晶圆的虚拟打墨方法与流程

测量装置的制造及其应用技术1.本发明涉及集成电路制造技术领域，尤其涉及一种晶圆的虚拟打墨方法。背景技术：2.一般集成电路制程可依序区分为晶圆制造阶段、芯片测试阶段以及芯片封装阶段，而随着目前电子产品讲究轻薄短小，因此现阶段的封装技术为了降低封装体积并改善集成电路效能，已逐渐趋向于覆晶封装、多芯片模块等高阶封装技术，然而这些高阶封装方式的成本高昂，因此最好能够在封装前即针对晶圆进行晶圆测试(cp测试)，以在后段封装制程前将晶圆上的不良晶粒剔除，节省不必要的封装成本。3.晶圆进行晶圆测试之后，往往需要在晶圆上进行虚拟打墨以标记出不良晶粒的位置，然而为了提高产能，目前的晶圆测试通常不是全测，而是抽测，对于晶圆上未进行测试的晶粒，通常默认是合格晶粒，这种情况只能适用于晶圆上没有聚类的不良晶粒的情况，一旦晶圆上具有聚类的不良晶粒，则聚类的不良晶粒周围的晶粒极大可能都是不良晶粒，如果默认为合格晶粒直接送封，会导致浪费封装成本上升，成品良率降低。此外，对于车规、军规等高要求的产品，即使晶圆测试是全测的，聚类的不良晶粒周围的晶粒即使测出来是合格的晶粒，也不能作为成品送封，因此在晶圆测试之后，还需要进行额外的虚拟打墨。4.然而，目前针对晶圆测试之后的虚拟打墨，通常只能人工手动进行，精度差，效率低，也易出错。技术实现要素：5.本发明的目的在于提供一种晶圆的虚拟打墨方法，以解决现有的人工手动进行虚拟打墨精度差、效率低、易出错等问题。6.为了达到上述目的，本发明提供了一种晶圆的虚拟打墨方法，包括：7.对晶圆进行晶圆测试，并基于所述晶圆的不良晶粒的数量和分布方式判断所述晶圆是否需要进行针对所述晶圆测试的虚拟打墨；8.当判定所述晶圆需要进行针对所述晶圆测试的虚拟打墨时，分析所述晶圆的失效来源；以及，9.当无法分析出所述晶圆的失效来源时，对每个所述不良晶粒周围的至少部分晶粒进行虚拟打墨，当分析出所述晶圆的失效来源时，基于所述晶圆的失效来源对所述晶圆划分子区域，并基于所述不良晶粒的分布方式对至少部分所述子区域中的所有晶粒整体进行虚拟打墨。10.可选的，所述晶圆包括中心区域及围绕所述中心区域的边缘区域，基于所述晶圆的不良晶粒的数量和分布方式判定所述晶圆是否需要进行虚拟打墨的步骤包括：11.分别获取所述中心区域和所述边缘区域的晶粒良率，并判断所述中心区域的晶粒良率是否小于第一阈值及所述边缘区域的晶粒良率是否小于第二阈值；12.当判定所述中心区域的晶粒良率小于所述第一阈值和/或所述边缘区域的晶粒良率小于所述第二阈值时，判断所述不良晶粒是否满足预定的聚类规则；以及，13.当判定所述不良晶粒满足所述聚类规则时，判定所述晶圆需要进行针对所述晶圆测试的虚拟打墨。14.可选的，所述聚类规则包括在大于第一预定数量的所述不良晶粒中，每相邻的两个所述不良晶粒之间的合格晶粒小于第二预定数量，其中，相邻的两个所述不良晶粒包括横向上、纵向上及两个对角线方向上相邻的两个所述不良晶粒。15.可选的，对每个所述不良晶粒周围的至少部分晶粒进行虚拟打墨包括沿横向对所述不良晶粒的两侧的第三预定数量的晶粒进行虚拟打墨、沿纵向对所述不良晶粒的两侧的第四预定数量的晶粒进行虚拟打墨、沿第一对角线方向对所述不良晶粒的两侧的第五预定数量的晶粒进行虚拟打墨及沿第二对角线方向对所述不良晶粒的两侧的第六预定数量的晶粒进行虚拟打墨中的至少一者。16.可选的，所述晶圆的失效来源具有若干个，基于不同的所述失效来源分别对所述晶圆划分子区域并分别进行虚拟打墨，并将所有虚拟打墨结果叠加。17.可选的，所述晶圆的失效来源包括曝光机台、夹持机台及研磨机台中的至少一者。18.可选的，当所述晶圆的失效来源为曝光机台时，将所述晶圆划分为对应所述曝光机台的曝光视场的若干所述子区域，对满足所述聚类规则的所述不良晶粒所在的所述子区域中的所有晶粒整体进行虚拟打墨。19.可选的，所述夹持机台具有若干夹爪，当所述晶圆的失效来源为夹持机台时，将所述晶圆划分为若干同心圆环，并基于所述夹爪的数量至少将最外圈的圆环划分为若干圆弧形的所述子区域，对满足所述聚类规则的所述不良晶粒所在的所述子区域中的所有晶粒整体进行虚拟打墨。20.可选的，所述研磨机台的研磨盘具有若干呈同心圆环的研磨区域，每个所述研磨区域施加的研磨压力独立控制，当所述晶圆的失效来源为研磨机台时，基于所述研磨区域的数量将所述晶圆划分为若干同心圆环，并将每个圆环划分为若干弧形的子区域，对满足所述聚类规则的所述不良晶粒所在的子区域中的所有晶粒整体进行虚拟打墨。21.可选的，所述晶圆的虚拟打墨方法还包括：22.对所述晶圆进行缺陷测试，并基于所述晶圆上的缺陷的尺寸和类型判断所述晶圆是否需要进行针对所述缺陷测试的虚拟打墨；23.当判定所述晶圆需要进行针对所述缺陷测试的虚拟打墨时，对所述缺陷覆盖的晶粒进行虚拟打墨；以及，24.在针对所述晶圆测试的虚拟打墨完成后，将针对所述晶圆测试的虚拟打墨结果与针对所述缺陷测试的虚拟打墨结果叠加。25.可选的，当所述晶圆上的缺陷的最大宽度与所述晶粒的宽度之比大于第三阈值时和/或所述缺陷的类型属于特定类型时，判定所述晶圆需要进行针对所述缺陷测试的虚拟打墨。26.可选的，所述特定类型包括桥接缺陷及断路缺陷。27.可选的，进行虚拟打墨时，只对所述晶圆上的合格晶粒进行虚拟打墨，且每个所述合格晶粒只进行一次虚拟打墨。28.在本发明提供的晶圆的虚拟打墨方法中，首先基于晶圆的不良晶粒的数量和分布方式判断晶圆是否需要进行针对晶圆测试的虚拟打墨，若是，则分析晶圆的失效来源，当无法分析出晶圆的失效来源时，对每个不良晶粒周围的至少部分晶粒均进行虚拟打墨，当分析出晶圆的失效来源时，基于晶圆的失效来源对晶圆划分子区域，并基于不良晶粒的分布方式对至少部分子区域中的所有晶粒整体进行虚拟打墨。本发明不需要人工参与，虚拟打墨的规则统一，避免人工操作的差异和误操作，提高了虚拟打墨的效率。附图说明29.图1为本发明实施例提供的晶圆的虚拟打墨方法的流程图；30.图2为本实施例提供的晶圆测试结果的示意图；31.图3a～图3c为本发明实施例提供的三种所述不良晶粒的局部分布图；32.图4a为本发明实施例提供的一个不良晶粒的示意图；33.图4b～图4g为本发明实施例提供的采用6种不同的方式对图4a中的不良晶粒周围的至少部分晶粒进行虚拟打墨的示意图；34.图5a及图5b为本发明实施例提供的采用两种不同的方式对图3a中的所有所述不良晶粒周围的至少部分晶粒进行虚拟打墨的示意图；35.图6a为本发明实施例提供的将所述晶圆划分为对应所述曝光机台的曝光视场的若干子区域的示意图；36.图6b为本发明实施例提供的对图6a中的3个子区域中的所有晶粒整体进行虚拟打墨的示意图；37.图7a为本发明实施例提供的将所述晶圆划分为3个同心圆环、每个圆环划分6个所述子区域的示意图；38.图7b为本发明实施例提供的对图7a中的1个子区域进行中的所有晶粒整体进行虚拟打墨的示意图；39.图8为本发明实施例提供的对图8中的3个子区域进行中的所有晶粒整体进行虚拟打墨的示意图；40.图9为将图7b中的虚拟打墨结果与图8中的虚拟打墨结果叠加后的示意图；41.图10为本发明实施例提供的晶圆的虚拟打墨方法的其他步骤的示意图。具体实施方式42.下面将结合示意图对本发明的具体实施方式进行更详细的描述。根据下列描述，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。43.图1为本实施例提供的晶圆的虚拟打墨方法的流程图。如图1所示，本实施例提供的晶圆的虚拟打墨方法包括步骤s100、步骤s200及步骤s300。44.执行步骤s100，对晶圆进行晶圆测试，并基于所述晶圆的不良晶粒的数量和分布方式判断所述晶圆是否需要进行针对所述晶圆测试的虚拟打墨。45.具体而言，图2为本实施例提供的晶圆测试结果的示意图，如图2所示，对所述晶圆进行晶圆测试(cp测试)，从而找出所述晶圆上的不良晶粒(bad die，图2中阴影较重的部分)和合格晶粒(good die，图2中阴影较轻的部分)，进行所述晶圆测试时，会对找出的不良晶粒进行虚拟打墨，相当于将所述不良晶粒标记出来，未标记的晶粒均为合格晶粒。46.可选的，对所述晶圆进行晶圆测试可以是对所述晶圆上的每个晶粒进行测试，从而准确的找出所述晶圆上的不良晶粒和合格晶粒；当然，对所述晶圆进行晶圆测试可以是对所述晶圆上的部分晶粒进行抽样测试，抽样测试中找出的不良晶粒会被当成不良晶粒进行虚拟打墨，但抽样测试找出的合格晶粒以及未进行测试的晶粒均会被当成合格晶粒。47.应理解，对所述晶圆进行晶圆测试可以是真实地对所述晶圆进行所述晶圆测试，也可以并未真实地进行所述晶圆测试，例如：可以在一批晶圆中随机抽取至少一片晶圆进行晶圆测试，然后将抽取的晶圆的晶圆测试结果叠加后作为该批晶圆其他晶圆的晶圆测试结果，或者在多批晶圆中随机抽取至少一批晶圆进行晶圆测试，然后将抽取的晶圆的晶圆测试结果叠加后作为该多批晶圆的其他批晶圆的晶圆测试结果，此处不再一一举例说明。48.可以理解的是，所述晶圆包括中心区域及围绕所述中心区域的边缘区域，由于所述边缘区域靠近所述晶圆的边缘位置，因此所述边缘区域的晶粒良率通常较低，而所述中心区域位于所述晶圆的中心位置，因此所述中心区域的晶粒良率通常较高。49.本实施例中，若所述晶圆的良率极高，且所述不良晶粒的分布分散，则通常可以说明所述晶圆的制程是正常的，在对所述晶圆进行晶圆测试之后不需要额外进行针对所述晶圆测试的虚拟打墨，反之，则需要进行额外的虚拟打墨。本实施例中，基于所述晶圆的不良晶粒的数量和分布方式判断所述晶圆是否需要进行针对所述晶圆测试的虚拟打墨(额外的虚拟打墨)，具体而言，先分别获取所述中心区域和所述边缘区域的晶粒良率，并判断所述中心区域的晶粒良率是否小于第一阈值及所述边缘区域的晶粒良率是否小于第二阈值，当判定所述中心区域的晶粒良率小于所述第一阈值和/或所述边缘区域的晶粒良率小于所述第二阈值时，表明所述中心区域的晶粒良率和/或所述边缘区域的晶粒良率过低。接下来，判断所述不良晶粒是否满足预定的聚类规则，当判定所述不良晶粒满足所述聚类规则时，表明所述不良晶粒的分布集中，判定所述晶圆需要进行针对所述晶圆测试的虚拟打墨。也即，当所述中心区域的晶粒良率和/或所述边缘区域的晶粒良率过低，并且所述不良晶粒的分布集中时，所述晶圆需要进行针对所述晶圆测试的虚拟打墨，若所述中心区域的晶粒良率及所述边缘区域的晶粒良率较高，并且所述不良晶粒的分布也并不集中，则无需进行针对所述晶圆测试的虚拟打墨(就以所述晶圆测试的结果为准)，可以对所述晶圆放行，进入下一制程。50.作为可选实施例，所述第一阈值可以大于所述第二阈值，例如，所述第一阈值可以大于90％，所述第二阈值可以大于70％，但不应以此为限。51.进一步地，本实施例中，所述聚类规则包括在大于第一预定数量的所述不良晶粒中，每相邻的两个所述不良晶粒之间的所述合格晶粒小于第二预定数量，其中，相邻的两个所述不良晶粒包括横向上、纵向上及两个对角线方向上相邻的两个所述不良晶粒。图3a～图3c为本实施例提供的三种所述不良晶粒的局部分布图，举例而言，若所述第一预定数量为6，所述第二预定数量为2，图3a中具有8个(大于6)所述不良晶粒，每相邻的两个所述不良晶粒之间的所述合格晶粒是0或1(均小于2)，因此图3a中的所述不良晶粒满足所述聚类规则；图3b中具有7个(大于6)所述不良晶粒，每相邻的两个所述不良晶粒之间的所述合格晶粒均为1(小于2)，因此图3b中的所述不良晶粒满足所述聚类规则；图3c中具有4个(小于6)所述不良晶粒，因此图3b中的所述不良晶粒不满足所述聚类规则。举例而言，若所述第一预定数量为3，所述第二预定数量为1，图3a中具有8个所述不良晶粒，其中的7个(大于3)所述不良晶粒中，每相邻的两个所述不良晶粒之间的所述合格晶粒均是0(小于1)，因此图3a中的所述不良晶粒满足所述聚类规则；图3b中具有7个(大于3)所述不良晶粒，每相邻的两个所述不良晶粒之间的所述合格晶粒均为1(等于1)，因此图3b中的所述不良晶粒不满足所述聚类规则；图3c中具有4个(大于3)所述不良晶粒，每相邻的两个所述不良晶粒之间的所述合格晶粒均是0(小于1)，因此图3c中的所述不良晶粒满足所述聚类规则。52.执行步骤s200：当判定所述晶圆需要进行针对所述晶圆测试的虚拟打墨时，分析所述晶圆的失效来源。53.具体而言，当所述晶圆的中心区域和/或所述边缘区域的晶粒良率高且产生了满足聚类规则的所述不良晶粒时，通常所述晶圆的失效并非是随机失效，而是与具体制程有关，例如所述晶圆的失效来源可以是曝光机台、夹持机台及研磨机台中的至少一者。54.可以理解的是，由于所述夹持机台的夹爪通常通过接触所述晶圆的边缘区域从而夹持所述晶圆，因此由所述夹持机台引起的失效，所述不良晶粒会集中在所述晶圆的边缘区域，并且聚集在所述夹爪接触的位置。由于所述曝光机台是利用一个曝光视场逐个对所述晶圆上的曝光区域进行曝光的，因此由所述曝光机台引起的失效，所述不良晶粒会集中在某个/某些曝光区域内。所述研磨机台的研磨盘具有若干呈同心圆环的研磨区域，每个所述研磨区域施加的研磨压力相互独立，也即是说，所述研磨机台在研磨所述晶圆时，每个所述研磨区域施加的研磨压力是独立控制的，因此由所述研磨机台引起的失效，所述不良晶粒会集中在所述晶圆的某个/某些环形区域上。55.可见，当所述失效来源不同的，满足所述聚类规则的所述不良晶粒的分布位置也会不同，可以据此分析出所述晶圆的失效来源。当然，分析出所述晶圆的失效来源的方式不限于此，还可以与其他的方式结合分析。56.应理解，即使满足所述聚类规则的所述不良晶粒的分布位置与所述失效来源有关，也存在无法准确分析出所述晶圆的失效来源的情况。57.执行步骤s300，当无法分析出所述晶圆的失效来源时，对每个所述不良晶粒周围的至少部分晶粒进行虚拟打墨，当分析出所述晶圆的失效来源时，基于所述晶圆的失效来源对所述晶圆划分子区域，并基于所述不良晶粒的分布方式对至少部分所述子区域中的所有晶粒整体进行虚拟打墨。58.具体而言，若无法分析出所述晶圆的失效来源，对每个所述不良晶粒周围的至少部分晶粒进行虚拟打墨时，可以沿横向对所述不良晶粒的两侧的第三预定数量的晶粒进行虚拟打墨、沿纵向对所述不良晶粒的两侧的第四预定数量的晶粒进行虚拟打墨、沿第一对角线方向对所述不良晶粒的两侧的第五预定数量的晶粒进行虚拟打墨及沿第二对角线方向对所述不良晶粒的两侧的第六预定数量的晶粒进行虚拟打墨中的至少一者。59.举例而言，图4a为本实施例提供的一个不良晶粒的示意图，图4a中，阴影部分为所述不良晶粒，其他部分为所述合格晶粒。图4b～图4g为本实施例提供的采用6种不同的方式对图4a中的不良晶粒周围的至少部分晶粒进行虚拟打墨的示意图。图4b展示出了单独沿横向对所述不良晶粒的两侧的一个晶粒进行虚拟打墨的情况，图4c展示出了单独沿纵向对所述不良晶粒的两侧的一个晶粒进行虚拟打墨的情况，图4d展示出了单独沿第一对角线方向(45°角方向)对所述不良晶粒的两侧的一个晶粒进行虚拟打墨的情况，图4e展示出了单独沿第二对角线方向(-45°角方向)对所述不良晶粒的两侧的一个晶粒进行虚拟打墨的情况，图4f展示出了同时沿横向、纵向、第一对角线方向及第二对角线方向对所述不良晶粒的两侧的一个晶粒进行虚拟打墨的情况，图4g展示出了沿横向、纵向对所述不良晶粒的两侧的两个晶粒进行虚拟打墨，同时沿第一对角线方向及第二对角线方向对所述不良晶粒的两侧的一个晶粒进行虚拟打墨的情况。当然，对所述不良晶粒周围的至少部分晶粒进行虚拟打墨的情况不限于此，可以根据实际产品需要选择所述第三预定数量、第四预定数量、第五预定数量及第六预定数量的具体数值，以及根据实际产品需要选择对所述不良晶粒周围的某些晶粒进行虚拟打墨。60.图5a及图5b为本实施例提供的采用两种不同的方式对图3a中的所有所述不良晶粒周围的至少部分晶粒进行虚拟打墨的示意图。图5a展示了同时沿横向、纵向、第一对角线方向及第二对角线方向对所有所述不良晶粒的两侧的一个晶粒进行虚拟打墨的情况，图5b展示了单独沿纵向对所有所述不良晶粒的两侧的两个晶粒进行虚拟打墨的情况。从图5a及图5b中可见，由于所述晶圆进行晶圆测试时，所述不良晶粒已经被标记(虚拟打墨)了，对所述不良晶粒周围的至少部分晶粒进行虚拟打墨时，可以只对合格晶粒进行虚拟打墨，而不必对所述不良晶粒进行重复虚拟打墨，且每个所述合格晶粒也只进行一次虚拟打墨，从而避免重复对一个晶粒进行虚拟打墨。61.进一步地，当分析出所述晶圆的失效来源时，需要先基于所述晶圆的失效来源对所述晶圆划分子区域。具体的，当所述晶圆的失效来源为曝光机台时，先将所述晶圆划分为对应所述曝光机台的曝光视场的若干子区域。图6a为本实施例提供的将所述晶圆划分为对应所述曝光机台的曝光视场的若干子区域的示意图。如图6a所示，所述子区域与所述曝光机台的曝光视场是一一对应的，也即所述子区域为所述曝光机台在一次曝光过程中对所述晶圆进行曝光的曝光区域，应理解，所述曝光机台的曝光视场通常是矩形的，然而对所述晶圆的边缘区域进行曝光时，所述曝光机台的曝光视场下会存在位于所述晶圆之外的无效区域，因此，所述子区域并非一定是矩形的。62.接下来，基于所述不良晶粒的分布方式对至少部分所述子区域中的所有晶粒整体进行虚拟打墨。图6b为本实施例提供的对图6a中的3个子区域中的所有晶粒整体进行虚拟打墨的示意图，如图6b所示，本实施例中，满足所述聚类规则的所述不良晶粒位于3个相邻的所述子区域中，因此对这3个所述子区域中的所有晶粒整体进行虚拟打墨，相当于将这3个所述子区域中的所有晶粒都标记为不良晶粒。63.进一步地，当所述晶圆的失效来源为夹持机台时，首先将所述晶圆划分为若干同心圆环，然后基于所述夹爪的数量至少将最外圈的圆环划分为若干圆弧形的子区域。图7a为本实施例提供的将所述晶圆划分为3个同心圆环、每个圆环划分6个所述子区域的示意图，如图7a所示，本实施例中，所述夹爪的数量为3个，为了便于操作，直接将所述晶圆沿径向划分为6个扇形区域，划分的6个扇形区域与划分的3个同心圆环叠加后，每个圆环均被划分为了6个圆弧形的所述子区域。图7b为本实施例提供的对图7a中的1个子区域中的所有晶粒整体进行虚拟打墨的示意图，如图7b所示，本实施例中，满足所述聚类规则的所述不良晶粒位于最外圈的圆环的一个所述子区域中，因此对这个子区域中的所有晶粒整体进行虚拟打墨(阴影部分)，相当于将这个子区域中的所有晶粒都标记为不良晶粒。64.进一步地，当所述晶圆的失效来源为研磨机台时，基于所述研磨区域的数量及尺寸将所述晶圆划分为若干同心圆环，并将每个圆环划分为若干圆弧形的子区域。请继续参阅图7a，本实施例中，所述研磨区域的数量也为3个，为了便于操作，直接将所述晶圆沿径向划分为6个扇形区域，划分的6个扇形区域与划分的3个同心圆环叠加后，每个圆环均被划分为了6个圆弧形的所述子区域。图8为本实施例提供的对图8中的3个子区域中的所有晶粒整体进行虚拟打墨的示意图，如图8所示，本实施例中，满足所述聚类规则的所述不良晶粒位于中间圆环的相邻的3个所述子区域中，因此对这3个所述子区域中的所有晶粒整体进行虚拟打墨(阴影部分)，相当于将这3个所述子区域中的所有晶粒都标记为不良晶粒。65.本实施例中，当所述晶圆的失效来源为夹持机台和研磨机台时，均将所述晶圆均匀划分为3个同心圆环，将每个圆环均匀地划分为6个弧形的所述子区域，但并不以此为限，两种失效来源将所述晶圆划分的同心圆环的数量以及将每个圆环划分的弧形的所述子区域的数量相同或不同均可。66.值得提醒的是，当所述晶圆的失效来源为夹持机台时，所述晶圆划分的同心圆环的数量并无要求，但是需要基于所述夹爪的数量将最外圈的圆环划分为若干圆弧形的子区域，优选的，每个所述夹爪与所述晶圆接触的位置可以靠近相应的所述子区域的轴线，且最外圈的圆环划分的圆弧形的所述子区域的数量为所述夹爪的数量的两倍。进一步地，当所述晶圆的失效来源为研磨机台时，每个圆环划分的圆弧形的子区域的数量并无要求，但是需要基于所述研磨盘的研磨区域的数量将所述晶圆划分为若干同心圆环，所述研磨盘的研磨区域的数量与所述晶圆划分的同心圆环的数量相等。67.可选的，本实施例不限于将所述晶圆划分为3个同心圆环，还可以划分为2个、4个或5个以上，每个圆环也不限于划分6个圆弧形的所述子区域，也可以划分为2个、3个、4个、5个或6个以上，在此不再一一解释说明。68.进一步地，当所述晶圆的失效来源具有多种时，基于不同的所述失效来源分别对所述晶圆划分子区域并分别进行虚拟打墨之后，并将所有虚拟打墨结果叠加。图9为将图7b中的虚拟打墨结果与图8中的虚拟打墨结果叠加后的示意图，从图9中也可见，将所有虚拟打墨结果叠加之后，不同失效来源下进行了虚拟打墨的所有晶粒都作为不良晶粒。69.应理解，由于所述不良晶粒已经进行了虚拟打墨，对所述子区域中的所有晶粒整体进行虚拟打墨时，只对所述子区域中的合格晶粒进行虚拟打墨，而不必对所述子区域中的不良晶粒进行重复虚拟打墨，且每个所述合格晶粒也只进行一次虚拟打墨，从而避免重复对一个晶粒进行虚拟打墨。70.图10为本实施例提供的晶圆的虚拟打墨方法的其他步骤的示意图。如图10所示，本实施例中，所述晶圆的虚拟打墨方法还包括步骤s400、步骤s500及步骤s600。71.执行步骤s400，对所述晶圆进行缺陷测试，并基于所述晶圆上的缺陷的尺寸和类型判断所述晶圆是否需要进行针对所述缺陷测试的虚拟打墨。72.具体而言，对所述晶圆进行缺陷测试之后，可获取所述晶圆上的缺陷的尺寸和类型。应理解，若所述晶圆上的缺陷的尺寸较大或者所述晶圆上的缺陷的类型属于特定类型时，也需要进行额外的虚拟打墨，即针对所述缺陷测试的虚拟打墨。73.进一步地，当所述晶圆上的缺陷的最大宽度与所述晶粒的宽度之比大于第三阈值时和/或所述缺陷的类型属于特定类型时，判定所述晶圆需要进行针对所述缺陷测试的虚拟打墨。74.可选的，所述第三阈值可以根据实际产品的需求设计，所述特定类型可以是桥接缺陷及断路缺陷等，在此不再一一解释说明。75.执行步骤s500，当判定所述晶圆需要进行针对所述缺陷测试的虚拟打墨时，对所述缺陷覆盖的晶粒进行虚拟打墨。76.具体而言，当判定所述晶圆需要进行针对所述缺陷测试的虚拟打墨时，所述缺陷覆盖的晶粒即使是合格晶粒，也需要进行虚拟打墨，标记为不良晶粒，从而满足高要求的产品。77.作为可选实施例，所述步骤s400及步骤s500可以在步骤s100之前进行，也可以在步骤s300之后进行，或者与步骤s100～步骤s300同步进行，本发明不作限制。78.执行步骤s600，在针对所述晶圆测试的虚拟打墨完成后，将针对所述晶圆测试的虚拟打墨结果与针对所述缺陷测试的虚拟打墨结果叠加。79.具体而言，当需要针对所述晶圆测试和缺陷测试进行虚拟打墨时，针对所述晶圆测试和缺陷测试分别进行虚拟打墨之后，将针对所述晶圆测试的虚拟打墨结果与针对所述缺陷测试的虚拟打墨结果叠加，从而满足高要求的产品。80.可选的，将针对所述晶圆测试的虚拟打墨结果与针对所述缺陷测试的虚拟打墨结果叠加之后，可以送预警信息给用户。81.应理解，本文中的“虚拟打墨”并非是指在晶粒上打上实际的墨点，而是记录下晶粒的位置，虚拟打墨结果中包括所有被“虚拟打墨”的晶粒的位置，相当于标记出了晶圆上的不良晶粒。82.综上，在本发明实施例提供的晶圆的虚拟打墨方法中，首先基于晶圆的不良晶粒的数量和分布方式判断晶圆是否需要进行针对晶圆测试的虚拟打墨，若是，则分析晶圆的失效来源，当无法分析出晶圆的失效来源时，对每个不良晶粒周围的至少部分晶粒均进行虚拟打墨，当分析出晶圆的失效来源时，基于晶圆的失效来源对晶圆划分子区域，并基于不良晶粒的分布方式对至少部分子区域中的所有晶粒整体进行虚拟打墨。本发明不需要人工参与，虚拟打墨的规则统一，避免人工操作的差异和误操作，提高了虚拟打墨的效率。83.需要说明的是，本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的系统而言，由于与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。84.还需要说明的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围。85.还应当理解的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。86.此外还应该认识到，此处描述的术语仅仅用来描述特定实施例，而不是用来限制本发明的范围。必须注意的是，此处的以及所附权利要求中使用的单数形式“一个”和“一种”包括复数基准，除非上下文明确表示相反意思。例如，对“一个步骤”或“一个装置”的引述意味着对一个或多个步骤或装置的引述，并且可能包括次级步骤以及次级装置。应该以最广义的含义来理解使用的所有连词。以及，词语“或”应该被理解为具有逻辑“或”的定义，而不是逻辑“异或”的定义，除非上下文明确表示相反意思。此外，本发明实施例中的方法和/或设备的实现可包括手动、自动或组合地执行所选任务。









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