使用检验工具以确定用于样本的类计量的信息的制作方法

电气元件制品的制造及其应用技术1.本发明大体上涉及用于使用检验工具以确定用于样本的类计量的信息的方法及系统。背景技术：2.以下描述及实例不因包含在本节中而被承认为现有技术。3.制造半导体装置(例如逻辑及存储器装置)通常包含使用大量半导体制造工艺来处理衬底(例如半导体晶片)以形成半导体装置的各种特征及多个层级。例如，光刻是涉及将图案从光罩转移到布置在半导体晶片上的抗蚀剂的半导体制造工艺。半导体制造工艺的额外实例包含(但不限于)化学机械抛光(cmp)、蚀刻、沉积及离子植入。可在单个半导体晶片上的布置中制造多个半导体装置且接着将其分离成个别半导体装置。4.在半导体制造工艺期间的各种步骤中使用检验过程来检测光罩及晶片上的缺陷以在制造工艺中促进较高良率及因此较高利润。检验始终是制造半导体装置(例如ic)的重要部分。然而，随着半导体装置的尺寸的减小，检验对于成功制造可接受的半导体装置变得更重要，因为较小缺陷可引起装置失效。5.缺陷重检通常涉及重新检测由检验过程如此检测的缺陷及使用高倍放大光学系统或扫描电子显微镜(sem)以较高分辨率产生关于缺陷的额外信息。因此，在其中已通过检验检测缺陷的样本上的离散位置处执行缺陷重检。由缺陷重检产生的缺陷的较高分辨率数据更适合于确定缺陷的属性，例如轮廓、粗糙度、更准确的大小信息等。6.在半导体制造过程期间，计量过程还用于各种步骤以监视及控制工艺。计量过程不同于检验过程，因为与其中在样本上检测缺陷的检验过程不同，计量过程用于测量无法使用当前使用的检验工具确定的样本的一或多个特性。例如，计量过程用于测量样本的一或多个特性，例如在工艺期间形成于样本上的特征的尺寸(例如线宽、厚度等)使得可从所述一或多个特性确定工艺的性能。另外，如果样本的一或多个特性不可接受(例如超出所述特性的预定范围)，那么样本的一或多个特性的测量可用于更改工艺的一或多个参数使得由工艺制造的额外样本具有可接受的特性。7.计量过程也不同于缺陷重检过程，因为与其中由检验检测的缺陷在缺陷重检中重新访问的缺陷重检过程不同，计量过程可在未检测到缺陷的位置处执行。换句话说，与缺陷重检不同，对样本执行计量过程的位置可独立于对样本执行检验过程的结果。特定来说，可独立于检验结果来选择执行计量过程的位置。另外，由于可独立于检验结果而选择执行计量的样本上的位置，因此与其中无法确定待对样本执行缺陷重检的位置直到产生样本的检验结果且可供使用的缺陷重检不同，可在已对样本执行检验过程之前确定执行计量过程的位置。8.半导体制造业的演进对良率管理且特定来说对计量及检验系统提出越来越大的需求。当晶片大小增加时，临界尺寸缩小。经济正推动工业减少实现高良率、高价值生产的时间。因此，最小化从检测到良率问题到解决所述问题的总时间确定半导体制造商的投资回报率。9.因此，检验系统正在从仅发现缺陷的独立“工具”演进为更完整解决方案的部分，其中检测缺陷、对缺陷进行分类、分析这些结果及建议校正动作是其功能。10.既有系统及方法已用于半导体晶片的自动缺陷检验。然而，在高处理量环境下，既有技术系统及方法的检验参数受到较大限制。例如，测量参数(例如涂膜厚度或跨晶片的工艺均匀性)耗时且计算昂贵。11.因此，开发用于确定不具有上述缺点中的一或多者的样本的信息的系统及/或方法将是有利的。技术实现要素：12.各种实施例的以下描述不以任何方式解释为限制所附权利要求书的标的物。13.一个实施例涉及一种经配置以用于确定样本的信息的系统。所述系统包含经配置以响应于从样本检测的能量而产生输出的一或多个输出获取子系统。所述一或多个输出获取子系统包含经配置以当在所述样本上扫描所述能量时响应于从所述样本检测的所述能量而产生所述输出的至少一部分的检验子系统。所述系统还包含经配置以从所述输出确定形成于所述样本上的一或多个第一区域中的一或多个第一特征的第一工艺信息的一或多个计算机子系统。所述一或多个计算机子系统还经配置以从所述输出及所述第一工艺信息的至少一部分确定形成于所述样本上的一或多个第二区域中的一或多个第二特征的第二工艺信息。所述第二工艺信息的至少一部分是不同于所述第一工艺信息的类型的信息。所述一或多个第二特征的设计的至少一部分不同于所述一或多个第一特征的设计。所述一或多个第一区域及所述一或多个第二区域在所述样本上相互排斥。所述系统可如本文所描述进一步配置。14.另一实施例涉及一种用于确定样本的信息的计算机实施方法。所述方法包含响应于由如上文所描述配置的一或多个输出获取子系统从样本检测的能量而产生输出。所述方法还包含确定如上文所描述的第一工艺信息及第二工艺信息。确定所述第一及第二工艺信息由耦合到所述一或多个输出获取子系统的一或多个计算机子系统执行。15.所述方法的步骤可如本文进一步描述那样进一步执行。所述方法可包含本文所描述的任何其它方法的任何其它步骤。所述方法可由本文所描述的系统中的任一者执行。16.额外实施例涉及一种存储可在计算机系统上执行以执行用于确定样本的信息的计算机实施方法的程序指令的非暂时性计算机可读媒体。所述计算机实施方法包含上述方法的步骤。所述计算机可读媒体可如本文所描述进一步配置。所述计算机实施方法的步骤可如本文进一步描述来执行。另外，所述程序指令可执行的所述计算机实施方法可包含本文所描述的任何其它方法的任何其它步骤。附图说明17.本发明的其它目的及优点将在阅读以下详细描述及参考附图之后变得显而易见，其中：18.图1及2是说明如本文所描述配置的系统的实施例的侧视图的示意图；19.图3是说明如本文所描述配置的计量工具的实施例的侧视图的示意图；20.图4是说明如本文所描述配置的系统的实施例的平面图的示意图；21.图5a是说明形成于样本上的一或多个第一区域中的一或多个第一特征的实例的横截面图的示意图；22.图5b是说明样本上的图5a的一或多个第一区域的平面图的示意图；23.图5c是说明形成于样本上的一或多个第二区域中的一或多个第二特征的实例的横截面图的示意图；24.图5d是说明样本上的图5c的一或多个第二区域的平面图的示意图；25.图6是说明跨样本的不同第一工艺信息的值的样本映像的实例的示意图；26.图7是说明跨样本的第二工艺信息的值的样本映像的实例的示意图；及27.图8是说明存储可在计算机系统上执行以执行本文所描述的计算机实施方法中的一或多者的程序指令的非暂时性计算机可读媒体的一个实施例的框图。28.尽管本发明易受各种修改及替代形式影响，但其具体实施例在附图中以实例的方式展示且将在本文中详细描述。然而，应理解，附图及其详细描述且不希望使本发明受限于所公开的特定形式，但相反，本发明应涵盖落入如由所附权利要求书界定的本发明的精神及范围内的所有修改、等效物及替代方案。具体实施方式29.本文中可互换地使用的术语“设计”、“设计数据”及“设计信息”通常是指ic或其它半导体装置的物理设计(布局)及通过复杂模拟或简单几何及布尔(boolean)运算从物理设计导出的数据。设计可包含共同拥有的扎菲尔(zafar)等人在2009年8月4日发布的第7,570,796号美国专利及库尔卡尼(kulkarni)等人在2010年3月9日发布的第7,676,077号美国专利中所描述的任何其它设计数据或设计数据代理，所述两个专利以宛如全文阐述引用的方式并入本文中。另外，设计数据可为标准单元库数据、集成布局数据、一或多个层的设计数据、设计数据的衍生物及完全或部分芯片设计数据。此外，本文所描述的“设计”、“设计数据”、“设计信息”是指由半导体装置设计者在设计工艺中产生的信息及数据且因此在任何物理样本(例如光罩及晶片)上印刷设计之前可用于本文所描述的实施例中。30.现转到附图，应注意图不按比例绘制。特定来说，一些元件的规模大幅夸大以强调元件的特性。还应注意图不按相同比例绘制。可类似地配置的多于一个图中所展示的元件已使用相同元件符号指示。除非本文另有说明，否则所描述及展示的任何元件可包含任何适合市售元件。31.一个实施例涉及一种经配置用于确定样本的信息的系统。一般来说，本文所描述的实施例经配置以使用来自半导体晶片及本文所描述的其它样本的检验数据来确定多个工艺参数。实施例也可用作为到其它当前所使用的用于确定来自检验工具的类计量的结果(即，分析来自检验工具的数据以发现工艺信息)的系统及方法(其可在本技术中指称“计量检验”)的延伸及增强。李(li)等人在2017年5月23日发布的第9,658,150号美国专利、李(li)等人在2017年8月29日发布的第9,747,520号美国专利及li等人在2020年2月18日发布的第10,563,973号美国专利中描述当前所使用的用于计量检验的系统及方法的一些实例，所述专利以宛如全文阐述引用的方式并入本文中。本文所描述的实施例可如这些专利中所描述进一步配置。32.计量检验是相当新及尚未广泛适应的领域。上文所引用的第9,658,150号美国专利中描述的所提出的系统修改硬件以扩展信息内容。归因于数据速率及处理量限制，所述方法可相对较快地满足物理限制，例如我们每像素可具有一些(例如2或3个)测量量，且这些可以合理努力及硬件的复杂性扩展到(例如)6个。33.计量实践中存在类似问题，所述问题与本文所描述的实施例具有显著及明显差异。下文是计量实践中的三类解决方案，依时间上从最近到较早出现的顺序。一种类是填充，例如克里希南(krishnan)在2018年12月4日发布的第10,145,674号美国专利中所描述，所述专利以宛如全文阐述引用的方式并入本文中。这些系统及方法在使用水填充晶片上的沟槽(或孔)之前及之后测量目标。另一种类是在不同入射条件(多个入射角(aoi)及方位角)下使用不同方法(例如椭偏仪、反射仪)执行多个测量。额外种类是前馈，其包含在保存结果(例如沉积层的厚度)之前的工艺步骤处测量目标，接着将来自先前测量的结果作为预定参数馈送到当前层。这些方法与本文所描述的实施例之间的区别将在阅读以下详细描述之后易于变得显而易见。34.在一些实施例中，样本是晶片。晶片可包含半导体技术中已知的任何晶片。尽管本文可相对于晶片或若干晶片描述一些实施例，但实施例不受限于可使用晶片的样本。例如，本文所描述的实施例可用于样本，例如光罩、扁平面板、个人计算机(pc)板及其它半导体样本。35.系统包含经配置以响应于从样本检测的能量而产生输出的一或多个输出获取子系统。一或多个输出获取子系统包含经配置以当在样本上扫描所述能量时响应于从样本检测的能量而产生输出的至少一部分的检验子系统。图1中展示此系统的一个实施例。在此实施例中，检验子系统包含至少能源及检测器。能源经配置以产生引导到样本的能量。检测器经配置以检测来自样本的能量及产生响应于经检测的能量的输出。36.在一个实施例中，检验子系统配置为光学检验子系统。例如，在图1中所展示的系统的实施例中，检验子系统10包含经配置以将光直接引导到样本14的照明子系统。照明子系统包含至少一个光源。例如，如图1中所展示，照明子系统包含光源16。在一个实施例中，照明子系统经配置以按可包含一或多个倾斜角及/或一或多个法线角的一或多个入射角将光引导到样本。例如，如图1中所展示，来自光源16的光通过光学元件18及接着透镜20引导到光束分离器21，其以法线入射角将光引导到样本14。入射角可包含任何适合入射角，其可取决于(例如)样本的特性及样本上待检测的缺陷而变动。37.照明子系统可经配置以在不同时间以不同入射角度将光引导到样本。例如，检验子系统可经配置以更改照明子系统的一或多个元件的一或多个特性使得光可以不同于图1中所展示的入射角的入射角引导到样本。在一个此类实例中，检验子系统可经配置以移动光源16、光学元件18及透镜20使得光以不同入射角引导到样本。38.在一些例子中，检验子系统可经配置以同时以多于一个入射角将光引导到样本。例如，照明子系统可包含多于一个照明通道，照明通道中的一者可包含如图1中所展示的光源16、光学元件18及透镜20且照明通道的另一者(图中未展示)可包含类似元件，其可不同或相同配置或可包含至少一光源及可能例如本文进一步描述的一或多个其它组件。如果此光与另一光同时引导到样本，那么以不同入射角引导到样本的光的一或多个特性(例如波长、偏振等)可不同使得可在检测器处辨别彼此以不同入射角度源自样本的照明的光。39.在另一例子中，照明子系统可仅包含光源(例如图1中所展示的光源16)且来自光源的光可由照明子系统的一或多个光学元件(图中未展示)分离成不同光学路径(例如基于波长、偏振等)。接着，可不同光学路径中的每一者中的光引导到样本。多个照明通道可经配置以在相同时间或不同时间(例如当不同照明通道用于依序照明样本时)将光直接引导到样本。在另一例子中，相同照明通道可经配置以在不同时间将光直接引导到具有不同特性的样本。例如，在一些例子中，光学元件18可配置为光谱滤波器且光谱滤波器的性质可以多种不同方式(例如通过换出光谱滤波器)来改变使得不同波长的光可在不同时间引导到样本。照明子系统可具有本技术中已知的用于将具有不同或相同特性的光依序或同时以不同或相同入射角引导到样本的任何其它适合配置。40.光源16可包含宽带等离子体(bbp)光源。以此方式，由光源产生且引导到样本的光可包含宽带光。然而，光源可包含任何其它适合光源，例如激光器。激光器可包含本技术中已知的任何适合激光器且可经配置以产生本技术中已知的任何适合波长的光。另外，激光器可经配置以产生单色或几乎单色的光。以此方式，激光可为窄带激光。光源还可包含产生多个离散波长或波段的光的多色光源。41.来自光学元件18的光可由透镜20经由光束分离器21聚焦到样本14。尽管透镜20在图1中展示为单个折射光学元件，但实际上，透镜20可包含组合以将光从光学元件聚焦于样本的若干折射及/或反射光学元件。另外，透镜20的位置可从图1中所展示的位置变动。例如，透镜20可定位于光从光束分离器21到样本14的路径中使得其将光聚焦到样本且还收集来自样本的光。如果透镜20或另一或若干透镜位于光束分离器21与样本之间，那么此类透镜可指称物镜。透镜20也可由位于各种位置中的多个元件(例如元件18之前的第一透镜及元件18之后的另一透镜，其组合以有效地将来自光源16的光输送到样本14)替换或组成。照明子系统可包含任何或所有此类透镜，其一般由图1中的透镜20表示。42.图1中所展示及本文所描述的照明子系统可包含任何其它适合光学元件(图中未展示)。此类光学元件的实例包含(但不限于)偏振组件、光谱滤波器、空间滤波器、反射光学元件、变迹器、光束分离器、孔径及其类似者，其可包含本技术中已知的任何此类适合光学元件。另外，系统可经配置以基于待用于检验的照明的类型来更改照明子系统的元件中的一或多者。43.检验子系统还可包含经配置以引起光在样本上扫描的扫描子系统。例如，检验子系统可包含检验期间样本14放置于其上的载台22。扫描子系统可包含可经配置以移动样本使得光可在样本上扫描的(包含载台22的)任何适合机械及/或机器人组合件。另外或替代地，检验子系统可经配置使得检验子系统的一或多个光学元件在样本上执行光的一些扫描。光可以任何适合方式在样本上扫描。44.检验子系统进一步包含一或多个检测通道。所述一或多个检测通道中的至少一者包含经配置以归因于由检验子系统对样本的照明而检测来自样本的光且响应于经检测的光而产生输出的检测器。例如，图1中所展示的检验子系统包含两个检测通道，检测通道由集光器24、元件26及检测器28形成且另一检测通道由集光器30、元件32及检测器34形成。集光器24及/或集光器30可经配置以按分别最佳适于检测器28及/或检测器24的方式操纵来自样本的光。集光器24及30也可指称管透镜或中继透镜。如图1中所展示，两个检测通道经配置以按不同收集角收集及检测光。在一些例子中，检测通道经配置以检测镜面反射光，且另一检测通道经配置以从样本检测非镜面反射(例如散射、衍射等)光。然而，检测通道中的两者或更多者可经配置以从样本检测相同类型的光(例如镜面反射光)。尽管图1展示包含两个检测通道的检验子系统的实施例，但检验子系统可包含不同数目个检测通道(例如仅检测通道或两个或更多个检测通道)。尽管集光器中的每一者在图1中展示为单个折射光学元件，但实际上，集光器中的每一者可包含一或多个折射光学元件及/或一或多个反射光学元件。45.一或多个检测通道可包含任何适合检测器，例如光电倍增管(pmt)、电荷耦合装置(ccd)及时间延迟积分(tdi)相机。检测器也可包含非成像检测器或成像检测器。如果检测器是非成像检测器，那么检测器中的每一者可经配置以检测光的某些特性(例如强度)但不可经配置以检测此类特性(例如依据成像平面内的位置而变)。因此，由包含在检验子系统的检测通道中的每一者中的检测器中的每一者产生的输出可为信号或数据，但并非图像信号或图像数据。在此类例子中，系统的计算机子系统(例如计算机子系统36)可经配置以从检测器的非成像输出产生样本的图像。然而，在其它例子中，检测器可配置为经配置以产生成像信号或图像数据的成像检测器。因此，检验子系统可经配置以按若干方式产生本文所描述的输出。46.尽管如上文所描述，图1展示经配置用于法线入射照明的照明通道及经配置用于检测来自样本的光的不同检测通道，但存在落入本公开的范围内的所说明的检验子系统的许多变体。不同检验系统配置或多或少适合于不同目的。例如，如图1中所展示，包含集光器30、元件32及检测器34且经配置以检测从样本散射的光的检测通道(即，倾斜收集通道)可适合成像在样本上照明的大体上窄线。然而，对于使用tdi或ccd相机作为检测器的情况，从光学工程的角度出发，以倾斜角(相对于样本的法线)成像可为缺点。因此，在此类情况中，检验子系统从图1中所展示的检验子系统的适合变体可为将检测器34替换为光源(用于倾斜照明)，其中来自此照明通道的光的收集/成像由包括检测器28的检测通道执行。接着，此系统可包括不同照明通道，且归因于不同照明通道，来自样本的光可由单个检测通道使用空间分离或时间多路复用来单独检测以区分光来自光源16或34(当检测器34替换为光源时)。47.应注意本文提供图1以通常说明可包含在本文描述的系统实施例中的检验子系统的配置。显然，可更改本文所描述的检验子系统配置以优化当设计商业检验系统时通常执行的系统的性能。另外，本文所描述的系统可使用既有检验系统(例如通过将本文所描述的功能性添加到既有检验系统)来实施，例如可从加利福尼亚州苗必达市科磊公司(kla corp.,milpitas,calif.)购得的29xx及39xx系列工具。就一些此类系统来说，本文所描述的方法可提供为系统的可选功能性(例如除系统的其它功能性之外)。替代地，本文所描述的系统可“从头开始”设计以提供全新系统。48.系统的计算机子系统36可以任何适合方式(例如经由一或多个传输媒体，其可包含“有线”及/或“无线”传输媒体)耦合到检验子系统的检测器，使得在样本的扫描期间，计算机子系统可接收由检测器产生的输出。计算机子系统36可经配置以使用如本文所描述的检测器的输出执行若干功能及本文进一步描述的任何其它功能。此计算机子系统可如本文所描述进一步配置。49.此计算机子系统(以及本文所描述的其它计算机子系统)也可在本文中指称计算机系统。本文所描述的所述计算机子系统或系统中的每一者可采取各种形式，包含个人计算机系统、图像计算机、主计算机系统、工作站、网络设备、因特网设备或其它装置。一般来说，术语“计算机系统”可被广泛界定为涵盖具有执行来自存储器媒体的指令的一或多个处理器的任何装置。所述计算机子系统或系统还可包含本技术中已知的任何适合处理器，例如平行处理器。另外，所述计算机子系统或系统可包含具有高速处理及软件的计算机平台作为独立或网络工具。50.如果系统包含多于一个计算机子系统，那么不同的计算机子系统可彼此耦合使得可在计算机子系统之间发送图像、数据、信息、指令等，如本文进一步描述。例如，计算机子系统36可由可包含本技术中已知的任何适合有线及/或无线传输媒体的任何适合传输媒体耦合到计算机子系统102(如由图1中的虚线展示)。两个或更多个此类计算机子系统也可由共享计算机可读存储媒体(图中未展示)有效地耦合。51.在另一实施例中，检验子系统配置为电子束检验子系统。在图2中所展示的此实施例中，电子束检验子系统包含耦合到计算机子系统124的电子柱122。也如图2中所展示，电子柱包含经配置以产生由一或多个元件130聚焦于样本128的电子的电子束源126。电子束源可包含(例如)阴极源或射极尖端，且一或多个元件130可包含(例如)枪透镜、阳极、射束限制孔径、闸阀、射束电流选择孔径、物镜及扫描子系统，所有此类元件均可包含本技术中已知的任何此类适合元件。52.从样本返回的电子(例如二次电子)可由一或多个元件132聚焦于检测器134。一或多个元件132可包含(例如)扫描子系统，其可为包含在元件130中的相同扫描子系统。53.电子柱可包含本技术中已知的任何其它适合元件。另外，电子柱可如江(jiang)等人在2014年4月4日发布的第8,664,594号美国专利、小岛(kojima)等人在2014年4月8日发布的第8,692,204号美国专利、固本斯(gubbens)等人在2014年4月15日发布的第8,698,093号美国专利及麦克唐纳(macdonald)等人在2014年5月6日发布的第8,716,662号美国专利中所描述进一步配置，所述专利以宛如全文阐述引用的方式并入本文中。54.尽管电子柱在图2中展示为经配置使得电子以倾斜入射角引导到样本且以另一倾斜入射角从样本散射，但电子束可以任何适合角度引导到样本且从样本散射。另外，基于电子束的工具可经配置以使用多种模式来产生样本的图像(例如具有不同照明角、收集角等)。基于电子束的工具的多种模式在工具的任何图像产生参数中可不同。55.计算机子系统124可如上文所描述耦合到检测器134。检测器可检测从样本的表面返回的电子，从而形成样本的电子束图像。电子束图像可包含任何适合电子束图像。计算机子系统124可经配置以使用检测器的输出及/或电子束图像来执行本文所描述的功能中的任一者，其可如上文所描述或以任何其它适合方式执行。计算机子系统124可经配置以执行本文所描述的任何额外步骤。包含图2中所展示的电子束检验子系统的系统可如本文所描述进一步配置。56.应注意本文提供图2以通常说明可包含在本文所描述的实施例中的电子束检验子系统的配置。如同上文所描述的光学检验子系统，本文所描述的电子束检验子系统可经更改以优化电子束检验子系统的性能，如当设计商业检验系统时通常执行的那样。另外，本文所描述的系统可使用既有电子束检验子系统(例如通过将本文所描述的功能性添加到既有电子束检验子系统)来实施。对于一些此类系统，本文所描述的方法可提供为系统的可选功能性(例如除系统的其它功能性之外)。替代地，本文所描述的系统可“从头开始”设计以提供全新系统。57.尽管检验子系统在上文中描述为光学或电子束检验子系统，但检验子系统可为离子束检验子系统。除电子束源可替换为本技术中已知的任何适合离子束源之外，此检验子系统可如图2中所展示配置。另外，检验子系统可为例如包含在商用聚焦离子束(fib)系统、氦离子显微镜(him)系统及二次离子质谱仪(sims)系统中的任何其它适合离子束工具。58.如上文所述，检验子系统可经配置以将能量(例如光、电子)引导到样本的物理版本及/或在样本的物理版本上扫描，从而产生样本的物理版本的实际图像。以此方式，检验子系统可配置为“实际”系统而非“虚拟”系统。图1中所展示的存储媒体(图中未展示)及计算机子系统102可配置为“虚拟”系统。巴斯卡尔(bhaskar)等人在2012年2月28日发布的第8,126,255号美国专利及达菲(duffy)等人在2015年12月29日发布的第9,222,895号美国专利中描述配置为“虚拟”检验系统的系统及方法，所述两个专利以宛如全文阐述引用的方式并入本文中。本文所描述的实施例可如这些专利中所描述进一步配置。59.本文所描述的检验子系统可经配置以按多个模式产生样本的输出(例如图像)。一般来说，“模式”由用于产生样本的图像的检验子系统的参数的值或用于产生样本的图像或执行样本的其它功能的输出来界定。因此，不同的模式在检验子系统的参数中的至少一者的值中可不同。以此方式，输出可由检验子系统使用检验子系统的参数的两个或更多个不同值来产生。例如，在光学检验子系统中，不同模式可使用不同波长的光进行照明。如本文进一步所述(例如通过使用不同光源、不同光谱滤波器等)对于不同模式，模式在照明波长中可不同。在检验子系统的一或多个收集/检测参数中，此类模式也可或可替代地不同。60.以类似方式，由电子束检验子系统产生的输出可包含由电子束检验子系统产生的具有电子束检验子系统的参数的两个或更多个不同值的输出(例如图像)。电子束检验子系统的多个模式可由用于产生样本的输出及/或图像的电子束检验子系统的参数的值界定。因此，不同的模式在电子束检验子系统的电子束参数中的至少一者的值中可不同。例如，不同模式可使用不同照明。61.在一个实施例中，一或多个输出获取子系统包含经配置以通过在样本上的测量点处执行测量来产生输出的至少另一部分的计量工具。在半导体制造中，计量及检验通常被视为单独领域。例如，通常校准计量到参考标准，且通常通过比较从接近结构(例如在裸片内、裸片到裸片等)所获取的信号结果(输出、信号、图像等)或相对于所存储的参考(通过模拟或以其它方式合成而记录或产生)来执行检验。本文所提供的相关技术的描述中描述检验与计量之间的额外差异。62.计量工具可具有本技术中已知的任何适合配置。在实例中，本文所描述的光学及电子束检验子系统可在一或多个参数中修改使得其可配置及用作为计量工具。特定来说，本文所描述及图1及2中所展示的检验子系统的实施例可在一或多个参数中修改以取决于其将使用的应用而提供不同能力。在此实例中，如果图1及2中所展示的检验子系统用于计量而非检验，那么其可经配置以具有较高精确度。换句话说，图1及2中所展示的检验子系统的实施例描述可以对于所属领域的技术人员显而易见的若干方式调整的一些一般及各种配置以产生或多或少适合于不同应用(例如检验及/或计量)的具有不同能力的子系统。另外，如果相同子系统具有可变硬件布置使得其可用于检验及计量两者，那么相同子系统可用于产生本文所描述的检验子系统输出及计量数据。63.接着，本文所描述的检验子系统可经配置以在样本的检验期间产生不同于计量期间的输出。例如，即使本文所描述的检验子系统可经配置以在检验过程期间具有使其显现为适合于计量的输出产生参数，检验子系统仍经配置具有其它输出产生参数以实现检验过程的预定处理量。在此实例中，检验工具通常经配置以具有比计量工具高很多的空间分辨率。然而，计量工具通常经配置以提供高很多的质量的数据。就“高质量”来说，存在应用于计量输出的两个方面：(a)每一测量点更多信息(例如穆勒(mueller)矩阵偏振信息、宽波长范围及分辨率的光谱等)，及(b)通常较高精确度(即，较低噪声水平)。因此，计量工具可每一测量点获取更多信息但每秒仅可测试一些测量点，因此相对较高空间分辨率是负担不起或不实用的。相比来说，检验工具每秒可测试数百万个点且因此可提供负担得起、相对较高的空间分辨率输出但作为折衷，在每一点获取大体上有限信息。64.然而，图3展示可如本文所描述对样本执行测量的计量工具的另一实施例。在光学计量工具的情况中，计量工具可包含经配置以将具有一或多个照明波长的光引导到样本的照明子系统。例如，在图3中所展示的计量工具实施例中，计量工具300的照明子系统包含光源302，其可包含本文所描述的光源中的任一者。由光源302产生的光可通过照明子系统的一或多个光谱滤波器304引导。光谱滤波器304可如本文进一步描述配置。照明子系统也可包含经配置以将来自所述光谱滤波器的光反射到照明子系统的物镜308的光束分离器306。光束分离器306及物镜308可如本文所描述进一步配置。物镜308经配置以将具有一或多个照明波长的光从光束分离器聚焦到可包含本文所描述的样本中的任一者的样本310。65.在一个实施例中，光源302可为宽带光源，且一或多个光谱滤波器304可定位于来自宽带光源的光的路径中。因此，计量工具可包含具有可选择波长范围的宽带源以通过波长相依滤波器进行照明。例如，可通过改变或移除定位于来自光源的光的路径中的所述光谱滤波器来更改引导到样本的所述波长。以此方式，计量工具可经配置以具有可取决于样本上的材料而改变的弹性的照明波长。66.计量工具还可将较窄或经修改的带通滤波器并入照明子系统中。例如，光谱滤波器304可为干扰滤波器。以此方式，计量工具可包含具有可选择波长范围的宽带源用于通过干扰滤波器照明。这些滤波器可补充或替换当前用于工具中的带通滤波器。67.光源302还可包含窄带及/或激光光源，包含本技术中已知的任何适合此类光源，例如一或多个二极管激光器、二极管泵浦固态(dpss)激光器、气体激光器等。另外，本文所描述的照明子系统可包含呈任何适合组合的任何数目个宽带、窄带及激光源。此外，光源可为准单色光源。因此，光源及计量工具配置的许多不同组合可行且可取决于(例如)待由工具测量的样本及/或样本特性来选择。68.照明子系统可以若干不同方式配置以选择照明角度及/或偏振。例如，可通过改变照明子系统的光源的位置或通过控制影响照明角度的照明子系统的一或多个其它元件来改变或选择照明角度。更改或选择的照明角度可为入射光的极角及/或方位角。另外，可通过选择发射具有选定偏振的光的光源或者通过使一或多个偏振选择/替代/滤波元件包含在由光源发射的光的路径中来选择照明偏振。69.计量工具还包含经配置以检测来自样本的光的检测子系统。如图3中所展示，检测子系统包含经配置以从样本310收集光的物镜308。在本实施例中，所收集的光可包含镜面反射光。然而，替代地或另外，所收集的光可包含散射光。检测子系统还可包含经配置以传输由物镜收集的光的光束分离器306。70.在一些情况中，检测子系统包含经配置以从具有一或多个波长的光束分离器306传输光的光束分离器312。检测子系统还可包含可如本文进一步描述配置且可传输具有一或多个选定波长的光的一或多个带通滤波器314。光束分离器306、光束分离器312及带通滤波器314可经配置以选择性地传输具有一或多个选定波长的光且将不具有一或多个选定波长的光反射或以其它方式阻挡在检测子系统的检测路径之外使得其不被检测器316检测。71.在一些例子中，检测子系统包含一或多个带通滤波器318及检测器320。在图3中所展示的配置中，将由光束分离器312反射的光引导到一或多个带通滤波器318，且由一或多个带通滤波器传输的光由检测器320检测。带通滤波器318及检测器320可如本文所描述进一步配置。光束分离器312可经配置传输具有一或多个第一波长的光且反射具有不同于所述第一波长的一或多个第二波长的光。以此方式，检测器316及320可检测具有不同波长的光。72.如图3中所展示，照明及检测子系统均可包含使其成为共同物镜的物镜308及使其成为共同双色镜或光束分离器的光束分离器306。另外，本文所描述的任何光束分离器可替换为反射特定波长带的光且传输对应带外光的双色镜。此类配置可增加输送到样本的光的量且增加检测信号的纯度。73.在一个实施例中，通过基于样本上的一或多个材料、经测量的样本的一或多个特性或其一些组合更改检测子系统的一或多个参数来选择由检测子系统检测的一或多个波长的光。因此，如同照明波长范围，可取决于经测量的样本材料及所述样本特性来调整检测波长范围。由检测子系统检测的所述(波长可如本文所描述(例如使用带通滤波器)或以本技术中已知的任何其它适合方式更改。74.计量工具可包含通过双色及带通滤波器组件的适合选择来成像变化波长范围的多个平行成像通道。在图3中所展示的实施例中，通道中的一者可包含带通滤波器314及检测器316且通道中的另一者可包含带通滤波器318及检测器320。另外，计量工具可包含两个以上通道(例如通过将一或多个额外光束分离器(图中未展示)插入来自样本的光的路径中，光束分离器中的每一者可耦合到检测器(图中未展示)及可能光谱滤波器(图中未展示)及/或其它光学元件(图中未展示))。包含带通滤波器314及检测器316的通道可经配置以检测第一波长带中的光且包含带通滤波器318及检测器320的通道可经配置以检测第二波长带中的光。以此方式，不同波长范围的光可由不同通道同时检测。另外，不同波长范围可互斥(例如由一或多个波长分离)或可完全重叠(例如波长范围可完全在另一波长范围内)或部分重叠(例如多个波长范围可包含相同的一或多个波长，但第一波长范围中的至少一些波长与第二波长范围中的至少一些波长互斥，且反之亦然)。在一些实施例中，检测子系统包含经配置以跨波长范围测量来自样本的光的特性的光谱仪。例如，检测器316及320中的一或多者可为光谱仪。75.如上文所描述，检测子系统可经配置以基于光的波长选择性地及单独地检测来自样本的光。以类似方式，如果照明子系统经配置用于选择性照明角度及/或偏振，那么检测子系统可经配置用于基于来自样本的角度(或收集角度)及/或偏振来选择性检测光。例如，检测子系统可包含可用于控制由检测子系统检测的光的收集角度的一或多个孔径(图中未展示)。在另一实例中，检测子系统可包含可用于控制由检测子系统检测的光的偏振的来自样本的光的路径中的一或多个偏振组件(图中未展示)。76.在一个此变体中，计量工具可从图3中所展示的工具变动，使得来自光源302的所有波长的光发送到样本310。接着，波长通常经由光谱仪在所述检测器处分离。如果以此方式配置计量工具，那么其可不包含光谱滤波器304及带通滤波器314及318。此配置对于光效率可具有优点，因为替代阻挡光源处的大多数波长，计量系统可使其全部通过系统且经由光谱仪同时检测所述检测器处的所有波长。此配置对于计量工具是可行的，因为计量工具通常一次测试一点。另一方面，检验工具几乎始终在成像模式下运行且因此可负担不起在检测器处进行波长分析。因此，在检验系统中，波长滤波器可用于照明通道中。77.在另一此变体中，光谱滤波器304及带通滤波器314及318可替换为偏振元件。例如，替代光谱滤波器，元件304可为偏振控制器(例如偏光器)且替代带通滤波器，元件314及318可为分析器。在此计量工具配置中，检测器316及320可配置为光谱仪(将波长扇出到阵列检测器)。78.计量工具还包含经配置以响应于经检测的光而使用由检测子系统产生的输出来产生样本的计量数据的计算机子系统。例如，计量工具可包含可如上所描述耦合到检测器316及320的计算机子系统322，使得计算机子系统可接收由检测子系统的检测器产生的输出。检测器的输出可包含(例如)信号、图像、数据、图像数据及其类似者。例如，上述检测子系统的所述检测器可为经配置以捕获样本的图像的成像检测器。计算机子系统可如本文所描述进一步配置。计量数据可为本文所描述的计量数据中的任一者。计量数据可存储于(或输出为)计量结果文件中。79.应注意本文提供图3以通常说明本文所描述的计量工具实施例的一些配置。显然，本文所描述的计量工具配置可更改以优化计量工具的性能，如通常在设计商用计量工具时所执行。另外，本文所描述的计量工具可包含既有计量工具(例如通过将本文所描述的功能性添加到既有计量工具中)，例如可从科磊公司(kla)购得的archer、atl、spectrashape、spectrafilm、aleris、wafersight、therma probe、rs-200及profiler工具。对于一些此类系统，本文所描述的方法可提供为既有计量工具的可选功能性(例如除既有工具的其它功能性之外)。替代地，本文所描述的计量工具可“从头开始”设计以提供全新系统。80.尽管图3中所展示的计量工具是基于光的或光学的工具，但计量工具可经配置以也或替代地使用不同类型的能量来执行本文所描述的测量。例如，计量工具可为电子束工具，例如扫描电子显微镜(sem)或透射电子显微镜(tem)及/或带电粒子束工具，例如fib工具。此类计量工具可包含任何适合商用计量工具。81.如本文进一步描述，可确定测量点位置以测量跨样本的一或多个第一特征的第一工艺信息，其可包含样本上的一或多个材料及/或样本上的一或多个图案化结构。在一些上下文中，基于经测量的第一工艺信息，所述第一特征可被视为缺陷。例如，计量与检验领域之间的联系是如果第一工艺信息充分偏离规范，那么在样本处理期间可出现缺陷。在本文所描述的实施例中，可刻意测量样本的第一工艺信息而不管第一工艺信息是否显现所述第一特征有缺陷。例如，即使当经测量的第一工艺信息不引起所述第一特征被视为有缺陷时，第一工艺信息也可用于确定第二工艺信息，如本文进一步描述。另外，如果缺陷恰好呈现于预选定的测量点中的一者处，那么其实际上可影响所述测量点处产生的计量数据。然而，(显现样本有缺陷的缺陷或特性的测量的)此类测量并非本文所描述测量的目标。82.本文所描述的所述第一特征、第一区域、第二特征及第二区域也非基于缺陷或工艺偏差而是基于样本的设计来选择。例如，在样本上的每一裸片中，存在用于构建不同电气功能单元的不同区域。因此，每一工艺步骤处不同区域中需要不同结构。作为实例，在工艺步骤处，图5b中所展示的区域需要具有图5a中所展示的结构。同样地，图5d中所展示的区域需要具有图5c中所展示的结构。这些区域的位置由样本的设计布局独立于样本上检测的任何缺陷或工艺偏差预定。因此，即使缺陷或工艺偏差信息可用于样本，本文中所描述的第一特征、第一区域、第二特征及第二区域仍不基于此信息来选择。83.可期望基于处理量及成本考虑来选择或确定由计量工具测量的第一区域同时仍充分响应于测量中的所关注的变动(本文进一步描述)。例如，所要测量(例如样本拓扑、膜厚度、临界尺寸(cd)等)可在选择以允许对样本上的任何第二区域的测量的可靠预测(例如内插、外推等)的样本上的第一区域中执行。84.可针对不同用例选择不同第一区域。例如，跨样本的膜厚度变动趋向于相对缓慢，因此膜厚度测量的密度可相对较低。因此，适合于本文所描述的实施例的第一区域的密度包含足够大以使得对第二区域的计量数据的预测足够准确的第一区域的任何密度。85.在一个实施例中，选择一或多个第一区域以捕获第一工艺信息中的样本级变动。在另一实施例中，选择一或多个第一区域以捕获第一工艺信息中的裸片级变动。例如，测量可优选地以足够频率在样本上的选定第一区域中执行以捕获样本级及/或裸片级变动。捕获样本级及/或裸片级变动所需的所述第一区域的频率或密度可如上文所描述来确定，例如基于所执行的计量测量中的预期变动及/或预期第一工艺信息。86.可从在第一区域中以任何适合方式执行的测量来确定或产生第一工艺信息(例如计量数据)。换句话说，许多不同方法、算法、模型、功能等可用于本技术中以确定来自测量的计量数据。本文所描述的实施例中使用的计量数据可以这些已知方式中的任一者产生。另外，计量分析(例如计量数据的建模)可在可从科磊公司(kla)购得的5d分析器系统上执行。此系统是在行业中建立且含有用于高级计量分析的能力。如果不需要进一步建模，计量数据可从此系统输送或从计量工具直接输送。87.在一个实施例中，第一工艺信息包含膜厚度、图案化结构轮廓、cd、线边缘粗糙度(ler)及线宽粗糙度(lwr)中的一或多者。例如，在本文所描述的实施例中可特别有用的第一工艺信息包含膜厚度及可用于确定本文进一步描述的第二工艺信息的任何其它此类特性。换句话说，本文所描述的第一工艺信息可包含可用于确定本文进一步描述的第二工艺信息的任何及所有测量及/或样本特性。本文所描述的测量也可如达菲(duffy)等人在2018年4月28日发布的共同转让的第2016/0116420号美国专利公开申请公开案中描述来执行，所述申请案以宛如全文阐述引用的方式并入本文中。本文所描述的实施例可如本出版物中所描述进一步配置。88.在一个实施例中，计量工具不包含在系统中。例如，计量工具可包含在不同于且与本文所描述的系统实施例分离的系统中。换句话说，计量工具可包含在与本文所描述的实施例物理分离的系统中且可不与本文所描述的系统实施例共享任何共同元件。特定来说，如图1及3中所展示，检验子系统可包含在系统中，计量工具可配置为另一系统，且系统及计量工具物理上彼此完全分离且不共享共同硬件元件。89.在此类实施例中，本文所描述的一或多个计算机子系统可经配置以从耦合到计量工具及/或存储媒体的计算机子系统存取及获取计量数据，其中计量数据已由计量工具存储。一或多个计算机子系统可从另一计算机系统或子系统或存储媒体获取计量数据，如本文进一步描述。以此方式，计量工具及包含检验子系统的系统可为不同工具。计量数据可存储在可从其中获取测量的数据库中(例如可从科磊公司(kla)购得的klarity)。90.以此方式，获取计量数据不必须包含产生计量数据。例如，如上文所描述，计量工具可经配置以产生计量数据且接着本文所描述的计算机子系统可从计量工具、计量工具的计算机子系统或其中已存储计量数据的存储媒体获取计量数据。因此，所获取的计量数据可已由除本文所描述的实施例之外的系统产生。然而，在一些实施例中，获取计量数据可包含产生计量数据。例如，本文所描述的实施例可包含计量工具(如本文进一步描述)，且因此本文所描述的系统实施例可经配置以通过对第一区域中的样本执行测量来产生计量数据。替代地，本文所描述的系统实施例(或系统的一或多个元件)可经配置以引起计量工具对样本执行测量。因此，获取计量数据可包含对第一区域中的样本执行测量。91.在一个实施例中，计量工具并入系统中使得检验子系统及计量工具共享系统的一或多个共同元件。图4展示此系统的一个实施例。系统包含检验子系统模块400及计量工具模块402。包含在模块400中的检验子系统可如本文相对于图1及2所描述来配置。包含在模块402中的计量工具可如本文相对于图3所描述配置。系统还可包含耦合到检验子系统及计量工具中的一或两者的计算机子系统404。计算机子系统404可根据本文所描述的任何其它实施例来配置。92.在一些实施例中，系统还包含额外模块412，且额外模块可经配置以对样本执行一或多个额外工艺。一或多个额外工艺可包含(例如)缺陷重检、缺陷修复及/或任何其它质量控制相关工艺。93.计量工具及检验子系统可共享的一或多个共同元件可包含共同外壳406、共同样本处置器408、共同电源410、计算机子系统404或其一些组合中的一或多者。共同外壳可具有本技术中已知的任何适合配置。例如，可仅扩展系统的原始外壳以适应计量工具。以此方式，计量工具及检验子系统可配置为单个单元或工具。共同样本处置器可包含本技术中已知的任何适合机械及/或机器人组合件。共同样本处置器可经配置以按此使得样本可从计量工具直接移动到检验子系统中而无需将样本放回其匣或工艺之间的其它容器中的方式使样本在计量工具与检验子系统之间移动。共同电源可包含本技术中已知的任何适合电源。计算机子系统可耦合到本文进一步描述的计量工具以及检验子系统使得计算机子系统可与本文进一步描述的计量工具及检验子系统交互作用。额外模块可以上述相同方式并入系统中。94.计量工具的硬件可安装于与检验子系统及包含在系统中的额外模块分离的测量室中。测量室可横向或垂直安装为接近检验子系统及额外模块。例如，系统可配置为可每一者经配置以执行不同过程的模块的集群。另外，测量室、检验子系统及额外模块可横向或垂直地安置为接近系统的装载室414。装载室可经配置以支持多个样本，例如待在系统中处理的样本的匣416。样本处置器408可经配置以在测量及/或检验之前从装载室移除样本且将测量及/或检验样本放置于装载室中。此外，测量室可安置于接近检验子系统的其它位置，例如其中存在足够空间以容纳计量工具硬件的任何地方及样本处置器可安装的任何地方使得样本可在测量室与检验子系统之间移动。以此方式，样本处置器408、载台(图中未展示)或另一适合机械装置可经配置以将样本移动到系统的计量工具及检验子系统及从系统的计量工具及检验子系统移动样本。95.本文所描述的实施例利用其中裸片中或样本上的各种区域可给出不同工艺信息的情况。尽管本文相对于第一区域中的第一特征及第二区域中的第二特征描述某些实施例且为了说明而在一些图中展示两个区域，但第一及第二区域中可或会分别存在第一特征及第二特征以上，尤其当实施例考虑本文所描述的样本的划线道中的结构时。如本文进一步描述，实施例可识别及选择适合特征及区域。另外，就本文进一步描述的图来说，其不应被视为限制。本文所描述的图中的所有信息仅用于说明，不一定按比例且结构可或多或少地复杂，例如层数、2d及3d图案等。96.一或多个计算机子系统经配置用于从一或多个输出获取子系统的输出确定形成于样本上的一或多个第一区域中的一或多个第一特征的第一工艺信息。图5a说明形成于样本的第一区域中的适合第一特征的实例(其在此情况中展示为晶片500)，但可为本文所描述的其它样本中的任一者。在此情况中，所述第一特征包含包含材料502、504及506的材料的堆叠。接着，如图5a中所展示，所述第一特征可不包含图案化结构，但可包含如图5a中所展示的薄膜。可使用本技术中已知的任何适合工艺(例如化学气相沉积(cvd)、物理气相沉积(pvd)及原子层沉积(ald)中的一或多者及其类似者)(其有时接着控制薄膜的厚度或平坦度的工艺(例如化学机械抛光(cmp)))以任何适合方式使薄膜形成于晶片上。薄膜可包含半导体制造技术中已知的任何适合膜，例如电介质膜、金属或导电膜、半导体膜、抗反射涂层、抗蚀剂(例如光致抗蚀剂)型材料等。97.图5b展示图5a中所展示的第一特征可位于所述处的晶片上的一些第一区域。特定来说，图5b中所展示的裸片508包含图5a中所展示的第一特征的堆叠位于所述处的第一区域510。图5b中所展示的第一区域可或可不包含其中展示第一特征的裸片中的所有区域。例如，可基于样本的设计来识别所述处第一特征形成于裸片中的第一区域，且可选择第一区域的子集或少于所有第一区域以用于本文所描述的实施例中。可基于信息(例如裸片内或跨样本的第一工艺信息中的预期变动)来确定选择用于本文所描述的实施例中的第一区域的多少及哪些例子。裸片的设计、样本上的裸片的布局及划线道区域(即，裸片之间的区域)将最终控制第一区域位于裸片中或样本上的位置，但由实施例使用的第一区域可以各种其它方式选择，例如基于每单位长度或面积所选的第一区域的一些频率、所选的第一区域之间的最小或最大间距、所选的第一区域的最小或最大数目等。另外，尽管图5b中展示以一种1d阵列布置的第一区域，但第一区域不需要位于任何1d或2d阵列中且可在一些或所有第一区域例子之间具有不规则间距。98.一或多个计算机子系统还经配置以从由所述输出获取子系统产生的输出及第一工艺信息的至少一部分确定形成于样本上的一或多个第二区域中形成的一或多个第二特征的第二工艺信息。因此，本文所描述的实施例的新想法是利用以不同方式使用来自携带来自先前步骤的工艺信息的“丰富”结构(例如在每一裸片中)的信息。换句话说，通过仔细选择本文所描述的第一及第二特征，可从甚至相对复杂的特征的类检验输出确定重要类计量信息。99.图5c展示可与图5a中所展示的第一特征一起选择的第二特征的实例。在此实例中，第二特征包含形成于晶片500上的材料502及504。第二特征中的材料502及504可与第一特征中的材料502及504相同。例如，材料502及504可在相同工艺由相同材料形成。第二特征还包含材料506，但不同于与图5a中所展示的第一特征，在第二特征中，此材料已被图案化。换句话说，图案化特征形成于第二特征的材料506中。另外，材料512形成于在材料506中的图案化特征之间的第二特征中。材料512可包含例如本文进一步描述的任何适合材料且可以本技术中已知的任何适合方式形成。100.因此，不同于图5a中所展示的第一特征，图5c中所展示的第二特征包含具有形成于其上的图案化结构的未图案化薄膜层的组合。因此，在单个样本上的单个裸片内，在样本或工艺的相同层处，不同区域可具有不同结构的堆叠。在图5a及5c中所展示的特征的情况中，在用于使图案化特征形成于材料中的光刻及蚀刻工艺期间，其中材料506未图案化的晶片上的区域可被“遮蔽”或使用保护材料覆盖。在此实例中，图5d展示图5c中所展示的特征的堆叠形成于所述处的裸片514中的第二区域516。以此方式，在用于使图案化结构形成于第二区域中的工艺期间，可以不同方式(例如2d线相对于3d孔)遮蔽或图案化裸片中的剩余区域。接着，可在已形成图案化特征之后移除所述保护材料。101.第二区域516可如本文进一步描述基于跨裸片或样本的第二工艺信息中的预期变动、基于频率、间距等的一些预定准则选择为(例如)小于裸片内的所有第二区域例子。另外，尽管第一及第二区域在图5b及5d中展示为具有相对于彼此的不同面积，但相对面积不存在限制或要求。不必相对于彼此选择第一及第二区域的其它特性(例如频率、间距等)。换句话说，可独立于彼此选择第一及第二区域，只要所选区域可如本文进一步描述用于确定第一及第二工艺信息。102.因此，可使用形成于样本上的离散区域中的特征从检验子系统及任选地计量工具的输出确定第一及第二工艺信息。因此，可将第一及第二工艺信息依据裸片位置内或样本位置内而确定，且可以本文所描述的各种方式使用依据位置而变的信息。例如，如图6中所展示，第一区域中的不同材料的厚度(即，针对这些特征确定的第一工艺信息)可图形化地展示为依据样本位置内而变。在此实例中，晶片图600展示材料502的厚度，晶片图602展示材料504的厚度，且晶片图604展示材料506的厚度。图中的不同灰度对应于材料的厚度的不同值。因此，图还展示跨样本的材料的厚度中的变动，其可用于(例如)检测用于形成材料的工艺的问题。103.仅可在第一区域的位置处确定(例如通过使用图5a中所展示的堆叠的模型进行分析)的厚度来产生图或可可如本文进一步描述执行将第一区域中确定的第一工艺信息外推或内插到样本上的其它区域。以此方式，仅在样本上的特定、离散区域处确定的第一工艺信息可用于预测样本上的其它区域处的第一工艺信息。可如本文进一步描述执行及使用此类预测。104.以类似方式，由本文在第二区域处描述的实施例确定的第二工艺信息可用于产生晶片图(可从通过分析图例如图7中所展示的晶片图700)。可(例如)使用图5c中所展示的堆叠的模型从由图5d中所展示的区域的分析发现的cd值产生此晶片图。如同上述晶片图，此晶片图可仅包含仅针对第二区域确定的第二工艺信息。然而，也可在形成于样本上的第二特征的其它例子中外推、内插、预测仅这对选定第二区域确定的第二工艺信息。也可如本文进一步描述执行此类预测。如同上述晶片图，晶片图或第二工艺信息的其它图形表示可用于检测使用用于使第二特征形成于样本上的工艺的问题。例如，通过将第二信息作分析为依据样本上的位置而变，所述计算机子系统可能够检测是否可接受地执行用于形成第二特征的工艺或工艺如何发生故障。105.在一个实施例中，第二工艺信息包含对样本执行的工艺的设置。例如，通过分析来自检验工具的灰度(gl)数据，本文所以描述的实施例的优点是其可提取制作样本的工艺信息，其可为工艺设置(例如焦点及剂量)。由本文所描述的实施例确定的工艺设置可取决于扫描之前对样本执行的所述工艺而变动。可如本文进一步描述确定(例如经验或使用严格模型)此类工艺设置。106.在另一实施例中，第二工艺信息包含一或多个第二特征的特性。例如，通过分析来自检验工具的gl数据，本文所描述的实施例的另一优点是其可提取所制作的样本的特性，其可为与装置性能(例如cd、厚度或蚀刻深度)有关的信息。由本文所描述的实施例确定的所述样本特性可取决于扫描之前对样本执行的所述工艺及形成于样本上的第二特征而变动。可如本文进一步描述确定(例如经验或使用严格模型)此类样本特性。107.第二工艺信息的至少一部分是不同于第一工艺信息的类型的信息。例如，如上文所描述，对于图5a中所展示的第一特征，第一工艺信息可为由材料502、504及506形成的薄膜的厚度，且对于图5c中所展示的第二特征，第二工艺信息可为形成于材料506中的图案化特征的cd且可能也或替代地由材料512形成的图案化特征的cd。以此方式，不同工艺信息可为不同种类的特征的不同种类的尺寸。取决于(例如)样本的设计及因此可针对样本产生哪些类型的信息，不同类型的第一及第二工艺信息的其它组合也是可行的。108.重要的是，尽管图5a及5b中所展示的第一及第二特征包含由材料502、504及506形成的薄膜，第一及第二工艺信息不均包含这些材料的厚度。例如，如本文进一步描述，第一工艺信息的至少一部分用于确定第二工艺信息。因此，当确定第二工艺信息时，不需要在第二区域中重新确定所述第一工艺信息。相反地，将第一区域中确定的第一工艺信息被有效地前馈到第二区域以用于确定第二工艺信息。以此方式，如果第一工艺信息包含材料502、504及506的厚度，那么第一工艺信息可用于确定第二区域中的这些材料的厚度且接着用作为用于确定第二区域的其它信息的已知值。另外，在本文所描述的实施例中，并非所有第一工艺信息均需要前馈到第二区域。例如，第一工艺信息可包含关于用户所关注但不用于确定第二工艺信息时的材料502、504及506的信息。109.一或多个第二特征的设计的至少一部分不同于一或多个第一特征的设计。例如，如图5a及5c中所展示，第一及第二区域包含材料502及504的相同设计。另外，尽管第一及第二区域包含材料506，但在第一区域中，所述材料未图案化而在第二区域中所述材料被图案化。因此，材料506的设计在第一及第二区域中不同。另外，图5c中所展示的第二区域包含形成于材料506中的图案化特征的材料512，而第一特征不包含此类材料。因此，不同于图5a中的一或多个第一特征的设计的图5c中的一或多个第二特征的设计的部分部分包含材料506及512的设计。110.第一及第二特征的设计之间的此类差异可以若干方式在样本的相同层(例如形成于样本的至少含有第一区域的部分上的暂时性遮蔽层)上实现而图案化特征形成于第二区域中的材料506及512中，从而防止第一区域中的材料506的图案化及材料512的形成。尽管用于第一及第二特征的设计的至少一部分不同，但用于第一及第二特征的设计的至少一部结构的更多实例可在划线道中发现。这些测试结构通常经设计以隔离工艺步骤(通过遮蔽某(些)工艺)，其对于本文所描述的实施例可大体上有用，因为其增强(有利于获得清晰信号)且从所要工艺步骤移除(有利于简化数据分析工艺)信息。116.在此类实施例中，第一及第二区域两者可位于划线道区域中。然而，所有第一区域可位于划线道区域中，且所有第二区域可位于所述功能区域中。相反情况也可行。特定来说，在适合第一及第二特征可用且经选择使用可在很大程度上取决于样本的设计的情况中，且特征是位于功能装置区域或划线道区域中对于本文所描述的实施例可不特别重要。例如，即使对于例如本文所描述的许多质量控制类型的工艺使用功能区域中的特征可为优选的，其它考虑(例如处理量、特征可用性等)可使得非功能区域中的特征对于在本文所描述的实施例中使用更具吸引力。117.如上文所描述，所述输出获取子系统可包含经配置以通过在样本上的测量点处执行测量来产生输出的至少另一部分的计量工具。在此实施例中，用于确定第一工艺信息的输出仅包含输出的至少另一部分，且用于确定第二工艺信息的输出包含输出的至少所述部分。换句话说，可仅使用计量工具输出来确定第一工艺信息，且可使用(1)仅检验子系统输出或(2)检验子系统输出组合计量工具输出来确定第二工艺信息。使用由单个工具或多个工具产生的输出确定第一及第二工艺信息，可如本文进一步描述执行确定第一及第二工艺信息。118.对于确定本文所描述的第一(或任何)工艺信息，也可根本不需要上述计量工具。例如，在另一实施例中，用于确定第一工艺信息的输出仅包含由检验子系统产生的输出，且用于确定第二工艺信息的输出仅包含由检验子系统产生的输出。以此方式，第一及第二工艺信息均不使用计量工具输出来确定。119.在一些此类实施例中，用于确定第一及第二工艺信息的输出在样本的相同扫描中产生。例如，可从由用于确定第二工艺信息的相同检验硬件而通过扫描所述第一区域中的所述第一特征而非所述第二区域中的所述第二特征而产生的输出确定第一工艺信息。物理上，通常可同时执行通过检验硬件的扫描以分别涵盖第一及第二特征位于其中的第一区域及第二区域两者。因此，尽管计量工具可用于测量所述第一特征，但检验子系统可用于通常在所述第二区域中的所述第二特征的相同扫描中产生所述第一特征的输出。接着，在相同扫描中产生于第一及第二区域中的输出可如本文所描述用于分别确定第一及第二工艺信息。120.尽管第一工艺信息可从由检验子系统产生的输出确定，但此并不必要且第一工艺信息可使用计量数据来确定。然而，相比来说，存在从由检验子系统而非计量工具产生的输出确定第二工艺信息的优点。例如，检验工具通常将记录样本(例如晶片)上的所有位置处的信息，其提供具有及分析此信息的机会。此数据收集及可用性是与计量工具的基本差异。特定来说，计量工具仅在样本(例如晶片)上的有限点处获得信息，比如小于300个点且通常仅约5到约18个点。121.因此，如上文所描述，不同工具可用于确定不同工艺信息。因此，本文所描述的实施例可利用不同工具(例如检验工具及薄膜计量工具)的组合。使用不同工具的优点与单个工具相比，不同工具可实现更复杂结构的测量。然而，使用多个工具而非单个工具可具有若干折衷。例如，使用多个工具可需要较长测量时间、不同工具上的样本的多个负载/卸除操作，且计量工具通常具有约0.5秒的移动-获取-测量(mam)时间使得可测量有限数目个位置，其当获取用于内插/外推到全样本的足够数据时引起满足处理量目标的挑战。122.以可仅使用一或多个工具实施本文所描述的实施例的相同方式，实施例也可仅使用单个工具的单个模式或单个工具的多个模式来实施。例如，如本文进一步描述，工具可针对具有不同模式的样本产生输出。不同模式对不同信息可或多或少敏感。在此实例中，检验子系统的第一模式可对膜厚度更敏感，而检验子系统的第二模式可对图案化特征的cd更敏感。因此，第一模式可用于确定图5a中所展示的第一特征的材料502、504及506的厚度而第二模式可用于确定形成于图5c中所展示的材料506及/或材料512中的图案化特征的cd。在另一实例中，检验子系统的第一模式可对图案化特征的cd更敏感而检验子系统的第二模式可对图案化特征的侧壁角(swa)更敏感。因此，第一模式可用于确定形成于图5c中所展示的材料506及/或材料512中的图案化特征的cd，且第二模式可用于确定形成于材料506及/或512中的图案化特征的swa。以此方式，单个模式可用于确定不同类型的特征的不同信息，且不同模式可用于确定相同特征的不同信息及/或不同特征的不同信息。使用单个模式或多个模式产生的输出可如本文所描述以其它方式用于确定第一及第二工艺信息(例如使用不同模型或相同模型，使用本文所描述的模型的类型等)。123.无论所述输出获取子系统仅包含检验子系统或检验子系统及计量工具(或其它输出获取子系统)，数据采集、转换及预处理(例如应用额外校准)的操作可与当前实践相同。当前进行与本文所描述的实施例之间的差异主要从对预处理数据的分析开始，而可建立严格模型且经由模型分析提取某些工艺参数(例如厚度、cd、swa等)。124.在另一实施例中，不产生用于确定第一工艺信息的输出直到一或多个第二特征形成于样本上。例如，不用于当前使用的方法及系统，本文所描述的实施例不需要在对样本执行最后工艺之前进行额外测量且利用晶片上的所有位置上的相对大量信息及与不同工艺相关联的不同特性晶片签名。本文所描述的实施例也不需要跟踪来自先前工艺的测量数据，其可通常引起实践中的数据逻辑挑战。125.因此，本文所描述的实施例不同于当前所使用的方法及系统，使用计量学的一些前馈应用(例如将来自先前层的参数馈送到当前层或将数据从另一工具(例如cd-sem)馈送到当前计量模式(例如光学cd计量))。相反地，如本文所描述，通过分别在第一及第二区域中仔细选择第一及第二特征的实施例可在相同工艺步骤之后执行所有测量及扫描(或仅扫描)且使用检验子系统来确定至少一些工艺信息。因此，本文所描述的实施例提供优于当前所使用的方法及系统的若干优点，包含其可在较短时间内且更容易地执行同时还提供样本上的每单位面积显著更多的信息。126.在一个实施例中，一或多个计算机子系统经配置以使用经验确定的关系来确定第一及第二工艺信息中的一或多者。例如，实际上，可由本文所描述的实施例使用的一种方法是通过训练具有gl响应的实验设计(doe)输入接着应用所述关系从gl中发现工艺参数的经验方法。经验确定的关系可以本技术中已知的任何适合方式确定。在一些例子中，可制造及测量工艺窗口鉴定(pwq)或聚焦曝光矩阵(fem)型样本以确定经验关系。还可使用深度学习(dl)或机器学习(ml)类型的模型来确定经验关系。然而，任何类型的函数、关系、模型等可用于描述经验确定的关系以由本文所描述的实施例使用。127.在进一步实施例中，一或多个计算机子系统经配置以使用严格模型来确定第一及第二工艺信息中的一或多者。例如，实际上，可由本文所描述的实施例使用的另一方法是通过严格地建模系统(包含检验硬件及测试中的样本)的严格方法。当使用严格方法或算法时，此方法或算法的典型限制是处置描述样本上的结构所需的多个参数而来自检验工具的信息在每一像素处通常非常有限。空白样本上的结构的参数较简单：薄膜厚度，鉴于每一层的光学常数一般是众所周知的。图案化样本上的结构的参数显著较大，例如cd、swa、节距游动、蚀刻深度、蚀刻残余、在横截面图及俯视图两者中的顶部或圆形及其类似者。参数的大幅增加数目对严格方法提出挑战：我们无法测量所有参数，因为来自检验工具的每像素存在非常有限的测量信息内容；我们无法固定这些参数，因为大多数参数因裸片间及样本间而变动；且此变动通常引起检验信号的显著gl变化。然而，本文所描述的实施例提出可用于大幅解决此挑战的解决方案。128.在一些实施例中，所述计算机子系统经配置以基于用于样本的设计的信息及对样本执行的一或多个工艺来选择第一工艺信息、一或多个第一特征、一或多个第一区域、一或多个第二特征及一或多个第二区域。一般来说，由实施例确定的第二工艺信息将由用户或基于经检查的工艺及样本来设置。因此，所述计算机子系统可不需要选择第二工艺信息。然而，所述计算机子系统可识别裸片中可给出不同工艺信息的各种区域。所述计算机子系统也可作出分析策略，包含理解形成这些结构的工艺及工艺变动的特性。可如本文进一步描述执行选择特征、区域、信息等。特定来说，如本文进一步描述，选择第一及第二区域、第一及第二特征等对于使用是相对简单结构的第一区域中的第一特征的信息确定及使用所述信息来确定比第一特征更复杂的第二区域中的第二特征的其它信息是重要的。以此方式，可使用第一特征相对容易地确定的信息也可用于确定第二特征的信息，从而使得确定第二工艺信息更容易。129.此策略的实例及对图5a及5c中所展示的结构的理解可包含(但不限于)下文。材料502、504及506的厚度由膜沉积工具对样本执行的膜沉积过程控制且厚度的特性变动长度可为数十厘米(cm)的分数。这些材料的厚度预期不在材料已形成于其上之后对样本执行的图案化工艺等而改变。材料512的cd可具有约数微米(μm)到厘米的特性变动长度且可具有两个分量：一个分量与来自光刻工艺的裸片同步，且另一分量与裸片异步且与光刻及蚀刻工艺有关。130.基于以上信息，所述计算机子系统可开发包含分析图5b中所展示的第一区域以发现材料502、504及506的厚度的策略。所述策略还可包含利用这些厚度的变动相对缓慢的事实使得可通过将第一区域中的测量厚度内插或外推到样本上的所有或所要区域(例如图5d中所展示的区域)来发现跨样本的厚度，其可如本文进一步描述来执行。另外，对于图5d中所展示的第二区域，所述策略可包含将在先前步骤中发现的材料502、504及506的厚度前馈到模型，接着确定图5d的区域中的cd或其它图案化参数。131.在另一实施例中，一或多个计算机子系统经配置以基于用于样本的设计的信息及对样本执行的一或多个工艺来确定用于确定第一及第二工艺信息的一或多个方法。例如，所述计算机子系统可详细执行以上每策略布局的数据分析。所述计算机子系统还可针对图5a中所展示的材料建立薄膜模型且将所述模型从图5b中的第一区域应用于gl以从而发现材料502、504及506的厚度。所述计算机子系统还可将确定厚度延伸到如图6中所展示的全样本。所述计算机子系统还可针对图5d中的所述区域建立如图5c中所展示的图案化结构的模型、将图6中的厚度作为预定量馈送到第二特征的模型中，及处理第二区域中产生的输出以在(例如)第二特征的模型中发现材料512的cd值。图7中展示材料512的cd值的实例依据样本上的位置而变。132.在一个实施例中，确定第一工艺信息包含将第一方法应用于输出、确定第二工艺信息包含将第二方法应用于输出及第一工艺信息的至少部分，且第一及第二方法不同。例如，第一及第二方法可包含相同或不同类型的不同模型(例如一个经验模型及一个严格模型)，且使用不同模型确定不同工艺信息可最适合，因为不同区域中的特征不同且正确定不同工艺信息。不同方法中的每一者可如本文进一步描述确定及使用。133.尽管可依序应用不同方法(即，使用第一方法来确定第一工艺信息且接着使用第二方法来确定第二工艺信息)，但也可同时应用所述方法。例如，例如图5a及5c中所展示的第一及第二特征的模型可在输出处理中同时分析而每一模型应用于来自其自身的区域的输出(例如分别是图5b及5d)。134.在另一实施例中，一或多个计算机子系统经配置以执行用于确定第一及第二工艺信息的单个方法。例如，单个方法可用于实施本文所描述的实施例，无论所述单个方法涉及单个模型或多于一个模型。换句话说，确定第一及第二工艺信息不必实施为不同确定。在此实例中，尽管多个模型可用于描述输出与第一工艺信息及输出与第二工艺信息之间的不同关系，但所述多个模型可组合成使用多个模型的单个方法。135.在一个此实施例中，到单个方法的输入是由一或多个输出获取子系统针对样本产生的输出，且单个方法的输出是第二工艺信息。换句话说，可将针对第一及第二区域产生的输出(不管如何产生不同区域的输出)输入到单个方法，其可输出第二工艺信息(且可能仅输出第二工艺信息)。例如，尽管本文所描述的实施例可确定第一工艺信息，但可主要为了实现第二工艺信息的确定而确定第一工艺信息。136.以此方式，第一工艺信息不必要由本文所描述的实施例确定，因为其为用户所关注。在此实例中，如果第一工艺信息包含图5a中所展示的第一特征的材料502、504及506的厚度，那么用户可不特别关注此信息。相反地，此信息仅被确定为实现确定材料506中的图案化特征的cd及/或图5c中所展示的第二特征中由材料512形成的图案化特征。因此，尽管可确定第一工艺信息，但不必须输出此信息或将其报告给用户。在其它例子中，用户可能对第一及第二工艺信息两者感兴趣。在此类例子中，不管第一及第二工艺信息由单个方法或以本文所描述的另一方式确定，第一及第二工艺信息两者均可报告给用户。137.在进一步实施例中，一或多个计算机子系统经配置用于从输出确定形成于样本上的一或多个第三区域中的一或多个第三特征的第三工艺信息；第一工艺信息的至少一部分不同于第三工艺信息；一或多个第一特征的设计的至少一部分不同于一或多个第三特征的设计；一或多个第一区域、一或多个第二区域及一或多个第三区域在样本上相互排斥；且一或多个计算机子系统经配置用于基于第三工艺信息确定第一工艺信息的信息。例如，可针对一些可选步骤配置本文所描述的实施例。在一些用例中，除在其它实施例中描述的步骤之外，也可期望额外步骤。在此实例中，所述计算机子系统可从不同区域交叉检查结果。例如，除图5a及5c中所展示的区域之外，样本上可存在具有类似于图5a的结构但无一层材料506的额外区域。因此，材料502及504的厚度可在所述额外区域中确定且可延伸到全样本，其可如本文进一步描述执行。接着，针对所述材料确定的厚度可用于检查图6及7中的结果。替代地，可与图5a及/或5c中所展示的特征的模型及数据联合分析第三区域中的数据。138.所述计算机子系统还可经配置用于确定相对于样本上的所述第一区域的位置的样本上的所述第二区域的位置。如果不同工具(例如计量及检验)用于产生第一及第二区域的输出，那么确定相对于所述第一区域的位置的样本上的所述第二区域的位置可包含坐标系匹配。特定来说，不同工具可报告不同坐标系中的位置。因此，可匹配坐标系以接着确定相对于所述第一区域的位置的所述第二区域的位置。可匹配的参数可包含裸片大小、裸片中心位置(0,0裸片)、光罩(暴露场)大小及裸片/光罩原点。139.可以若干不同方式执行所述匹配。例如，可由两个工具测量或检测的样本上的一或多个共同参考点可被识别且用于确定由不同工具使用及/或报告的不同坐标之间的一或多个偏移。接着，所述一或多个偏移可用于将任一报告的位置从坐标系转换到另一坐标系。以类似方式，为测试不同工具坐标系的潜在正确匹配，已由第一工具测量的特定测量点可由第二工具扫描使得由第二工具报告的x，y位置可与用于第一工具中的x，y位置比较、相关及/或匹配。一旦第二区域坐标已转换为用于确定第一区域位置的坐标系或反之亦然，即可确定相对于所述第一区域的位置的所述第二区域的位置。140.这些相对位置可以任何适合方式确定。在一些例子中，相对于第一区域位置的第二区域位置可仅确定为由坐标系匹配或平移产生的共同坐标系中的第二区域位置。然而，确定相对于第一区域位置的第二区域位置也可或替代地包含确定第二区域位置中的每一者与由坐标系匹配或平移产生的共同坐标系中的一或多个最接近第一区域的位置之间的偏移或距离。因此，确定这些第二区域相对于第一区域的所述位置也可确定这些第二区域的位置也可包含确定第一区域中的哪一(些)最接近第二区域位置，且所述信息也可与对应第二区域位置一起存储。因此，一般来说，可在本文所描述的实施例中可使用不同方法来确定共同坐标系中的第一与第二区域位置之间的相对位置。141.因为，如本文进一步描述，所述第一区域及所述第二区域在样本上彼此相互排斥，所述计算机子系统可经配置用于从所述第一区域处产生的第一工艺信息确定或预测所述第二区域的位置处产生的第一工艺信息及相对于第一区域的位置确定所述第二区域的位置来确定或预测所述第二区域的位置处的第一工艺信息。例如，所述第一区域产生的第一工艺信息可用于使用本文所描述的方法中的一者预测所述第二区域的所述位置处的第一工艺信息。142.在一个实施例中，确定第二工艺信息包含将第一工艺信息从一或多个第一区域的一或多个位置内插到一或多个第二区域的一或多个位置。内插通常可在本技术中界定为在给定数据范围内的值的预测。用于预测步骤中的内插可包含本技术中已知的任何适合内插方法。适合内插方法的实例包含(但不限于)线性内插、多项式内插、样条内插、非线性内插、通过高斯(gaussian)工艺的内插、多变量内插、双线性内插及双立方内插，所有此类均可以本技术中已知的任何适合方式执行。143.在另一实施例中，确定第二工艺信息包含将第一工艺信息从一或多个第一区域的一或多个位置外推到一或多个第二区域的一或多个位置。在本技术中，外推通常可界定为对给定数据范围之外的数据的预测。存在可用于外推的不同方法。此外推方法是基于等高线图的外推。例如，一旦已获取第一工艺信息，即可以本技术中已知的任何适合方式产生第一工艺信息的等高线图。一旦等高线图可用，即可按用户界定的栅格大小对样本上的每一点提取第一工艺信息的值。接着，可将此第一工艺信息应用于相同栅格中的第二区域位置。以此方式，可根据第二区域位置位于其中的栅格的值将第一工艺信息指派到每一第二区域位置。144.因此，外推是一种将在样本上的一些区域中确定的信息延伸/普遍化到完整样本的方法。在一些应用中，也可执行外推以将来自第一特征的信息应用于第二特征，例如归因于工艺特性，图5c中的材料506的高度可与图5a中的材料506的厚度完全不同。确切来说，图5c中的材料506的高度可为依据图5a中的材料506的厚度及图5c中的材料506的线宽(cd)而变。此函数可预定为给定特性性质且用于分析图5c中的第二特征。此处，外推可为线性或非线性。因此，外推是一种可用于将一些位置处的信息延伸到其它位置的方法，而实际实施方案(外推或其它延伸方法)还可涉及工艺信息，即，到目前为止如何制作样本。145.在一些实施例中，所述计算机子系统经配置以通过使用第一及第二工艺信息中的一或多者修改由检验子系统产生的输出的至少部分来检测样本上的缺陷，从而产生经修改的输出且将缺陷检测方法应用于经修改的输出。例如，通过如本文所描述分析来自检验工具的gl数据，本文所描述的实施例的另一优点是其可用于通过“剥离”来自所要结构或不关注的变动的主要gl信号分量来增强检验敏感度。146.缺陷检测方法可包含本技术中已知的任何适合缺陷检测方法。在一个此(非常简单)实例中，缺陷检测方法可包含减去在对应内裸片位置处产生的检验子系统的输出及将阈值应用于减法的结果。高于阈值的任何输出可由缺陷检测方法确定为缺陷(或潜在缺陷)而低于阈值的任何输出可不被识别为潜在缺陷。147.所述计算机子系统可经配置用于以本技术中已知的任何方式存储第二工艺信息及本文所描述的其它结果中的任一者。所述计算机子系统可将第二工艺信息及本文所描述的任何其它信息或结果存储在本文所描述的任何存储媒体或本技术中已知的任何其它适合存储媒体中。在已存储信息之后，可在存储媒体中存取信息且由本文所描述的方法或系统实施例中的任一者使用、格式化以向用户显示、由另一软件模块、方法或系统使用等。例如，所述计算机子系统可使用第二工艺信息产生或更改如本文所描述的工艺配方。接着，所述工艺配方可由系统或方法(或另一系统或方法)存储及使用以对样本或其它样本执行工艺以从而以一些方式更改样本或其它样本。148.第二工艺信息及由本文所描述的实施例产生的其它结果及信息可由本文所描述的实施例及/或其它系统及方法以多种方式使用。此类功能包含(但不限于)以反馈或前馈方式更改工艺，例如已或待对确定信息的样本或另一样本执行的制造工艺或步骤。例如，本文所描述的所述计算机子系统可经配置以确定对如本文所描述确定信息的样本执行的工艺及/或将基于第二工艺信息对样本执行的工艺的一或多个改变。对工艺的改变可包含对工艺的一或多个参数的任何适合改变。149.所述计算机子系统可以确定此类改变使得可已在控制极限外操作的工艺可带回进行控制。例如，所述计算机子系统可将工艺的设置确定为第二工艺信息且使用所述设置来确定设置是否在控制极限之外且当其确定为在控制极限之外时，如何使其回到控制内。在另一实例中，所述计算机子系统可将第一及/或第二特征的类计量特性确定为第一及/或第二信息，其可用于确定对样本执行的工艺是否产生具有所述类计量特性的可接受值的样本。如果基于第一及/或第二工艺信息来确定工艺失控，那么所述计算机子系统可确定将引起工艺制造具有类计量特性的可接受值的样本的对工艺的一或多个改变。本文所描述的所述计算机子系统可以本技术中已知的任何适合方式确定上述改变中的任一者。150.接着，可将所述改变发送到半导体制造系统(图中未展示)或可存取所述计算机子系统及半导体制造系统的存储媒体(图中未展示)。半导体制造系统可或可不为本文所描述的系统实施例的部分。例如，本文所描述的所述计算机子系统、检验子系统、计量工具等可(例如)经由一或多个共同元件(例如外壳、电力供应器、样本处置装置或机构等)耦合到半导体制造系统。半导体制造系统可包含本技术中已知的任何半导体制造系统，例如光刻工具、蚀刻工具、化学机械抛光(cmp)工具、沉积工具及其类似者。151.所述计算机子系统可将此信息存储在配方中或通过产生将基于所述信息而执行的工艺的配方而非仅将第二工艺信息或本文所描述的其它信息存储在存储媒体中。本文所使用的术语“配方”界定为可由工具用于对样本执行工艺的一组指令。以此方式，产生配方可包含产生如何执行工艺的信息，其可接着用于产生用于执行所述工艺的指令。所述计算机子系统也可存储可用于识别、存取及/或使用第二工艺信息(例如举例来说文件名及其存储位置)的第二工艺信息的任何信息。152.因此，如本文所描述，实施例可用于设置新工艺或配方。实施例还可用于修改既有工艺或配方。本文所描述的实施例不受限于制造配方或工艺产生或修改。例如，本文所描述的实施例还可用于以类似方式设置或修改用于计量、缺陷重检等的配方或工艺。因此，本文所描述的实施例不仅可用于设置或修改制造工艺也可用于设置或修改对本文所描述的样本执行的任何质量控制型工艺及此工艺的任何参数。153.可将上述系统中的每一者的实施例中的每一者一起组合成单个实施例中。154.另一实施例涉及一种用于确定样本的信息的计算机实施方法。所述方法包含响应于由如本文所描述配置的一或多个输出获取子系统从样本检测的能量而产生输出。所述方法还包含确定可根据上文所描述的实施例中的任一者执行的确定第一工艺信息及第二工艺信息。确定所述第一及第二工艺信息由耦合到所述一或多个输出获取子系统的一或多个计算机子系统执行。155.所述方法的步骤中的每一者可如本文进一步描述来执行。所述方法还可包含可由本文所描述的所述输出获取子系统、计算机子系统、检验子系统、计量工具及/或任何其它步骤来执行。所述一或多个计算机子系统可根据本文所描述的实施例中的任一者配置。另外，上述方法可由本文所描述的任何系统实施例执行。156.额外实施例涉及一种存储可在计算机系统上执行以执行用于确定样本的信息的计算机实施方法的程序指令的非暂时性计算机可读媒体。图8中展示此实施例。特定来说，如图8中所展示，非暂时性计算机可读媒体800包含可在计算机系统804上执行的程序指令802。计算机实施方法可包含本文描述的任何方法的任何步骤。157.实施例如本文所描述的方法的程序指令802可存储在计算机可读媒体800上。计算机可读媒体可为存储媒体，例如磁盘或光盘、磁带或本技术中已知的任何其它适合非暂时性计算机可读媒体。158.程序指令可以各种方式中的任一者实施，包含(尤其)基于工艺的技术、基于组件的技术及/或面向对象技术。例如，程序指令可任选地使用activex控件、c++对象、javabeans、微软基础类别(“mfc”)、sse(流式传输simd扩展)或其它技术或方法来实施。159.计算机系统804可根据本文所描述的实施例中的任一者来配置。160.鉴于本描述，所属领域的技术人员当明白本发明的各种方面的进一步修改及替代实施例。例如，提供用于确定样本的信息的方法及系统。因此，本描述仅被解释为说明性且为了教示所属领域的技术人员实施本发明的一般方式。应理解本文中所展示及描述的本发明的形式将被视为当前优选实施例。元件及材料可取代本文所说明及描述的元件及材料，部件及工艺可颠倒，且可独立地利用本发明的某些特征，所属领域的技术人员将在受益于本发明的描述之后明白所有一切。可在不背离如以下权利要求书中所描述的本发明的精神及范围的情况下对本文所描述的元件进行改变。









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