一种移相器及其制备方法、天线与流程

电气元件制品的制造及其应用技术1.本发明实施例涉及通信技术领域，尤其涉及一种移相器及其制备方法、天线。背景技术：2.相控阵天线是发射和接收电磁波的一个重要的无线电设备，其中，相控阵天线通过移相器控制阵列天线中辐射单元的馈电相位来改变天线辐射方向，以达到波束扫描的目的。3.现有相控阵天线的移相器采用单独的收发芯片(t/r组件)实现波束扫描的功能，但是收发芯片的价格较贵，使得现有相控阵天线的移相器造价极其高昂，难以实现大规模商业化，限制了相控阵天线向消费电子领域的推广。技术实现要素：4.本发明提供一种移相器及其制备方法、天线，以降低成本，并为大规模商业化提供更多的可能。5.第一方面，本发明实施例提供了一种移相器，包括：6.至少一个移相单元，所述移相单元包括微带线、光致介电层、接地电极和至少一个导光结构；7.所述微带线位于所述光致介电层的一侧，所述接地电极位于所述光致介电层远离所述微带线的一侧；8.所述导光结构与所述光致介电层至少部分交叠，且所述导光结构用于将光线导入至光致介电层。9.第二方面，本发明实施例还提供了一种天线，包括第一方面所述的移相器。10.第三方面，本发明实施例还提供了一种移相器的制备方法，该方法包括：11.提供光致介电层；12.在所述光致介电层一侧制备微带线，在所述光致介电层远离所述微带线的一侧制备接地电极，并制备至少一个导光结构，以形成至少一个移相单元，其中，所述导光结构与所述光致介电层至少部分交叠。13.本发明实施例提供的移相器，通过在微带线和接地电极之间设置光致介电层，并设置至少一个导光结构将光线导入至光致介电层，从而通过光线控制光致介电层的介电常数改变，进而实现控制微带线上传输的射频信号移相。相比于现有技术中的移相器，本发明实施例提供的移相器通过采用价格相对较低的光致介电层代替价格昂贵的移相器芯片，实现射频信号移相的同时，降低了制造成本，并为大规模商业化提供更多的可能。附图说明14.图1为本发明实施例提供的一种移相器的结构示意图；15.图2为本发明实施例提供的一种移相单元的结构示意图；16.图3为图2沿a-a’方向的剖面结构示意图；17.图4为本发明实施例提供的一种移相器的局部剖面结构示意图；18.图5为本发明实施例提供的另一种移相器的结构示意图；19.图6为图5沿b-b’方向的剖面结构示意图；20.图7为本发明实施例提供的另一种移相器的局部剖面结构示意图；21.图8为本发明实施例提供的又一种移相器的局部剖面结构示意图；22.图9为图8在f处的放大结构示意图；23.图10为本发明实施例提供的又一种移相器的结构示意图；24.图11为图10沿c-c’方向的剖面结构示意图；25.图12为图11在d处的放大结构示意图；26.图13为图10沿e-e’方向的剖面结构示意图；27.图14为本发明实施例提供的又一种移相器的局部剖面结构示意图；28.图15为图14在n处的放大结构示意图；29.图16为本发明实施例提供的又一种移相器的局部剖面结构示意图；30.图17为图16在g处的放大结构示意图；31.图18为本发明实施例提供的又一种移相器的局部剖面结构示意图；32.图19为图18在i处的放大结构示意图；33.图20为本发明实施例提供的又一种移相器的局部剖面结构示意图；34.图21为本发明实施例提供的又一种移相器的结构示意图；35.图22为图21沿j-j’方向的剖面结构示意图；36.图23为本发明实施例提供的再一种移相器的结构示意图；37.图24为本发明实施例提供的又一种移相器的结构示意图；38.图25为本发明实施例提供的又一种移相器的局部剖面结构示意图；39.图26为本发明实施例提供的再一种移相器的局部剖面结构示意图；40.图27为本发明实施例提供的又一种移相器的局部剖面结构示意图；41.图28为本发明实施例提供的又一种移相器的结构示意图；42.图29为本发明实施例提供的又一种移相器的结构示意图；43.图30为图29沿k-k’方向的剖面结构示意图；44.图31为本发明实施例提供的又一种移相器的局部剖面结构示意图；45.图32为本发明实施例提供的又一种移相器的结构示意图；46.图33为图32沿l-l’方向的剖面结构示意图；47.图34为本发明实施例提供的一种天线的结构示意图；48.图35为图34沿m-m’方向的剖面结构示意图；49.图36为本发明实施例提供的一种天线的局部剖面结构示意图；50.图37为本发明实施例提供的另一种天线的局部剖面结构示意图；51.图38为本发明实施例提供的又一种天线的局部剖面结构示意图；52.图39为本发明实施例提供的移相器的制备方法的流程示意图。具体实施方式53.下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。54.图1为本发明实施例提供的一种移相器的结构示意图，图2为本发明实施例提供的一种移相单元的结构示意图，图3为图2沿a-a’方向的剖面结构示意图，如图1-3所示，本发明实施例提供的移相器包括至少一个移相单元10，移相单元10包括微带线101、光致介电层102、接地电极103和至少一个导光结构104，微带线101位于光致介电层102的一侧，接地电极103位于光致介电层102远离微带线101的一侧，导光结构104与光致介电层102至少部分交叠，且导光结构104用于将光线导入至光致介电层102。55.具体的，如图1-3所示，移相器包括至少一个移相单元10，移相单元10包括光致介电层102，光致介电层102的介电常数会根据光线的不同而发生改变，其中，将光线引入光致介电层102中可以引起光致介电层102中材料分子的结构与形态发生变化，以对材料的物理性能的各向异性进行调制，从而改变光致介电层102的介电常数，影响材料性能的光参数包括光强与光波长等，例如可以通过控制光线的光强以控制光致介电层102的介电常数发生改变；也可以通过控制光线的波长以控制光致介电层102的介电常数变化，本实施例对此不作限定，只要可以改变光致介电层102的介电常数即可,例如，当通过控制光线的光波长来控制光致介电层102的介电常数时，控制光致介电层的光线的波长范围可以是390nm～577nm。可以是，绿色光线的波长范围是492nm～577nm，蓝紫色光线的波长范围是390nm～492nm，也就是说，可以采用绿色光线或蓝紫色光线来控制光致介电层102的介电常数。其中，本发明实施例不对光致介电层102的材料进行限定，本领域技术人员可以根据实际情况进行选择，只要可以通过光致介电层102对微带线101上传输的射频信号进行移相，改变射频信号的相位即可。示例性的，光致介电层102的材料可以包括液晶聚合物、偶氮染料或偶氮聚合物等。56.需要说明的是，光致介电层102的材料可为固态材料，与液态材料相比，光致介电层102的固体性状可以在一定程度上提高厚度均匀性，减低外部压力所造成的厚度变化，进而减低厚度变化对于移相器移相性能的影响，有助于提高移相的准确度。57.继续参考图1-3，移相单元10还包括微带线101和接地电极103，本实施例中，微带线101位于光致介电层102的一侧，接地电极103位于光致介电层102远离微带线101的一侧，微带线101用于传输射频信号，射频信号在微带线101和接地电极103之间传输。具体的，如图1-3所示，光致介电层102与微带线101交叠，微带线101和接地电极103分别位于光致介电层102相对的两侧，射频信号在微带线101和接地电极103之间的光致介电层102中传输，由于光致介电层102介电常数的改变(光致介电层102受到光线的光强或波长等影响后其介电常数发生改变)，微带线101上传输的射频信号会发生移相，从而改变了射频信号的相位，实现射频信号的移相功能。58.其中，可以理解的是，光致介电层102与微带线101交叠，可以是光致介电层102与微带线101部分交叠；也可以是光致介电层102与微带线101重合；还可以是微带线101位于光致介电层102在微带线101所在平面的垂直投影内。还可以理解的是，光致介电层102与微带线101交叠，可以是沿光致介电层102的厚度方向，光致介电层102与微带线101交叠。可选的，当微带线101位于一平面内时，光致介电层102与微带线101交叠，可以是光致介电层102在微带线101所在平面的垂直投影与微带线101交叠。59.继续参考图1-3，移相单元10还包括至少一个导光结构104，导光结构104与光致介电层102至少部分交叠，导光结构104用于将光线传导至光致介电层102中，以改变光致介电层102的介电常数，进而实现对微带线101上传输的射频信号进行移相控制。可以理解的是，导光结构104与光致介电层102可以部分交叠，也可以是导光结构104在光致介电层102所在平面内的垂直投影位于光致介电层102内，进一步可以是沿光致介电层102的厚度方向，光致介电层102与导光结构104交叠，本领域技术人员可根据实际需求对导光结构104的位置进行设置，只要能够将光线传导至光致介电层102即可。60.需要说明的是，移相器可包括一个移相单元10，一个移相单元10包括一个微带线101，移相单元10用于实现微带线101上传输的射频信号的移向功能。在其他实施例中，移相器也可包括多个呈阵列分布的移相单元10，以同时对多个微带线101上传输的射频信号进行移相，图1仅以移相器包括4个移相单元10为例，在其他实施例中，本领域技术人员可根据实际需求对移相单元10的数量和布局进行设置，本发明实施例对此不作限定。61.本发明实施例提供的移相器，通过在微带线101和接地电极103之间设置光致介电层102，并设置至少一个导光结构104将光线导入至光致介电层102，从而通过光线控制光致介电层102的介电常数改变，进而实现控制微带线101上传输的射频信号移相。相比于现有技术中的移相器，本发明实施例提供的移相器通过采用价格相对较低的光致介电层102代替价格昂贵的移相器芯片，实现射频信号移相的同时，结构简单，成本低廉，降低了制造成本，并为大规模商业化提供了更多的可能。进一步地，为了保证移相器的移相性能，移相器的厚度需要尽可能均一，而相比于采用液态材料作为介电常数变化的介质层，采用光致介电层可以保证移相器的厚度均匀，有助于提高移相的准确度。进一步地，本发明提供的移相器，仅仅需要采用光线控制光致介电层的介电常数的变化，相比于采用电控的方式控制介电层的介电常数，无需额外制作提供电位的电极或走线，简化制程以及制备工艺，有助于控制成本。62.继续参考图1-3，可选的，导光结构104位于微带线101远离接地电极103的一侧，和/或，导光结构104位于微带线101靠近接地电极103的一侧。63.其中，导光结构104可位于微带线101远离接地电极103的一侧，或者，导光结构104可位于微带线101靠近接地电极103的一侧，又或者，在微带线101远离接地电极103的一侧以及微带线101靠近接地电极103的一侧均设置有导光结构104，以将光线导入至光致介电层102，从而通过光线控制光致介电层102的介电常数改变，进而实现控制微带线101上传输的射频信号移相，本发明实施例对此不作限定。64.具体的，如图3所示，以导光结构104位于微带线101靠近接地电极103的一侧为例，导光结构104可设置于光致介电层102靠近微带线101的一侧，例如，导光结构104为设置于光致介电层102靠近微带线101一侧的光纤或导光板等，或者，导光结构104也可为设置在光致介电层102靠近微带线101一侧的凹槽，凹槽表面覆盖有不透光材料，以将光线限制在导光结构104中，从而避免光线在导光结构104的传输过程中漏光而大量损耗。65.图4为本发明实施例提供的一种移相器的局部剖面结构示意图，如图4所示，示例性的，导光结构104设置于光致介电层102远离微带线101的一侧，例如，导光结构104为设置于光致介电层102远离微带线101一侧的光纤或导光板等，或者，导光结构104也可为设置在光致介电层102远离微带线101一侧的凹槽，凹槽表面覆盖有不透光材料，以将光线限制在导光结构104中，从而避免光线在导光结构104的传输过程中漏光而大量损耗。66.其中，通过将导光结构104设置于光致介电层102靠近微带线101的一侧，或者将导光结构104设置于光致介电层102远离微带线101的一侧，能够降低移相器的厚度，从而有助于实现小型化的移相器。67.在其他实施例中，导光结构104还可设置于接地电极103远离微带线101的一侧，或者，导光结构104位于微带线101远离接地电极103的一侧，从而降低导光结构104对光致介电层102的厚度的影响，以提高光致介电层102的移相精度，本领域技术人员可根据实际需求进行设置。68.图5为本发明实施例提供的另一种移相器的结构示意图，图6为图5沿b-b’方向的剖面结构示意图，如图5和图6所示，可选的，导光结构104包括光线输出开口1041，光线输出开口1041在微带线101所在平面的垂直投影与微带线101不交叠。69.示例性的，如图6所示，以导光结构104位于微带线101远离接地电极103的一侧为例，导光结构104可额外设置，具体的，在制备移相器时，导光结构104可独立制备，然后将导光结构104直接贴合在微带线101远离接地电极103的一侧，从而将移相器的制备流程进行模块化划分，若导光结构104存在缺陷，可仅替换导光结构104，而不需要将整个移相器废弃，有助于降低生产成本。70.继续参考图5和图6，导光结构104包括光线输出开口1041，可设置光线仅可从光线输出开口1041输出，从而避免光线在导光结构104的传输过程中漏光而大量损耗。例如，如图6所示，导光结构104设置为一个由不透光材料1042包覆的封闭结构，光线在导光结构104中传输时，不透光材料1042会将光线限制在封闭结构中，从而避免光线在导光结构104的传输过程中漏光而大量损耗，在导光结构104的光线输出开口1041处将不透光材料1042去除，从而实现光线从光线输出开口1041处输出。71.需要说明的是，不透光材料1042可以为不透明材料，但并不限于不透明材料，还可以为仅能阻挡光致介电层102能够响应的光线的材料，所谓光致介电层102能够响应的光线可以是当该光线照射至光致介电层102时，光致介电层102的介电常数会发生改变，例如，光致介电层102能够响应的光为蓝光，则不透光材料1042能够阻挡蓝光即可。72.此外，光线输出开口1041在微带线101所在平面的垂直投影与微带线101不交叠，可以理解的是，光线输出开口1041在微带线101所在平面的垂直投影与微带线101不交叠，是指沿微带线101的厚度方向，光线输出开口1041与微带线101不存在交叠区域，从而可避免光线输出开口1041处输出的光线被微带线101遮挡，保证光线能够被导入微带线101和接地电极103之间的光致介电层102中，以实现改变光致介电层102的介电常数，进而实现控制微带线101上传输的射频信号移相。73.示例性的，如图6所示，本发明实施例提供的移相器包括微带线设置区21和非微带线设置区22，沿微带线101的厚度方向，微带线101与微带线设置区21重合，即沿微带线101的厚度方向，微带线设置区21的区域边缘与微带线101的边缘重合，非微带线设置区22覆盖光线输出开口1041，从而避免光线输出开口1041处输出的光线被微带线101遮挡。74.继续参考图5，可选的，沿平行于光致介电层102所在平面的方向，光线输出开口1041包括第一边界10411，第一边界10411为光线输出开口1041靠近微带线101一侧的边界，微带线101包括第二边界1011，第二边界1011为微带线101靠近光线输出开口1041一侧的边界，第一边界10411与第二边界1011之间的最短距离为d1，其中，0＜d1≤2mm。75.其中，如图5所示，若第一边界10411与第二边界1011之间的最短距离d1过大，会使光线输出开口1041与微带线101和接地电极103之间的光致介电层102距离较远，在光线输出开口1041处输出的光线传播至微带线101和接地电极103之间的光致介电层102的过程中会有较大的衰减，降低了光线利用率。本发明实施例通过设置光线输出开口1041的第一边界10411与微带线101的第二边界1011之间的最短距离d1满足0＜d1≤2mm，使得光线输出开口1041距离微带线101和接地电极103之间的光致介电层102较近，有助于提高光线利用率。76.图7为本发明实施例提供的另一种移相器的局部剖面结构示意图，可选的，本发明实施例提供的移相器还包括第一基板31，第一基板31位于微带线101远离接地电极103的一侧，导光结构104位于第一基板31。77.其中，如图7所示，通过在微带线101远离接地电极103的一侧设置第一基板31，可使第一基板31对移相器起到支撑和保护作用，提高移相器的坚固程度。此外，在制备导光结构104时，可以第一基板31作为载体，在第一基板31上制备导光结构104、微带线101和光致介电层102等，以降低移相器的制备难度。78.进一步地，图8为本发明实施例提供的又一种移相器的局部剖面结构示意图，图9为图8在f处的放大结构示意图，如图8和图9所示，可选的，导光结构104包括凹槽1043，可以是，凹槽1043位于第一基板31远离接地电极103的一侧。79.其中，通过在第一基板31远离接地电极103的一侧设置凹槽1043以形成导光结构104，与额外设置导光结构104相比，有助于降低移相器的厚度，以实现小型化的移相器。80.进一步地，继续参考图8和图9，导光结构104还可包括覆盖凹槽1043的不透光材料1042，光线在导光结构104中传输时，不透光材料1042会将光线限制在凹槽1043中，从而避免光线在导光结构104的传输过程中漏光而大量损耗，在导光结构104的光线输出开口1041处将不透光材料1042去除，从而实现光线从光线输出开口1041处输出。81.其中，不透光材料1042可以为不透明材料，例如有机光阻、金属、不透光树脂、石墨或其他反射层等，但并不限于不透明材料，不透光材料1042还可以为仅能阻挡光致介电层102能够响应的光线的材料，所谓光致介电层102能够响应的光线可以是当该光线照射至光致介电层102时，光致介电层102的介电常数会发生改变，例如，光致介电层102能够响应的光为蓝光，则不透光材料1042能够阻挡蓝光即可。82.另外需要说明的是，导光结构104还可以位于第一基板31靠近接地电极103的一侧，本发明的实施例仅为示意作用，并非是对本发明的限定。83.图10为本发明实施例提供的又一种移相器的结构示意图，图11为图10沿c-c’方向的剖面结构示意图，图12为图11在d处的放大结构示意图，图13为图10沿e-e’方向的剖面结构示意图，如图10-13所示，可选的，导光结构104包括光线输出开口1041，本发明实施例提供的移相器还包括第一基板31，第一基板31位于微带线101远离接地电极103的一侧，第一基板31包括第一子基板311和第二子基板312，第二子基板312位于第一子基板311远离接地电极103的一侧，导光结构104包括凹槽1043和金属反射层1044，凹槽1043位于第一子基板311远离接地电极103的一侧，和/或，凹槽1043位于第二子基板312靠近接地电极103的一侧，金属反射层1044覆盖凹槽1043的表面，光线输出开口1041设置于凹槽1043靠近光致介电层102一侧的金属反射层1044上。84.其中，如图10-13所示，第一基板31位于微带线101远离接地电极103的一侧，通过将导光结构104设置在第一基板31中，实现导光结构104位于微带线101远离接地电极103的一侧，从而避免导光结构104对光致介电层102的厚度产生影响，提高光致介电层102的移相精度。并且，将导光结构104设置在第一基板31中，与导光结构104设置于光致介电层102中相比，导光结构104与微带线101之间隔了一层基板，可降低导光结构104中金属反射层1044对微带线101的影响，实现微带线101对射频信号的良好控制。此外，若将导光结构104设置于接地电极103远离微带线101的一侧，需要在接地电极103上设置镂空结构以避免接地电极103对导光结构104引入的光线形成遮挡，因此，本发明实施例中通过将导光结构104设置于微带线101远离接地电极103的一侧，无需在接地电极103上设置镂空结构，可避免接地电极103上镂空结构对射频信号的影响，实现微带线101对射频信号的良好控制。85.具体的，如图10-13所示，第一基板31包括第一子基板311和位于第一子基板311远离接地电极103的一侧的第二子基板312，在第一子基板311远离接地电极103的一侧设置凹槽1043和/或，在第二子基板312靠近接地电极103的一侧设置凹槽1043，并用金属反射层1044覆盖凹槽1043的表面，从而形成导光结构104，其中，金属反射层1044会将导光结构104中的光线进行反射，从而避免光线在导光结构104的传输过程中漏光而大量损耗，在凹槽1043靠近光致介电层102一侧的金属反射层1044上设置镂空结构以形成光线输出开口1041，实现光线从光线输出开口1041处输出，保证光线能够被导入微带线101和接地电极103之间的光致介电层102中，以实现改变光致介电层102的介电常数，进而实现控制微带线101上传输的射频信号移相。86.继续参考图10-13，可选的，设置导光结构104与光致介电层102至少部分交叠，以使导光结构104用于将光线传导至光致介电层102中，以改变光致介电层102的介电常数，进而实现对微带线101上传输的射频信号进行移相控制。可以理解的是，导光结构104与光致介电层102可以部分交叠，也可以是导光结构104在光致介电层102所在平面内的垂直投影位于光致介电层102内，进一步可以是沿光致介电层102的厚度方向，光致介电层102与导光结构104交叠，本领域技术人员可根据实际需求对导光结构104的位置进行设置，只要能够将光线传导至光致介电层102即可。87.继续参考图10-13，可选的，导光结构104位于微带线101远离接地电极103的一侧，和/或，导光结构104位于接地电极103远离微带线101的一侧。88.其中，导光结构104可位于微带线101远离接地电极103的一侧，或者，导光结构104可位于接地电极103远离微带线101的一侧，又或者，在微带线101远离接地电极103的一侧以及接地电极103远离微带线101的一侧均设置有导光结构104，以将光线导入至光致介电层102，从而通过光线控制光致介电层102的介电常数改变，进而实现控制微带线101上传输的射频信号移相，本领域技术人员可根据实际需求灵活设置。89.继续参考图10-13，可选的，导光结构104包括光线输出开口1041，光线输出开口1041在微带线101所在平面的垂直投影与微带线101不交叠。90.示例性的，如图10-13所示，以导光结构104位于微带线101远离接地电极103的一侧为例，导光结构104包括光线输出开口1041，可设置光线仅可从光线输出开口1041输出，从而避免光线在导光结构104的传输过程中漏光而大量损耗。91.继续参考图11，可选的，沿平行于光致介电层102所在平面的方向，光线输出开口1041包括第一边界10411，第一边界10411为光线输出开口1041靠近微带线101一侧的边界，微带线101包括第二边界1011，第二边界1011为微带线101靠近光线输出开口1041一侧的边界，第一边界10411与第二边界1011之间的最短距离为d1，其中，0＜d1≤2mm。92.其中，如图11所示，若第一边界10411与第二边界1011之间的最短距离d1过大，会使光线输出开口1041与微带线101和接地电极103之间的光致介电层102距离较远，在光线输出开口1041处输出的光线传播至微带线101和接地电极103之间的光致介电层102的过程中会有较大的衰减，降低了光线利用率。本发明实施例通过设置光线输出开口1041的第一边界10411与微带线101的第二边界1011之间的最短距离d1满足0＜d1≤2mm，使得光线输出开口1041距离微带线101和接地电极103之间的光致介电层102较近，有助于提高光线利用率。93.继续参考图10-13，可选的，凹槽1043位于第一子基板311远离接地电极103的一侧，凹槽1043包括第一顶面10431和第一侧壁10432，第一顶面10431位于凹槽1043靠近第二子基板312的一侧，金属反射层1044包括第一金属反射层10441和第二金属反射层10442，第一金属反射层10441覆盖第一侧壁10432，第二金属反射层10442覆盖第一顶面10431，光线输出开口1041设置于第一金属反射层10442上。94.具体的，如图10-13所示，以凹槽1043位于第一子基板311远离接地电极103的一侧为例，在制备导光结构104时，在第一子基板311远离接地电极103的一侧设置凹槽1043，凹槽1043包括第一顶面10431和第一侧壁10432，在凹槽1043一侧形成第一金属反射层10441，第一金属反射层10441覆盖第一侧壁10432，对第一金属反射层10441进行刻蚀，形成光线输出开口1041，实现光线从光线输出开口1041处输出，在第二子基板312一侧设置第二金属反射层10442，将第一子基板311与第二子基板312贴合，以使第二金属反射层10442覆盖第一顶面10431，实现在第一基板31中形成导光结构104。其中，通过设置第一基板31包括第一子基板311和第二子基板312，在第一子基板311和第二子基板312之间形成导光结构104，降低了导光结构104的制造难度。95.继续参考图10-13，可选的，凹槽1043位于第一子基板311远离接地电极103的一侧，第一子基板311为柔性基板，凹槽1043通过压印工艺形成。96.具体的，如图10-13所示，以凹槽1043位于第一子基板311远离接地电极103的一侧为例，可设置第一子基板311为柔性基板，从而可以通过压印工艺形成凹槽1043，例如通过纳米压印工艺在第一子基板311上形成凹槽1043，相对于现有技术，不需要进行刻蚀工艺，降低了加工难度。97.其中，可选的，柔性基板的材料包括聚酰亚胺(polyimide，pi)、液晶聚合物(liquid crystal polymer，lcp)、金属等，以使第一子基板311具有成本低，柔性好等特点，例如采用铝薄膜作为柔性基板，本领域技术人员可根据实际需求对第一子基板311的材料进行设置，本发明实施例对此不作限定。98.继续参考图12，可选的，第一顶面10431与第一侧壁10432之间的夹角为θ1，其中，0＜θ1＜90°。99.其中，如图12所示，通过设置第一顶面10431与第一侧壁10432之间的夹角θ1满足0＜θ1＜90°，即第一侧壁10432为斜面，在凹槽1043一侧形成第一金属反射层10441时，使得第一金属反射层10441更加容易覆盖第一侧壁10432，从而提高第一金属反射层10441在第一侧壁10432处沉积的均匀度，改善光线在第一侧壁10432处的漏光现象。100.图14为本发明实施例提供的又一种移相器的局部剖面结构示意图，图15为图14在n处的放大结构示意图，如图10、图14和图15所示，可选的，凹槽1043位于第二子基板312靠近接地电极103的一侧，凹槽1043包括第二顶面10433和第二侧壁10434，第二顶面10433位于凹槽1043靠近第一子基板311的一侧，金属反射层1044包括第一金属反射层10441和第二金属反射层10442，第一金属反射层10441覆盖第二顶面10433，第二金属反射层10442覆盖第二侧壁10434，光线输出开口1041设置于第一金属反射层10441上。101.具体的，如图14和图15所示，以凹槽1043位于第二子基板312靠近接地电极103的一侧为例，在制备导光结构104时，在第二子基板312一侧制备凹槽1043，凹槽1043包括第二顶面10433和第二侧壁10434，在凹槽1043一侧制备第二金属反射层10442，第二金属反射层10442覆盖第二侧壁10434；在第一子基板311一侧设置第一金属反射层10441，对第一金属反射层10441进行刻蚀，形成光线输出开口1041，实现光线从光线输出开口1041处输出，将第一子基板311与第二子基板312贴合，以使第一金属反射层10441覆盖第二顶面10433，实现在第一基板31中形成导光结构104。其中，在对第一金属反射层10441进行刻蚀时，由于第一子基板311上没有设置凹槽1043，第一金属反射层10441位于同一平面中，使得刻蚀工艺更加容易实现，有助于提高刻蚀精度。并且，通过设置第一基板31包括第一子基板311和第二子基板312，在第一子基板311和第二子基板312之间形成导光结构104，降低了导光结构104的制造难度。进一步地，凹槽1043设置在第二子基板312，而微带线101等结构在设置在第一子基板311，避免在同一张基板上做电极层且制作凹槽1043，可以分别在不同的子基板上形成凹槽1043以及微带线101等结构，再将不同的子基板贴合，简化制备工艺，且避免制备的凹槽1043时对微带线101产生影响，而影响移相器的移相功能。102.继续参考图14和图15，可选的，凹槽1043位于第二子基板312靠近接地电极103的一侧，第二子基板312为柔性基板，凹槽1043通过压印形成。103.具体的，如图14和图15所示，以凹槽1043位于第一子基板311靠近接地电极103的一侧为例，可设置第二子基板312为柔性基板，从而可以通过压印工艺形成凹槽1043，例如通过纳米压印工艺在第二子基板312上形成凹槽1043，相对于现有技术，不需要进行刻蚀工艺，降低了加工难度。104.其中，可选的，柔性基板的材料包括聚酰亚胺(polyimide，pi)、液晶聚合物(liquid crystal polymer，lcp)、金属等，以使第二子基板312具有成本低，柔性好等特点，例如采用铝薄膜作为柔性基板，本领域技术人员可根据实际需求对第二子基板312的材料进行设置，本发明实施例对此不作限定。105.继续参考图15，可选的，第二顶面10433与第二侧壁10434之间的夹角为θ2，其中，0＜θ2＜90°。106.其中，如图15所示，通过设置第二顶面10433与第二侧壁10434之间的夹角θ2满足0＜θ2＜90°，即第二侧壁10434为斜面，在凹槽1043一侧形成第二金属反射层10442时，使得第二金属反射层10442更加容易覆盖第二侧壁10434，从而提高第二金属反射层10442在第二侧壁10434处沉积的均匀度，改善光线在第二侧壁10434处的漏光现象。107.需要注意的是，凹槽1043的形状可根据实际需求进行任意设置，示例性的，如图11-15所示，凹槽1043的截面可以为梯形，或者，图16为本发明实施例提供的又一种移相器的局部剖面结构示意图，图17为图16在g处的放大结构示意图，示例性的，如图16和图17所示，凹槽1043的截面也可以为三角形，在其他实施例中，凹槽1043的截面也可为矩形等，本发明实施例对此不作限定。108.继续参考图14-15，可选的，设置导光结构104与光致介电层102至少部分交叠，以使导光结构104用于将光线传导至光致介电层102中，以改变光致介电层102的介电常数，进而实现对微带线101上传输的射频信号进行移相控制。可以理解的是，导光结构104与光致介电层102可以部分交叠，也可以是导光结构104在光致介电层102所在平面内的垂直投影位于光致介电层102内，进一步可以是沿光致介电层102的厚度方向，光致介电层102与导光结构104交叠，本领域技术人员可根据实际需求对导光结构104的位置进行设置，只要能够将光线传导至光致介电层102即可。109.继续参考图14-15，可选的，导光结构104位于微带线101远离接地电极103的一侧，和/或，导光结构104位于接地电极103远离微带线101的一侧。110.其中，导光结构104可位于微带线101远离接地电极103的一侧，或者，导光结构104可位于接地电极103远离微带线101的一侧，又或者，在微带线101远离接地电极103的一侧以及接地电极103远离微带线101的一侧均设置有导光结构104，以将光线导入至光致介电层102，从而通过光线控制光致介电层102的介电常数改变，进而实现控制微带线101上传输的射频信号移相，本领域技术人员可根据实际需求灵活设置。111.继续参考图14-15，可选的，导光结构104包括光线输出开口1041，光线输出开口1041在微带线101所在平面的垂直投影与微带线101不交叠。112.示例性的，如图14-15所示，以导光结构104位于微带线101远离接地电极103的一侧为例，导光结构104包括光线输出开口1041，可设置光线仅可从光线输出开口1041输出，从而避免光线在导光结构104的传输过程中漏光而大量损耗。113.继续参考图14，可选的，沿平行于光致介电层102所在平面的方向，光线输出开口1041包括第一边界10411，第一边界10411为光线输出开口1041靠近微带线101一侧的边界，微带线101包括第二边界1011，第二边界1011为微带线101靠近光线输出开口1041一侧的边界，第一边界10411与第二边界1011之间的最短距离为d1，其中，0＜d1≤2mm。114.其中，如图14所示，若第一边界10411与第二边界1011之间的最短距离d1过大，会使光线输出开口1041与微带线101和接地电极103之间的光致介电层102距离较远，在光线输出开口1041处输出的光线传播至微带线101和接地电极103之间的光致介电层102的过程中会有较大的衰减，降低了光线利用率。本发明实施例通过设置光线输出开口1041的第一边界10411与微带线101的第二边界1011之间的最短距离d1满足0＜d1≤2mm，使得光线输出开口1041距离微带线101和接地电极103之间的光致介电层102较近，有助于提高光线利用率。115.图18为本发明实施例提供的又一种移相器的局部剖面结构示意图，图19为图18在i处的放大结构示意图，如图18和图19所示，可选的，导光结构104包括光线输出开口1041，本发明实施例提供的移相器还包括第一基板31，第一基板31位于微带线101远离接地电极103的一侧。第一基板31包括第一子基板311、第二子基板312和第三子基板313，第三子基板313位于第一子基板311远离接地电极103的一侧，第二子基板312位于第三子基板313远离第一子基板311的一侧。第三子基板313包括第一镂空部3131，第一镂空部3131靠近第一子基板311的一侧设置有第三金属反射层10443，第一镂空部3131靠近第二子基板312的一侧设置有第四金属反射层10444，光线输出开口1041设置于第三金属反射层10443上。116.具体的，如图18和图19所示，第一基板31包括第一子基板311、第二子基板312和第三子基板313，在制备导光结构104时，在第二子基板312一侧制备第四金属反射层10444，将第三子基板313设置于第四金属反射层10444远离第二子基板312的一侧，对第三子基板313进行刻蚀，形成第一镂空部3131，在第一子基板311一侧制备第三金属反射层10443，对第三金属反射层10443进行刻蚀，形成光线输出开口1041，将第一子基板311与第三子基板313贴合，以使第三金属反射层10443贴附于第三子基板313，实现在第一基板31中形成导光结构104。其中，本实施例中，无需在第一子基板311上设置凹槽结构，因此，在对第三金属反射层10443进行刻蚀以形成光线输出开口1041时，由于第一子基板311上未设置凹槽结构，第一子基板311上设置的第一金属反射层10441为平面，与在第一子基板311上设置有凹槽1043的方案相比，平面刻蚀工艺更加容易实现，有助于提高刻蚀精度。并且，通过设置第一基板31包括第一子基板311、第二子基板312和第三子基板313，在第一子基板311和第二子基板312之间的第三子基板313上形成导光结构104，降低了导光结构104的制造难度。117.基于以上实施例，图20为本发明实施例提供的又一种移相器的局部剖面结构示意图，如图20所示，可选的，第一镂空部3131的侧壁设置有阻光层41。118.具体的，如图20所示，通过在第一镂空部3131的侧壁设置阻光层41，使得光线在导光结构104的传输过程中不会由第一镂空部3131的侧壁处漏光而大量损耗，有助于提高光线利用率。其中，阻光层41的材料可包括金属或阻光颜料等，当第一镂空部3131的侧壁设置阻光层41时，第三子基板313可采用透明材料，从而使得第三子基板313的材料具有更多的选择，例如，第三子基板313采用光学透明胶(optic clear，oc)，并在第一镂空部3131的侧壁涂覆黑色颜料，本领域技术人员可根据实际需求进行设置，本发明实施例对此不作限定。119.继续参考图19，可选的，第三子基板313的材料为不透明材料。120.具体的，如图19所示，通过设置第三子基板313的材料为不透明材料，可使光线在导光结构104的传输过程中不会由第三子基板313中第一镂空部3131的侧壁处漏光而大量损耗，有助于提高光线利用率，该方案无需在第一镂空部3131的侧壁设置阻光层41，简化了制备工艺，降低了制备难度。其中，第三子基板313可采用任意不透明材料，例如有机光阻、金属、不透光树脂以及石墨等，本发明实施例对此不作限定。121.需要说明的是，不透明材料可以为黑色材料，但并不限于黑色材料，还可以为仅能阻挡光致介电层102能够响应的光线的材料，所谓光致介电层102能够响应的光线可以是当该光线照射至光致介电层102时，光致介电层102的介电常数会发生改变，例如，光致介电层102能够响应的光为蓝光，则不透明材料能够阻挡蓝光即可。122.在上述实施例的基础上，继续参考图2、图10和图14，可选的，导光结构104在微带线101所在平面的垂直投影与微带线101不交叠。123.具体的，如图2、图10和图14所示，设置导光结构104在微带线101所在平面的垂直投影与微带线101不交叠，可以理解的是，导光结构104在微带线101所在平面的垂直投影与微带线101不交叠，是指沿微带线101的厚度方向，导光结构104与微带线101不存在交叠区域。其中，通过设置导光结构104在微带线101所在平面的垂直投影与微带线101不交叠，在避免导光结构104输出的光线被微带线101遮挡的同时，还可降低导光结构104对光致介电层102中传输射频信号的影响。124.示例性的，如图2-4所示，以导光结构104位于微带线101靠近接地电极103的一侧为例，设置导光结构104在微带线101所在平面的垂直投影与微带线101不交叠，使得导光结构104不会影响微带线101和接地电极103之间的光致介电层102的厚度，从而降低导光结构104对微带线101上传输的射频信号的影响，以保证光致介电层102对射频信号的移相精度。125.在其他实施例中，如图10-17所示，以导光结构104位于微带线101远离接地电极103的一侧为例，导光结构104包括凹槽1043和覆盖凹槽1043的表面金属反射层1044，设置导光结构104在微带线101所在平面的垂直投影与微带线101不交叠，降低导光结构104中的金属反射层1044对微带线101的影响，从而降低导光结构104对微带线101上传输的射频信号的影响。同时，由于沿微带线101的厚度方向，导光结构104与微带线101不交叠，在导光结构104的任意位置处设置光线输出开口1041，由光线输出开口1041输出的光线均不会被微带线101遮挡，保证光线能够被导入微带线101和接地电极103之间的光致介电层102中，以实现改变光致介电层102的介电常数，进而实现控制微带线101上传输的射频信号移相。126.需要注意的是，设置导光结构104在微带线101所在平面的垂直投影与微带线101不交叠，与导光结构104所处的膜层结构无关，导光结构104可位于微带线101远离接地电极103的一侧，和/或，导光结构104位于微带线101靠近接地电极103的一侧。示例性的，如图18所示，本发明实施例提供的移相器包括微带线设置区21和非微带线设置区22，沿微带线101的厚度方向，微带线101与微带线设置区21重合，即沿微带线101的厚度方向，微带线设置区21的区域边缘与微带线101的边缘重合，导光结构104位于非微带线设置区22内，从而实现导光结构104输出的光线不被微带线101所遮挡的同时，保证光致介电层102对射频信号的移相效果。127.需要说明的是，上述实施例仅为示例，在其他实施例中，也可设置导光结构104在微带线101所在平面的垂直投影与微带线101交叠(如图5所示)，本领域技术人员可根据实际需求进行设置，本发明实施例对此不作限定。128.在上述实施例的基础上，图21为本发明实施例提供的又一种移相器的结构示意图,图22为图21沿j-j’方向的剖面结构示意图,如图21和图22所示，可选的，本发明实施例提供的移相器还包括间隔结构42，间隔结构42位于微带线101和接地电极103之间，且间隔结构42位于移相单元10之间。129.其中，如图21和图22所示，由于光致介电层102的介电常数受光线的影响而改变，且射频信号的相位受光致介电层102的介电常数的影响而改变，因此，通过控制光线即可实现相位的调节。本发明实施例提供的移相器在移相单元10之间设置间隔结构42，间隔结构42用于遮挡光线，使得不同移相单元10中的光线能够被间隔结构42隔绝，从而降低不同移相单元10中光线之间的串扰，进而提高相位调节的准确度。此外，如图21和图22所示，间隔结构42还可在接地电极103和第一基板31之间起到支撑作用，降低移相器中各位置处接地电极103和第一基板31之间距离的差异，提高光致介电层102厚度的均一性，进一步提高相位调节的准确度。130.需要注意的是，本领域技术人员可对间隔结构42的设置位置进行任意设置，只要能够降低不同移相单元10中光线之间的相互影响即可，本发明实施例对此不作限定。131.示例性的，如图21和图22所示，间隔结构42可设置在两个不同的移相单元10之间，以降低这两个移相单元10中光线之间的相互影响，进而提高相位的调节的精度。在其他实施例中，也可每隔一个或多个移相单元10设置一个间隔结构42，本发明实施例对此不作限定。132.在上述实施例的基础上，图23为本发明实施例提供的再一种移相器的结构示意图，如图23所示，示例性的，由于相邻的移相单元10之间的距离较近，相邻移相单元10中光线之间的相互影响程度较大，因此，可将间隔结构42可设置在任意相邻的两个移相单元10之间，以降低相邻移相单元10中光线之间的相互影响，进一步提高相位的调节的精度。133.图24为本发明实施例提供的又一种移相器的结构示意图，如图24所示，示例性的，还可将间隔结构42围绕移相单元10设置，降低不同移相单元10中光线之间的相互影响的同时，还可降低外界环境光对移相单元10中光线的干扰，从而进一步提高相位的调节的精度。134.在其他实施例中，本领域技术人员也可将间隔结构42设置在微带线101和接地电极103之间，或者，导光结构104和接地电极103之间的任意一层或多层膜层中，只要能够对不同移相单元10中的光线形成遮挡效果即可。135.需要注意的是，间隔结构42可采用任意的不透明材料，本领域技术人员可根据实际需求对间隔结构42的材料进行设置，本发明实施例对此不作限定。136.图25为本发明实施例提供的又一种移相器的局部剖面结构示意图，如图25所示，可选的，本发明实施例提供的移相器还包括第二基板32，第二基板32位于接地电极103远离微带线101的一侧。137.其中，如图25所示，以导光结构104位于微带线101靠近接地电极103的一侧为例，通过在接地电极103远离微带线101的一侧设置第二基板32，可使第二基板32对移相器起到支撑和保护作用，提高移相器的坚固程度。此外，在制备导光结构104时，可以第二基板32作为载体，在第二基板32上制备接地电极103、光致介电层102和微带线101等，以降低移相器的制备难度。138.需要说明的是，上述实施例仅为示例，在实施例中，本领域技术人员可根据实际需求对导光结构104的位置进行设置，例如，导光结构104还可位于微带线101远离接地电极103的一侧，或者，在微带线101远离接地电极103的一侧以及微带线101靠近接地电极103的一侧均设置有导光结构104，以将光线导入至光致介电层102，从而通过光线控制光致介电层102的介电常数改变，进而实现控制微带线101上传输的射频信号移相，本发明实施例对此不作限定。139.示例性的，以导光结构104位于微带线101靠近接地电极103的一侧为例，如图25所示，导光结构104可设置于光致介电层102远离微带线101的一侧，例如，导光结构104为设置于光致介电层102远离微带线101一侧的光纤或导光板等；或者，图26为本发明实施例提供的再一种移相器的局部剖面结构示意图，如图26所示，导光结构104还可设置于光致介电层102靠近微带线101的一侧，例如，导光结构104为设置于光致介电层102靠近微带线101一侧的光纤或导光板等，本发明实施例对此不作限定。140.在上述实施例的基础上，图27为本发明实施例提供的又一种移相器的局部剖面结构示意图，如图27所示，以导光结构104位于微带线101远离接地电极103的一侧为例，通过在接地电极103远离微带线101的一侧设置第二基板32，可使第二基板32对移相器起到支撑和保护作用，提高移相器的坚固程度。并且，在制备导光结构104时，可以第一基板31作为载体，在第一基板31上制备微带线101和光致介电层102，以第二基板32作为载体，在第二基板32上制备接地电极103，再将第一基板31和第二基板32进行贴合，形成移相器，从而进一步降低移相器的制备难度。141.继续参考图3-26，可选的，光致介电层102的厚度为h1，其中，0＜h1≤1mm。142.其中，如图3-26所示，若光致介电层102的厚度h1过大，会增加微带线101传输的射频信号在光致介电层102中的损耗，因此，本发明实施例通过设置光致介电层102的厚度h1满足0＜h1≤1mm，有助于降低射频信号在光致介电层102中的损耗，提高射频信号的传输效率。143.继续参考图27，可选的，第一基板31的厚度为h2，第二基板32的厚度为h3，其中，0＜h2≤2mm，0＜h3≤2mm。144.其中，如图27所示，若第一基板31的厚度h2过大，会增加移相器的体积，因此，通过设置第一基板31的厚度h2满足0＜h2≤2mm，有助于降低移相器的体积，以实现小型化的移相器。同理，若第二基板32的厚度h3过大，会增加移相器的体积，因此，通过设置第二基板32的厚度h3满足0＜h3≤2mm，有助于降低移相器的体积，以实现小型化的移相器。145.可选的，微带线101上传输的射频信号为高频信号，例如射频信号为频率大于等于1ghz的高频信号的。可以理解的是，射频信号包括但不限于上述示例。146.需要注意的是，本领域技术人员可根据实际需求对微带线101的形状进行任意设置，例如，如图10所示，微带线101的形状可以为蛇形，或者，图28为本发明实施例提供的又一种移相器的结构示意图，如图28所示，，微带线101的形状还可以为w形，在其他实施例中，微带线101的形状还可以为u形、螺旋形、梳齿状、回字形等，本发明实施例对此不作限定。147.需要说明的是，光致介电层102可整层设置，也可分开设置。148.示例性的，继续参考图1，以移相器包括四个移相单元10为例，光致介电层102整层设置，在制备移相器时，只需制备整层光致介电层102即可，无需对光致介电层102进行图案化，降低了移相器的制备难度。149.图29为本发明实施例提供的又一种移相器的结构示意图，图30为图29沿k-k’方向的剖面结构示意图，如图29和图30所示，示例性的，光致介电层102还可仅设置在微带线101所在区域，从而减少光致介电层102的材料，有助于降低移相器的成本。150.上述实施例仅为示例，在其他实施例中，本领域技术人员可根据实际需求对光致介电层102的位置进行设置，只要保证光致介电层102与微带线101至少部分交叠即可。151.图31为本发明实施例提供的又一种移相器的局部剖面结构示意图，如图31所示，可选的，本发明实施例提供的移相器还包括衬底基板33，衬底基板33位于微带线101和接地电极103之间，衬底基板33可起到支撑移相器的作用。并且，在制备移相器时，可在衬底基板33的一侧制备接地电极103，在衬底基板33的另一侧制备光致介电层102和微带线101，从而降低移相器的制备难度。152.图32为本发明实施例提供的又一种移相器的结构示意图，图33为图32沿l-l’方向的剖面结构示意图，如图32和图33所示，可选的，本发明实施例提供的移相器还包括衬底基板33，该衬底基板33与光致介电层102同层设置。具体的，如图32和图33所示，衬底基板33包括第四镂空部331，光致介电层102位于第四镂空部331内，以实现衬底基板33与光致介电层102同层设置。其中，衬底基板33可起到支撑移相器的作用，通过将衬底基板33与光致介电层102同层设置，有助于降低移相器的厚度，进而有助于实现小型化的移相器。153.基于同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种天线，该天线包括本发明任意实施例所述的移相器，因此，本发明实施例提供的天线具有上述任一实施例中的技术方案所具有的技术效果，与上述实施例相同或相应的结构以及术语的解释在此不再赘述。154.图34为本发明实施例提供的一种天线的结构示意图，图35为图31沿m-m’方向的剖面结构示意图，如图34和图35所示，可选的，本发明实施例提供的天线还包括光源50，光源50用于发射光线，光源50包括至少一个子光源组501，子光源组501与移相单元10对应，子光源组501包括至少一个子光源5011，子光源5011与导光结构104对应，导光结构104包括光线输入开口1045，子光源5011设置于对应的导光结构104的光线输入开口1045处。155.具体的，如图34和图35所示，天线包括光源50，光源50用于发射光线，导光结构104引导光源50发射的光线，以将光源50发射的光线引入至光致介电层102中，通过控制光源50发射的光线的光强或波长控制光致介电层102的介电常数改变，对微带线101上的传输的射频信号进行移相，进而实现射频信号的移相功能。156.继续参考图34和图35，光源50包括至少一个子光源组501，子光源组501与移相单元10对应设置，子光源组501包括至少一个子光源5011，子光源5011与导光结构104对应设置，其中，子光源组501和子光源5011的数量可根据实际需求进行设置，例如，如图34所示，以天线包括4个移相单元10，每个移相单元10包括2个导光结构104为例，子光源组501与移相单元10一一对应设置，子光源5011与导光结构104一一对应设置，本发明实施例对此不作限定。157.继续参考图34和图35，导光结构104包括光线输入开口1045，子光源5011设置于对应的导光结构104的光线输入开口1045处，以实现将子光源5011发射的光线导入导光结构104中。158.需要注意的是，图34和图35所示的天线仅以子光源5011设置在天线的侧面为例，在其他实施例中，子光源5011可以设置在微带线101背离光致介电层102的一侧，也可以设置在接地电极103背离光致介电层102的一侧，本领域技术人员可根据实际需求对子光源5011的位置进行设置。159.继续参考图34和图35，可选的，光源50还包括光源控制模块502，子光源5011均与光源控制模块502连接，光源控制模块502用于对子光源5011的亮度进行独立控制。160.具体的，如图34和图35所示，光源控制模块502用于控制光源50发射的光线的亮度，从而控制导入移相单元10中光致介电层102的光线的光强，以控制光致介电层102的介电常数改变，对微带线101上的传输的射频信号进行移相，进而实现射频信号的移相功能。其中，光源控制模块502分别对子光源5011的亮度进行独立控制，从而可分别对每个移相单元10中射频信号的相位进行不同的调整，实现所需的移相功能。161.需要注意的是，本领域技术人员可根据实际需求对光源50进行任意设置，例如光源50采用led灯条等，本发明实施例对此不作限定。162.图36为本发明实施例提供的一种天线的局部剖面结构示意图，如图34和图36所示，可选的，本发明实施例提供的天线还包括辐射电极60，接地电极103与辐射电极60至少部分交叠。163.具体的，如图34和图36所示，辐射电极60与接地电极103至少部分交叠，通过控制光线的光强或波长控制光致介电层102的介电常数改变，对微带线101上的传输的射频信号进行移相后通过辐射电极60实现向外辐射信号。164.需要注意的是，辐射电极60与接地电极103至少部分交叠，可以是辐射电极60与接地电极103部分交叠，也可以是辐射电极60位于接地电极103的投影内。可以理解的是，辐射电极60与接地电极103至少部分交叠，可以是沿接地电极103的厚度方向，辐射电极60与接地电极103至少部分交叠，或者，辐射电极60在接地电极103所在平面的垂直投影与接地电极103至少部分交叠。165.继续参考图34和图36，可选的，导光结构104与光致介电层102至少部分交叠，导光结构104用于将光线传导至光致介电层102中，以改变光致介电层102的介电常数，进而实现对微带线101上传输的射频信号进行移相控制。可以理解的是，导光结构104与光致介电层102可以部分交叠，也可以是导光结构104在光致介电层102所在平面内的垂直投影位于光致介电层102内，进一步可以是沿光致介电层102的厚度方向，光致介电层102与导光结构104交叠，本领域技术人员可根据实际需求对导光结构104的位置进行设置，只要能够将光线传导至光致介电层102即可。166.继续参考图34和图36，可选的，本发明实施例提供的天线中移相器还包括第一基板31，第一基板31位于微带线101远离接地电极103的一侧，第一基板31包括第一子基板311和第二子基板312，第二子基板312位于第一子基板311远离接地电极103的一侧，导光结构104位于第一子基板311远离接地电极103的一侧。其中，如图34和图36所示，通过将导光结构104设置在第一基板31中，实现导光结构104位于微带线101远离接地电极103的一侧，从而避免导光结构104对光致介电层102的厚度产生影响，提高光致介电层102的移相精度。167.需要说明的是，图34和图36所示的天线仅以导光结构104位于第一子基板311远离接地电极103的一侧为例，在其他实施例中，导光结构104也可位于第二子基板312靠近接地电极103的一侧，本领域技术人员可根据实际需求对导光结构104的位置进行设置。继续参考图36，可选的，移相器还包括第二基板32，第二基板32位于接地电极103远离微带线101的一侧，辐射电极60位于第二基板32远离微带线的101的一侧，接地电极103包括第二镂空部1031，辐射电极60在接地电极103所在平面的垂直投影覆盖第二镂空部1031。168.具体的，如图36所示，接地电极103设置有第二镂空部1031，辐射电极60在接地电极103所在平面的垂直投影覆盖第二镂空部1031，射频信号在微带线101与接地电极103之间传输，微带线101与接地电极103之间的光致介电层102受到光线的影响后其介电常数发生改变，对射频信号进行移相，以改变射频信号的相位，移相后的射频信号在接地电极103的第二镂空部1031处耦合到辐射电极60，辐射电极60向外辐射信号。169.需要说明的是，辐射电极60与移相单元10对应设置，例如，辐射电极60与移相单元10一一对应设置，不同移相单元10所对应的辐射电极60之间相互绝缘设置。170.图37为本发明实施例提供的另一种天线的局部剖面结构示意图，如图37所示，可选的，第二基板32包括第四子基板321和第五子基板322，第四子基板321位于第五子基板322远离微带线101的一侧，辐射电极60位于第四子基板321远离第五子基板322的一侧，接地电极103位于第五子基板322远离第四子基板321的一侧。171.具体的，如图37所示，第二基板32包括第四子基板321和第五子基板322，在制备天线时，可在第四子基板321的一侧制备辐射电极60，在第五子基板322的一侧制备接地电极103，再将第四子基板321与第五子基板322贴合，实现辐射电极60和接地电极103分别位于第二基板32的两侧，与第二基板32为单层基板相比，通过设置第二基板32包括第四子基板321和第五子基板322，在制备天线时，无需在第二基板32上进行双面刻蚀工艺来形成辐射电极60和接地电极103，可降低天线的制造难度，有助于降低天线成本。172.继续参考图34-37，可选的，移相器还包括第二基板32，第二基板32位于接地电极103远离微带线101的一侧；天线还包括馈电网络61，馈电网络61位于第二基板32远离微带线101的一侧，接地电极103包括第三镂空部1032，馈电网络61在接地电极103所在平面的垂直投影覆盖第三镂空部1032。173.如图34-37所示，馈电网络61用于将射频信号传输至各个移相单元10，其中，馈电网络61可呈树枝状分布且包括多个分支，一个分支为一个移相单元10提供射频信号。具体的，馈电网络61位于第二基板32远离微带线101的一侧，接地电极103包括第三镂空部1032，馈电网络61在接地电极103所在平面的垂直投影覆盖第三镂空部1032，馈电网络61传输的射频信号在接地电极103的第三镂空部1032处耦合到微带线101上，光致介电层102受到光线的影响后其介电常数发生改变，实现对微带线101上的射频信号进行移相。174.图38为本发明实施例提供的又一种天线的局部剖面结构示意图，如图34和38所示，可选的，本发明实施例提供的天线还包括馈电网络61，馈电网络61与微带线101同层设置，且馈电网络61与微带线101连接。175.其中，如图34和38所示，通过设置馈电网络61与微带线101同层设置，且馈电网络61直接与微带线101电连接，相比于馈电网络61传输的射频信号通过光致介电层102耦合至微带线101，本技术方案中馈电网络61直接将射频信号传输至微带线101，无需耦合，可以避免因为耦合造成射频信号损耗的问题，从而降低天线的插入损耗，提高天线性能。176.继续参考图36和图37，可选的，天线还包括射频信号接口63和焊盘64。射频信号接口63一端与馈电网络61连接，并通过焊盘64固定，射频信号接口63的另一端用于连接高频接头等外部电路。177.基于同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种移相器的制备方法，用于制备上述任一实施例提供的移相器，与上述实施例相同或相应的结构以及术语的解释在此不再赘述，图39为本发明实施例提供的移相器的制备方法的流程示意图，如图39所示，该方法包括如下步骤：178.步骤110、提供光致介电层。179.其中，光致介电层的介电常数会根据光线的不同而发生改变，例如可以通过控制光线的光强以控制光致介电层的介电常数发生改变；也可以通过控制光线的波长以控制光致介电层的介电常数变化，本实施例对此不作限定，只要可以改变光致介电层的介电常数即可。180.需要说明的是，本发明实施例不对光致介电层的材料进行限定，本领域技术人员可以根据实际情况进行选择，只要可以通过光致介电层对微带线上传输的射频信号进行移相，改变射频信号的相位即可。示例性的，光致介电层的材料可以包括液晶、偶氮染料或偶氮聚合物等。181.步骤120、在所述光致介电层一侧制备微带线，在所述光致介电层远离所述微带线的一侧制备接地电极，并制备至少一个导光结构，以形成至少一个移相单元，其中，所述导光结构与所述光致介电层至少部分交叠。182.其中，在光致介电层一侧制备微带线，在光致介电层远离微带线的一侧制备接地电极，微带线用于传输射频信号，以使射频信号能够在微带线和接地电极之间的光致介电层中传输，由于光致介电层介电常数的改变(光致介电层受到光线的光强或波长等影响后其介电常数发生改变)，微带线上传输的射频信号会发生移相，从而改变了射频信号的相位，实现射频信号的移相功能。183.并且，通过制备至少一个导光结构，且导光结构与光致介电层至少部分交叠，将光线传导至光致介电层中，以实现改变光致介电层的介电常数，进而实现对微带线上传输的射频信号进行移相控制。184.可选的，在制备至少一个导光结构之前，还包括：185.提供第一基板，所述第一基板包括第一子基板和第二子基板；186.制备至少一个导光结构，包括：187.在所述第一子基板一侧制备凹槽，在所述凹槽一侧制备第一金属反射层；188.对所述第一金属反射层进行刻蚀，形成光线输出开口；189.在所述第二子基板一侧制备第二金属反射层；190.将所述第一子基板与所述第二子基板贴合，以在所述第一基板中形成所述导光结构。191.具体的，在第一子基板一侧制备凹槽，凹槽包括第一顶面和第一侧壁，在凹槽一侧形成第一金属反射层，第一金属反射层覆盖第一侧壁，对第一金属反射层进行刻蚀，形成光线输出开口，实现光线从光线输出开口处输出，在第二子基板一侧制备第二金属反射层，将第一子基板与第二子基板贴合，以使第二金属反射层覆盖第一顶面，实现在第一基板中形成导光结构。其中，通过设置第一基板包括第一子基板和第二子基板，在第一子基板和第二子基板之间形成导光结构，降低了导光结构的制造难度。192.可选的，在制备至少一个导光结构之前，还包括：193.提供第一基板，所述第一基板包括第一子基板和第二子基板；194.制备至少一个导光结构，包括：195.在所述第一子基板一侧制备第一金属反射层；196.对所述第一金属反射层进行刻蚀，形成光线输出开口；197.在所述第二子基板一侧制备凹槽，在所述凹槽一侧制备第二金属反射层；198.将所述第一子基板与所述第二子基板贴合，以在所述第一基板中形成导光结构。199.具体的，在第二子基板一侧制备凹槽，凹槽包括第二顶面和第二侧壁，在凹槽一侧制备第二金属反射层，第二金属反射层覆盖第二侧壁；在第一子基板一侧设置第一金属反射层，对第一金属反射层进行刻蚀，形成光线输出开口，实现光线从光线输出开口处输出，将第一子基板与第二子基板贴合，以使第一金属反射层覆盖第二顶面，实现在第一基板中形成导光结构。其中，在对第一金属反射层进行刻蚀时，由于第一子基板上没有设置凹槽，第一金属反射层位于同一平面中，使得刻蚀工艺更加容易实现，有助于提高刻蚀精度。并且，通过设置第一基板包括第一子基板和第二子基板，在第一子基板和第二子基板之间形成导光结构，降低了导光结构的制造难度。200.注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。









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