电光装置以及电子设备的制作方法

电气元件制品的制造及其应用技术1.本发明涉及电光装置以及电子设备。背景技术：2.以往，已知有具备有机el(电致发光)元件等发光元件以及使从该发光元件射出的光的规定波段透过的滤色器的电光装置。在这样的电光装置中，存在具备使从发光元件发出的光进行谐振的光谐振结构的电光装置。3.例如，在专利文献1中公开了如下电光装置：该电光装置通过由多个子像素构成的像素构成1个显示单位，在与子像素对应的发光元件中经由接触电极将像素电极与反射层电连接。在该电光装置中，调整第1距离调整层和第2距离调整层的膜厚，以使由反射层和对置电极形成使规定波段的光进行谐振的光谐振结构。4.专利文献1：日本特开2019-29188号公报5.但是，在专利文献1记载的电光装置中，存在如下课题：与蓝色用的子像素相比，在红色用和绿色用的子像素中，难以提高密封性能。难以提高密封性能的主要原因例如是接触电极与反射层相接的接触部上方的下侧密封层的厚度。详细而言，如果扩大接触部的宽度以充分确保接触电极与反射层的接触面积，则上层落入接触部的内侧而在发光层也产生凹陷。因此，在通过蒸镀等在发光层的上方形成下侧密封层时，由于上述凹陷的宽度的不同，下侧密封层的均一性可能发生恶化而使接触部上方的下侧密封层的厚度变薄。当下侧密封层的厚度变薄时，密封性能降低而使水分等容易侵入。即，需要提高密封性能的电光装置。技术实现要素：6.电光装置的特征在于，具有：电极；第1反射层，其与所述电极隔开第1光学距离而设置；第1像素电极，其设置于所述电极与所述第1反射层之间；发光层，其设置于所述电极与所述第1像素电极之间；第1光学距离调整层，其设置于所述第1像素电极与所述第1反射层之间；以及第1中继层，其设置于所述第1像素电极与所述第1反射层之间，将所述第1像素电极与所述第1反射层之间电连接，所述第1光学距离调整层与所述第1中继层隔开而设置。7.电子设备的特征在于，该电子设备具有上述的电光装置。附图说明8.图1是示出作为第1实施方式的电光装置的有机el装置的结构的框图。9.图2是示出有机el装置中的发光像素的电气结构的等效电路图。10.图3是示出显示部的结构的俯视图。11.图4是示出显示部的结构的俯视图。12.图5是示出显示部中的像素和滤色器的配置的俯视图。13.图6是示出显示部的结构的剖视图。14.图7是说明下侧密封层的均一性的示意剖视图。15.图8是示出显示部的结构的剖视图。16.图9是示出显示部的结构的剖视图。17.图10是示出第2实施方式的显示部的结构的剖视图。18.图11是示出显示部的结构的剖视图。19.图12是示出作为第3实施方式的电子设备的头戴式显示器的外观的立体图。20.图13是示出作为电子设备的个人计算机的外观的立体图。21.图14是说明现有技术中的下侧密封层的均一性的示意剖视图。22.标号说明23.1：作为电光装置的有机el装置；30：发光层；31：第1像素电极或第2像素电极；33：作为电极的对置电极；52：反射层；57、58：作为第1光学距离调整层的光学距离调整层；58：作为第2光学距离调整层的光学距离调整层；71：第1中继电极或第2中继电极或第3中继电极；300：作为电子设备的头戴式显示器；400：作为电子设备的个人计算机；har：第1发光区域；hag：第2发光区域。具体实施方式24.下面，参照附图对本发明的实施方式进行说明。下面说明的实施方式用于说明本发明的一例。本发明不限于以下的实施方式。25.另外，在以下的各图中，为了使各层、各部成为可识别的程度的大小，使各层、各部的尺度与实际不同。在以下的说明中，例如，针对基板，“在基板上”的记载表示在基板上接触地配置的情况、在基板上隔着其他构造物配置的情况、或者在基板上一部分接触地配置且一部分隔着其他构造物配置的情况中的任意一种情况。26.并且，在以下的各图中，根据需要，作为相互垂直的坐标轴而标注xyz轴，将各箭头所指的方向设为+方向，将与+方向相反的方向设为-方向。有时也将+z方向称为上方，将-z方向称为下方，将从+z方向观察称为俯视观察或俯视。+z方向也是后述的有机el装置射出光的方向。27.1.第1实施方式28.在本实施方式中，作为电光装置例示有机el(电致发光)装置。该有机el装置例如适合用于作为后述的电子设备的头戴式显示器(hmd：head mounted display)等。参照图1和图2，对本实施方式的有机el装置1的概要进行说明。另外，图2示出了后述的第m行第k列的像素电路100。29.如图1所示，本实施方式的有机el装置1具备：显示面板10，其具有后述的多个子像素px；以及控制电路20，其对显示面板10的动作进行控制。30.与同步信号同步地从未图示的上位装置向控制电路20供给数字的图像数据video。在此，图像数据video是规定显示面板10的各子像素px应显示的灰度等级的数字数据。此外，同步信号是包含垂直同步信号、水平同步信号、点时钟信号等的信号。31.控制电路20根据同步信号而生成对显示面板10的动作进行控制的控制信号ctr，向显示面板10供给所生成的控制信号ctr。此外，控制电路20根据图像数据video生成模拟的图像信号vid，并向显示面板10供给所生成的图像信号vid。在此，图像信号vid是以各子像素px显示图像数据video所指定的灰度的方式规定该子像素px具备的发光元件的亮度的信号。32.显示面板10具备：显示部12，其具有沿着x轴延伸的m条扫描线13、沿着y轴延伸的3n条数据线14、与m条扫描线13和3n条数据线14的交叉点对应地排列的“m×3n个”像素电路100；以及驱动电路11，其驱动显示部12。在此，m和n是各自独立的1以上的自然数。33.在以后的说明中，为了相互区分多个子像素px、多个扫描线13和多个数据线14，朝向-y方向依次称为第1行、第2行、……、第m行，朝向+x方向依次称为第1列、第2列、……、第3n列。此外，将+x方向且+y方向称为a方向，将-x方向且+y方向称为b方向，将-x方向且-y方向称为c方向，将+x方向且-y方向称为d方向。34.在设置于显示部12的多个子像素px中包含：能够显示红色(r)的子像素px中包含的像素电路100、能够显示绿色(g)的子像素px中包含的像素电路100和能够显示蓝色(b)的子像素px中包含的像素电路100。而且，将如下情况设想为一例：在有机el装置1中，将n设为满足1≤n≤n的自然数，在第1列至第3n列中的第(3n-2)列配置有能够显示r的子像素px中包含的像素电路100，在第(3n-1)列配置有能够显示g的子像素px中包含的像素电路100，在第3n列配置有能够显示b的子像素px中包含的像素电路100。驱动电路11具备扫描线驱动电路111和数据线驱动电路112。35.扫描线驱动电路111依次扫描(选择)第1行至第m行的扫描线13。具体而言，扫描线驱动电路111在1帧的期间内，将向第1行至第m行的扫描线13分别输出的扫描信号gw[1]～gw[m]按每个水平扫描期间依次设定为规定的选择电位，由此，以行为单位按每个水平扫描期间依次选择扫描线13。换言之，扫描线驱动电路111在1帧的期间中的第m个水平扫描期间内，将向第m行的扫描线13输出的扫描信号gw[m]设定为规定的选择电位，由此，选择第m行的扫描线13。另外，1帧的期间是有机el装置1显示1个图像的期间。[0036]数据线驱动电路112根据从控制电路20供给的图像信号vid和控制信号ctr，在每个水平扫描期间向3n条数据线14输出规定各像素电路100应显示的灰度的模拟的数据信号vd[1]～vd[3n]。换言之，数据线驱动电路112在各水平扫描期间内，向第k列的数据线14输出数据信号vd[k]。[0037]另外，在本实施方式中，控制电路20所输出的图像信号vid是模拟的信号，但控制电路20所输出的图像信号vid也可以是数字信号。在该情况下，数据线驱动电路112对图像信号vid进行d/a转换，生成模拟的数据信号vd[1]～vd[3n]。[0038]如图2所示，像素电路100具备发光元件3以及向发光元件3供给电流的供给电路40。发光元件3具有像素电极31、发光功能层32和作为电极的对置电极33。像素电极31作为向发光功能层32供给空穴的阳极发挥功能。对置电极33与被设定为像素电路100的低电位侧的电源电位即电位vct的供电线16电连接，作为向发光功能层32供给电子的阴极发挥功能。而且，从像素电极31供给的空穴和从对置电极33供给的电子在发光功能层32复合，发光功能层32发光。[0039]另外，虽然详细内容后述，但是在能够发出r光的子像素px中包含的像素电路100所具有的发光元件3上重叠配置有红色的滤色器81r。在能够发出g光的子像素px中包含的像素电路100所具有的发光元件3上重叠配置有绿色的滤色器81g。在能够发出b光的像素电路100所具有的发光元件3上重叠配置有蓝色的滤色器81b。以下，有时也将能够发出r光的子像素px中包含的像素电路100所具有的发光元件3称为发光元件3r，有时也将能够发出g光的子像素px中包含的像素电路100所具有的发光元件3称为发光元件3g，有时也将能够发出b光的子像素px中包含的像素电路100所具有的发光元件3称为发光元件3b。[0040]供给电路40具有p沟道型的晶体管41、42和保持电容44。在此，晶体管41、42中的一方或双方也可以为n沟道型的晶体管。此外，在本实施方式中，例示晶体管41、42为薄膜晶体管(tft)的方式，但并不限于此。晶体管41、42也可以是mosfet((metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)等场效应晶体管。[0041]在晶体管41中，栅极与第m行的扫描线13电连接，源极或漏极中的一方与第k列的数据线14电连接，源极或漏极中的另一方与晶体管42的栅极及保持电容44所具有的2个电极中的一个电极电连接。[0042]在晶体管42中，栅极与晶体管41的源极或漏极中的另一方及保持电容44的一个电极电连接，源极或漏极中的一方与像素电极31电连接，源极或漏极中的另一方与被施加了像素电路100的高电位侧的电源电位即电位vel的电源布线15电连接。[0043]在保持电容44中，保持电容44所具有的2个电极中的一个电极与晶体管41的源极或漏极中的另一方及晶体管42的栅极电连接，保持电容44所具有的2个电极中的另一个电极与电源布线15电连接。保持电容44作为保持晶体管42的栅极电位的保持电容发挥功能。[0044]当扫描线驱动电路111将扫描信号gw[m]设定为规定的选择电位而选择第m行的扫描线13时，设置于第m行第k列的子像素px[m][k]的晶体管41导通。而且，当晶体管41导通时，从第k列的数据线14向晶体管42的栅极供给数据信号vd[k]。在该情况下，晶体管42向发光元件3供给与被供给到栅极的数据信号vd[k]的电位、准确地说是栅极和源极之间的电位差对应的电流。即，晶体管42是向发光元件3供给电流的驱动晶体管。发光元件3以与从晶体管42供给的电流的大小对应的亮度、即与数据信号vd[k]的电位对应的亮度发光。[0045]然后，在扫描线驱动电路111解除第m行的扫描线13的选择而晶体管41截止的情况下，晶体管42的栅极电位被保持电容44保持。因此，发光元件3在晶体管41截止之后，也以与数据信号vd[k]对应的亮度发光。[0046]另外，虽然在图2中省略了图示，但将对发光元件3所具有的像素电极31与供给电路40进行电连接的结构要素称为接触部7。各子像素px具备发光元件3、供给电路40和配置接触部7的接触区域ca。接触区域ca是能够配置接触部7的区域。接触部7将发光元件3具有的像素电极31与供给电路40电连接。[0047]以下，将设置于子像素pxr的接触部7也称为接触部7r，将设置于子像素pxg的接触部7也称为接触部7g，将设置于子像素pxb的接触部7也称为接触部7b。此外，将配置接触部7r的接触区域ca也称为接触区域car，将配置接触部7g的接触区域ca也称为接触区域cag，将配置接触部7b的接触区域ca也称为接触区域cab。接触部7的详细情况在后面叙述。[0048]参照图3至图5，对显示部12的平面结构进行说明。在图3中，为了便于观察附图，省略了后述的滤色器81。相对于图3，图4示出滤色器81，并且为了易于观察附图，省略了接触区域ca的图示。图5示出像素mpx1、配置于像素mpx1的+x方向的像素mpx2、配置于像素mpx1的+y方向的像素mpx3、配置于像素mpx2的+y方向的像素mpx4以及滤色器81。[0049]如图3所示，显示部12中的某个像素mpx1包含子像素pxr、pxg、pxb1、pxb2。子像素pxr包含发光元件3r。子像素pxg包含发光元件3g。子像素pxb1包含发光元件3b1。子像素pxb2包含发光元件3b2。即，在子像素mpx1中具备能够显示b的2个子像素pxb1、pxb2。从同一供给电路40向子像素pxb1、pxb2供给电流。[0050]子像素pxb1、pxb2沿着x轴配置。子像素pxr、pxg也沿着x轴配置。此外，子像素pxb1、pxr沿着y轴配置。子像素pxg、pxb2也沿着y轴配置。子像素pxb1和位于子像素pxb1的+x方向上的子像素pxb2通过后述的反射层52连接。另外，子像素pxr、pxg、pxb1、pxb2的平面配置不限于上述情况。[0051]在本实施方式中，设想由像素mpx具有的发光元件3r、3g、3b1、3b2分别形成发光区域har、hag、hab1、hab2的情况。发光区域har、hag、hab1、hab2朝向+z方向射出光。以下，有时也将发光区域har、hag、hab1、hab2简单地统称为发光区域ha。发光区域ha是设置有上述像素电极31的区域中的通过后述的像素分离层34而上方开口的区域。此外，发光区域ha也可以说是像素电极31与发光功能层32相接的区域。另外，本发明的第1发光区域的一例是发光区域har，本发明的第2发光区域的一例是发光区域hag。[0052]在俯视时，发光区域har、hag、hab1、hab2的形状为8边形。发光区域ha的各边中的从发光区域ha的中心观察位于c方向的第1边与从发光区域ha的中心观察位于a方向的第5边相互平行。发光区域ha的各边中的从发光区域ha的中心观察位于-y方向的第2边与从发光区域ha的中心观察位于+y方向的第6边相互平行。发光区域ha的各边的从发光区域ha的中心观察位于d方向的第3边与从发光区域ha的中心观察位于b方向的第7边相互平行。发光区域ha的各边中的从发光区域ha的中心观察位于+x方向的第4边与从发光区域ha的中心观察位于-x方向的第8边相互平行。[0053]从子像素px具备的发光区域ha观察，子像素px具备的接触区域ca位于a方向。具体而言，子像素pxr具备的接触区域car位于子像素pxr具备的发光区域har的a方向。子像素pxg具备的接触区域cag位于子像素pxg具备的发光区域hag的a方向。子像素pxb1具备的接触区域cab1位于子像素pxb1具备的发光区域hab1的a方向。子像素pxb2具备的接触区域cab2位于子像素pxb2具备的发光区域hab2的a方向。[0054]接触区域ca沿着a方向排列。在接触区域cab1内配置接触部7b1。在接触区域cab2内配置接触部7b2。本发明的接触部7b1、7b2的一例是后述的第3中继电极71，经由第3中继电极71将后述的第3像素电极31与后述的第3反射层52电连接。[0055]在接触区域car内配置接触部7r。经由作为本发明的接触部7r的一例的第1中继电极71将后述的第1像素电极31与后述的第1反射层52电连接。在接触区域cag内配置接触部7g。经由作为本发明的接触部7g的一例的第2中继电极71将后述的第2像素电极31与后述的第2反射层52电连接。[0056]如图4所示，在显示部12中具备滤色器81r、81g、81b作为滤色器81。滤色器81r位于发光元件3r的上方，在俯视时与子像素pxr重叠配置。滤色器81g位于发光元件3g的上方，在俯视时与子像素pxg重叠配置。滤色器81b位于发光元件3b1、3b2的上方，在俯视时与子像素pxb1、pxb2重叠配置。滤色器81r、81g、81b为矩形，以分别不重叠的方式配置。滤色器81r、81g、81b也可以相互一部分重叠。[0057]如图5所示，与像素mpx1到像素mpx4各自的子像素pxr在+x方向上相邻的滤色器81是滤色器81g。与像素mpx1到像素mpx4各自的子像素pxg在+x方向上相邻的滤色器81是滤色器81r。与mpx1到像素mpx4各自的子像素pxb在+x方向上相邻的滤色器81是未图示的滤色器81b。上述的关系在-x方向上也与上述的+x方向相同。[0058]与像素mpx1到像素mpx4各自的子像素pxr在+y方向上相邻的滤色器81是滤色器81b。与像素mpx1到像素mpx4各自的子像素pxg在+y方向上相邻的滤色器81是滤色器81b。与mpx1到像素mpx4各自的子像素pxb在+y方向上相邻的滤色器81是滤色器81r和滤色器81g。上述的关系在-y方向上也与上述的+y方向相同。[0059]参照图6至图9，对显示部12的剖视结构进行说明。另外，为了说明现有技术的下侧密封层的均一性，也参照图14。图6是包含图4的线段e3～e3且与xy平面垂直的截面，包含接触部7r。在图7中，将接触部7r和接触部7r的上方的区域放大。图8是包含图4的线段e4～e4且与xy平面垂直的截面，包含接触部7g。图9是包含图4的线段e2～e2且与xy平面垂直的截面，包含接触部7b1。在图14中，图示了以往的有机el装置中的相当于图7的区域。[0060]另外，关于图6的说明，主要叙述子像素pxr中的结构，关于图8的说明，主要叙述子像素pxg中的结构，关于图9的说明，主要叙述子像素pxb1中的结构。此外，子像素pxb2是与子像素pxb1相同的结构，因此，省略说明。并且，设置于子像素pxr的反射层52是本发明的第1反射层，设置于子像素pxg的反射层52是本发明的第2反射层，分别设置于子像素pxb1、pxb2的反射层52是本发明的第3反射层。[0061]如图6所示，显示部12具备元件基板5、保护基板9、以及设置在元件基板5与保护基板9之间的粘接层90。在有机el装置1中，设想从保护基板9向上方射出光的顶部发光方式。[0062]有机el装置1在显示部12的子像素pxr具备作为电极的对置电极33、第1反射层52、第1像素电极31、发光层30、作为第1光学距离调整层的光学距离调整层57、58和第1中继电极71。[0063]在发光区域har中，第1反射层52与对置电极33隔开第1光学距离而设置。换言之，第1光学距离是发光区域har中的对置电极33的上方的面与第1反射层52的上方的面之间的沿着z轴的方向的距离、和它们之间的折射率之积。[0064]第1像素电极31设置于对置电极33与第1反射层52之间。发光层30设置于对置电极33与第1像素电极31之间。光学距离调整层57、58设置于第1像素电极31与第1反射层52之间。第1中继电极71设置于第1像素电极31与第1反射层52之间，将第1像素电极31与第1反射层52电连接。[0065]光学距离调整层57、58与第1中继电极71隔开而设置。即，未设置于在俯视时与第1中继电极71和第1反射层52相接的接触部重叠的区域。[0066]粘接层90是将元件基板5和保护基板9粘接的透明树脂层。粘接层90例如由环氧类树脂等透明树脂材料形成。保护基板9是配置于粘接层90的上方的透明基板。保护基板9保护配置于比保护基板9靠下方的位置的滤色器81等部件。保护基板9例如采用石英基板。[0067]元件基板5具有基板50、形成于基板50的电路层49、层叠于电路层49的上方的层间绝缘层51、反射层52、增强反射层53、作为保护层的第1绝缘层54、作为保护层的第2绝缘层55、第1中继电极71、作为保护层的第3绝缘层72、光学距离调整层57、58、像素电极31、发光层30、密封层60和滤色器层8。详细内容后述，发光层30包含上述的发光元件3r。发光元件3向上方和下方射出光。滤色器层8包含滤色器81。[0068]基板50采用能够安装各种布线和各种电路的基板。具体而言，基板50例如能够采用硅基板、石英基板或玻璃基板等。在基板50上形成电路层49。电路层49包含上述的扫描线13、数据线14等各种布线、驱动电路11和像素电路100等各种电路。在电路层49的上方层叠有层间绝缘层51。[0069]层间绝缘层51例如采用氧化硅等绝缘材料。在层间绝缘层51的上方层叠反射层52。反射层52使从发光层30的发光元件3射出的光向上方反射。反射层52例如采用在钛层的上方包含铝和铜的合金的膜。反射层52是对上述光具有反射性的导电层，按每个子像素px形成为单独的岛状。[0070]增强反射层53配置成覆盖反射层52的上方的表面，具有提高反射层52的光的反射特性的功能。增强反射层53例如采用具有透光性的绝缘材料即氧化硅等。[0071]作为保护层的第1绝缘层54设置于增强反射层53的上方的表面。此外，第1绝缘层54也设置于间隙52ct的内侧，该间隙52ct设置于反射层52。因此，第1绝缘层54具有与间隙52ct的凹陷对应的凹部54a。以填埋凹部54a的内侧的方式形成嵌入绝缘膜56。以覆盖第1绝缘层54及嵌入绝缘膜56的上方的方式设置有作为保护层的第2绝缘层55。第1绝缘层54和第2绝缘层55例如采用氮化硅。[0072]在俯视时与接触部7r对应的位置设置有贯穿增强反射层53、第1绝缘层54、第2绝缘层55和后述的作为保护层的第3绝缘层72的间隙53ct。详细内容后述，在间隙53ct的内侧设置有第1中继电极71和第1像素电极31等。[0073]在作为保护层的第2绝缘层55的上方配置有光学距离调整层57、58、第3绝缘层72和像素分离层34。详细而言，相对于间隙53ct，在包含c方向上的发光区域har的区域设置有光学距离调整层57、58。在第2绝缘层55的上方的表面设置有光学距离调整层57，与光学距离调整层57的上方的表面重叠地层叠光学距离调整层58。在光学距离调整层57、58的a方向配置第3绝缘层72和第1中继电极71。[0074]光学距离调整层57和第3绝缘层72配置为沿着z轴的方向的位置大致相同。光学距离调整层58与第1中继电极71的c方向端部配置为沿着z轴的方向上的位置大致相同。光学距离调整层57、58的a方向端部与第3绝缘层72及第1中继电极71的c方向端部通过将第1像素电极31的一部分延伸至下方的第2绝缘层55而隔开。即，光学距离调整层57、58与第1中继电极71隔开而设置。换言之，在俯视时，第1中继电极71不与光学距离调整层57、58重叠，光学距离调整层57、58的a方向端部配置在第1像素电极31和发光层30相接的发光区域har与第1中继电极71之间。[0075]因此，在第1中继电极71和第1像素电极31相接的区域中，第1中继电极71与光学距离调整层57、58隔开。由此，可减少发光区域har与接触区域car的高度差。该高度差反映在形成于上方的下侧密封层61的高度差上，因此，该高度差的减少会减少下侧密封层61的高度差。而且，在下侧密封层61中，由于抑制了由下侧密封层61的高度差引起的裂纹的产生，因此，能够进一步提高下侧密封层61的密封性能。[0076]此外，光学距离调整层57、58的a方向端部与第1中继电极71的c方向端部隔开。即，光学距离调整层57、58的a方向端部不会跃上第1中继电极71的c方向端部。因此，在发光区域har的a方向端部的上方的下侧密封层61和像素分离层34的c方向端部的上方的下侧密封层61中，产生的高度差变小。当该高度差较大时，存在与发光区域har的a方向端部相比进一步在a方向上射出光的情况，但能够抑制该不必要的发光。即，能够减少有机el装置1中的色偏差的产生。[0077]光学距离调整层57、58按照每个子像素pxr、pxg、pxb具有调整对置电极33与反射层52之间的光学距离的功能。在子像素pxr设置有光学距离调整层57、58作为第1光学距离调整层。在子像素pxg设置有光学距离调整层58作为第2光学距离调整层。在子像素pxb1、pxb2中未设置有光学距离调整层57、58中的任意一个。[0078]在本实施方式中，光学距离调整层57、58是包含氧化硅的绝缘层。由此，对光学距离调整层57、58施加透光性和绝缘性。光学距离调整层57、58不限于绝缘层。[0079]第3绝缘层72设置于间隙53ct周边的第2绝缘层55的上方。第3绝缘层72采用氧化硅等绝缘材料。在此，作为保护层的、第1绝缘层54、第2绝缘层55、第3绝缘层72和光学距离调整层57、58是配置于反射层52与像素电极31之间的透明层，这一点是相同的，但各自的功能不同。具有第1绝缘层54、第2绝缘层55和第3绝缘层72的保护层在子像素pxr、pxg、pxb1、pxb2中公共地设置，以保护接触部7等。与此相对，光学距离调整层57、58为了形成光谐振构造而根据各子像素px的颜色选择性地配置。[0080]以覆盖第3保护层72的上方和间隙53ct的内侧的方式设置有第1中继电极71。由此，第1中继电极71在间隙53ct的底部与第1反射层52相接并电连接。在本实施方式中，为了使第1中继电极71与第1反射层52的电连接更可靠，在a方向和c方向上，使间隙53ct的宽度、即第1中继电极71与第1反射层52相接的宽度比以往大。第1中继电极71例如采用钨、钛和氮化钛等导电性材料。[0081]发光层30具有像素电极31、像素分离层34、覆盖像素电极31及像素分离层34等的上方的发光功能层32、以及层叠于发光功能层32的上方的对置电极33。[0082]像素电极31是具有导电性的透明层，按每个子像素px形成为单独的岛状。第1像素电极31配置在包含间隙53ct的内侧的第1中继电极71的上方、以及间隙53ct的c方向上的光学距离调整层57、58的上方。第1像素电极31在包含间隙53ct的内侧的第1中继电极71的上方与第1中继电极71相接并电连接。由此，第1反射层52与第1像素电极31经由第1中继电极71而电连接。[0083]此外，如上所述，第1像素电极31设置为使光学距离调整层57、58的a方向端部与第1中继电极71的c方向端部隔开。第1像素电极31遍及发光区域har而配置，像素电极31的a方向端部位于比凹部54a靠c方向的位置。第1像素电极31例如采用ito(indium tin oxide)、izo(indium zinc oxide)等导电性的透明材料。[0084]像素分离层34设置为覆盖除了发光区域har的上方以外的、第1像素电极31的周边部等。详细而言，像素分离层34的a方向端部位于发光区域hab1的边界部，c方向端部位于发光区域har的附近。像素分离层34覆盖包含间隙53ct的内侧的第1像素电极31的周边部的上方、第1像素电极31及第1中继电极71的a方向端部、间隙53ct的a方向上的第2绝缘层55的上方等。像素分离层34在俯视时相互划分显示部12具备的多个像素px。像素分离层34例如采用氧化硅等绝缘性的材料，对相邻的发光元件3之间进行电绝缘。[0085]虽然省略了图示，但发光功能层32具备空穴注入层、空穴输送层、有机发光层和电子输送层。发光功能层32覆盖像素电极31和像素分离层34的上方，遍及多个子像素px而设置为整面状。发光功能层32以填埋间隙53ct的内侧的方式设置，因此，在发光功能层32上反映间隙53ct的内侧的凹陷的形状。因此，在发光功能层32中，在俯视时与间隙53ct对应的位置产生凹陷。[0086]发光功能层32从像素电极31中的、上方未被像素分离层34覆盖的区域被供给空穴而发出白色光。从发光元件3射出的白色光是包含红色光、绿色光和蓝色光的光。此外，在本说明书中，在俯视时，将包含发光区域ha和接触区域ca的区域中包含的构造物视为子像素px。[0087]对置电极33覆盖发光功能层32的上方，遍及多个子像素px而设置为整面状。对置电极33具有透光性、光反射性和导电性。在对置电极33的上方的表面产生与间隙53ct的凹陷对应的凹陷。对置电极33例如采用镁与银的合金等导电性材料。[0088]在有机el装置1中，通过光学距离调整层57、58的配置，在反射层52与对置电极33之间形成光谐振构造。因此，从发光功能层32射出的光在反射层52与对置电极33之间反复进行反射。由此，上述光的与反射层52和对置电极33之间的光学距离对应的波长的强度提高，经由对置电极33向上方射出。[0089]在本实施方式中，虽然没有特别限定，但是例如通过光学距离调整层57、58的厚度和配置，在子像素pxr中提高610nm波长的光的强度，在子像素pxg中提高540nm波长的光的强度，在子像素pxb1、pxb2中提高470nm波长的光的强度。由此，从子像素pxr射出610nm波长的光的亮度最大的红色光，从子像素pxg射出540nm波长的光的亮度最大的绿色光，从子像素pxb1、pxb2射出470nm波长的光的亮度最大的蓝色光。[0090]密封层60覆盖对置电极33的上方，遍及多个子像素px而设置为整面状。密封层60具有下侧密封层61、平坦化层62和上侧密封层63。在密封层60中，从对置电极33朝向上方依次层叠下侧密封层61、平坦化层62和上侧密封层63。下侧密封层61和上侧密封层63是具有绝缘性的透明层，抑制水分、氧等侵入发光层30。下侧密封层61和上侧密封层63例如采用氮氧化硅。平坦化层62是透明层，使与下层的结构部件对应的凹凸平坦化。平坦化层62例如采用环氧系树脂等透明的树脂材料。[0091]在此，针对下侧密封层61的形成时的均一性，将有机el装置1与以往的有机el装置进行比较来说明。在图14所示的以往的有机el装置中，与本实施方式的有机el装置1同样地，为了使反射层552与第1中继电极571的电连接更可靠，增大a方向和c方向上的接触面的宽度。另外，在图7和图14中，用实线表示下侧密封层61、561的表面，用虚线表示下侧密封层61、561的形成过程中的表面。[0092]如图14所示，在以往的有机el装置的接触部7r中，第1中继电极571与反射层552电连接。第1中继电极571与像素电极531通过在未图示的c方向上的其他部位相接而电连接。[0093]第1中继电极571沿着间隙553ct的内侧设置。因此，在第1中继电极571产生凹陷。在第1中继电极571的包含凹陷的上方依次层叠光学距离调整层557、558、像素电极531、像素分离层534、发光功能层532和对置电极533。第1中继电极571的凹陷的形状反映到对置电极533，在对置电极533上也产生凹陷。[0094]虽然第1中继电极571与反射层552的接触面的宽度被扩大，但由于在第1中继电极571的凹陷的内侧设置上述各层，因此，在对置电极533上产生的凹陷的宽度较窄。并且，当通过蒸镀等气相法形成下侧密封层561时，在形成过程中，下侧密封层561的形成材料以悬垂状态附着。因此，凹陷的上方有堵塞的倾向，均一性发生恶化，形成材料难以堆积于凹陷的底部。由此，在对置电极533的凹陷的底部，下侧密封层561的厚度变薄，从而难以提高密封性能。[0095]此外，虽然省略图示，但是在以往的有机el装置中，在子像素pxg的接触部7g中，也在上述凹陷的内侧设置光学距离调整层，因此，与以往的接触部7r同样地难以提高密封性能。另外，在以往的有机el装置中，也能够通过进一步扩大接触部7r、7g中的凹陷的宽度来改善均一性，但由于子像素px的密度、配置的限制，接触部7r、7g的宽度扩大存在极限。[0096]与此相对，如图7所示，在本实施方式中，在第1中继电极71的包含凹陷的上方依次层叠像素电极31、像素分离层34、发光功能层32和对置电极33。由于在第1中继电极71的凹陷的内侧未设置有光学距离调整层57、58，因此，在对置电极33产生的凹陷的宽度比以往宽。因此，即使通过蒸镀等气相法形成下侧密封层61，在形成过程中，凹陷的上方也不易被堵塞，凹陷的底部的下侧密封层61的厚度变厚。由此，能够比以往更提高密封性能。[0097]另外，虽然省略图示，但在本实施方式中，子像素pxg的接触部7g也是与上述的接触部7r相同的形式。因此，在子像素pxg中，与以往相比，也可改善下侧密封层61的均一性，从而密封性能提高。[0098]返回图6，滤色器层8配置于上侧密封层63的上方。滤色器层8包含滤色器81r、81b和未图示的滤色器81g。滤色器81r具有使红色光透过的功能，滤色器81g具有使绿色光透过的功能，滤色器81b具有使蓝色光透过的功能。滤色器81例如通过在涂敷包含能够表现出各个功能的颜料的感光性树脂之后实施构图而形成。在滤色器层8的上方隔着粘接层90配置有保护基板9。[0099]如图8所示，有机el装置1在显示部12的子像素pxg中具备作为电极的对置电极33、第2反射层52、第2像素电极31、发光层30、作为第2光学距离调整层的光学距离调整层58、以及第2中继电极71。另外，关于子像素pxg的结构，仅叙述与子像素pxr不同的结构，对与子像素pxr相同的结构使用相同的标号并省略说明。[0100]在发光区域hag中，第2反射层52与对置电极33隔开第2光学距离而设置。换言之，第2光学距离是发光区域hag中的对置电极33的上方的面与第2反射层52的上方的面之间的沿着z轴的方向的距离、和它们之间的折射率之积。第2光学距离比发光区域har中的第1光学距离短。[0101]第2像素电极31设置于对置电极33与第2反射层52之间。发光层30设置于对置电极33与第2像素电极31之间。第2中继电极71设置于第2像素电极31与第2反射层52之间，将第2像素电极31与第2反射层52电连接。[0102]光学距离调整层58设置于第2像素电极31与第2反射层52之间，未设置有光学距离调整层57。即，子像素pxg的第2光学距离调整层比子像素pxr中的第1光学距离调整层薄。光学距离调整层58与第2中继电极71隔开而设置。而且，光学距离调整层58未设置于在俯视时与第2中继电极71和第2反射层52相接的接触部重叠的区域。即，在俯视时，第2中继电极71不与光学距离调整层58重叠，光学距离调整层58的a方向端部配置于第2像素电极31和发光层30相接的发光区域hag与第2中继电极71之间。[0103]由此，在第2中继电极71和第2像素电极31相接的区域中，第2中继电极71与光学距离调整层58隔开。因此，可减少发光区域hag与接触部7g的高度差。该高度差反映在形成于上方的下侧密封层61的高度差上，因此，该高度差的减少会减少下侧密封层61的高度差。而且，在下侧密封层61中，由于抑制了由下侧密封层61的高度差引起的裂纹的产生，因此，能够进一步提高下侧密封层61的密封性能。[0104]此外，光学距离调整层58的a方向端部与第2中继电极71的c方向端部隔开。即，光学距离调整层58的a方向端部不会跃上第2中继电极71的c方向端部。因此，在发光区域hag的a方向端部的上方的下侧密封层61和像素分离层34的c方向端部的上方的下侧密封层61中，产生的高度差变小。当该高度差较大时，存在与发光区域hag的a方向端部相比进一步在a方向上射出光的情况，但能够抑制该不必要的发光。即，能够减少有机el装置1中的色偏差的产生。[0105]如图9所示，有机el装置1在显示部12的子像素pxb1中具备作为电极的对置电极33、第3反射层52、第3像素电极31、发光层30和第3中继电极71。子像素pxb1、pxb2不具有光学距离调整层。另外，关于子像素pxb1的结构，仅叙述与子像素pxr不同的结构，对与子像素pxr相同的结构使用相同的标号并省略说明。[0106]在发光区域hab1中，第3反射层52与对置电极33隔开第3光学距离而设置。换言之，第3光学距离是发光区域hab1中的对置电极33的上方的面与第3反射层52的上方的面之间的沿着z轴的方向的距离、和它们之间的折射率之积。第3光学距离比发光区域hag中的第2光学距离短。[0107]第3像素电极31设置于对置电极33与第3反射层52之间，发光层30设置于对置电极33与第3像素电极31之间。第3中继电极71设置于第3像素电极31与第3反射层52之间。第3中继电极71将第3像素电极31与第3反射层52电连接。[0108]如上所述，在子像素pxr中，在包含发光区域har的区域设置有光学距离调整层57、58，在俯视时与第1中继电极71重叠的区域未设置有光学距离调整层57、58。此外，在子像素pxg中，在包含发光区域hag的区域设置有光学距离调整层58，在俯视时与第2中继电极重叠的区域未设置有光学距离调整层58。并且，在子像素pxb1、pxb2中，未设置有光学距离调整层。因此，设置有第1中继电极71的区域中的第1反射层52与对置电极33之间的距离、设置有第2中继电极71的区域中的第2反射层52与对置电极33之间的距离、以及设置有第3中继电极71的区域中的第3反射层52与对置电极33之间的距离相等。[0109]因此，接触部7r、7b的内侧变宽，在对应的上方的发光层30产生的凹陷的宽度也变宽。由此，在通过蒸镀形成下侧密封层61的情况下，能够改善均一性而使下侧密封层61的厚度变厚。[0110]根据本实施方式，能够得到以下的效果。[0111]在第1中继电极71的上方，能够提高密封性能。详细而言，在子像素pxr中，第1中继电极71与光学距离调整层57、58隔开而配置，在第1中继电极71与第1反射层52的接触部7r的内侧未配置有光学距离调整层57、58。因此，接触部7r的内侧变宽，在上方的发光层30产生的凹陷的宽度也变宽。由此，在通过蒸镀而在发光层30的上方形成下侧密封层61时，改善均一性而确保下侧密封层61的厚度。由此，能够提供使第1中继电极71中的接触部7r上方的密封性能提高的有机el装置1。[0112]在第2中继电极71的上方，能够提高密封性能。详细而言，在子像素pxg中，第2中继电极71与光学距离调整层58隔开而配置，在第2中继电极71与第2反射层52的接触部7g的内侧未配置有光学距离调整层58。因此，接触部7ag的内侧变宽，在上方的发光层30产生的凹陷的宽度也变宽。由此，在通过蒸镀而在发光层30的上方形成下侧密封层61时，改善均一性而确保下侧密封层61的厚度。由此，能够提供使第2中继电极71中的接触部7g上方的密封性能提高的有机el装置1。[0113]2.第2实施方式[0114]在本实施方式中，与第1实施方式同样地，例示有机el装置作为电光学装置。该发光装置也适合用于后述的hmd。本实施方式的有机el装置相对于第1实施方式的有机el装置1，使第1光学距离调整层和第2光学距离调整层的材质不同。因此，对与第1实施方式相同的结构使用相同的标号并省略重复的说明。[0115]参照图10和图11，对本实施方式的有机el装置中的第1光学距离调整层和第2光学距离调整层的结构进行说明。在图10中，将相当于第1实施方式的图6中的接触部7r的区域放大。在图11中，将相当于第1实施方式的图8中的接触部7g的区域放大。另外，关于图10的说明，叙述子像素pxr中的结构，关于图11的说明，叙述子像素pxg中的结构。[0116]如图10所示，在子像素pxr中设置有光学距离调整层257、258作为第1光学距离调整层。光学距离调整层257、258的平面配置和剖面配置与第1实施方式的光学距离调整层57、58相同。光学距离调整层257、258是包含与第1像素电极相同的材料的透明导电层。具体而言，光学距离调整层257、258例如采用ito、izo等。[0117]如图11所示，在子像素pxg中设置有光学距离调整层258作为第2光学距离调整层。光学距离调整层258的平面配置以及剖面配置与第1实施方式的光学距离调整层58相同。[0118]根据本实施方式，能够得到与第1实施方式相同的效果。[0119]3.第3实施方式[0120]例示头戴式显示器和个人计算机作为本实施方式的电子设备。[0121]如图12所示，作为本实施方式的电子设备的头戴式显示器300具备镜腿310、梁部320和投射光学系统301l、301r。虽然省略图示，但是投射光学系统301l具有左眼用的电光装置，投射光学系统301r具有右眼用的电光装置。这些电光装置采用上述实施方式的有机el装置。由此，子像素pxr、pxg的密封性能提高，水分等的侵入被抑制，能够提供可靠性提高的头戴式显示器300。[0122]如图13所示，作为本实施方式的电子设备的个人计算机400具备显示各种图像的上述实施方式的有机el装置1和设置有电源开关401及键盘402的主体部403。由此，能够提供子像素pxr、pxg的密封性能提高从而抑制水分等的侵入、可靠性提高的个人计算机400。[0123]作为采用本发明的电光装置的电子设备，除了上述的电子设备以外，例如还可举出移动电话、智能手机、便携信息终端(pda：personal digital assistants)、数字静态照相机、电视机、摄像机、汽车导航装置、车载用的仪表盘等的显示器、电子记事本、电子纸、计算器、文字处理器、工作站、可视电话、pos(point of sale)终端等。并且，作为上述实施方式的电光装置的有机el装置能够用作打印机、扫描仪、复印机和视频播放器等电气设备具备的显示部。









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