区的第三保护层，直至暴露出第二保护层的顶面以及位于阵列区的第二掩膜层的顶面。51.示例性的，参照图9和图10，于阵列区去除顶部水平段的牺牲层4，使垂直段牺牲层4的顶面和第二保护层5的顶面暴露，在此过程中，前置步骤中保留于第二掩膜层7上方的部分第三保护层6亦被去除，使第二掩膜层7的顶面得以暴露。于标记区去除顶部水平段的牺牲层4，使垂直段牺牲层4的顶面和第二保护层5的顶面暴露，由于前置步骤中保留的牺牲层4顶面与第二掩膜层7的顶面平齐，故在此过程中，部分第二掩膜层7随顶部水平段的牺牲层4的去除而被同步去除。52.本实施例中，通过刻蚀工艺并以第二保护层5的顶面为停止面去除顶部水平段的牺牲层4，且由于刻蚀介质对顶部水平段的牺牲层4的选择比和前置步骤中保留于第二掩膜层7上方的部分第三保护层6选择比一致，故在阵列区能够获得暴露在外高度更小的垂直段的牺牲层4，使得后续步骤中阵列区的垂直段牺牲层4在被去除时的速率能够更接近标记区的垂直段牺牲层4的消失速率，进而达到同时暴露阵列区和标记区上的部分第一保护层2顶面的目的。53.s400、去除第二保护层，并自牺牲层的顶面刻蚀牺牲层，直至暴露出第一保护层的顶面。54.示例性的，参照图11和图12，于阵列区去除第二保护层5的过程中，覆盖于第二保护层5两侧的部分垂直段牺牲层4随之被去除，且由于阵列区的第二掩膜层7顶面在前置步骤中暴露，故在此过程中第二掩膜层7会随第二保护层5和垂直段的牺牲层4一同被去除。55.于标记区去除第二保护层5的过程中，覆盖于第二保护层5两侧的部分垂直段牺牲层4随之被去除，且由于阵列区的第二掩膜层7顶面在前置步骤中暴露，故在此过程中第二掩膜层7会随第二保护层5和垂直段的牺牲层4一同被去除。56.随着垂直段的牺牲层4完全去除，第一掩膜层3的侧壁、第二掩膜层7的侧壁以及底部水平段牺牲层4的部分外壁均暴露，且第一保护层2的顶面自相邻的第一掩膜层3与第二掩膜层7之间露出。57.本实施例中，通过刻蚀工艺去除第二保护层5和垂直段的牺牲层4，且由于刻蚀介质对第二保护层5和垂直段的牺牲层4的选择比不同于刻蚀介质对第二掩膜的选择比，故在阵列区第二掩膜被去除的高度小于第二保护层5的高度，结合前述步骤s300中刻蚀牺牲层4时第三保护层6对第二掩膜层7的保护，获得了在阵列区暴露在外高度更小的垂直段的牺牲层4，使得阵列区的垂直段牺牲层4在被去除时的速率能够更接近标记区的垂直段牺牲层4的消失速率，进而达到同时暴露阵列区和标记区上的部分第一保护层2顶面的目的。58.s500、以第一掩膜层和第二掩膜层为掩膜，图案化第一保护层和图形转移层，以将第一预设图案和第二预设图案转移至图形转移层。59.示例性的，参照图13、图15和图16，去除自相邻第一掩膜层3和第二掩膜层7之间暴露的部分第一保护层2，同时去除此位置下方的部分图形转移层13。60.本实施例中，图案化图形转移层13后，通过刻蚀工艺以第一保护层2的顶面为停止面去除第一掩膜层3、第二掩膜层7和剩余牺牲层4，使得覆盖于图形转移层13顶面的剩余第一保护层2暴露。61.s600、基于图案化之后的图形转移层，刻蚀衬底，得到字线沟槽。62.示例性的，参照图17，以图案化后的图形转移层13为掩膜，图案化衬底11，自衬底11顶面的氧化层12向衬底11内部刻蚀，得到字线沟槽。63.本实施例中，图案化衬底11后，通过刻蚀工艺、以氧化层12的顶面为停止面去除图形转移层13。64.本实施例中，通过分步去除部分第三保护层6和部分牺牲层4，能够获得更小的阵列区的剩余牺牲层4的暴露面积，使去除第二保护层5后阵列区的剩余牺牲层4的暴露面积更小，同时使标记区的部分牺牲层4被去除，以达到在等同条件下去除部分剩余牺牲层4时，阵列区和标记区的垂直部分的牺牲层4能够被同时去除，使得阵列区和标记区的第一保护层2均能够被暴露，有利于位线耦合和常闭触点覆盖过程的对准。65.本公开一示例性实施例中，参照图9，步骤s200、自第三保护层的顶面刻蚀第三保护层，直至暴露出牺牲层的顶面以及位于标记区第二掩膜层的顶面，保留位于阵列区的第二掩膜层上的部分第三保护层包括：66.阵列区的剩余第三保护层的厚度与牺牲层的厚度一致。67.示例性的，参照图9，阵列区中位于顶部水平段的牺牲层4上方的第三保护层6被去除，牺牲层4得以保留，同时填充于第二掩膜层7上方的相邻两段垂直段牺牲层4之间区域的部分第三保护层6被去除，保留的部分第三保护层6的厚度与顶部水平段的牺牲层4的厚度一致。68.本实施例中，保留于阵列区中的第二掩膜层7上方的相邻两段垂直段牺牲层4之间区域的部分第三保护层6能够在后续步骤中对第二掩膜层7进行保护，在后续去除顶部水平段牺牲层4的过程中使保留在第二掩膜层7上的第三保护层6被完全去除，又能尽可能的多的保留第二掩膜层7，进而在阵列区能够获得暴露在外高度更小的垂直段的牺牲层4，使得后续步骤中阵列区的垂直段牺牲层4在被去除时的速率能够更接近标记区的垂直段牺牲层4的消失速率，进而达到同时暴露阵列区和标记区上的部分第一保护层2顶面的目的。69.本公开一示例性实施例中，参照图9和图10，步骤s300、刻蚀牺牲层、位于标记区的第二掩膜层以及位于阵列区的第三保护层，直至暴露出第二保护层的顶面以及位于阵列区的第二掩膜层的顶面包括：70.位于阵列区的第二掩膜层的顶面与第一掩膜层的顶面平齐。71.示例性的，自牺牲层4的顶面向基底1方向刻蚀，在顶部水平段牺牲层4被刻蚀的同时，覆盖于第二掩膜层7上方的第三保护层6亦被刻蚀，且顶部水平段牺牲层4被刻蚀消失时，该覆盖于第二掩膜层7上方的第三保护层6亦被刻蚀消失，第二掩膜层7的顶面暴露。72.本实施例中，通过该覆盖于第二掩膜层7上方的第三保护层6能够保护第二掩膜层7，减小第二掩膜层7在顶部水平段牺牲层4被刻蚀的过程中同步被刻蚀的可能，即减小了阵列区垂直段的牺牲层4的暴露面积，进而在阵列区能够获得暴露在外高度更小的垂直段的牺牲层4，使得后续步骤中阵列区的垂直段牺牲层4在被去除时的速率能够更接近标记区的垂直段牺牲层4的消失速率，进而达到同时暴露阵列区和标记区上的部分第一保护层2顶面的目的。73.本公开一示例性实施例中，参照图11，步骤s400、去除第二保护层，并自牺牲层的顶面刻蚀牺牲层，直至暴露出第一保护层的顶面具体包括：74.s410、刻蚀第二保护层、牺牲层、第二掩膜层以及位于标记区的第一掩膜层，直至暴露出位于阵列区的第一掩膜层的顶面。75.示例性的，参照图10和图12，自第二保护层5的顶面刻蚀第二保护层5，同步对牺牲层4和第二掩膜层7进行刻蚀，并以第一掩膜层3为刻蚀停止面，使第一掩膜层3的顶面、剩余垂直段的牺牲层4顶面以及剩余第二掩膜层7的顶面暴露。76.s420、自牺牲层的顶面刻蚀牺牲层，直至暴露出第一保护层的顶面。77.示例性的，参照图12和图13，去除剩余的垂直段的牺牲层4，暴露第一掩膜层3的侧壁、第二掩膜层7的侧壁以及底部水平段牺牲层4的部分外壁，第一保护层2的顶面自相邻的第一掩膜层3与第二掩膜层7之间露出。78.本实施例中，采用刻蚀工艺并以第一保护层2的顶面为停止面去除剩余的垂直段的牺牲层4，由于前置步骤中于阵列区保留的第二掩膜层7的顶面低于第一掩膜层3的顶面，因此阵列区的垂直段的牺牲层4的暴露面积大于标记区的垂直段的牺牲层4的暴露面积，而由于标记区保留的垂直段的牺牲层4的顶面低于第一掩膜层3的顶面，使得在这一去除剩余垂直段的牺牲层4的过程中，阵列区的垂直段的牺牲层4的消失速率等于标记区的垂直段的牺牲层4的消失速率，即能够通过一次刻蚀使得位于阵列区的部分第一保护层2的顶面和位于标记区的部分第一保护层2的顶面均被暴露，有利于该半导体结构的位线耦合和常闭触点覆盖过程的对准。79.本公开一示例性实施例中，参照图10和图12，步骤s400、刻蚀第二保护层、牺牲层、第二掩膜层以及位于标记区的第一掩膜层，直至暴露出第一掩膜层的顶面具体包括：80.于阵列区暴露的剩余第二掩膜层的顶面低于牺牲层的顶面。81.示例性的，示例性的，参照图10和图12，于阵列区去除第二保护层5的过程中，覆盖于第二保护层5两侧的部分垂直段牺牲层4随之被去除，且由于阵列区的第二掩膜层7顶面在前置步骤中暴露，故在此过程中第二掩膜层7会随第二保护层5和垂直段的牺牲层4一同被去除。82.本实施例中，通过刻蚀工艺去除第二保护层5和垂直段的牺牲层4，且由于刻蚀介质对第二保护层5和垂直段的牺牲层4的选择比不同于刻蚀介质对第二掩膜的选择比，故在阵列区第二掩膜被去除的高度小于第二保护层5的高度，即获得了在阵列区暴露在外高度更小的垂直段的牺牲层4，使得后续步骤中阵列区的垂直段牺牲层4在被去除时的速率能够更接近标记区的垂直段牺牲层4的消失速率，进而达到同时暴露阵列区和标记区上的部分第一保护层2顶面的目的。83.本公开一示例性实施例中，参照图10和图12，步骤s400、刻蚀第二保护层、牺牲层、第二掩膜层以及位于标记区的第一掩膜层，直至暴露出第一掩膜层的顶面具体包括：84.于标记区暴露的剩余第二掩膜层的顶面与第一掩膜层的顶面平齐。85.示例性的，参照图10和图12，于标记区去除第二保护层5的过程中，覆盖于第二保护层5两侧的部分垂直段牺牲层4随之被去除，且由于阵列区的第二掩膜层7顶面在前置步骤中暴露，故在此过程中第二掩膜层7会随第二保护层5和垂直段的牺牲层4一同被去除。86.本实施例中，通过刻蚀工艺去除第二保护层5和垂直段的牺牲层4，且由于刻蚀介质对第二保护层5和垂直段的牺牲层4的选择比不同于刻蚀介质对第二掩膜的选择比，故在标记区第二掩膜被去除的速率小于第二保护层5的速率，于标记区暴露的剩余牺牲层4的顶面低于第一掩膜层3的顶面时，第二掩膜层7的顶面与第一掩膜层3的顶面更加接近于平齐，便于后续步骤的继续加工。87.本领域技术人员在阅读完上述内容后应理解，本实施例中第二保护层5和垂直段的牺牲层4的刻蚀停止面位于第一掩膜层3上，并能够根据工况不同而进行改变，以在阵列区获得暴露面积更小的垂直段牺牲层4，并在标记区获得顶面低于第一掩膜层3顶面的垂直段牺牲层4。88.本公开一示例性实施例中，参照图14，步骤s600、以第一掩膜层和第二掩膜层为掩膜，图案化第一保护层和图形转移层，以将第一预设图案和第二预设图案转移至图形转移层包括：89.s610、去除部分第一保护层和图形转移层，部分基底顶面自相邻两剩余图形转移层之间露出。90.示例性的，参照图15和图16，自第一保护层2的顶面刻蚀第一保护层2，以图形转移层13为停止面，图形转移层13的顶面自相邻的第一掩膜层3和第二掩膜层7之间暴露；自图形转移层13暴露的顶面刻蚀图形转移层13，以衬底11顶面耳朵氧化层12为停止面，覆盖衬底11顶面的氧化层12暴露。91.s620、去除第一掩膜层、第二掩膜层以及牺牲层，暴露第一保护层的顶面。92.示例性的，参照图17，自第一掩膜层3的顶面刻蚀第一掩膜层3，同步地对第二掩膜层7和牺牲层4进行刻蚀，以第一保护层2的顶面为停止面，使第一保护层2的顶面暴露。93.本实施例中，最终保留的结构为衬底11、覆盖于衬底11顶面的图形转移层13以及覆盖于图形转移层13顶面的第一保护层2。通过以图形转成作为掩膜，能够对衬底11图案化，最终形成字线沟槽。94.本公开一示例性实施例中，参照图8和图9，步骤s200、自第三保护层的顶面刻蚀第三保护层具体包括：95.使用四氟化碳气体和三氟甲烷气体对第三保护层干法刻蚀。96.本公开一示例性实施例中，四氟化碳气体和三氟甲烷气体的流量均为45-55sccm，四氟化碳气体和三氟甲烷气体的温度均为35-45℃，四氟化碳气体和三氟甲烷气体的压力均为18-22mt，干法刻蚀的平均功率为860-880w。97.示例性的，四氟化碳气体和三氟甲烷气体的流量均为50sccm，四氟化碳气体和三氟甲烷气体的温度均为40℃，四氟化碳气体和三氟甲烷气体的压力均为20mt，干法刻蚀的平均功率为880w。98.本公开一示例性实施例中，参照图9和图10，步骤s300、刻蚀牺牲层、位于标记区的第二掩膜层以及位于阵列区的第三保护层具体包括：99.使用氧气、四氟化碳气体和三氟甲烷气体对牺牲层干法刻蚀。100.本公开一示例性实施例中，氧气的流量为7-13scm，四氟化碳气体和三氟甲烷气体的流量均为45-55sccm，四氟化碳气体和三氟甲烷气体的温度均为35-45℃，氧气、四氟化碳气体和三氟甲烷气体的压力均为18-22mt，干法刻蚀的平均功率为780-820w。101.示例性的，氧气的流量为10scm，四氟化碳气体和三氟甲烷气体的流量均为50sccm，四氟化碳气体和三氟甲烷气体的温度均为40℃，氧气、四氟化碳气体和三氟甲烷气体的压力均为20mt，干法刻蚀的平均功率为800w。102.本实施例中，较低的流量，例如10scm的氧气能够减小刻蚀过程中阵列区的第二掩膜层7的消耗，即获得了在阵列区暴露在外高度更小的垂直段的牺牲层4，使得后续步骤中阵列区的垂直段牺牲层4在被去除时的速率能够更接近标记区的垂直段牺牲层4的消失速率，进而达到同时暴露阵列区和标记区上的部分第一保护层2顶面的目的。103.本公开一示例性实施例中，参照图10和图12，步骤s400、刻蚀第二保护层、牺牲层、第二掩膜层以及位于标记区的第一掩膜层具体包括：104.使用二氟化碳气体和六氟化硫气体对第二保护层干法刻蚀。105.示例性的，使用二氟化碳气体和六氟化硫气体刻蚀第二保护层、牺牲层、第二掩膜层以及位于标记区的第一掩膜层，直至暴露出位于阵列区的第一掩膜层的顶面。106.本实施例中，二氟化碳气体和六氟化硫气体对第一掩膜层3和第二掩膜层7的选择比相较于对第二保护层5和牺牲层4的选择比更大，故能够减少刻蚀过程中第一掩膜层3和第二掩膜层7的损耗，进而减小在刻蚀第一保护层2的过程中，由于前置步骤中第二掩膜层7损耗过多导致的阵列区的第二掩膜层7刻穿，进而影响后续的图案化图形转移层13的可能。107.本公开一示例性实施例中，二氟化碳气体的流量为62-72sccm，六氟化硫气体的流量为15-21sccm，二氟化碳气体和六氟化硫气体的温度均为30-40℃，四氟化碳气体和三氟甲烷气体的压力均为4-6mt，干法刻蚀的平均功率为480-520w。108.示例性的，二氟化碳气体的流量为67sccm，六氟化硫气体的流量为18sccm，二氟化碳气体和六氟化硫气体的温度均为35℃，四氟化碳气体和三氟甲烷气体的压力均为5mt，干法刻蚀的平均功率为500w。109.本公开一示例性实施例中，参照图12和图13，步骤s500、自牺牲层的顶面刻蚀牺牲层具体包括：110.使用氧气和全氟丁二烯气体对牺牲层干法刻蚀，氧气的流量为5-11sccm，全氟丁二烯气体的流量为14-20sccm，氧气和全氟丁二烯气体的温度均为30-40℃，氧气和全氟丁二烯气体的压力均为5-9mt，干法刻蚀的平均功率为480-520w。111.示例性的，氧气的流量为8sccm，全氟丁二烯气体的流量为17sccm，氧气和全氟丁二烯气体的温度均为35℃，氧气和全氟丁二烯气体的压力均为7mt，干法刻蚀的平均功率为500w。112.本实施例中，全氟丁二烯气体在刻蚀过程中容易形成聚合体，选择较低的流量，例如17sccm的全氟丁二烯气体能够增大对第一掩膜层3和第二掩膜层7的选择比，减少刻蚀过程中聚合物的产生，进而减小了聚合物堵塞通道造成刻蚀停止的可能。113.本公开一示例性实施例中，参照图13，第一保护层2的厚度为20-30nm。114.本实施例中，参照图15和图16，第一保护层2覆盖于图形转移层13的顶面，更薄的第一保护层2能够被更快更稳定的刻蚀，使图形转移层13的部分顶面自第一掩膜层3和第二掩膜层7之间暴露，便于以第一掩膜层3和第二掩膜层7为掩膜，对图形转移层13进行图案化，使图形转移层13能够稳定的形成用于图案化衬底11的掩膜。115.本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本公开旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由下面的权利要求指出。116.应当理解的是，本公开并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本公开的范围仅由所附的权利要求来限制。









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