一种被动组件基板封装结构及其芯片封装方法与流程

电气元件制品的制造及其应用技术1.本发明属于集成电路制造领域，涉及一种被动组件基板封装结构及其芯片封装方法。背景技术：2.电路板(printed circuit board简称pcb，也称作线路板)通常用于连接并支撑电子元件。基板作为电路板的基本材料，是电子元件封装的重要组成部分，在电路板中批量应用的基板多为1～12层，当嵌于电路板上的芯片i/o增多时，电路板上的基板层数就增多，相应的制作基板的成本就增高，且普通基板的制作工艺是有极限的，目前普通基板的线宽线距通常为50μm，最小只能达到20μm，随着芯片的功能及集成度的提高，普通基板的制作工艺逐渐难以满足芯片的封装需求。3.目前，为了解决基板制程限制的问题及应对高集成度的芯片封装，2.5d和fo扇出型晶圆级先进封装技术被开发出来并被广泛应用，但是这类先进封装技术需要将被动组件放置于基板的外围，增加了封装基板的平面尺寸，且相对于基板的制作来说造价高，制作时间长。4.因此，急需开发一种封装基本的平面尺寸小、制作时间短及制作工艺高的基板制作工艺。技术实现要素：5.鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种封装结构及其天线封装方法，用于解决现有技术中利用普通基板封装的封装基板平面尺寸大、制作基板时间长及制作基板工艺低的问题。6.为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种芯片封装方法，包括以下步骤：7.提供一承载基板，于所述承载基板的一面形成粘附层；8.于所述粘附层背离所述承载基板的一面形成重新布线层，所述重新布线层包括至少一介质层及至少一导电互连层；9.形成第一凹槽及导电柱于所述重新布线层背离所述承载基板的一面，且所述第一凹槽的底部显露出所述导电互连层，所述导电柱与所述导电互连层电连接；10.形成被动组件层于所述重新布线层背离所述承载基板的一面，且所述被动组件层包括至少一被动组件，所述被动组件通过所述第一凹槽与所述导电互连层电连接；11.形成覆盖所述导电柱及所述被动组件层的封装胶层于所述重新布线层背离所述承载基板的一面；12.依次形成凸块下金属层及与所述凸块下金属层电连接的导电凸块于所述封装胶层背离所述承载基板的一面，且所述凸块下金属层与所述导电柱电连接；13.形成第二凹槽于所述重新布线层背离所述封装层的一面以形成被动组件基板层，且所述第二凹槽的底部显露出所述导电互连层；14.切割所述被动组件基板层以得到被动组件基板，并通过所述第二凹槽将所述被动组件基板与芯片的电极电连接。15.可选地，所述导电柱突出于所述重新布线层的高度大于所述被动组件层突出于所述重新布线层的高度。16.可选地，在形成所述封装胶层之后，形成所述凸块下金属层之前，还包括以下步骤：减薄除所述封装胶层背离所述承载基板的一面以显露出所述导电柱，且未显露出所述被动组件层。17.可选地，在减薄所述封装胶层背离所述承载基板的一面，形成所述凸块下金属层之前，还包括以下步骤：形成介电层于所述封装胶层背离所述重新布线层的一面。18.可选地，于形成所述导电凸块之后，将所述重新布线层与所述芯片电连接之前，还包括以下步骤：去除所述粘附层及所述承载基板。19.可选地，切割所述被动组件基板层的方法包括刀片切割及激光切割中的一种。20.可选地，采用倒装焊的方法将单个所述被动组件基板与所述电极电连接。21.本发明还提供了一种被动组件基板封装结构，包括：22.芯片，所述芯片的一面设有电极；23.被动组件基板，所述被动组件基板包括重新布线层、被动组件层、封装胶层、凸块下金属层及导电凸块，所述重新布线层位于所述芯片具有所述电极的一面，所述重新布线层包括至少一介质层及至少一导电互连层，且所述重新布线层背离所述芯片的一面设有与所述导电互连层电连接的导电柱及显露出所述导电互连层的第一凹槽，所述重新布线层面向所述芯片的一面设有显露出所述导电互连层的第二凹槽，所述电极通过所述第二凹槽与所述重新布线层电连接；所述被动组件层位于所述重新布线层背离所述芯片的一面，且所述被动组件层包括至少一个被动组件，所述被动组件通过所述第一凹槽与所述导电互连层电连接；所述封装胶层位于所述重新布线层背离所述芯片的一面并覆盖所述被动组件层及所述导电柱；所述凸块下金属层位于所述封装胶层背离所述芯片的一面，且所述凸块下金属层与所述导电柱电连接，所述导电凸块与所述凸块下金属层电连接。24.可选地，所述导电柱突出于所述重新布线层的高度大于所述被动组件层突出于所述重新布线层的高度。25.可选地，所述封装胶层背离所述重新布线层的一面设有介电层，所述凸块下金属层嵌于所述介电层中。26.如上所述，本发明的一种被动组件基板封装结构及其芯片封装方法将所述重新布线层一面与所述被动组件层及所述导电柱电连接，利用所述封装胶层将所述被动组件层及所述导电柱封装，于所述封装胶层背离所述重新布线层的一面形成与所述导电柱电连接的所述导电突块，并于所述重新布线层背离所述封装胶层的一面形成底部显露出所述导电互连层的第二凹槽以得到被动组件基板，再通过所述第二凹槽与所述芯片的所述电极电连接以实现所述芯片的堆叠封装，实现了直接于基板内高密度集成被动组件，提升了基板的制程工艺，缩短了制作基板的时间，缩小了封装基板的平面尺寸，降低了封装成本，且无需带芯片封装，保证了封装的质量及良率，具有高度产业利用价值。附图说明27.图1显示为本发明的芯片封装方法的流程图。28.图2显示为本发明的芯片封装方法提供的承载基板的剖面结构示意图。29.图3显示为本发明的芯片封装方法中于承载基板一面形成粘附层后所呈现的剖面结构示意图。30.图4显示为本发明的芯片封装方法中形成重新布线层、第一凹槽及导电柱后所呈现的剖面结构示意图。31.图5显示为本发明的芯片封装方法中形成被动组件层后所呈现的剖面结构示意图。32.图6显示为本发明的芯片封装方法中形成封装胶层后所呈现的剖面结构示意图。33.图7显示为本发明的芯片封装方法中减薄封装胶层中背离重新布线层的一面后所呈现的剖面结构示意图。34.图8显示为本发明的芯片封装方法中形成凸块下金属层及导电凸块后所呈现的剖面结构示意图。35.图9显示为本发明的芯片封装方法中去除粘附层及承载基板后所呈现的剖面结构示意图。36.图10显示为本发明的芯片封装方法形成的被动组件基板层的剖面结构示意图。37.图11显示为本发明的芯片封装方法中切割被动组件基板层后得到的被动组件基板的剖面结构示意图。38.图12显示为本发明的芯片封装方法形成的被动组件基板封装结构的剖面结构示意图。39.元件标号说明[0040]1ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ承载基板[0041]11ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ粘附层[0042]12ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ重新布线层[0043]121ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ介质层[0044]122ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ导电互连层[0045]123ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ第一凹槽[0046]124ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ第二凹槽[0047]13ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ导电柱[0048]14ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ被动组件层[0049]141ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ被动组件[0050]15ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ封装胶层[0051]16ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ凸块下金属层[0052]161ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ介电层[0053]17ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ导电凸块[0054]18ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ被动组件基板层[0055]181ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ被动组件基板[0056]19ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ芯片[0057]191ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ电极具体实施方式[0058]以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。[0059]请参阅图1至图12。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。[0060]实施例一[0061]本实施例提供一种芯片封装方法，如图1所示，显示为所述芯片封装方法的流程图，包括以下步骤：[0062]s1：提供一承载基板，于所述承载基板的一面形成粘附层；[0063]s2：于所述粘附层背离所述承载基板的一面形成重新布线层，所述重新布线层包括至少一介质层及至少一导电互连层；[0064]s3：形成第一凹槽及导电柱于所述重新布线层背离所述承载基板的一面，且所述第一凹槽的底部显露出所述导电互连层，所述导电柱与所述导电互连层电连接；[0065]s4：形成被动组件层于所述重新布线层背离所述承载基板的一面，且所述被动组件层包括至少一被动组件，所述被动组件通过所述第一凹槽与所述导电互连层电连接；[0066]s5：形成覆盖所述导电柱及所述被动组件层的封装胶层于所述重新布线层背离所述承载基板的一面；[0067]s6：依次形成凸块下金属层及与所述凸块下金属层电连接的导电凸块于所述封装胶层背离所述承载基板的一面，且所述凸块下金属层与所述导电柱电连接；[0068]s7：形成第二凹槽于所述重新布线层背离所述封装层的一面以形成被动组件基板层，且所述第二凹槽的底部显露出所述导电互连层；[0069]s8：切割所述被动组件基板层以得到被动组件基板，并通过所述第二凹槽将单个所述被动组件基板与芯片的电极电连接。[0070]请参阅图2至图3，执行所述步骤s1：提供一承载基板1，于所述承载基板1的一面形成粘附层11。[0071]具体的，如图2所示，为所述承载基板1的剖面结构示意图，，所述承载基板的形状包括圆形、方形或者其他适合的形状，所述承载基板1的材质包括玻璃、金属、陶瓷及石英中的一种，或者其他适合的材料。本实施例中，采用方形玻璃作为所述承载基板1。[0072]具体的，所述承载基板1用以防止进行后续制作被动组件基板(参见后续图9)时被动组件基板发生破裂、翘曲、断裂等问题。[0073]具体的，如图3所示，形成粘附层11于所述承载基板1的一面，其中，可通过于所述承载基板1上粘贴胶带以得到所述粘附层，也可以于所述承载基板1涂覆聚合物材料并固化以得到所述粘附层。所述粘附层11可以在特定激光照射、紫外光照射或特定温度热处理作用下粘性降低而解离。[0074]再请参阅图4，执行所述步骤s2及所述步骤s3：于所述粘附层11背离所述承载基板1的一面形成重新布线层12，所述重新布线层包括至少一介质层121及至少一导电互连层122；形成第一凹槽123及导电柱13于所述重新布线层12背离所述承载基板1的一面，且所述第一凹槽123的底部显露出所述导电互连层122，所述导电柱13与所述导电互连层122电连接。[0075]具体的，所述介质层121的材质包括环氧树脂、硅胶、pi、pbo、bcb、氧化硅、磷硅玻璃，含氟玻璃中的至少一种，也可以是其他适合的材料。[0076]具体的，形成所述介质层121的方法包括学气相沉积、物理气相沉积、涂布或者其他合适的方法。[0077]具体的，所述导电互连层122的材质包括铜、铝、镍、金、银及钛中的一种，也可以是其他适合的导电材料。[0078]具体的，形成所述导电互连层122的方法包括化学气相沉积、物理气相沉积、溅射、电镀及化学镀中的一种，也可以是其他适合的方法。[0079]具体的，所述介质层121与所述导电互连层122的层数及分布形貌可根据封装芯片的具体情况进行选择，在此不作限制。[0080]具体的，采用光刻蚀或者其他适合的方法形成所述第一凹槽123。[0081]具体的，于所述重新布线层12的背离所述承载基板1的一面形成最后一层所述导电柱13后，于所述导电互连层122上形成与所述导电互连层122电连接的所述导电柱13，或者于形成所述第一凹槽123后，于所述第一凹槽123中形成与所述导电互连层122电连接的所述导电柱13。[0082]具体的，制作所述重新布线层12的工艺制程的线宽线距为1.5/1.5μm。[0083]具体的，所述导电柱13的材质包括铜、铝、镍、金、银及钛中的一种，也可以是其他适合的导电材料。[0084]具体的，形成所述导电柱13的方法包括化学气相沉积、物理气相沉积、溅射、电镀及化学镀中的一种，也可以是其他适合的方法。[0085]再请参阅图5至图7，执行所述步骤s4及所述步骤s5：形成被动组件层14于所述重新布线层12背离所述承载基板1的一面，且所述被动组件层14包括至少一被动组件141，所述被动组件141通过所述第一凹槽123与所述导电互连层122电连接；形成覆盖所述导电柱13及所述被动组件层14的封装胶层15于所述重新布线层12背离所述承载基板1的一面。[0086]具体的，采用表面组装技术或者其他适合的方法将所述被动组件141组装至所述重新布线层12背离所述承载基板1的一面以形成所述被动组件层14。[0087]作为示例，如图5所示，所述导电柱13突出于所述重新布线层12的高度大于所述被动组件层14突出于所述重新布线层12的高度。[0088]具体的，如图6所示，形成所述封装胶层15的方法包括压缩成型、传递模塑成型、液封成型、真空层压及旋涂中的一种，也可以是其他合适的方法。[0089]具体的，所述封装胶层15的材质包括聚酰亚胺、硅胶及环氧树脂中的至少一种，也可以是其他适合的材料。[0090]作为示例，如图7所示，由于所述封装胶层15覆盖所述导电柱13及所述被动组件层14，在形成所述封装胶层15之后，形成所述凸块下金属层(参见后续图8)之前，还包括减薄所述封装胶层15背离所述承载基板1的一面以显露出所述导电柱13的步骤，且减薄所述封装胶层15后未显露出所述被动组件层14。[0091]作为示例，将所述封装胶层15背离所述承载基板1的一面的方法包括化学机械研磨法或者其他适合的方法。[0092]再请参阅图8至图10，执行所述步骤s6及所述步骤s7：依次形成凸块下金属层16及与所述凸块下金属层16电连接的导电凸块17于所述封装胶层15背离所述承载基板1的一面，且所述凸块下金属层16与所述导电柱13电连接；形成第二凹槽124于所述重新布线层12背离所述封装层15的一面以形成被动组件基板18，且所述第二凹槽124的底部显露出所述导电互连层122。[0093]作为示例，如图8所示，在减薄所述封装胶层15背离所述承载基板1的一面后，形成所述凸块下金属层16之前，还包括形成介电层161于所述封装胶层15背离所述重新布线层12的一面的步骤。[0094]具体的，所述介电层161的材质包括环氧树脂、硅胶、pi、pbo、bcb、氧化硅、磷硅玻璃及含氟玻璃中的至少一种，也可以是其他适合的绝缘材料。[0095]具体的，形成所述介电层161的方法包括化学气相沉积、物理气相沉积、涂布或者其他合适的方法。具体的，于所述介电层161中形成显露出所述导电柱13的开口(未图示)，并于所述开口中形成与所述导电柱13电连接的所述凸块下金属层16。[0096]具体的，所述凸块下金属层16的材质包括铜、铝、镍、钛、钨、铜、镍、铬、钒、金、银及钛中的至少一种，也可以是其他适合的导电材料。[0097]具体的，形成所述凸块下金属层16的方法包括化学气相沉积、物理气相沉积、溅射、电镀及化学镀中的一种，也可以是其他适合的方法。[0098]具体的，所述导电凸块17的材质包括铜、铝、镍、金、银、锡及钛中的一种，也可以是其他适合的导电材料。[0099]具体的，形成所述导电突块17的方法包括焊接、焊球粘植或者其他适合的方法[0100]作为示例，如图9所示，于形成所述导电凸块17之后，将所述重新布线层12与所述芯片(参见后续图12)电连接之前，还包括去除所述粘附层11及所述承载基板1的步骤，其中，去除所述粘附层11以剥离所述承载基板1。[0101]具体的，去除所述粘附层11以剥离所述承载基板1的方法包括激光剥离或者其他适合的方法。[0102]具体的，如图10所示，于去除所述粘附层11及所述承载基板1之后，于所述重新布线层12背离所述封装胶层15的一面形成所述第二凹槽124。[0103]具体的，形成所述第二凹槽124的方法包括光刻或者其他适合的方法。[0104]再请参阅图11至图12，执行所述步骤s8：切割所述被动组件基板层18以得到被动组件基板181，并通过所述第二凹槽124将单个所述被动组件基板181与芯片19的电极191电连接。[0105]具体的，如图11所示，切割所述被动组件基板层18的方法包括刀片切割及激光切割中的一种，也可以是其他适合的切割方法。[0106]作为示例，如图12所示，将所述芯片放置于所述重新布线层12背离所述封装胶层15的一面，并将所述电极191与所述第二凹槽124的相应位置对准，采用倒装焊或者其他合适的方法将单个所述被动组件基板18与所述电极191电连接，以实现所述芯片19的封装。[0107]本实施例的芯片封装方法通过制作一所述重新布线层12及与所述重新布线层12电连接的所述导电柱13，将所述被动组件层14与电连接所述导电柱13的所述重新布线层12的一面电连接，形成一所述封装胶层15将所述被动组件层14封装，再形成于所述封装胶层15背离所述重新布线层12的一面依次形成所述凸块下金属层16及所述导电突块17，并于所述重新布线层12背离所述封装胶层15的一面形成显露出所述导电互连层122的所述第二凹槽124以得到所述被动组件基板，并将所述芯片与所述被动组件基板电连接，实现了直接于基板内高密度集成被动组件及芯片的封装，提升了基板的制程工艺，缩短了制作基板的时间，降低了封装成本，且无需带芯片封装，保证了封装的质量及良率。[0108]实施例二[0109]本实施例提供一种被动组件基板封装结构，如图12所示，显示为所述被动组件基板封装结构的剖面结构示意图，包括芯片19及被动组件基板181，其中，所述芯片19的一面设有电极191，所述被动组件基板181包括重新布线层12、被动组件层14、封装胶层15、凸块下金属层16及导电凸块17，所述重新布线层12位于所述芯片19具有所述电极191的一面，所述重新布线层12包括至少一介质层121及至少一导电互连层122，且所述重新布线层12背离所述芯片19的一面设有与所述导电互连层122电连接的导电柱13及显露出所述导电互连层122的第一凹槽123，所述重新布线层12面向所述芯片19的一面设有显露出所述导电互连层122的第二凹槽124，所述电极191通过所述第二凹槽124与所述重新布线层12电连接；所述被动组件层14位于所述重新布线层12背离所述芯片19的一面，且所述被动组件层14包括至少一个被动组件141，所述被动组件141通过所述第一凹槽123与所述导电互连层122电连接，所述封装胶层位于所述重新布线层12背离所述芯片19的一面并15覆盖所述被动组件层14及所述导电柱13，所述凸块下金属层16位于所述封装胶层15背离所述芯片19的一面，且所述凸块下金属层16与所述导电柱13电连接，所述导电凸块17与所述凸块下金属层16电连接。[0110]作为示例，所述导电柱13突出于所述重新布线层12的高度大于所述被动组件层14突出于所述重新布线层12的高度。[0111]作为示例，所述封装胶层15背离所述重新布线层12的一面设有介电层161，所述凸块下金属层16嵌于所述介电层161中。[0112]具体的，所述介电层161用于固定及保护所述凸块下金属层16。[0113]具体的，所述导电凸块17的形状包括柱状及球状中的一种，也可以是其他适合的形状。[0114]具体的，所述被动组件基板封装结构通过将所述被动组件141嵌于所述被动组件基板181内，无需将所述被动组件141放置于基板的外面造成外围面积额外占用现象，从而缩小了平面尺寸，可以有效应用在消费者终端，例如手表、耳机及手机。[0115]本实施例的被动组件基板封装结构通过将所述被动组件层14封装于所述重新布线层12与所述封装胶层15之间以组成被动组件基板181，并利用所述被动组件基板181代替基板，将所述芯片19组装于所述被动组件基板181的设有所述第二凹槽124的一面，实现了被动组件的高密度集成及芯片的封装，且缩小了封装基板的平面尺寸。[0116]综上所述，本发明的被动组件基板封装结构及其芯片封装方法通过制作一重新布线层，将被动组件层与重新布线层的一面电连接，利用封装胶层将被动组件层封装，再于封装胶层背离重新布线层一面形成导电凸块，于重新布线层背离封装胶层一面形成与芯片电连接的第二凹槽结构以得到被动组件基板，并将芯片堆叠封装于被动组件基板设有第二凹槽的一面，实现被动组件的高密度集成及芯片的封装，提升了基板的制程工艺，缩短了制作基板的时间，缩小了封装基板的平面尺寸，节省了封装成本，且制作被动组件基板的过程中无需带芯片封装，保证了封装的质量及良率。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具有高度产业利用价值。[0117]上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。









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