源材料传输系统、EUV辐射系统、光刻设备及其方法与流程

电子电路装置的制造及其应用技术源材料传输系统、euv辐射系统、光刻设备及其方法1.相关申请的交叉引用2.本技术要求于2019年12月20日提交的题为“source material delivery system,euv radiation system,lithographic apparatus,and methods thereof”的美国申请第62/951,913号以及于2020年7月7日提交的题为“source material delivery system,euv radiation system,lithographic apparatus,and methods thereof”的美国申请第63/049,006号的优先权，其全部内容通过引入并入本文。技术领域3.本技术涉及极紫外(“euv”)辐射源及其方法。在一个示例性应用中，euv辐射可以被用作用于制造半导体器件的光刻工艺中的曝光辐射。背景技术：4.光刻设备是将期望图案施加到衬底上、通常施加到衬底的目标部分上的机器。光刻设备可以被用于例如集成电路(ic)的制造中。在这种情况下，图案形成装置(或者被称为掩模或掩模版)可以被用于生成待在ic的单独层上形成的电路图案。该图案可以被转印到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或若干个管芯的一部分)上。图案的转印通常经由成像到衬底上设置的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通常，单个衬底将包含连续图案化的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括：所谓的步进器，其中通过一次将整个图案曝光到目标部分上来照射每个目标部分；以及所谓的扫描仪，其中通过在给定方向(“扫描”方向)上通过辐射束扫描图案同时平行或反平行于该扫描方向扫描目标部分来照射每个目标部分。还可以通过将图案压印到衬底上来将图案从图案形成装置转印到衬底。5.另一光刻系统是干涉光刻系统，其中没有图案形成装置，而是光束被划分为两个束，并且两个束通过使用反射系统而被使得干涉衬底的目标部分。干涉导致在衬底的目标部分处形成线。6.光刻设备通常包括在辐射入射到图案形成装置上之前，调节由辐射源生成的辐射的照射系统。经图案化的euv光束可以被用于在衬底上产生极小的特征。远紫外光(有时也被称为软x射线)通常被定义为波长在约5nm-100nm范围内的电磁辐射。光刻法感兴趣的一个特定波长出现在13.5nm处。7.产生euv光的方法包括但不必限于，将源材料转换为具有在euv范围内的发射线的化学元素的等离子态。这些元素可以包括但不必限于氙、锂和锡。8.在一个通常被称为激光产生等离子体(“lpp”)的这样的方法中，期望的等离子体可以通过利用激光束照射例如以微滴、流或线的形式的源材料来产生。在通常被称为放电产生等离子体(“dpp”)的另一方法中，所需的等离子体可以通过在电极对之间设置具有适当发射线的源材料并且使得电极之间发生放电来生成。9.用于生成微滴的一个技术包括熔化诸如锡的靶材，然后在高压下迫使其通过相对小直径的孔，诸如直径为约0.5μm至约30μm的孔，以产生微滴速度在约30m/s至约150m/s范围内的微滴流。在大多数情况下，在被称为瑞利分裂的过程中，在离开孔的流中自然发生的不稳定性(例如噪声)将导致流分裂成微滴。这些微滴可以具有变化的速度并且可以彼此组合而聚结为较大的微滴。10.然而，对euv系统中微滴形成的有限控制可能导致不稳定的euv生成，这进而可能影响与euv辐射有关的光刻过程的精度。技术实现要素：11.因此，期望改进对分裂/聚结过程的控制，以减小euv生成中的不稳定性，从而改进euv光刻设备中的精度。12.在一些实施例中，系统包括喷嘴、机电元件和波形生成器。喷嘴被配置为通过气体来喷射材料的初始微滴。机电元件被设置在喷嘴上并且被配置为将压力施加在喷嘴上。波形生成器被电耦合到机电元件、并且被配置成生成电信号来控制施加在第一喷嘴上的压力。电信号包括具有第一频率波形的第一周期性波形和具有不同于第一频率的第二频率的第二周期性波形。第二频率与第一频率的比率在大约20-150之间。系统被配置为根据基于第一和第二周期性波形和拖曳力的初始微滴的聚结，来生成经聚结微滴。13.在一些实施例中，光刻设备包括照射系统和投影系统。照射系统包括喷嘴、机电元件和波形生成器。照射系统被配置为照射图案形成装置的图案。喷嘴被配置为通过气体来喷射材料的初始微滴。机电元件被设置在喷嘴上并且被配置为将压力施加在喷嘴上。波形生成器被电耦合到机电元件、并且被配置为生成电信号来控制施加在喷嘴上的压力。电信号包括具有第一频率的第一周期性波形和具有不同于第一频率的第二频率的第二周期性波形。第二频率与第一频率的比率在大约20-150之间。照射系统被配置为根据基于第一和第二周期性波形和拖曳力的初始微滴的聚结，来生成经聚结微滴。14.在一些实施例中，方法包括使用喷嘴来喷射材料的初始微滴；使用机电元件将压力施加在喷嘴上；将气体分配在材料的路径中；使用由波形生成器生成的电信号来控制在喷嘴上施加的压力；以及聚结初始微滴来生成经聚结微滴。电信号包括具有第一频率的第一周期性波形和具有不同于第一频率的第二频率的第二周期性波形，并且第二频率与第一频率的比率在大约20-150之间。聚结基于第一和第二周期性波形和拖曳力。15.在一些实施例中，方法包括使用喷嘴来喷射材料的初始微滴。方法还可以包括使用机电元件将压力施加在喷嘴上。方法还可以包括使用由波形生成器生成的电信号来控制施加在喷嘴上的压力，其中电信号包括第一周期性波形和第二周期性波形。方法还可以包括基于第一和第二周期性波形和拖曳力来聚结初始微滴，以生成经聚结微滴。方法还可以包括使用检测器来生成检测信号，该检测信号对应于经聚结微滴在检测器处的跨越之间的时间间隔。方法还可以包括使用处理器来确定至少时间间隔中的第一时间间隔和第二时间间隔。16.在一些实施例中，一种非暂时性计算机可读介质，其上存储有指令，该指令在处理器上执行时，使得处理器执行操作，操作包括从源材料传输系统的检测器接收检测信号，其中检测信号与经聚结微滴在检测器处的跨越之间的时间间隔相关联。操作还可以包括基于检测信号，确定时间间隔中的至少第一时间间隔和第二时间间隔。17.在一些实施例中，系统包括喷嘴、机电元件、波形生成器、检测器和处理器。喷嘴被配置为喷射材料的初始微滴。机电元件被设置在喷嘴上并且被配置为将压力施加在喷嘴上。波形生成器被电耦合到机电元件，并且被配置为生成电信号来控制施加在喷嘴上的压力。电信号包括第一周期性波形和第二周期性波形。系统被配置为根据基于第一和第二周期性波形的初始微滴的聚结，来生成经聚结微滴。检测器被配置为生成检测信号，该检测信号包括经聚结微滴在检测器处的跨越之间的时间间隔的信息。处理器被配置为确定时间间隔中的至少第一时间间隔和第二时间间隔。18.以下参考附图来详细描述本公开的各种实施例的其它特征。应注意，本发明不限于本文所述的特定实施例。本文中提出的这些实施例仅用于例示的目的。基于本文所包含的教示，相关领域的技术人员将了解附加实施例。附图说明19.并入本文并形成说明书的一部分的附图图示了本公开，并且与说明书一起进一步用于解释本公开的原理，并且使得相关领域的技术人员能够制造和使用本文所述的实施例。20.图1示出了根据一些实施例的反射型光刻设备的示意图。21.图2a、图2b和图3示出了根据一些实施例的反射型光刻设备的更详细示意图。22.图4示出了根据一些实施例的光刻单元的示意图。23.图5示出了根据一些实施例的源材料传输系统的示意图。24.图6示出了根据一些实施例的聚结长度相对于正弦波和方波之间的相对相位的曲线图。25.图7示出了根据一些实施例的最大聚结长度相对于方波的频率与正弦波的频率的比率的曲线图。26.图8示出了根据一些实施例的用于执行源材料传输系统的功能的方法步骤。27.图9示出了根据一些实施例的提供源材料传输系统的聚结长度、跨越间隔和跨越间隔不确定性之间的关系的曲线图。28.图10示出了根据一些实施例的出现跳跃边界所处的正弦波和方波之间的相对相位的值相对于与正弦波的振幅成反比的量的曲线图。29.图11示出了根据一些实施例的用于执行如参考图1-图10所描述的功能的方法步骤。30.图12示出了根据一些实施例的计算机系统。31.从以下结合附图阐述的具体实施方式中，本公开的特征将变得更加明显，在附图中相同的附图标记始终标识对应的元素。在附图中，相同的附图标记通常指示相同、功能类似和/或结构类似的元素。附加地，通常，附图标记的最左边的数字标识附图标记首次出现的附图。除非另有说明，否则在整个公开内容中提供的附图不应被解释为按比例绘制的附图。具体实施方式32.本说明书公开了并入本公开的特征的一个或多个实施例。所公开的(多个)实施例作为示例提供。本公开的范围不限于所公开的(多个)实施例。所要求保护的特征由所附权利要求限定。33.所描述的(多个)实施例以及说明书中对“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”、“示例实施例”等的引用指示所描述的实施例可以包括特定特征、结构或特性，但是每个实施例可以不必包括特定特征、结构或特性。此外，这些短语不一定指代同一实施例。此外，当结合实施例描述特定特征、结构或特性时，应理解，无论是否明确描述，结合其它实施例实现这样的特征、结构或特性在所属领域的技术人员的知识范围内。34.本文可以使用空间上相对的术语，诸如“之下”、“下”、“较低”、“之上”、“上”、“较高”等，以便于描述如图所示的一个元素或特征与另一元素或特征的关系。除了图中所示的取向之外，空间上相对的术语旨在涵盖使用或操作中的装置的不同取向。设备可以以其他方式定向(旋转90度或以其他取向)并且在本文中使用的空间上相对的描述符同样可以相应地解释。35.如本文所使用的术语“大约”指示可以基于特定技术变化的给定量的值。基于特定技术，术语“大约”可以指示在例如值的10-30％(例如值的±10％、±20％或±30％)内变化的给定量的值。36.本发明的实施例可以以硬件、固件、软件或其任何组合来实现。本公开的实施例还可以被实现为机器可读介质上存储的指令，指令可以由一个或多个处理器读取和执行。机器可读介质可以包括用于以机器(例如，计算设备)可读的形式存储或传输信息的任何机制。例如，机器可读介质可以包括只读存储器(rom)；随机存取存储器(ram)；磁盘存储介质；光存储介质；闪存设备；电、光、声或其他形式的传播信号(例如，载波、红外信号、数字信号等)等。此外，固件、软件、例程和/或指令在本文中可以被描述为执行某些动作。然而，应理解，这样的描述仅为方便起见，并且此类动作实际上由执行固件、软件、例程、指令等的计算设备、处理器、控制器或其它设备而产生。37.然而，在更详细地描述这些实施例之前，提供其中可以实现本公开的实施例的示例环境是有益的。38.示例光刻系统39.图1示出了其中可以实现本公开的实施例的光刻设备100的示意图。光刻设备100包括以下各项：照射系统(照射器)il，其被配置为调节辐射束b(例如，深紫外或极紫外辐射)；支撑结构(例如，掩模台)mt，其被配置为支撑图案形成装置(例如，掩模、掩模版或动态图案形成装置)ma并且被连接到第一定位器pm，第一定位器pm被配置为精确地定位图案形成装置ma；以及衬底台(例如，晶片台)wt，其被配置为保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)w并且被连接到第二定位器pw，第二定位器pw被配置为精确地定位衬底w。光刻设备100还具有投影系统ps，其被配置为将由图案形成装置ma赋予辐射束b的图案投影到衬底w的目标部分c(例如，包括一个或多个管芯)上。在光刻设备100中，图案形成装置ma和投影系统ps是反射型的。40.照射系统il可以包括用于引导、成形或控制辐射束b的各种类型的光学部件，诸如折射型、反射型、反折射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件或它们的任意组合。照射系统il还可以包括传感器es，该传感器es提供例如每脉冲能量、光子能量、强度、平均功率等中的一个或多个的测量值。照射系统il可以包括用于测量辐射束b的移动的测量传感器ms、以及允许控制照射狭缝均匀性的均匀性补偿器uc。测量传感器ms也可以被设置在其它位置处。例如，测量传感器ms可以在衬底台wt上或附近。41.支撑结构mt以如下的方式保持图案形成装置ma：该方式与图案形成装置ma相对于参考框架的取向、光刻设备100的设计和其它条件(例如图案形成装置ma是否被保持在真空环境中)有关。支撑结构mt可以使用机械、真空、静电或其它夹持技术来保持图案形成装置ma。支撑结构mt可以是例如框架或台，其可以根据需要是固定的或可移动的。通过使用传感器，支撑结构mt可以确保图案形成装置ma例如相对于投影系统ps处于期望位置处。42.术语“图案形成装置”ma应当被广义地解释为指代可以用于将图案在其截面上赋予辐射束b，以在衬底w的目标部分c中创建图案的任何装置。赋予辐射束b的图案可以对应于在目标部分c中创建来形成集成电路的装置中的特定功能层。43.图案形成装置ma可以是反射型的。图案形成装置ma的示例包括掩模版、掩模、可编程反射镜阵列或可编程lcd面板。掩模在光刻中是公知的，并且包括诸如二元、交替相移或衰减相移的掩模类型以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每个反射镜可以单独倾斜，以在不同方向上反射入射辐射束。倾斜的反射镜在辐射束b中赋予图案，辐射束b被小反射镜矩阵反射。44.术语“投影系统”ps可以涵盖适合于所使用的曝光辐射或适合于其它因素(诸如在衬底w上使用浸没液体或使用真空)的任何类型的投影系统，包括折射型、反射型、反折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统或它们的任何组合。真空环境可以被用于euv或电子束辐射，因为其它气体可以吸收过多的辐射或电子。因此可以借助真空壁和真空泵为整个光束路径提供真空环境。45.光刻设备100可以是具有两个(双级)或更多衬底台wt(和/或两个或更多掩模台)的类型。在这样的“多级”机器中，附加的衬底台wt可以并行地使用，或者准备步骤可以在一个或多个台上执行，同时一个或多个其它衬底台wt被用于曝光。在一些情况下，附加台可以不是衬底台wt。46.光刻设备还可以是其中衬底的至少一部分可以被具有相对高折射率的液体(例如水)覆盖来填充投影系统和衬底之间的空间的类型。浸没液体还可以被施加到光刻设备中的其它空间，例如掩模和投影系统之间的空间。浸没技术在本领域中是公知的，用于增加投影系统的数值孔径。本文中使用的术语“浸没”并不意味着诸如衬底的结构必须浸没在液体中，而是仅意味着在曝光期间液体位于投影系统和衬底之间。47.照射器il接收来自辐射源so的辐射束。例如，当源so是准分子激光器时，源so和光刻设备100可以是分离的物理实体。在这种情况下，源so不被认为形成光刻设备100的一部分，并且辐射束b借助于包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的光束传输系统bd(未示出)从源so传递到照射器il。在其它情况下，例如当源so是汞灯时，源so可以是光刻设备100的组成部分。如果需要，源so和照射器il以及光束传输系统bd可以被称为辐射系统。48.为了不使附图过于复杂，照射器il可以包括未示出的其它部件。例如，照射器il可以包括用于调整辐射束的角强度分布的调整器。通常，至少可以调整照射器的光瞳平面中的强度分布的外部和/或内部径向范围(通常分别被称为“σ-外部”和“σ-内部”)。照射器il可以包括积分器和/或聚束器(未示出)。照射器il可以被用于将辐射束b调节为在其截面中具有期望的均匀性和强度分布。通过使用均匀性补偿器可以保持辐射束b的期望均匀性。均匀性补偿器包括可以在辐射束b的路径中调整来控制辐射束b的均匀性的多个突起(例如，指状物)。传感器可以被用于监视辐射束b的均匀性。49.辐射束b入射到支撑结构(例如，掩模台)mt上保持的图案形成装置(例如，掩模)ma上，并且由图案形成装置ma图案化。在光刻设备100中，辐射束b从图案形成装置(例如，掩模)ma反射。在从图案形成装置(例如，掩模)ma反射之后，辐射束b穿过投影系统ps，投影系统ps将辐射束b聚焦到衬底w的目标部分c上。借助第二定位器pw和位置传感器if2(例如，干涉测量装置、线性编码器或电容传感器)，衬底台wt可以精确地移动(例如，以在辐射束b的路径中定位不同的目标部分c)。类似地，第一定位器pm和另一位置传感器if1可以被用于将图案形成装置(例如掩模)ma相对于辐射束b的路径精确地定位。图案形成装置(例如，掩模)ma和衬底w可以使用掩模对准标记m1、m2和衬底对准标记p1、p2来对准。50.光刻设备100可以用于以下模式中的至少一个：51.1.在步进模式中，支撑结构(例如，掩模台)mt和衬底台wt保持基本静止，而赋予辐射束b的整个图案被一次性地投影到目标部分c上(即，单次静态曝光)。衬底台wt然后在x和/或y方向上移动，使得不同的目标部分c可以被曝光。52.2.在扫描模式中，在赋予辐射束b的图案被投影到目标部分c上的同时，同步地扫描支撑结构(例如，掩模台)mt和衬底台wt(即，单次动态曝光)。衬底台wt相对于支撑结构(例如掩模台)mt的速度和方向可以由投影系统ps的(减小)放大率和图像反转特性来确定。53.3.在另一模式中，保持可编程图案形成装置的支撑结构(例如掩模台)mt基本上保持静止，并且在赋予辐射束b的图案被投影到目标部分c上的同时移动或扫描衬底台wt。可以采用脉冲辐射源so，并且可编程图案形成装置在衬底台wt的每次移动之后或在扫描期间的连续辐射脉冲之间根据需要更新。该操作模式可以容易地应用于利用可编程图案形成装置(诸如可编程反射镜阵列)的无掩模光刻。54.也可以采用所描述的使用模式或完全不同的使用模式的组合和/或变化。55.在另一实施例中，光刻设备100包括euv辐射源，其被配置为生成生用于euv光刻的euv辐射束。通常，euv辐射源被配置在辐射系统中，并且对应的照射系统被配置为调节euv源的euv辐射束。56.图2a更详细地示出了根据一些实施例的光刻设备100(例如图1)，光刻设备100包括源收集器设备so、照射系统il和投影系统ps。源收集器设备50被配置和布置为使得可以在源收集器设备50的封闭结构220中维持真空环境。euv辐射发射等离子体210可以通过放电产生的等离子体源形成。euv辐射可以由气体或蒸气产生，例如xe气体、li蒸气或sn蒸气，其中非常热的等离子体210被创建来发射电磁波谱的euv范围内的辐射。非常热的等离子体210例如通过引起至少部分电离的等离子体的放电而创建。为了有效地生成辐射，可能需要例如10pa的xe、li、sn、蒸气或任何其它合适的气体或蒸气的分压。在一些实施例中，提供激发锡(sn)等离子体(例如，经由激光激发)来产生euv辐射。57.由热等离子体210发射的辐射从源室211经由可选的气体阻挡件或污染物捕集器230(在一些情况下也被称为污染物阻挡件或箔捕集器)进入收集器室212，气体阻挡件或污染物捕集器230位于源室211中的开口中或后面。污染物捕集器230可以包括通道结构。污染物捕集器230还可以包括气体阻挡件或气体阻挡件和通道结构的组合。本文中进一步指示的污染物捕集器或污染物阻挡件230至少包括通道结构。58.收集器室212可以包括辐射收集器co，其可以是所谓的掠入射收集器。辐射收集器co具有上游辐射收集器侧251和下游辐射收集器侧252。穿过收集器co的辐射可以从光栅光谱滤波器240反射，以聚焦在虚拟源点if中。虚拟源点if通常被称为焦点中间焦点，并且源收集器设备被布置为使得焦点中间焦点if位于封闭结构220中的开口219处或附近。虚拟源点if是辐射发射等离子体210的图像。光栅光谱过滤器240特别用于抑制红外(ir)辐射。59.随后，辐射穿过照射系统il，照射系统il可以包括琢面场反射镜装置222和琢面光瞳反射镜装置224，琢面场反射镜装置222和琢面光瞳反射镜装置224被布置为在图案形成装置ma处提供辐射束221的期望角分布，以及在图案形成装置ma处提供辐射强度的期望均匀性。当辐射束221在由支撑结构mt保持的图案形成装置ma处反射时，经图案化的光束226形成，并且经图案化的光束226由投影系统ps经由反射元件228、229成像到由晶片台或衬底台wt保持的衬底w上。60.在照射光学单元il和投影系统ps中通常可以存在比所示出的更多的元件。根据光刻设备的类型，光栅光谱滤波器240可以可选地存在。此外，可以存在比图2a中所示更多的反射镜，例如可以存在比图2a中所示在投影系统ps中存在一至六个附加反射元件。61.在一些实施例中，照射光学单元il可以包括传感器es，该传感器es提供例如每脉冲能量、光子能量、强度、平均功率等中的一个或多个的测量值。照射光学单元il可以包括用于测量辐射束b的移动的测量传感器ms以及允许控制照射狭缝均匀性的均匀性补偿器uc。测量传感器ms也可以被设置在其它位置处。例如，测量传感器ms可以在衬底台wt上或附近。62.如图2a所示，收集器光学器件co被描绘为具有掠入射反射器253、254和255的巢状收集器，仅作为收集器(或收集器反射镜)的示例。掠入射反射器253、254和255围绕光轴o轴对称设置，并且该类型的收集器光学器件co优选地与通常被称为dpp源的放电产生等离子体源组合使用。63.图2b示出了根据一些实施例的光刻设备100(例如，图1)的选定部分的示意图，但是在源收集器设备50中具有备选的收集光学器件。应当理解，图2a中所示的未在图2b中出现的结构(为清楚起见)仍可以被包括在参考图2b的实施例中。图2b中具有与图2a中相同附图标记的元素具有与参考图2a所述相同或基本相似的结构和功能。在一些实施例中，光刻设备100可以被用于例如利用经图案化的euv光束来曝光衬底w，诸如涂覆有抗蚀剂的晶片。在图2b中，照射系统il和投影系统ps被组合表示为使用来自源收集器设备so的euv光的曝光装置256(例如，诸如步进机、扫描仪、步进扫描系统、直写系统、使用接触和/或接近掩模的装置等的集成电路光刻工具)。光刻设备100还可以包括收集器光学器件258，其将来自热等离子体210的euv光沿着路径反射到曝光装置256中，以照射衬底w。收集器光学器件258可以包括近法向入射收集器反射镜，近法向入射收集器反射镜具有长椭球体(即，围绕其长轴旋转的椭圆)形式的反射表面，长椭球体具有例如具有钼和硅的交替层的分级多层涂层，并且在一些情况下具有一个或多个高温扩散阻挡层、平滑层、覆盖层和/或蚀刻停止层。64.图3示出了根据一个或多个实施例的光刻设备100(例如，图1、图2a和图2b)的一部分的详细视图。图3中具有与图1、图2a和图2b中相同附图标记的元素具有与参考图1、图2a和图2b所述相同或基本相似的结构和功能。在一些实施例中，光刻设备100可以包括具有lpp euv光辐射器的源收集器设备50。如图所示，源收集器设备50可以包括激光系统302，用于生成光脉冲串并且将光脉冲传输到光源室212中。对于光刻设备100，光脉冲可以沿着一个或多个光束路径从激光系统302行进并进入室212，以照射位于照射区域304处的源材料，从而生成等离子体(例如，图2b中的热等离子体210所在的等离子体区域)，等离子体产生用于曝光装置256中的衬底曝光的euv光。65.在一些实施例中，用于激光系统302的合适激光器可以包括例如利用dc或rf激励、在相对高的功率(例如10kw或更高)和高脉冲重复率(例如50khz或更高)下操作的脉冲激光器装置，例如产生9.3pm或10.6pm辐射的脉冲气体放电co2激光器装置。在一些实施例中，激光器可以是具有振荡放大器配置(例如，主振荡器/功率放大器(mopa)或功率振荡器/功率放大器(popa))的轴流式rf泵浦co2激光器，该振荡放大器配置具有多级放大并且具有由具有相对低能量和高重复率(例如，能够100khz操作)的q切换式振荡器发起的种子脉冲。来自振荡器的激光脉冲然后可以在到达照射区域304之前被放大、整形和/或聚焦。连续泵浦的co2放大器可以被用于激光系统302。备选地，激光器可以被配置为所谓的“自对准”激光器系统，其中微滴用作激光器的光学腔的一个反射镜。66.在一些实施例中，根据应用，其他类型的激光器也可以是合适的，例如，在高功率和高脉冲重复率下操作的准分子或分子氟激光器。一些示例包括：固态激光器(例如具有光纤、棒、板或碟形状的有源介质)；具有一个或多个室(例如振荡器室和一个或多个放大室(将并联或串联的室放大))的其它激光器架构；主振荡器/功率振荡器(mopo)布置；主振荡器/功率环形放大器(mopra)布置；或者注入一个或多个受激准分子、分子氟或co2放大器或振荡器室的固态激光器。可以设想其它合适的设计。67.在一些实施例中，源材料可以首先被预脉冲照射，然后被主脉冲照射。预脉冲种子和主脉冲种子可以由单个振荡器或两个单独的振荡器生成。一个或多个公共放大器可以被用来放大预脉冲种子和主脉冲种子。在一些实施例中，单独的放大器可以被用来放大预脉冲种子和主脉冲种子。68.在一些实施例中，光刻设备100可以包括光束调节单元306，其具有用于光束调节(诸如在激光系统302和照射区域304之间扩展、操纵和/或聚焦光束)的一个或多个光学器件。例如，转向系统可以包括一个或多个反射镜、棱镜、透镜等的转向系统可以被提供并且被设置为将激光焦点转向到室212中的不同位置。例如，转向系统可以包括在可以在两个维度上独立地移动第一平面镜的倾斜致动器上安装的第一平坦反射镜以及在可以在两个维度上独立地移动第二平面镜的倾斜致动器上安装的第二平坦反射镜。利用所描述的(多个)布置，转向系统可以在与光束传播方向(光束轴或光轴)基本上正交的方向上可控地移动焦点。69.光束调节单元306可以包括聚焦组件，以将光束聚焦到照射区域304并沿光束轴调节焦点的位置。对于聚焦组件，可以使用诸如聚焦透镜或反射镜的光学器件，光学器件被耦合到致动器，用于在沿着光束轴的方向上移动，以沿着光束轴移动焦点。70.在一些实施例中，源收集器设备50还可以包括源材料传输系统308，例如，将源材料(诸如锡微滴)传输到室212的内部，到达照射区域304，在照射区域304处，微滴将与来自激光系统302的光脉冲相互作用，以最终产生等离子体并产生euv发射，从而在曝光装置256中对衬底(诸如涂覆有抗蚀剂的晶片)进行曝光。关于各种微滴分配器配置的更多细节可以在例如于2011年1月18日公布的题为“systems and methods for target material delivery in a laser produced plasma euv light source”的美国专利第7,872,245号、于2008年7月29日公布的题为“method and apparatus for euv plasma source target delivery”的美国专利第7,405,416号、于2008年5月13日公布的题为“lppeuv plasma source material target delivery system”的美国专利第7,372,056号以及于2019年7月18日公布的题为“apparatus for and method of controlling coalescence of droplets in a droplet stream”的国际申请第wo2019/137846号中找到，其内容通过引用整体并入本文。71.在一些实施例中，用于产生用于衬底曝光的euv光输出的源材料可以包括但不必限于包括锡、锂、氙或其组合的材料。euv发射元件(例如锡、锂、氙等)可以是液滴和/或包含在液滴内的固体颗粒的形式。例如，元素锡可以被用作纯锡、用作锡化合物(例如snbr4、snbr2、snh4)、用作锡合金(例如锡-镓合金、锡-铟合金、锡-铟-镓合金)或其组合使用。根据所使用的材料，源材料可以在包括室温或接近室温的各种温度下(例如锡合金snbr4)、在升高的温度下(例如纯锡)或在低于室温的温度下(例如snh4)呈现给照射区域，并且在一些情况下，可以是相对挥发性的(例如snbr4)。72.在一些实施例中，光刻设备100还可以包括控制器310，该控制器310还可以包括驱动激光控制系统312，该驱动激光控制系统312用于控制激光系统302中的装置，从而生成光脉冲以传输到室212中的，和/或用于控制光束调节单元306中的光学器件的移动。光刻设备100还可以包括微滴位置检测系统，该微滴位置检测系统可以包括一个或多个微滴成像器314，该微滴成像器314提供指示例如一个或多个微滴相对于照射区域304的位置的输出信号。(多个)微滴成像器314可以将该输出提供给微滴位置检测反馈系统316，其可以例如计算微滴位置和轨迹，由此可以例如在逐个微滴地计算或平均地计算微滴误差。微滴误差然后可以作为输入提供给控制器310，该控制器310可以例如向激光系统302提供位置、方向和/或定时校正信号，以控制激光触发定时和/或控制光束调节单元306中的光学器件的移动，例如改变被传输到室212中的照射区域304的光脉冲的位置和/或焦度。同样对于源收集器设备50，源材料传输系统308可以具有控制系统，该控制系统可响应于来自控制器310的信号(在一些实现方式中，信号可以包括上述的微滴误差或从其导出的一些量)而操作，以例如修改释放点、初始微滴流方向、微滴释放定时和/或微滴调制，从而校正到达照射区域304的微滴中的误差。73.在一些实施例中，光刻设备100还可以包括收集器光学器件和气体分配器装置320。气体分配器装置320可以将气体分配在来自源材料传输系统308的源材料的路径(例如，照射区域304)中。气体分配器装置320可以包括喷嘴，经分配的气体可以借助喷嘴排出。气体分配器装置320可以被构造(例如，具有孔径)为使得当被放置在激光系统302的光路附近时，来自激光系统302的光不被气体分配器装置320阻挡并且被允许到达照射区域304。诸如氢、氦、氩或其组合的缓冲气体可以被引入到室212中、被补充和/或从室212中去除。缓冲气体可以在等离子体放电期间存在于室212中，并且可以用于减慢等离子体创建的离子，以减少光学器件的退化和/或增加等离子体效率。备选地，磁场和/或电场(未示出)可以被单独使用，或者与缓冲气体组合使用，从而减少快速的离子损伤。74.在一些实施例中，光刻设备100还可以包括收集器光学器件258，诸如具有长椭球体(即，围绕其长轴旋转的椭圆)形式的反射表面的近法向入射收集器反射镜，该近法向入射收集器反射镜具有例如具有钼和硅的交替层的分级多层涂层、并且在一些情况下具有一个或多个高温扩散阻挡层、平滑层、覆盖层和/或蚀刻停止层。收集器光学部件258可以被形成有孔径，以允许由激光系统302生成的光脉冲通过并到达照射区域304。相同或另一类似的孔径可以被用于允许气体从气体分配器装置320流入室212中。如图所示，收集器光学器件258可以是例如长椭球反射镜，其具有在照射区域304内或附近的第一焦点以及在所谓的中间区域318处的第二焦点，其中euv光可以从源收集器装置50输出并输入到利用euv光的曝光装置256，例如集成电路光刻工具。应当理解，可以使用其它光学器件来代替长椭球反射镜用于收集光并将其引导到中间位置，以用于随后传输到利用euv光的装置。还可以设想使用具有参考图3描述的结构和功能的收集器光学器件co(图2a)的实施例。75.示例性光刻单元76.图4示出了根据一些实施例的光刻单元400，有时也被称为光刻池或簇。光刻设备100可以形成光刻单元400的一部分。光刻单元400还可以包括用于在衬底上执行曝光前和曝光后工艺的一个或多个设备。常规地，这些包括用于沉积抗蚀剂层的旋涂机sc、用于将经曝光的抗蚀剂显影的显影器de、激冷板ch和烘烤板bk。衬底处理器或机械手ro从输入/输出端口i/o1、i/o2拾取衬底，在不同的处理设备之间移动它们，并且将它们传输到光刻设备100的装载舱lb。这些通常统称为轨道的装置处于轨道控制单元tcu的控制下，轨道控制单元tcu本身由监督控制系统scs控制，监督控制系统scs还经由光刻控制单元lacu控制光刻设备。因此，不同的设备可以被操作为将产量和处理效率最大化。77.示例性等离子体材料微滴源78.图5示出了根据一些实施例的源材料传输系统500的示意图。在一些实施例中，源材料传输系统500可以被用于光刻设备100(例如，图3中的源材料传输系统90)。源材料传输系统500可以包括喷嘴502、机电元件504和波形生成器506。喷嘴502可以包括毛细管508。源材料传输系统500还可以包括护罩510、控制器512、检测器514和/或检测器516。控制器512可以包括处理器。79.如本文所使用的，术语“机电”、“电可致动”等可以指代当经受电压、电场、磁场或其组合时经历维度变化(例如，移动、偏转、收缩等)的材料或结构，并且包括但不限于压电材料、电致伸缩材料和磁致伸缩材料。例如，在于2009年1月15日公布的题为“laser produced plasma euv light source having a droplet stream produced using a modulated disturbance wave”的美国公开申请第2009/0014668号以及于2013年8月20日公布的题为“droplet generator with actuator induced nozzle cleaning”的美国专利第8,513,629号中公开了用于使用电可致动元件来控制微滴流的设备和方法，这两个专利的全部内容通过引用并入本文。80.在一些实施例中，机电元件504可以被设置在(例如，围绕)喷嘴502上。应当理解，本文所述的喷嘴502和机电元件504之间的相互作用可以涉及喷嘴502的压敏元件和机电元件504之间的相互作用(例如，机电元件504被设置在毛细管508上)。波形生成器506可以被电耦合到机电元件504。控制器512可以被电耦合到波形生成器506。81.如前所述，在一些实施例中，euv生成等离子体可以通过利用激光照射靶材(例如，sn)来生成，激光将靶材电离(即，激发)。靶材可以作为与激光路径相交的经聚结微滴流提供。经聚结的靶材微滴与激光之间的微观相互作用可能影响euv辐射的效率和稳定性，这进而可能影响与euv辐射相关的光刻工艺。因此，期望控制经聚结微滴和激光之间的相互作用，使得euv生成是稳定和有效的。改进稳定性和效率的一个方法是确保靶材微滴的可重复聚结，使得每个经聚结微滴与激光器产生可重复的相互作用。本公开的实施例中的结构和功能允许靶材微滴的可重复聚结。82.在一些实施例中，喷嘴502可以喷射如图5所示的靶材的初始微滴，以作为靶材流518。机电元件504可以转换来自波形生成器506的电能，以将压力施加在喷嘴502上(例如在毛细管508上)。这在离开喷嘴502的靶材流518中引入速度扰动。靶材流518最终聚结成微滴，微滴由检测器514和/或检测器516检测来生成信号(例如，检测信号)。如本文所使用的，术语“检测”等可以被用于指代捕获微滴的图像(例如，使用相机)、和/或微滴存在或不存在或微滴何时跨越给定位置的二进制指示(例如，使用激光幕帘)。如本文所使用的，术语“触发检测器”、“门控检测器”、“选通门检测器”等在本文中可以被用于指可以响应于满足(多个)条件(例如检测到微滴的存在)而生成检测信号的检测器。检测器514和516中的一个可以是图像捕获装置，另一个可以是选通门检测器。控制器512可以基于来自检测器514的信号，确定靶材流518的性质。靶材流518的性质可以包括例如微滴流在检测点处的速度分布、微滴之间的间隙(时间和/或距离)、未聚结微滴(卫星微滴或简称为“卫星”)的存在、微滴尺寸、聚结长度等。控制器512可以使用来自检测器514和/或516的信息来生成用于控制波形生成器506的操作的反馈信号。83.在一些实施例中，控制器512可以调整由波形生成器506生成的电信号(例如，波形、混合波形)的参数。波形的参数可以包括例如两个或更多个波形之间的在叠加、振幅、波长等方面的相对相位差。控制器512还可以基于外部输入520来确定波形参数的调整，外部输入520可以源自另一控制器或基于用户输入。84.在一些实施例中，护罩510可以被设置在喷嘴502上。护罩510可以被设置为覆盖和保护靶材流518免受可破坏聚结和微滴生成的力的影响。85.在一些实施例中，波形生成器506被配置为生成用于控制施加在喷嘴502上的压力的电信号。电信号可以包括具有第一频率的第一周期性波形(例如，低频正弦波)和具有不同于第一频率的第二频率的第二周期性波形(例如，高频方波)的叠加(例如，混合波形)。本文中使用的术语“正弦”是指正弦图案。第二频率可以是第一频率的整数倍。靶材流518中产生的速度扰动允许从喷嘴502喷射的初始微滴在离开喷嘴502时聚结。完全聚结的微滴522可以在距喷嘴502的孔的距离l(“聚结长度”)处形成。换言之，所测量的距喷嘴的距离限定聚结长度，在该距离处在无残余未聚结微滴(例如，卫星)的情况下形成完全经聚结微滴522。86.在一些实施例中，通过调整来自波形生成器506的电信号的参数(例如，波形的相对相位)，可以调整聚结长度，其最终经由初始微滴的速度扰动而影响聚结行为(与基于聚结的微滴生成中使用混合波形有关的附加细节可以在国际申请第wo2019/137846号中找到)。可以以例如每秒约5×106个初始微滴的速率(例如，5mhz的频率)生成初始微滴。初始微滴的频率可以是例如喷嘴502上的孔(或毛细管508)的尺寸和所谓的瑞利分裂现象的函数，并且可以受到在毛细管508内流动的靶材流上的由机电元件504引起的压力变化的影响。在一些实施例中，源材料传输系统500从较高频率(例如，5mhz)的初始微滴生成具有较低频率(例如，50khz)的完全经聚结微滴522，而没有任何卫星。87.在一些实施例中，源材料传输系统500被配置为控制分裂/聚结过程，以减小euv生成等离子体时的不稳定性。首先描述可能影响微滴聚结的一些因素可能是有益的。再参考图3，euv辐射源可以采用气体分配器装置320，以将气流(例如氢气)引入照射区域304中。来自气体分配器装置320的气流可以向靶材流518(图5)中的微滴引入拖曳力，从而影响微滴的速度。因此，聚结过程(与微滴的速度扰动非常相关)可能基本上受到气体存在的影响。使用气体的原因可能是为了允许一些有用的特征。例如，气体可以被用作清洁收集器光学器件258的化学自由基。关于使用氢气的更多细节可以在于2011年1月18日授权的题为“radiation system and optical device”的美国专利第10,359,710号中找到，该专利通过引用整体并入本文。对于至少这些特征的使用，在一些实施例中可以容忍拖曳力。88.等离子体力也可能影响聚结。euv生成等离子体的特征在于电离物质的复杂流。因此，euv生成等离子体附近的微滴可能经受电磁力和流体机械力。因此，如果未聚结微滴在进入等离子体力的影响时仍处于碎片形式(例如，卫星)，则未聚结微滴可能不能完全聚结。照射区域304处存在卫星可能影响euv生成的稳定性，这进而可能对于与来自euv源的精确能量剂量相关的光刻工艺是不期望的。89.在一些实施例中，理想的是，在到达照射区域304之前，特别是基本上在到达距照射区域304给定距离处或之前，形成完全经聚结微滴。在一些实施例中，通过将源材料传输系统308(或其喷嘴，例如图5的喷嘴502)定位为进一步远离照射区域304，可以实现距照射区域304给定距离处的微滴的完全聚结。基于例如来自波形生成器506(图5)的电信号的参数，喷嘴具有可能聚结长度的范围(例如，具有最小值和/或最大值)。源材料传输系统308的最大聚结长度可以是例如约700mm。因此，需要将这样的喷嘴的尖端放置在距照射区域304至少700mm处，以在到达照射区域304之前使得微滴完全聚结。然而，可能存在注意不要将喷嘴放置在距照射区域304这样的距离处的原因。例如，为了euv生成的稳定性，需要精确和可再现地瞄准微滴，以与激光相交。然而，当源材料传输系统308被定位得更远时，微滴可能在拖曳力的影响下持续更长的时间段，从而导致经聚结微滴的目标的不确定性更高、以及微滴与激光之间的次优相互作用。因此，将源材料传输系统308定位为进一步远离照射区域304的方法可能具有限制。90.作为将源材料传输系统定位位进一步远离照射区域的方法的备选或附加，本公开的实施例允许操纵源材料传输系统的最大聚结长度。在一些实施例中，最大聚结长度尽可能减小。91.如本文所使用的，术语“最大聚结长度”可以被用于描述所测量的自源材料传输系统(例如，从其喷嘴)的最大距离，在该最大距离处，在无残余的未聚结微滴(卫星)的情况下形成完全经聚结微滴。此外，最大聚结长度可以指代聚结长度范围的最大值(例如，如下文进一步描述的，范围可以通过调整源材料传输系统的单个参数同时保持其它参数固定来确定)。术语“最小聚结长度”遵循类似于最大聚结长度的逻辑。92.较早地描述了可以使用第一周期性波形(例如，低频正弦波)和第二周期性波形(高频方波)的叠加作为电信号以致动源材料传输系统上的机电元件，来操纵源材料传输系统的聚结长度。为了简化以下描述，第一和第二周期性波形将分别被称为正弦波和方波。然而，这不应当被解释为限制性的，并且应当理解，可以设想用于第一和第二周期性波形的其它合适的波形。例如，可以使用三角波、锯齿波、尖锐的周期性峰值(例如，周期性δ等)和/或其变型。93.在一些实施例中，源材料传输系统的聚结长度范围可以是至少正弦波的振幅、方波的频率和/或正弦波与方波之间的相对相位差的函数。由于聚结长度是多参数相关的，应当理解，当检查聚结长度和由此导出的量时，可以更简单地考虑仅调整一个旋钮(例如，可调整参数)，而保持其他旋钮固定。例如，对于正弦波的振幅的给定值，可以检查相对于正弦波和方波的全范围的相对相位差(例如，0-2例弧度或0-360度的方波)的聚结长度范围。对于正弦波振幅的该给定值，可以在正弦波和方波之间的相对相位的整个范围上，确定聚结长度的最小值和最大值。例如，如果考虑不同的正弦波振幅，则相对于正弦波和方波的全范围的相对相位差，检查聚结长度范围可以产生新的聚结长度范围以及新的最小值和最大值。以这种方式，当另一旋钮被调整时，相对于给定旋钮的最大聚结长度可以是可变(和可调整的)量。94.在一些实施例中，对于低于例如1mhz的方波频率，正弦波的振幅可以明显影响最大聚结长度。然而，在方波的频率高于1mhz(例如，2mhz)时，对于给定范围的正弦波振幅，最大聚结长度对正弦波振幅的相关性可以是相当可忽略的(例如，平坦线)。例如可以在来自波形生成器(例如，图5的波形生成器506)的电信号的电压中测量波形振幅。可以在本文的实施例中使用的正弦波振幅可以是例如在大约0.1v-10.0v、0.1v-6.0v、0.5v-5.0v或1.0v-4.0v之间的值。95.在一些实施例中，相对于正弦波振幅的变化具有平坦线行为可以允许根本不必调谐或优化正弦波振幅。不必调谐euv源单元的旋钮的能力允许可靠部署系统，而不必在现场对其进一步调谐。在工厂之外具有工作配置可以节省设置成本、现场停工时间和进一步维护。96.在一些实施例中，拖曳力的存在也可以有助于缩短最大聚结长度。传统的，气流在euv源中的等离子体形成区域处的影响可以被看作是微小不便，其中其允许的特征超过了适应气体存在的困难。然而，本公开的一些实施例利用施加在靶材流中的微滴上的拖曳力。97.在一些实施例中，拖曳力可以被用于限制最大聚结长度。喷嘴502可以借助气体(例如，由图3的气体分配器装置320提供)喷射靶材的初始微滴，使得初始微滴经历拖曳力。在聚结过程期间，第一组中间微滴通过聚结形成。术语“中间微滴”在本文中可以被用于描述已从初始微滴聚结、但尚未达到与用于euv生成的激光相互作用的最终形式的微滴。完全经聚结微滴522(图5)是最终形式的示例。当中间微滴合并形成较大的中间经聚结微滴时，可能存在一些中间微滴大于其它中间微滴的情况。由于拖曳力引起的减速度在较小的微滴上可能较大。因此，拖曳机构可以被用于减慢较小的微滴，使得它们与较大的微滴碰撞。中间微滴可以以基于方波频率的频率出现。通过增加方波频率与正弦波频率的比率，可以生成更小和更多的中间微滴。因此，由拖曳力引起的减速度在较小的微滴上可能更大，导致更快的聚结。98.在一些实施例中，气体参数可以被调整来调整最大聚结长度。例如，采用源材料传输系统500(图5)的照射系统可以通过至少调整气体的密度或温度，来调整最大聚结长度。增加气体的密度(例如，注入更多的气体)、气体的温度或两者可以增加拖曳力的影响，以缩短最大聚结长度。99.从改变正弦波和方波的相对相位差的角度，描述最大聚结长度的一些细节可能是有益的。图6示出了根据一些实施例的聚结长度相对于正弦波和方波之间的相对相位(或简称为相对相位)的曲线图602。竖直轴表示聚结长度(以任意单位)。水平轴表示跨相对相位的至少一整圈(例如，0-360°)的相对相位。曲线602表示例如源材料传输系统500(图5)的聚结长度。应当理解，曲线602是实际系统上的实际观察行为的简化定性表示，其中除相对相位之外的所有旋钮被固定在给定值(例如，固定在500khz的方波频率)、并且存在拖曳力。在一些实施例中，曲线602示出了源材料传输系统500(图5)的聚结长度相对于正弦波和方波之间的相对相位是近似线性的。然而，曲线602在相对相位的特定值处突然变得不连续。发生不连续性的特定值或值的子集在本文中可以被称为“跳跃边界”604(被示出为竖直虚线)。调整正弦波的振幅可以将跳跃边界604的位置沿着水平轴移位。100.在一些实施例中，由于微滴上的拖曳力的影响，可能出现跳跃边界。例如，相对相位的一些值可能导致一些中间微滴与前面的微滴聚结，而其它中间微滴与后面的微滴聚结(在该示例中，“前面”由微滴行进的方向限定)。当调整相对相位时，当中间微滴从向前合并过渡到向后合并或反之亦然时，可能出现跳跃边界。101.在一些实施例中，水平虚线表示源材料传输系统500(图5)的公差606。公差606可以与例如喷嘴定位(例如，为了瞄准目的，不过于远离照射区域304(图3))相关。为了确保未聚结微滴避免等离子体力，在一些实施例中，可以执行调谐。例如，源材料传输系统500的聚结长度可以被设定在公差606以下。换言之，调谐测量可以被执行，以确定与不超过公差606的聚结长度相对应的相对相位。然而，如果所选择的相对相位接近跳跃边界604，则源材料传输系统500的聚结长度可能非常不稳定，在最大聚结长度608和最小聚结长度610之间抖动，这可能导致不稳定的euv生成。102.在一些实施例中，在实际操作条件(例如，激光器和euv等离子体导通)下，可能难以执行调谐。因此，可以在非等离子体环境中执行调谐。然而，在这种情况下，稍后激活激光器和euv等离子体可能导致曲线602被修改。euv等离子体的存在可能影响聚结行为，例如，跳跃边界604可能被移位。在一些情况下，一旦euv产生发起，在非等离子体条件下执行的调谐可能变得不充分，且源材料传输系统500可能随后在已不可预测地移位的跳跃边界处操作。103.可以设想以下的实施例：例如通过选择源材料传输系统500的将整个曲线602移位到公差606以下的参数而使得调谐是不必要。104.在一些实施例中，基于相机的检测器(例如，检测器514)可以被用于捕获微滴的图像，从而测量聚结长度并生成曲线602。聚结长度可以对应于最终卫星被吸收以形成完全经聚结微滴的条件(例如，图像中不存在卫星)。检测器可以被配置为沿着微滴流的路径捕获图像，以确定从喷嘴502(图5)测量的不存在卫星所处的距离。处理器(例如，图5的控制器512)可以基于来自检测器的信号，确定聚结长度来生成曲线602。处理器可以被配置为至少确定跳跃边界604、最大聚结长度608、最小聚结长度610和/或其他可提取信息。105.图7示出了根据一些实施例的最大聚结长度相对于方波频率与正弦波频率之比的曲线图702。竖直轴表示最大聚结长度(例如，以米为单位，非限制性的)。水平轴表示方波频率与正弦波频率之比。曲线702表示例如源材料传输系统500(图5)的最大聚结长度。应当理解，曲线702是源材料传输系统的实际观察行为的仿真表示，其中除方波频率以及正弦波与方波之间的相对相位之外的所有旋钮被固定在给定值、并且存在拖曳力。应当理解，对于曲线702的每个数据点，相对相位被设置为最大聚结长度出现的任何位置(例如，图6中最大聚结长度608出现的峰值)。在一些实施例中，曲线702示出最大聚结长度与方波频率和正弦波频率之比近似成反比。106.在一些实施例中，可以在存在拖曳力的情况下，基于运动的常微分方程在数值上执行仿真。要考虑的初始微滴的数量是n，其中每个初始微滴的质量是最终完全经聚结微滴的1/n。每个微滴(初始的和中间的)可能经受拖曳力，拖曳力与每个微滴的垂直于运动方向的投影面积、微滴速度和气体粘度相关。初始条件可以是由喷嘴设定的那些条件(例如，初始微滴的初始速度和频率)。聚结长度然后被定义为距喷嘴的距离，在该距离处最终的中间微滴聚结而形成完全经聚结微滴。107.在一些实施例中，通过适当选择方波频率与正弦波频率之比，源材料传输系统500的最大聚结长度可以是例如小于约500mm、小于约450mm、小于约400mm、小于约350mm、小于约300mm或小于约250mm。108.在一些实施例中，方波频率与正弦波频率之比可以是40(例如，2mhz方波对50khz正弦波)。方波频率与正弦波频率之比可以在约20-150之间、在约20-120之间、在约20-100之间、在约20-80之间、在约20-60之间、在约30-150之间、在约40-150之间、在约50-150之间、在约80-150之间、在约100-150之间、在约30-120之间、在约40-100之间或在约40-80之间。109.在一些实施例中，经聚结微滴穿过照射区域304(图3)的速率基于正弦波(例如，由图5的波形生成器506生成的第一周期性波形)的频率。在微滴行进的上下文中，术语“跨越(crossing)”在本文中可以被用于描述穿过给定空间的微滴(例如，跨越激光幕帘的微滴)。例如，术语“跨越时间间隔(crossing time interval)”(或简称为“跨越间隔(crossing interval)”)可以指代经过给定空间(例如，激光幕帘)的经聚结微滴的穿过之间的时间间隔，并且其倒数量可以是“跨越频率”。在一些实施例中，经聚结微滴中的每一个具有基本上相似的速度和相似的在其间的间隙(间隙可以指代例如距离或跨越间隔)。正弦波频率可以在大约30khz-90khz之间、在大约30khz-70khz之间或在大约70khz-90khz之间。正弦波频率可以是大约40khz、45khz、50khz、55khz、60khz、65khz、70khz、75khz或80khz。方波频率可以是正弦波频率的整数倍，这可以确保传送混合波形的电信号从一个正弦峰到下一个正弦峰是可重复的。110.图8示出了根据一些实施例的用于执行参考图1-图7所述的功能的方法步骤。在步骤802处，微滴可以使用喷嘴喷射。在步骤804处，压力可以使用机电元件而被施加在喷嘴上。在步骤806处，气体可以被分配在材料的路径中。在步骤808处，施加在喷嘴上的压力可以使用由波形生成器生成的电信号来控制。电信号可以包括第一周期性波形和第二周期性波形，并且第二周期性波形可以包括大约1mhz-4mhz之间的频率。在步骤810处，初始微滴可以被聚结而生成经聚结微滴。聚结可以基于第一和第二周期性波形。所测量的距喷嘴的某一距离限定最大聚结长度，在该距离处，在无残余未聚结微滴的情况下形成经聚结微滴。最大聚结长度可以小于约500mm。111.图8的方法步骤可以以任何可想到的顺序执行，并且不要求执行所有步骤。此外，上述图8的方法步骤仅反映了步骤的示例而非限制。也就是说，可以基于参考图1-图7以及以下描述的图9-图12描述的实施例来设想进一步的方法步骤和功能。112.对于以下讨论，将参考图3、图5、图6和图7中的特征，其中附图标记最左边的数字标识附图标记首次出现的图。回到euv不稳定性的主题，以上讨论了在跳跃边界604处或附近，操作源材料传输系统500可能导致源材料传输系统500的聚结长度非常不稳定。不稳定性可能是由于源材料传输系统500在最大聚结长度和最小聚结长度之间抖动，从而导致不稳定的euv生成。例如，微滴触发检测机制可以被用来触发激光系统302。通过检测微滴通过之间的时间(例如，跨越间隔)，可以基于所检测的定时来触发激光系统302，以确保激光脉冲每次都在主焦点(例如，照射区域304)处与经聚结微滴相交，以确保恒定的euv功率输出。113.在一些实施例中，可以使用图像捕获装置(例如，检测器514)来确定跨越间隔(crossing interval)。应当理解，图像检测器可以具有有限的视锥或视场。检测器514可以被对准来观察期望形成完全经聚结微滴522的区域，即，最后中间卫星微滴合并而形成完全经聚结微滴522所处的近似位置。由检测器514观察的位置可以不必是照射区域304，因为如在一些实施例中所讨论的，可能优选的是在到达照射区域304之前，形成完全经聚结微滴522。控制器512可以分析来自检测器514的检测信号来估计平均跨越间隔。114.在一些实施例中，可以例如如下的方式来获得跨越间隔：分析示出卫星微滴以及完全经聚结微滴522(进一步沿其行进路径)的实例的多个图像、观察区域到喷嘴502的孔的距离以及完全经聚结微滴522的跨越频率。在源材料传输系统500使用稳定参数(例如，不接近跳跃边界604)操作的场景中，可以基于由控制器512确定的定时来触发激光系统302。以这种方式，激光脉冲将与进入的完全经聚结微滴522相交的置信度可能相当高。在源材料传输系统500靠近跳跃边界604操作的场景中，跨越间隔中的不确定性可能急剧升高，这可能导致激光脉冲和完全经聚结微滴522的较差的相交。所产生的euv功率输出的波动可能导致采样euv源的光刻工艺的不稳定辐射剂量，从而导致不完美的图案转印和降低的生产成品率。115.在一些实施例中，可以通过实时跟踪跨越间隔而不是估计平均跨越间隔，来在一定程度上减轻跨越间隔中的不确定性。然而，由于完全经聚结微滴522的跨越可能比图像检测器的刷新率频繁得多(例如，10khz-100khz对10hz-1000hz)，检测器514可能不能确定完全经聚结微滴522的跨越频率，因为一些微滴可能避开了检测。为了补充从检测器514收集的信息，选通门检测器(例如，检测器516)可以被用来确定跨越频率(或者倒转地，对应的跨越间隔)。商业上可获得的选通门检测器(例如，激光幕帘)能够足够快地采样速率，从而超过本文实施例中描述的跨越速度。应当理解，不排除执行图像相机跨越时间间隔测量。市场上可获得的高速相机能够以足够快的采样速率拍摄雷击。然而，提供了选通门检测器的示例，因为选通门检测器可以在数量级上更成本有效并且更易于实现。116.在一些实施例中，由于跳跃边界引起的不稳定性可以被消除。例如，控制器512可以响应于确定源材料传输系统500表现出跳跃边界行为而调整旋钮(例如，正弦波和方波之间的相对相位差)。旋钮的选定值可以使得可以远离跳跃边界604来操作源材料传输系统500。控制器512可以通过分析多个图像并估计聚结长度的移位，来确定跳跃边界行为的存在(跳跃边界由聚结长度的突然移位来表征)。控制器512还可以量化跳跃边界604的移位。117.上文已讨论，在一些实施例中，波形生成器506可以向喷嘴502上的机电元件504供应电压信号(例如，混合波形)，并且所得微滴速度分布基于电压信号。微滴速度的实际分布可以随系统而变化。分布的变化可能是由于例如在不同系统之间使用不同的机电元件-不是由于在复制系统中缺乏努力，而是由于机电元件的微观不确定性(和/或任何其它结构中的不确定性)。这样的不确定性导致不相同的灵敏度和机械响应。因此，在电压信号和所产生的微滴速度分布之间存在可变的关系。该可变关系在本文中可以被称为术语“传递函数”。在一个实例中，传递函数可以被理解为：源材料传输系统如何将电压信号传递到喷嘴孔处的微滴-速度扰动的定量关系。传递函数可以用数学表示(例如，数学函数)。例如，如果传递函数相对于第一旋钮的调整是不变的，则就第一旋钮而言，传递函数可以是恒定值。可以存在不同于第一旋钮的、其传递函数不是恒定的第二旋钮。118.在一些实施例中，传递函数是用以测量和确定的有用量。例如，已知传递函数可以被用于基于源材料传输系统500的选定参数外推所产生的聚结行为。在更具体的示例中，针对混合波形中使用的宽振幅范围的传递函数，可以推断微滴的速度分布(总之，传递函数表示电压信号(例如，振幅)和微滴-速度扰动之间的关系)。传递函数还可以被用于推断源材料传输系统500是否在公差内工作或是否需要更换。119.在一些实施例中，可能难以直接测量传递函数，即，通过直接测量每秒钟离开喷嘴的数百万个初始微滴的速度分布。因此，本文中描述的一些实施例提供了用于间接确定传递函数的结构和功能。120.在一些实施例中，从例如当调整旋钮时跳跃边界604的移位，可以导出源传输系统500的传递函数。回想到，微滴速度分布和聚结行为是相关的。并且跳跃边界604通知聚结行为中的转变(例如，微滴从向前合并到向后合并的转变，这与微滴速度的分布有关)。因此，将跳跃边界604移位可以指示源材料传输系统500的转移函数如何相对于旋钮的调整(例如，所施加的电压振幅)演变。121.如上所述，在一些实施例中，确定跳跃边界604的移位可以通过使得控制器512分析来自检测器514的多个图像以确定聚结长度的移位来实现。然而，本文中描述的一些实施例还描述了减小最大聚结长度608(例如，通过增加方波频率与正弦波频率之比)可以提供所期望的特征(例如，避免对调谐旋钮的需要)的方式。在这样做时，最大聚结长度608可以减小到检测器514提供的信息不再允许计算聚结长度的程度。例如，由于完全经聚结微滴522在它们处于检测器514的视场之前形成，所以检测器514看不到卫星。如果检测器514不能“看到”卫星微滴的最终合并，则关于完全经聚结微滴522实际上何时或何处经历最终合并，检测器514保持不确定。即，聚结长度保持未知。如果聚结长度是未确定的，则不能基于聚结长度行为发起对跳跃边界行为的查询，因为聚结长度行为未知。因此，本文中描述的一些实施例提供了用于基于对除了聚结长度行为之外的指标的测量和观察，来确定跳跃边界行为的结构和功能。122.在一些实施例中，控制器512可以通过测量跨越间隔，特别是通过测量跨越间隔的不确定性(例如，标准偏差、3-sigma(标准差)、误差分布函数等)来确定或量化跳跃边界行为。例如，检测器516(例如，激光幕帘)可以生成与检测器516处的微滴(可以是完全经聚结微滴522或中间微滴的群组)的跨越之间的时间间隔相对应的检测信号。因此，为了使得中间微滴的群组在它们形成完全经聚结微滴522的途中被计数为单个跨越事件，检测器516可以具有扰动阈值(例如，小卫星不登记)和/或控制器512可以针对固定时间段上的聚合扰动(例如，0.1ms时间间隔上的集成检测器扰动超过阈值)来分析检测信号。123.图9示出了曲线902和904，其提供了根据一些实施例的源材料传输系统500(图5)的聚结长度、跨越间隔和跨越间隔不确定性之间的关系。曲线902是聚结长度基于两个变量的散布的2d强度图。一个变量是由竖直轴表示的正弦波和方波之间的相对相位差(例如，以弧度表示，非限制性的)。示出了相对相位差的一个完整的360度旋转，并且应当理解，进一步的旋转重复该图案(在360-720度，720-1080度等之间的相同图案)。另一变量是由水平轴表示的、与正弦波的振幅(例如，以任意单位)成比例的量。并且梯度标度表示聚结长度(例如，以任意单位)，其中聚结长度在从黑色到白色的方向上增加。应当理解，曲线902是源材料传输系统的实际观察行为的仿真表示，其中除了(1)方波频率以及正弦波与方波之间的相对相位，以及(2)正弦波振幅之外，所有旋钮被固定在给定值处(并且存在拖曳力)。124.在一些实施例中，在曲线902的水平轴上表示的量可以是经由比例关系与正弦波的振幅有关的任何量之一。例如，水平轴可以经由常数c重新调整，以表示速度扰动u(例如，以米/秒为单位，非限制性的)，其中u＝tf×sine_amplitude。此处，tf是传递函数，并且仅替换了c。125.在一些实施例中，竖直线906表示正弦波的给定振幅的数据片段。本质上，以固定在给定值处的正弦振幅生成的图6的曲线是非常类似于由竖直线906表示的片段。例如，在从底部到顶部的竖直线906中，遇到聚结长度的不连续。在不连续处，聚结长度突然从低值(较暗的阴影)跳跃到较高值(较亮的阴影)。这是跳跃边界604(图6)。126.在一些实施例中，当正弦波的振幅被调整时，线908跟随示例性跳跃边界(跟踪跳跃边界出现的相对相位差的值的移位)。127.在一些实施例中，曲线904是基于曲线902中所使用的相同变量的跨越间隔不确定性的2d强度图。即，曲线904具有与曲线902相同的水平和竖直轴。然而，曲线904的梯度标度表示跨越间隔不确定性(例如，3-sigma)，其中不确定性在从黑色到白色的方向上增加。应当理解，曲线904的仿真类似于曲线902的仿真。可以看出，在曲线902中观察到的跳跃边界线与曲线904所示的跨越间隔不确定性的突然增加(较浅阴影)强烈相关。块箭头910和912指示示例相关性。128.因此，在一些实施例中，代替测量聚结长度以确定跳跃边界行为，可以通过测量跨越间隔不确定性(例如，通过观察跨越间隔不确定性的突然上升)，来确定跳跃边界行为。简要地参考图5，在一些实施例中，检测器516可以检测完全经聚结微滴522的跨越。在跨越间隔检测的上下文中，应当理解，经聚结微滴的检测还包括在形成完全经聚结微滴522的途中检测中间微滴的群组(例如，假设它们聚束得足够近，以使得检测器516不能分辨单独微滴)。检测器516可以生成与完全经聚结微滴522在检测器516处的跨越之间的时间间隔相对应的检测信号。控制器512可以确定至少第一时间间隔和第二时间间隔。控制器512可以确定至少第一时间间隔和第二时间间隔的统计分布。统计分布可以包括时间间隔的不确定性。以这种方式，控制器512可以至少基于时间间隔的不确定性的突然增加，来确定源材料传输系统500正在经历跳跃边界行为。然后基于跳跃边界行为正在发生的确定(例如，控制器512可以生成发送到波形生成器506的命令)，可以调整混合波形的参数(例如，正弦波和方波之间的相对相位)。129.图10示出了根据一些实施例的正弦波和方波之间出现跳跃边界的相对相位的值相对于与正弦波振幅成反比的量的曲线图1002。竖直轴类似于曲线902和904(图9)的竖直轴，因为它表示正弦波和方波之间的相对相位，图10中的不同之处在于：(1)可见范围扩展到大约12见弧度(相对相位大约六转)，以及(2)竖直轴涉及与跳跃边界一致的相对相位的值。水平轴表示曲线902和904的水平轴中所示的量的倒数，其可以与传递函数有关(参见对c和tf的先前解释)。130.在一些实施例中，曲线1002可以是线908(图9)相对于经修改的水平轴(轴值被反转)的重新绘制曲线。控制器512可以执行曲线1002的数据点的数学拟合。拟合可以是线性拟合1004。应当理解，可以基于至少第一和第二数据点来执行线性拟合。附加数据点可以提高拟合精度。基于例如线性拟合1004的斜率、所测量的跨越间隔值、喷嘴502的孔和检测器516之间的已知距离等，控制器512可以确定传递函数。以此方式，传递函数可以在无需执行用于确定聚结长度的相机检查的情况下，基于跨越间隔测量值来确定。131.图11示出了根据一些实施例的用于执行如参考图1-图10所描述的功能的方法步骤。132.在步骤1102处，微滴可以使用喷嘴喷射。133.在步骤1104处，压力可以使用机电元件而被施加在喷嘴上。134.在步骤1106处，可以使用由波形生成器生成的电信号来控制施加在喷嘴上的压力。电信号包括第一周期性波形和第二周期性波形。135.在步骤1108处，初始微滴可以被聚结来生成经聚结微滴。聚结可以基于第一和第二周期性波形和拖曳力。136.在步骤1110处，检测信号可以使用检测器生成。检测信号可以对应于经聚结微滴在检测器处的跨越之间的时间间隔。137.在步骤1112处，至少第一时间间隔和第二时间间隔可以使用处理器来确定。138.图11的方法步骤可以以任何可想到的顺序执行，并且不要求执行所有步骤。此外，上述图11的方法步骤仅反映了步骤的示例而非限制。也就是说，可以基于参考图1-图10和图12描述的实施例来设想进一步的方法步骤和功能。139.各种实施例例如可以使用诸如图12所示的计算机系统1200的一个或多个公知的计算机系统来实现。一个或多个计算机系统1200可以被用于例如实现本文中讨论的任何实施例及其组合和子组合。140.计算机系统1200可以包括一个或多个处理器(也被称为中央处理单元或cpu)，诸如处理器1204。处理器1204可以被连接到通信基础设施或总线1206。141.计算机系统1200还可以包括诸如监视器、键盘、定点设备等的(多个)客户输入/输出设备1203，其可以借助客户输入/输出接口1202与通信基础设施1206通信。142.一个或多个处理器1204可以是图形处理单元(gpu)。在一个实施例中，gpu可以是被设计为处理数学上密集的应用的专用电子电路的处理器。gpu可以具有对大型数据块(例如计算机图形应用、图像、视频等所共有的数学密集数据)的并行处理有效的并行结构。143.计算机系统1200还可以包括主或初级存储器1208，诸如随机存取存储器(ram)。主存储器1208可以包括一个或多个高速缓存级。主存储器1208中可以存储控制逻辑(即，计算机软件)和/或数据。144.计算机系统1200还可以包括一个或多个辅助存储设备或存储器1210。辅助存储器1210可以包括例如硬盘驱动装置1212和/或可移动存储设备或驱动装置1214。可移动存储驱动装置1214可以是软盘驱动装置、磁带驱动装置、光盘驱动装置、光存储装置、磁带备份装置和/或任何其它存储装置/驱动装置。145.可移动存储驱动装置1214可以与可移动存储单元1218交互。可移动存储单元1218可以包括其上存储有计算机软件(控制逻辑)和/或数据的计算机可用或可读存储设备。可移动存储单元1218可以是软盘、磁带、光盘、dvd、光存储盘和/或任何其它计算机数据存储设备。可移动存储驱动装置1214可以从可移动存储单元1218读取和/或向其写入。146.辅助存储器1210可以包括用于允许计算机系统1200访问计算机程序和/或其它指令和/或数据的其它装置、设备、组件、工具或其它方法。这样的装置、设备、组件、工具或其它方法可以包括例如可移动存储单元1222和接口1220。可移除存储单元1222和接口1220的示例可以包括程序盒和盒接口(诸如在视频游戏设备中找到的)、可移除存储器芯片(诸如eprom或prom)和相关联的插座、记忆棒和usb端口、存储卡和相关联的存储卡插槽和/或任何其他可移除存储单元和相关联的接口。147.计算机系统1200还可以包括通信或网络接口1224。通信接口1224可以使得计算机系统1200能够与外部设备、外部网络、外部实体等的任何组合进行通信和交互(单独地和共同地由附图标记1228指代)。例如，通信接口1224可以允许计算机系统1200通过通信路径1226与外部或远程设备1228通信，通信路径1226可以是有线的和/或无线的(或其组合)，并且可以包括lan、wan、因特网等的任何组合。控制逻辑和/或数据可以经由通信路径1226而被传输到计算机系统1200和从计算机系统1200传输。148.计算机系统1200还可以是作为若干非限制性示例的个人数字助理(pda)、台式工作站、膝上型或笔记本计算机、上网本、写字板、智能电话、智能手表或其他可穿戴设备、电器、物联网的一部分和/或嵌入式系统中的任一个或其任何组合。149.计算机系统1200可以是借助任何递送范例访问或托管任何应用程序和/或数据的客户端或服务器，包括但不限于远程或分布式云计算解决方案；本地或预置软件(基于“on-premise”云的解决方案)；“即服务”模型(例如，内容即服务(caas)、数字内容即服务(dcaas)、软件即服务(saas)、管理软件即服务(msaas)、平台即服务(paas)、桌面即服务(daas)、框架即服务(faas)、后端即服务(baas)、移动后端即服务(mbaas)、基础设施即服务(iaas)等)；和/或包括前述示例或其他服务或递送范例的任何组合的混合模型。150.计算机系统1200中的任何可应用的数据结构、文件格式和模式可以从标准中导出，标准包括但不限于javascript对象符号(json)、可扩展标记语言(xml)、又一标记语言(yaml)、可扩展超文本标记语言(xhtml)、无线标记语言(wml)、消息包、xml用户接口语言(xul)或单独或组合的任何其它功能类似表示。备选地，专有数据结构、格式或模式可以被专门使用或与已知的或开放的标准结合使用。151.在一些实施例中，包括其上存储有控制逻辑(软件)的有形、非暂时性计算机可用或可读介质的有形、非暂时性设备或制品在本文中也可以被称为计算机程序产品或程序存储设备。这包括但不限于计算机系统1200、主存储器1208、辅助存储器1210和可移动存储单元1218和1222以及体现前述的任何组合的有形制品。这样的控制逻辑在由一个或多个数据处理设备(诸如计算机系统1200)执行时，可以使得这样的数据处理设备如本文所述地操作。152.基于本公开中包含的教导，对于相关领域的技术人员来说，如何使用不同于图12所示的数据处理设备、计算机系统和/或计算机体系结构来制造和使用本公开的实施例将是显而易见的。具体地，实施例可以利用与本文中描述的不同的软件、硬件和/或操作系统实现方式来操作。153.尽管在本文中可以具体参考光刻设备在ic的制造中的使用，但是应当理解，本文描述的光刻设备可以具有其它应用，诸如集成光学系统的制造、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、lcd、薄膜磁头等。本领域技术人员将理解，在这样的备选应用的上下文中，本文中术语“晶片”或“管芯”的任何使用可以被认为分别与更通用的术语“衬底”或“目标部分”同义。在曝光之前或之后，本文中提到的衬底可以在例如跟踪单元(通常将抗蚀剂层施加到衬底上并且使得经曝光的抗蚀剂显影的工具)、量测单元和/或检查单元中处理。在适用的情况下，本文的公开内容可以被应用于这样的和其它衬底处理工具。此外，例如为了创建多层ic，可以不止一次地处理衬底，使得本文中使用的术语衬底也可以指代已包含多个处理层的衬底。154.尽管以上已具体参考了本公开的实施例在光学光刻的上下文中的使用，但是应当理解，本公开可以用于其他应用，例如压印光刻，并且在上下文允许的情况下，不限于光学光刻。在压印光刻中，图案形成装置中的形貌限定在衬底上创建的图案。图案形成装置的形貌可以被压入提供给衬底的抗蚀剂层中，由此抗蚀剂通过施加电磁辐射、热、压力或其组合来固化。在抗蚀剂固化之后，图案形成装置移出抗蚀剂，在其中留下图案。155.应理解，本文的措辞或术语是为了描述而非限制的目的，使得本公开的术语或措辞应由相关领域的技术人员根据本文的教导来解释。156.如本文所使用的术语“辐射”、“光束”、“光”、“照射”等可以涵盖所有类型的电磁辐射，例如紫外(uv)辐射(例如具有365nm、248nm、193nm、157nm或126nm的波长λ)、极紫外(euv或软x射线)辐射(例如具有5nm-100nm范围内的波长，例如13.5nm)或在小于5nm下工作的硬x射线以及粒子束(诸如离子束或电子束)。通常，波长在约400nm至约700nm之间的辐射被认为是可见辐射；波长在约780nm-3000nm(或更大)之间的辐射被认为是ir辐射。uv指代波长约为100nm-400nm的辐射。在光刻中，术语“uv”也适用于可以由汞放电灯产生的波长：g-线436nm；h-线405nm；和/或i-线365nm。真空uv或vuv(即，被气体吸收的uv)是指具有约100nm-200nm的波长的辐射。深uv(duv)通常是指具有范围从126nm至428nm的波长的辐射，并且在一些实施例中，准分子激光器可以生成在光刻设备内使用的duv辐射。应当理解，具有例如5nm-20nm范围内的波长的辐射涉及具有特定波段的辐射，波段的至少一部分在5nm-20nm的范围内。157.本文中使用的术语“衬底”描述了在其上添加材料层的材料。在一些实施例中，衬底本身可以被图案化，并且添加在其顶部的材料也可以被图案化，或者可以在不图案化的情况下保持。158.尽管在本文中可以具体参考根据本公开的设备和/或系统在ic制造中的使用，但是应当清楚地理解，这样的设备和/或系统具有许多其它可能的应用。例如，其可用于制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、lcd面板、薄膜磁头等。本领域技术人员将理解，在这样的备选应用的上下文中，本文中术语“掩模版”、“晶片”或“管芯”的任何使用应被认为分别由更通用的术语“掩模”、“衬底”和“目标部分”代替。159.在以下编号的条款中描述了根据本公开的另外的实施例：160.1.一种系统，包括：161.喷嘴，被配置为通过气体来喷射材料的初始微滴；162.机电元件，被设置在喷嘴上并且被配置用于将压力施加在喷嘴上；以及163.波形生成器，被电耦合至机电元件上、并且被配置为生成用于控制喷嘴上施加的压力的电信号，其中电信号包括具有第一频率的第一周期性波形和具有不同于第一频率的第二频率的第二周期性波形，并且第二频率与第一频率的比率在约20-150之间，并且164.其中系统被配置为根据基于第一周期性波形和第二周期性波形以及拖曳力的初始微滴的聚结，来生成经聚结微滴。165.2.根据条款1所述的系统，进一步包括气体分配器装置，气体分配器装置被配置为将气体分配在材料的路径中。166.3.根据前述条款中任一项所述的系统，其中第一周期性波形包括正弦波。167.4.根据前述条款中任一项所述的系统，其中第一周期性波形包括大约30khz至90khz之间的频率。168.5.根据前述条款中任一项所述的系统，其中第一周期性波形包括大约30khz至70khz之间的频率。169.6.根据前述条款中任一项所述的系统，其中第一周期性波形包括在大约70khz至90khz之间的频率。170.7.根据前述条款中任一项所述的系统，其中第二波形包括方波。171.8.根据前述条款中任一项所述的系统，其中第二频率是第一频率的整数倍。172.9.根据前述条款中任一项所述的系统，其中第二频率与第一频率的比率在大约20-100之间。173.10.根据前述条款中任一项所述的系统，其中第二频率与第一频率的比率在大约40-80之间。174.11.根据前述条款中任一项所述的系统，其中第一周期性波形和第二周期性波形是叠加的。175.12.根据前述条款中任一项所述的系统，其中初始微滴的速度分布基于响应于第一周期性波形和第二周期性波形而来自所施加的压力的扰动。176.13.根据前述条款中任一项所述的系统，其中经聚结微滴中的每一个具有相似的速度和相似的在其间的间隙。177.14.根据前述条款中任一项所述的系统，其中：178.所测量的距所述喷嘴的最大距离限定系统的最大聚结长度，在该最大距离处，在无残余未聚结微滴的情况下形成所述经聚结微滴并且179.系统被配置为通过至少调整第二频率与第一频率的比率来调整最大聚结长度。180.15.根据条款14所述的系统，其中最大聚结长度小于约500mm。181.16.根据条款14或15所述的系统，其中最大聚结长度小于约450mm。182.17.根据条款14至16中任一项所述的系统，其中最大聚结长度小于约400mm。183.18.根据条款14至17中任一项所述的系统，其中最大聚结长度小于约300mm。184.19.根据前述条款中任一项所述的系统，进一步包括控制器，该控制器被配置用于控制第一周期性波形和/或第二周期性波形的参数。185.20.根据前述条款中任一项所述的系统，其中：186.所测量的距喷嘴的最大距离限定系统的最大聚结长度，在该最大距离处在无残余未聚结微滴的情况下形成经聚结微滴，并且187.系统被配置为通过至少调整气体的密度或温度来调整最大聚结长度。188.21.根据前述条款中任一项所述的系统，其中：189.所测量的距喷嘴的某一距离限定系统的聚结长度，在该距离处在无残余未聚结微滴的情况下形成经聚结微滴，并且190.系统被配置为通过至少调整第一周期性波形和第二周期性波形之间的相对相位来调整聚结长度。191.22.根据前述条款中任一项所述的系统，其中机电元件包括压电材料。192.23.根据前述条款中任一项所述的系统，进一步包括检测器，该检测器被配置用于检测经聚结微滴中的每一个何时跨越系统中的给定位置并且生成信号。193.24.一种光刻设备，包括：194.照射系统，被配置为照射图案形成装置的图案，照射系统包括：195.喷嘴，被配置为通过气体来喷射材料的初始微滴；196.机电元件，被设置在喷嘴上并且被配置用于将压力施加在喷嘴上；以及197.波形生成器，被电耦合至机电元件上、并且被配置为生成用于控制喷嘴上施加的压力的电信号，其中电信号包括具有第一频率的第一周期性波形和具有不同于第一频率的第二频率的第二周期性波形，并且第二频率与第一频率的比率在约20-150之间，并且198.其中所述照射系统被配置为根据基于第一周期性波形和第二周期性波形以及拖曳力的初始微滴的聚结，来生成经聚结微滴。199.25.根据条款24所述的光刻设备，其中所述照射系统进一步被配置为生成euv辐射，并且照射使用euv辐射来执行。200.26.一种方法，包括：201.使用喷嘴来喷射材料的初始微滴；202.使用机电元件将压力施加在喷嘴上；203.将气体分配在材料的路径中；204.使用由波形生成器生成的电信号来控制施加在喷嘴上的压力，电信号包括具有第一频率的第一周期性波形和具有不同于第一频率的第二频率的第二周期性波形，并且第二频率与第一频率的比率在约20-150之间；以及205.基于第一周期性波形和第二周期性波形和拖曳力来聚结初始微滴，以生成经聚结微滴。206.27.一种方法，包括：207.使用喷嘴来喷射材料的初始微滴；208.使用机电元件将压力施加在喷嘴上；209.使用由波形生成器生成的电信号来控制施加在喷嘴上的压力，其中电信号包括第一周期性波形和第二周期性波形；210.基于第一周期性波形和第二周期性波形和拖曳力来聚结初始微滴，以生成经聚结微滴；211.使用检测器生成检测信号，检测信号对应于经聚结微滴在检测器处的跨越之间的时间间隔；以及212.使用处理器确定时间间隔中的至少第一时间间隔和第二时间间隔。213.28.根据条款27所述的方法，其中确定还包括：基于时间间隔中的至少第一时间间隔和第二时间间隔，确定时间间隔的不确定性。214.29.根据条款28所述的方法，还包括使用处理器，至少基于时间间隔的不确定性来确定跳跃边界的出现。215.30.根据条款29所述的方法，其中控制包括：基于跳跃边界的出现来调整电信号的参数。216.31.根据条款30所述的方法，其中参数包括第一周期性波形和第二周期性波形之间的相对相位。217.32.根据条款27所述的方法，还包括使用处理器，基于时间间隔中的至少第一时间间隔和第二时间间隔来确定电信号与喷嘴处的微滴-速度扰动之间的关系。218.33.根据条款32所述的方法，其中确定电信号与喷嘴处的微滴-速度扰动之间的关系进一步基于喷嘴与检测器之间的距离。219.34.一种非暂时性计算机可读介质，其具有存储在其上的指令，该指令在处理器上执行时，使得处理器执行操作，操作包括：220.从源材料传输系统的检测器接收检测信号，其中检测信号与经聚结微滴在检测器处的跨越之间的时间间隔相关联；以及221.基于检测信号，确定时间间隔中的至少第一时间间隔和第二时间间隔。222.35.根据条款34所述的非暂时性计算机可读介质，其中确定还包括：基于时间间隔中的至少第一时间间隔和第二时间间隔来确定时间间隔的不确定性。223.36.根据条款35所述的非暂时性计算机可读介质，其中操作还包括使用处理器，至少基于时间间隔的不确定性来确定跳跃边界的出现。224.37.根据条款36所述的非暂时性计算机可读介质，其中：225.操作还包括：使用由波形生成器生成的电信号来控制源材料传输系统的喷嘴上施加的压力；226.电信号包括第一周期性波形和第二周期性波形；并且227.控制包括基于跳跃边界的出现来调整电信号的参数。228.38.根据条款37所述的非暂时性计算机可读介质，其中参数包括第一周期性波形和第二周期性波形之间的相对相位。229.39.根据条款34所述的非暂时性计算机可读介质，进一步包括使用处理器，基于时间间隔中的至少第一时间间隔和第二时间间隔来确定电信号与喷嘴处的微滴-速度扰动之间的关系。230.40.根据条款39所述的非暂时性计算机可读介质，其中确定电信号与喷嘴处的微滴-速度扰动之间的关系进一步基于喷嘴与检测器之间的距离。231.41.一种系统，包括：232.喷嘴，被配置为喷射材料的初始微滴；233.机电元件，被设置在喷嘴上并且被配置用于将压力施加在喷嘴上；234.波形生成器，被电耦合至机电元件，其中235.波形生成器被配置为生成用于控制施加在喷嘴上的压力的电信号，236.电信号包括第一周期性波形和第二周期性波形，并且237.系统被配置为根据基于第一周期性波形和第二周期性波形的初始微滴的聚结，来生成经聚结微滴；238.检测器，被配置为生成检测信号，检测信号包括经聚结微滴在检测器处的跨越之间的时间间隔的信息；以及239.处理器，被配置为确定时间间隔中的至少第一时间间隔和第二时间间隔。240.42.根据条款41所述的系统，其中确定还包括：基于时间间隔中的至少第一时间间隔和第二时间间隔来确定时间间隔的不确定性。241.43.根据条款42所述的系统，其中处理器还被配置为：至少基于时间间隔的不确定性来确定跳跃边界的出现。242.44.根据条款43所述的系统，其中处理器还被配置为：基于跳跃边界的出现来调整电信号的参数。243.45.根据条款44所述的系统，其中参数包括第一周期性波形和第二周期性波形之间的相对相位。244.46.根据条款41所述的系统，其中处理器还被配置为：使用处理器，基于时间间隔中的至少第一时间间隔和第二时间间隔来确定电信号与喷嘴处的微滴-速度扰动之间的关系。245.虽然以上已描述了本公开的具体实施例，但是应当理解，本公开可以以不同于所描述的方式来实现。本说明书不旨在限制本公开。246.应当理解，具体实施方式部分而不是发明内容和摘要部分旨在用于解释权利要求。发明内容和摘要部分可以阐述发明人预期的本公开的一个或多个但不是所有示例性实施例，并且因此不旨在以任何方式限制本公开和所附权利要求。247.以上借助图示了特定功能及其关系的实现方式的功能构建块描述了本公开。为了便于描述，这些功能构建块的边界在此被任意定义。只要适当地执行所指定的功能及其关系，就可以定义备选边界。248.具体实施例的以上描述将充分揭示本公开的一般性质，使得其他人可以在无需过多的实验，不脱离本公开的一般概念的情况下，通过应用本领域的技术内的知识，容易地修改和/或适配这样的具体实施例的各种应用。因此，基于本文给出的教导和指导，这样的调整和修改旨在处于所公开的实施例的等同物的含义和范围内。249.受保护的主题的广度和范围不应受任何上述示例性实施例的限制，而应仅根据所附权利要求及其等同物来限定。









图片声明：本站部分配图来自人工智能系统AI生成,觅知网授权图片,PxHere摄影无版权图库。本站只作为美观性配图使用,无任何非法侵犯第三方意图,一切解释权归图片著作权方,本站不承担任何责任。如有恶意碰瓷者,必当奉陪到底严惩不贷!




内容声明：本文中引用的各种信息及资料（包括但不限于文字、数据、图表及超链接等）均来源于该信息及资料的相关主体（包括但不限于公司、媒体、协会等机构）的官方网站或公开发表的信息。部分内容参考包括:(百度百科,百度知道,头条百科,中国民法典,刑法,牛津词典,新华词典,汉语词典,国家院校,科普平台)等数据,内容仅供参考使用,不准确地方联系删除处理！本站为非盈利性质站点,发布内容不收取任何费用也不接任何广告!




免责声明：我们致力于保护作者版权，注重分享，被刊用文章因无法核实真实出处，未能及时与作者取得联系，或有版权异议的，请联系管理员，我们会立即处理，本文部分文字与图片资源来自于网络，部分文章是来自自研大数据AI进行生成,内容摘自(百度百科,百度知道,头条百科,中国民法典,刑法,牛津词典,新华词典,汉语词典,国家院校,科普平台)等数据,内容仅供学习参考,不准确地方联系删除处理!的,若有来源标注错误或侵犯了您的合法权益，请立即通知我们，情况属实，我们会第一时间予以删除，并同时向您表示歉意,谢谢!