一种超高温测井中的存储装置的制作方法

信息存储应用技术1.本实用新型涉及测井领域，具体的说涉及该领域内的一种超高温测井中的存储装置。背景技术：2.目前国内采用保温瓶方法使测井仪器适应水平井、大斜度井等复杂井况下的严苛环境，在井中超高温环境的长期影响下，保温瓶受到传导温度的辐射，内部的温度会不可避免地累积上升；同时由于保温瓶的保温作用，内部的热量无法及时向外散热，当该温度累积超出内部电路能够承受温度后会对内部电路造成不可逆的损害，另外保温瓶势必会加大仪器钢筒外径，使得仪器外形笨重，给施工和调试维修带来了不必要的麻烦。技术实现要素：3.本实用新型所要解决的技术问题，就是提供一种超高温测井中的存储装置。4.为了解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案：5.一种超高温测井中的存储装置，其改进之处在于：包括超高温处理器芯片dsp和超高温存储芯片flash，超高温处理器芯片dsp和超高温存储芯片flash之间通过spi总线通信，采用钨钢作为超高温存储芯片flash组成电路的保护钢筒。6.进一步的，包括两块以上的超高温存储芯片flash，各超高温存储芯片flash均为spi总线被动器件，共用spi总线的miso，mosi和sclk数据接口线，并为每个超高温存储芯片flash单独配置使能总线cs线。7.进一步的，超高温存储芯片flash存储两类参数，一类是操作测井仪器所需的参数，包括测井、高低刻换挡，仪器工作时间参数，待机、复位和上传命令；另一类是实际测井数据，该数据类型包括存储序号及对应时间参数。8.进一步的，超高温处理器芯片dsp采用c2000系列，超高温存储芯片flash采用lhm128mb或lhm256mb。9.本实用新型的有益效果是：10.本实用新型所公开超高温测井中的存储装置，直接采用超高温处理器芯片dsp和超高温存储芯片flash，配合超高温的其他元件，因为这类超高温芯片是通过特殊工艺生产的，能够适应210℃的超高温环境，使得电路能够直接承受其环境温度，存储测井中实际测试数据，无需采用保温瓶等额外的超高温保护装置，避免超高温保护装置带来的温度累积无法散热隐患，减少因采用超高温保护装置增加的体积，避免采用超高温保护装置所带来的缺点。附图说明11.图1是超高温处理器芯片dsp与超高温存储芯片flash的spi接线图；12.图2是超高温存储芯片flash的spi接线图；13.图3是超高温存储芯片flash的并行连接示意图；14.图4是超高温存储芯片flash的数据写操作流程示意图；15.图5是超高温存储芯片flash的数据擦除操作流程示意图。具体实施方式16.为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。17.实施例1，如图1，2所示，本实施例公开了一种超高温测井中的存储装置，采用超高温处理器芯片dsp（数字信号处理器）和超高温存储芯片flash组合用以存储数据，具备可拓展性和可靠性，可根据需求设计满足不同存储容量的仪器设备。18.超高温存储芯片flash是通过spi串行接口操作的高温可靠性存储器，具有高低温下快速读写，可靠性高、性能优良特点，可长期工作在-40℃—210℃的恶劣环境中。可以适用于存储测井系统、超高温存储测井系统、地热井探测、物探等等超高温环境下需要存储数据的场合，也可与新型的保温瓶保护装置配合使用。19.超高温处理器芯片dsp和超高温存储芯片flash之间通过spi总线通信，采用洛氏硬度很高的钨钢作为超高温存储芯片flash组成电路的保护钢筒，可以满足严苛的超高温、超高压测井环境。20.如图3所示，本实施例包括四块超高温存储芯片flash，各超高温存储芯片flash均为spi总线被动器件（spi slave），共用spi总线的miso，mosi和sclk数据接口线，并为每个超高温存储芯片flash单独配置使能总线cs线，可以独立使能每个超高温存储芯片flash的读写，防止读写片选错误。21.超高温存储芯片flash存储两类参数，一类是操作测井仪器所需的参数，包括测井、高低刻换挡，仪器工作时间参数，待机、复位和上传命令；另一类是实际测井数据，该数据类型包括存储序号及对应时间参数。22.超高温处理器芯片dsp采用ti超高温处理器c2000系列，超高温存储芯片flash采用lhm128mb或lhm256mb。23.本实施例所公开存储装置的工作流程为：首先超高温处理器芯片dsp接收来自地面软件的下发命令，并解析下发命令控制测井仪器进行相应的操作，超高温处理器芯片dsp将相应命令解析后并存储相应的操作命令，以备掉电重启后保护现场数据不丢失；然后仪器工作在测井状态，开始实时测试地层信息，并根据时间参数存储测井信息。24.超高温处理器芯片dsp对超高温存储芯片flash的操作指令全部通过spi总线实现，操作命令通常包括写操作、读操作和擦除操作。下面将详细说明dsp对flash的读写操作和擦除操作。25.数据写操作：首先需要设定flash进入写使能状态，读取产品状态寄存器，确保设置有效；向flash发出写数据指令，随后即可写入数据；当数据写入完毕后，向flash发出读状态指令，读取flash当前状态，确保flash退出了写数据状态；向flash发出读状态 2 寄存器指令，确保flash写成功，此轮操作写完成。具体的操作流程如图4所示。读操作按照读取数据指令操作流程即可，在此不再赘述。26.擦除操作：首先需要设定产品进入写使能状态，读取产品状态寄存器，确保设置有效；向产品发出擦除指令，随后即可写擦除地址；当数据写入完毕后，向产品发出读状态指令，读取产品当前状态，确保产品退出了擦除状态；向产品发出读状态 2 寄存器指令，确保产品擦除成功，此轮操作完成。具体流程如图5所示。技术特征：1.一种超高温测井中的存储装置，其特征在于：包括超高温处理器芯片dsp和超高温存储芯片flash，超高温处理器芯片dsp和超高温存储芯片flash之间通过spi总线通信，采用钨钢作为超高温存储芯片flash组成电路的保护钢筒。2.根据权利要求1所述超高温测井中的存储装置，其特征在于：包括两块以上的超高温存储芯片flash，各超高温存储芯片flash均为spi总线被动器件，共用spi总线的miso，mosi和sclk数据接口线，并为每个超高温存储芯片flash单独配置使能总线cs线。3.根据权利要求1所述超高温测井中的存储装置，其特征在于：超高温处理器芯片dsp采用c2000系列，超高温存储芯片flash采用lhm128mb或lhm256mb。技术总结本实用新型公开了一种超高温测井中的存储装置，包括超高温处理器芯片DSP和超高温存储芯片FLASH，超高温处理器芯片DSP和超高温存储芯片FLASH之间通过SPI总线通信，采用钨钢作为超高温存储芯片FLASH组成电路的保护钢筒。本实用新型所公开超高温测井中的存储装置，直接采用超高温处理器芯片DSP和超高温存储芯片FLASH，配合超高温的其他元件，因为这类超高温芯片是通过特殊工艺生产的，能够适应210℃的超高温环境，使得电路能够直接承受其环境温度，存储测井中实际测试数据，无需采用保温瓶等额外的超高温保护装置，避免超高温保护装置带来的温度累积无法散热隐患，减少因采用超高温保护装置增加的体积，避免采用超高温保护装置所带来的缺点。置所带来的缺点。置所带来的缺点。技术研发人员：晋永路 王文新 李少华 邓伟杰 王汉彬受保护的技术使用者：中国电波传播研究所（中国电子科技集团公司第二十二研究所）技术研发日：2021.12.12技术公布日：2022/10/24









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