一种光电共封装结构及其制作方法与流程 专利技术说明

电气元件制品的制造及其应用技术1.本发明涉及芯片封装技术领域，特别涉及一种光电共封装结构及其制作方法。背景技术：2.目前，多个芯片的封装结构主要通过再布线层(redistributed layer，rdl)为芯片间的信号传输提供信号线，rdl既提供芯片间互连的高密度信号线，也提供芯片扇出到外部pcb的信号线；由于rdl内众多信号线高密互连，导致封装结构内部的线路较为复杂，且rdl中的绝缘介质的介电常数与高密互连信号线之间对传输信号的衰减作用，也会限制芯片间的信号传输速度，导致芯片间的信号传输速度较慢。技术实现要素：3.基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种光电共封装结构及其制作方法，以解决封装结构内部线路较为复杂以及芯片间的信号传输速度较慢的问题。4.第一方面，本发明提供一种光电共封装结构的制作方法，包括：5.提供一侧集成有光波导层的再布线层；6.在所述再布线层的光波导层侧至少倒装并塑封第一光电集成芯片和第二光电集成芯片，所述第一光电集成芯片通过所述光波导层与所述第二光电集成芯片进行光信号传输，且所述第一光电集成芯片和所述第二光电集成芯片连接所述再布线层的倒装焊盘；7.在所述再布线层的植球焊盘侧进行植球。8.上述方案具有以下有益效果：9.本发明的光电共封装结构的制作方法，在再布线层中集成光波导层，在再布线层的光波导层侧倒装并塑封第一光电集成芯片和第二光电集成芯片，使第一光电集成芯片和第二光电集成芯片通过光波导层进行通讯，利用光传输的高带宽，有效的提高了芯片之间的传输速率；通过光波导层替代芯片间一部分的信号传输线路，有效的简化了封装结构内部复杂的线路。10.可选的，所述提供一侧集成有光波导层的再布线层，包括：11.提供一表面涂布有临时键合层的临时载体；12.在所述临时键合层上制作所述再布线层的倒装焊盘；13.在所述临时键合层上制作所述光波导层，在所述光波导层的两端制作斜面；14.在所述光波导层的两个斜面上制作光反射层；15.制作所述再布线层，所述再布线层包括：嵌于绝缘介质层内的电互连结构和植球焊盘，所述电互连结构一端连接所述植球焊盘，另一端连接所述倒装焊盘；所述绝缘介质层具有凹槽结构以集成所述光波导层。16.可选的，在所述临时键合层上制作光波导层，包括：17.在所述临时键合层上制作光波导层的对位靶标；18.以所述对位靶标为基准，制作光波导下包层，在所述光波导下包层的预设位置开窗，以形成光波导线路通道；19.在光波导线路通道上以及在所述光波导下包层的上方制作光波导线路；20.在所述光波导线路的上方制作光波导上包层，以形成光波导层；21.在所述光波导层的两个斜面上制作光反射层，包括：溅射金属层，选择性蚀刻所述金属层，保留所述光波导层的两个斜面上的金属层，得到所述光反射层。22.可选的，所述提供一侧集成有光波导层的再布线层，包括：23.提供一表面涂布有临时键合层的临时载体；24.在所述临时键合层上制作所述光波导层，在所述光波导层的两端制作斜面；25.制作所述再布线层的倒装焊盘和所述光波导层两端的斜面上的光反射层；26.制作所述再布线层，所述再布线层包括：嵌于绝缘介质层内的电互连结构和植球焊盘，所述电互连结构一端连接所述植球焊盘，另一端连接所述倒装焊盘；所述绝缘介质层具有凹槽结构以集成所述光波导层。27.可选的，在所述临时键合层上制作所述光波导层，包括：28.在所述临时键合层上制作光波导层的对位靶标；29.以所述对位靶标为基准，制作光波导下包层，在所述光波导下包层的预设位置开窗，以形成光波导线路通道；30.在光波导线路通道上以及在所述光波导下包层的上方制作光波导线路；31.在所述光波导线路的上方制作光波导上包层，以形成所述光波导层；32.所述制作再布线层的倒装焊盘和所述光波导层的两个斜面上的光反射层，包括：33.溅射金属层，选择性蚀刻所述金属层，保留所述光波导层的两个斜面上的金属层，以及保留所述临时键合层上预设位置处的金属层，得到所述光反射层和所述倒装焊盘。34.可选的，在所述再布线层的光波导层侧倒装并塑封第一光电集成芯片和第二光电集成芯片，包括：35.在所述再布线层的光波导层侧倒装所述第一光电集成芯片和所述第二光电集成芯片；36.采用填充胶在所述第一光电集成芯片和所述第二光电集成芯片的底部进行填充；37.通过塑封料将所述第一光电集成芯片和所述第二光电集成芯片进行塑封；38.所述第一光电集成芯片包括第一电子芯片区和第一光子芯片区，所述第二光电集成芯片包括第二电子芯片区和第二光子芯片区，所述第一光子芯片区和所述第二光子芯片区通过所述光波导层进行光传输，所述第一电子芯片区和第二电子芯片区通过凸块连接所述再布线层的倒装焊盘。39.第二方面，本发明提供一种光电共封装结构，包括：40.再布线层，所述再布线层集成有光波导层；41.所述再布线层的光波导层侧至少倒装有第一光电集成芯片和第二光电集成芯片，所述第一光电集成芯片通过所述光波导层与所述第二光电集成芯片进行光传输，且所述第一光电集成芯片和所述第二光电集成芯片分别连接所述再布线层的倒装焊盘，所述倒装焊盘位于所述再布线层的光波导层侧；42.所述再布线层的植球焊盘侧设置有植球焊盘，所述植球焊盘上设置有锡球。43.上述方案具有以下有益效果：44.本发明的光电共封装结构，在再布线层中设置光波导层，使位于再布线层的光波导层侧的第一光电集成芯片和第二光电集成芯片，通过光波导层进行通讯，利用光传输的高带宽，有效的提高了芯片之间的传输速率；同时，光波导层可以采用与再布线层相同的制作技术，简化了封装结构的加工流程，提高了封装结构的集成度。45.可选的，所述光波导层包括：46.光波导下包层、光波导线路和光波导上包层，所述光波导下包层位于所述光波导层的底部，所述光波导下包层的预设位置开有用于形成光波导线路通道的窗口；所述光波导线路设置于所述光波导下包层上方和所述光波导线路通道内；所述光波导上包层设置于所述光波导线路的上方且包裹所述光波导线路；所述光波导线路用于进行所述第一光电集成芯片和所述第二光电集成芯片之间的光传输；47.所述光波导层的一端有呈预设角度的第一斜面，所述第一斜面的表面设置有第一光反射层；48.所述光波导层的另一端有呈预设角度的第二斜面，所述第二斜面的表面设置有第二光反射层。49.可选的，所述光电共封装结构还包括：50.塑封层，所述塑封层设置有两个凹槽，所述第一光电集成芯片和所述第二光电集成芯片分别设置于一个凹槽内；51.所述第一光电集成芯片与所述再布线层的下表面之间设置有第一填充层，在所述第一填充层内设置有第一凸块，所述第一凸块用于倒装所述第一光电集成芯片；52.所述第二光电集成芯片与所述再布线层的下表面之间设置有第二填充层，在所述第二填充层内设置有第二凸块，所述第二凸块用于倒装所述第二光电集成芯片。53.可选的，所述再布线层包括：54.嵌于绝缘介质层内的电互连结构和植球焊盘，所述电互连结构一端连接所述植球焊盘，另一端连接所述倒装焊盘；所述绝缘介质层具有带倾斜面的凹槽结构，以集成所述光波导层。附图说明55.为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。56.图1是本发明一实施例中提供的一种光电共封装结构的制作方法流程图；57.图2-1是本发明一实施例中提供的一种再布线层结构示意图；58.图2-2是本发明一实施例中提供的一种在再布线层一侧倒装光电集成芯片示意图；59.图2-3是本发明一实施例中提供的一种在再布线层另一侧植球示意图；60.图3是本发明一实施例中提供的第一种制作一侧集成有光波导层的再布线层的方法流程图；61.图4-1是本发明一实施例中提供的载体上涂布临时键合层示意图；62.图4-2是本发明一实施例中提供的制作倒装焊盘图形示意图；63.图4-3是本发明一实施例中提供的制作光波导下包层示意图；64.图4-4是本发明一实施例中提供的制作光波导线路示意图；65.图4-5是本发明一实施例中提供的制作光波导上包层示意图；66.图4-6是本发明一实施例中提供的加工光波导层斜面示意图；67.图4-7是本发明一实施例中提供的制作光反射层示意图；68.图4-8是本发明一实施例中提供的制作再布线层示意图；69.图4-9是本发明一实施例中提供的在再布线层植球侧贴附临时载体示意图；70.图4-10是本发明一实施例中提供的倒装光电集成芯片并塑封示意图；71.图4-11是本发明一实施例中提供的植球示意图；72.图5是本发明一实施例中提供的第二种制作一侧集成有光波导层的再布线层的方法流程图；73.图6-1是本发明一实施例中提供的加工光波导层斜面示意图；74.图6-2是本发明一实施例中提供的制作光反射层和倒装焊盘示意图；75.图7是本发明一实施例中提供的第一种光电共封装结构示意图；76.图8是本发明一实施例中提供的第二种光电共封装结构示意图；77.符号说明如下：78.100、硬质载体；200、临时键合层；300、金属种子层；400、光阻图形；x1、第一斜面；x2、第二斜面；1、塑封层；2、第一光电集成芯片；21、第一电子芯片区；22、第一光子芯片区；3、第二光电集成芯片；31、第二电子芯片区；32、第二光子芯片区；4、第一填充层；41、第一倒装焊盘；5、第二填充层；51、第二倒装焊盘；6、光波导层；61、光波导下包层；62、光波导线路；63、光波导上包层；621、第一光波导线支路；622、第二光波导线支路；623、第三光波导线支路；7、再布线层；71、电互连结构；711、第一凸块；712、第二凸块；713、铜线路；714、电互连柱；715、植球焊盘；8、锡球；9、塑封料。具体实施方式79.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。80.在一实施例中，提供一种如图1所示的一种光电共封装结构的制作方法，该方法包括：81.步骤s100：提供一侧集成有光波导层的再布线层。82.参见图2-1，为提供的再布线层7的结构，在再布线层7的一侧集成有光波导层6。83.步骤s200：在再布线层的光波导层侧倒装并塑封第一光电集成芯片和第二光电集成芯片，第一光电集成芯片用于通过光波导层连接所述第二光电集成芯片，且第一光电集成芯片和第二光电集成芯片用于连接再布线层的倒装焊盘。84.参见图2-2，在再布线层7中集成有光波导层6的一侧通过第一倒装焊盘711倒装第一光电集成芯片2，通过第二倒装焊盘712倒装第二光电集成芯片3，并将第一光电集成芯片2与光波导层6的一端连接，将第二光电集成芯片3与光波导层6的另一端连接，使得第一光电集成芯片2和第二光电集成芯片3能够通过光波导层6进行光通讯；然后通过塑封料9将第一光电集成芯片2和第二光电集成芯片3进行塑封；对光电集成芯片塑封，可以将光电集成芯片完全塑封，也可以暴露光电集成芯片的部分表面。85.本实施例中，倒装焊盘以及光电集成芯片的数量不局限于两个，可根据实际需要设置倒装焊盘的数量。86.步骤s300：在再布线层的植球焊盘侧进行植球。87.参见图2-3，在再布线层7的光波导层6侧倒装塑封第一光电集成芯片2和第二光电集成芯片3之后，在再布线层7的另一侧的植球焊盘715上进行植球，植球为锡球8，植球数量可根据实际需要进行设置。88.本实施例的光电共封装结构的制作方法，在再布线层中集成光波导层，在再布线层的光波导层侧倒装并塑封第一光电集成芯片和第二光电集成芯片，使第一光电集成芯片和第二光电集成芯片通过光波导层进行通讯，利用光传输的高带宽，有效的提高了芯片之间的传输速率；通过光波导层进行第一光电集成芯片和第二光电集成芯片之间的信号传输，有效的简化了封装结构内部复杂的线路。89.在一实施例中，提供一种光电共封装结构的制作方法，在图1中的方法基础上，本实施例中提供的制作一侧集成有光波导层的再布线层的方法如图3所示，该方法包括：90.步骤s101：提供一表面涂布有临时键合层的临时载体。91.参见图4-1，在一个硬质载体100上制作临时键合层200，其中硬质载体100可以是圆形，也可以是方形；若硬质载体100为圆形，材质为硅、玻璃、不锈钢中的一种；若硬质载体100为方形，材质为玻璃、不锈钢、陶瓷、玻纤增强有机树脂中的一种；临时键合层200可以液态或膜状，当为液态时，需采用涂布方式制作，当为膜状时，可以采用辊压、热压、真空贴膜等方法；临时键合层200可以为热敏性、光敏型、化学溶解型、机械分离型等；作为优选方案，选用光敏型临时键合层，光敏型临时键合层只能搭配玻璃载体使用；直接在高平整度的临时载体上制作光波导层，可以显著提高曝光能力，提高光波导线路的精细程度，有利于提高光波导线路和再布线层上凸块间的相对位置精度。92.步骤s102：在临时键合层上制作再布线层的倒装焊盘。93.参见图4-2，在临时键合层200上，采用半加成法制作第一倒装焊盘711和第二倒装焊盘712的图形，具体方法为：先溅射制作种子层，然后根据第一倒装焊盘711和第二倒装焊盘712的位置制作第一预设光阻图形，并在第一光阻图形电镀铜，然后褪去第一预设光阻图形，蚀刻种子层，得到第一倒装焊盘711和第二倒装焊盘712；本实施例中，种子层优选钛/铜，光阻优选光刻胶，也可以是干膜；通过光阻图形制作倒装焊盘，能够根据设计需要随意调整倒装焊盘的位置，制作较为灵活。94.步骤s103：在临时键合层上制作光波导层，在光波导层的两端制作斜面。95.在一示例中，在临时键合层上制作光波导层，在光波导层的两端制作斜面的具体方法如下：96.步骤s1031：在临时键合层上制作光波导层的对位靶标。97.参见图4-3，在临时键合层200上预设的位置制作光波导层的对位靶标，根据对位靶标的位置确定光波导层的光波导线路的出入口的位置，从而制作光波导线路的出入口。98.作为一个示例，也可以将第一倒装焊盘711和第二倒装焊盘712作为光波导层的对位靶标，也能够确定光波导层的光波导线路的出入口的位置，从而制作光波导线路的出入口。99.步骤s1032：以对位靶标为基准，制作光波导下包层，在光波导下包层的预设位置开窗，以形成光波导线路通道。100.参见图4-4，以对位靶标为基准，制作光波导下包层61，在下包层的预设位置开窗，以形成光波导线路62的通道，具体制作过程为：涂布光波导下包层61，并基于第二预设光阻图形选择性去除多余的下包层；且光波导下包层61在预设位置选择性开窗，以提供光线进出光波导线路62的通道；本实施例中，若硬质载体为圆形，优选旋涂(spin coating)的方式，若硬质载体为方形，优选狭缝涂布(slit coating)或喷涂的方式；作为其他实施方式，也可以采用3d打印的方法制作光波导下包层61；光波导下包层61能够遮蔽光波导线路62的下表面。101.步骤s1033：在光波导线路通道上以及在光波导下包层的上方制作光波导线路。102.在下包层61的开窗位置，以及在光波导下包层的上方制作光波导线路62，具体制作过程为：涂布光波导，并基于第三预设光阻图形选择性去除多余光波导，只保留预设位置的光波导；若硬质载体为圆形，优选旋涂(spin coating)的方式，若硬质载体为方形，优选狭缝涂布(slit coating)或喷涂的方式；作为其他实施方式，也可以采用3d打印的方法制作光波导线路62；光波导线路62能够为光电集成芯片之间的信号传输提供光通道。103.步骤s1034：在光波导线路的上方制作光波导上包层，以形成光波导层。104.参见图4-5，在光波导线路62的上方制作光波导上包层63，以形成光波导层，具体过程为：涂布光波导上包层63，并基于第四预设光阻图形选择性去除多余光波导上包层63，只保留光波导线路62位置的上包层，光波导上包层63将光波导线路62完全包裹；若硬质载体为圆形，优选旋涂(spin coating)的方式，若载体为方形，优选狭缝涂布(slit coating)或喷涂的方式；作为其他实施方式，也可以采用3d打印的方法制作光波导上包层63；光波导上包层63能够遮蔽光波导线路62的上表面。105.参见图4-6，在光波导层的两端制作第一斜面x1和第二斜面x2，第一斜面x1和第二斜面x2的角度可以根据光线反射需求进行设计，作为优选方案，斜面角度可设计为45度；制作斜面优选纳米压印法，也可以采用机械磨切、激光切割方法；若光波导线路的材料、光波导下包层和光波导上包层的材料是感光型材料，还可以分别采用梯度曝光获得边缘斜坡；光波导层两端的斜面为后续制作光反射层提供支撑面。106.步骤s104：在所述光波导层的两个斜面上制作光反射层；107.参见图4-7，上述步骤得到两端具有斜面的光波导层之后，需要在两端的斜面上制作第一光反射层64和第二光反射层64_1，以使光能够在光波导线路中进行反射传输，光反射层的具体制作过程为：整板溅射金属层，然后制作第五预设光阻图形，根据第五预设光阻图形，选择性蚀刻金属层，只保留光波导层两端斜面附近的金属层，得到第一光反射层64和第二光反射层64_1；本实施例中，金属层材质为金、银、铜中的一种；光反射层能够为光波导线路提供光反射面，使光能够在光波导线路中改变传输方向。108.步骤s105：制作再布线层，再布线层包括：嵌于绝缘介质层内的电互连结构和植球焊盘，电互连结构一端连接植球焊盘，另一端连接倒装焊盘；绝缘介质层具有凹槽结构以集成光波导层。109.参见图4-8，在图4-7中的结构表面采用积层法制作再布线层7，在制作再布线层7的过程中制作电互连柱714、铜线路713和植球焊盘715，电互连柱714和铜线路构成电互连结构，电互连结构一端连接植球焊盘715，另一端连接倒装焊盘711，绝缘介质层设置凹槽结构以集成光波导层；再布线层中绝缘介质层可以是二氧化硅、感光型聚酰亚胺、味之素积层薄膜等，优选感光型聚酰亚胺；再布线层中的铜线路采用半加成法制作；再布线层能够根据设计需要，设计与外部电通讯的电路。110.可选的，绝缘介质层的凹槽结构包括：底面和两个斜面，其中，底面位于凹槽的顶部，两个斜面位于凹槽的两端，凹槽的两个斜面与光波导层两端的斜面宽度相同，该凹槽结构能够嵌入光波导层，使光波导上包层与底面贴合，光波导下包层与塑封层贴合，光波导层两端的斜面与凹槽的两个斜面贴合，以固定光波导层。111.在一实施例中，提供一种光电共封装结构的制作方法，在图1中的方法基础上，本实施例中提供的在再布线层的光波导层侧至少倒装并塑封第一光电集成芯片和第二光电集成芯片，包括：112.步骤s201：再布线层的光波导层侧至少倒装第一光电集成芯片和第二光电集成芯片。113.参见图4-9，在再布线层植球焊盘侧贴附临时载体8，解除光波导层侧的硬质载体；其中，解除硬质载体的方式根据临时键合层胶的类型而定，如果有必要，还需要进行残留临时键合胶的清洗。114.参见图4-10，在再布线层7上光波导层侧至少倒装第一光电集成芯片2和第二光电集成芯片3，根据芯片凸点类型和倒装精度需要，可以采用批量回流焊(mass reflow)、热压键合(tcb)或混合键合(hybrid bonding)的方式倒装芯片；本实施例中，优选热压键合的方式倒装光电集成芯片；光电集成芯片倒装能够减小封装体积，同时能够提高信号传输速率。115.步骤s202：采用填充胶在第一光电集成芯片和第二光电集成芯片的底部进行填充。116.采用光学底部填充胶对第一光电集成芯片2和第二光电集成芯片3的底部填充(underfill)，然后通过塑封料塑封芯片；根据光电集成芯片凸点的尺寸，还可以选择光学非导电胶膜(ncf)实现底部填充；塑封芯片的方式优选压缩成型，当使用膜状塑封料时，还可以使用真空贴膜；采用填充胶填充光电集成芯片，能够使光电集成芯片封装结构更加稳定。117.步骤s203：第一光电集成芯片2包括第一电子芯片区21和第一光子芯片区22，第二光电集成芯片3包括第二电子芯片区31和第二光子芯片区32，第一光子芯片区22和第二光子芯片区32通过光波导层6进行光传输，第一电子芯片区21和第一光子芯片区22通过凸块41连接再布线层7的倒装焊盘711，第二电子芯片区31和第二光子芯片区32通过凸块51连接再布线层7的倒装焊盘712；光子芯片区能够通过光波导线路进行光信号传输，传输速率较高。118.在一实施例中，提供一种光电共封装结构的制作方法，在图1中的方法基础上，本实施例中提供的在再布线层的植球焊盘侧进行植球，包括：119.参见图4-11，解除植球焊盘侧的临时载体，并在再布线层7的植球焊盘715上植球，植球为锡球8，植球数量可根据实际需要进行设置，然后根据设计参数切割得到光电共封装结构；锡球能够与外部线路进行焊接，以传输电信号。120.在一实施例中，提供一种光电共封装结构的制作方法，在图1中的方法基础上，本实施例中提供的制作一侧集成有光波导层的再布线层的方法如图5所示，该方法包括：121.步骤s1001：提供一表面涂布有临时键合层的临时载体。122.本实施例中，步骤s1001与实施例二中的步骤s101相同，在此不再赘述。123.步骤s1002：在临时键合层上制作光波导层，在光波导层的两端制作斜面。124.本实施例中，步骤s1002与实施例二中的步骤s103相同，在此不再赘述。125.步骤s1003：制作再布线层的倒装焊盘和光波导层两端的斜面上的光反射层。126.本实施例中，经过步骤s1001和步骤s1002得到如图6-1所示的光波导层结构，在此结构上溅射金属层，选择性蚀刻金属层，保留所述光波导层的两个斜面上的金属层，以及保留所述临时键合层上预设位置处的金属层，得到所述光反射层和所述倒装焊盘，具体过程为：127.参见图6-2，整板溅射金属种子层300，金属种子层材质为金、银、铜中的一种；然后制作第六预设光阻图形400，第六预设光阻图400形显露光波导层两端的第一斜面64、第二斜面64_1和倒装焊盘的位置；并进行电镀铜，然后褪去第六预设光阻图形400，并刻蚀金属种子层，得到第一斜面64和第二斜面64_1上的金属层，即为光反射层，以及倒装焊盘。128.本实施例中制作一侧集成有光波导层的再布线层的方法，与图3中的制作一侧集成有光波导层的再布线层的方法不同之处在于：图3是先在临时键合层上制作凸块，光波导层两端的光反射层采用溅射制作；而本实施例中，先在临时键合层上制作光波导层，光波导层两端的光反射层和倒装焊盘一起通过光阻图形电镀铜制作而成。129.相较于图3中的制作一侧集成有光波导层的再布线层的制作方法，本实施例的方法所述使用的光阻图形数量较少，制作流程较为简单。130.步骤s1004：制作再布线层，再布线层包括：嵌于绝缘介质层内的电互连结构和植球焊盘，电互连结构一端连接植球焊盘，另一端连接倒装焊盘；绝缘介质层具有凹槽结构以集成光波导层。131.本实时中，步骤s1004与实施例二中的步骤s105相同，在此不再赘述。132.本实施例中，制作完光波导层之后的步骤与实施例二中制作完光波导层之后的步骤相同，在此不再赘述。133.本实施例的光波导结构的制作方法能够达到与实施例二中光波导结构的制作方法相同的效果。134.在一实施例中，提供一种如图7所示的光电共封装结构，该光电共封装结构包括：135.再布线层7，再布线层7内设置有光波导层6、第一倒装焊盘711、第二倒装焊盘712和植球焊盘715，其中，第一倒装焊盘711和第二倒装焊盘712位于再布线层7的光波导层侧，植球焊盘715位于再布线层另一侧，光波导层可以为矩形或圆形，也可以为其他任意形状。136.再布线层7的光波导层6侧至少倒装有第一光电集成芯片2和第二光电集成芯片3，第一光电集成芯片2通过光波导层6连接第二光电集成芯片3，且第一光电集成芯片连接第一倒装焊盘711，第二光电集成芯片3连接第二倒装焊盘712；再布线层7的植球焊盘715侧设置有植球焊盘715，植球焊盘715上设置有锡球8，锡球8的数量可根据设计需要进行设置。137.本实施例中，光电集成芯片和倒装焊盘的数量至少为2个，可根据实际需要进行设置。138.本实施例的光电共封装结构，在再布线层中设置光波导层，光电集成芯片通过倒装焊盘、植球焊盘和锡球与外部进行电通讯，位于再布线层的光波导层侧的第一光电集成芯片和第二光电集成芯片，通过光波导层进行通讯，利用光传输的高带宽，有效的提高了芯片之间的传输速率。139.在一实施例中，提供一种如图8所示的光电共封装结构，该光电共封装结构包括：塑封层1、再布线层7和锡球8，其中，再布线层7设置于塑封层1的上表面，锡球8设置于再布线层的上表面。140.本实施例中，再布线层7内设置有光波导层6、第一倒装焊盘711、第二倒装焊盘712、植球焊盘715和电互连结构71，其中，第一倒装焊盘711和第二倒装焊盘712位于再布线层7的光波导层侧，植球焊盘715位于再布线层另一侧，光波导层长度方向截面为梯形；电互连结构和植球焊盘嵌于再布线层的绝缘介质层内，电互连结构71一端连接植球焊盘715，另一端连接第一倒装焊盘711；绝缘介质层具有带倾斜面的凹槽结构，以集成光波导层6。141.本实施例中，电互连结构71包括：电互连柱714和电互连线路713，其中，电互连线路713通过电互连柱714分别与倒装焊盘711和植球焊盘715进行连接。142.光波导层6包括：光波导下包层61、光波导线路62和光波导上包层63，其中，光波导下包层61位于光波导层6的底部，光波导上包层63位于光波导层6的顶部，光波导线路62位于光波导下包层61和光波导上包层63之间，光波导线路62的两端在光波导下包层61的下表面形成光波导线路62的两个光出入口，形成光波导线路62的光通道，光波导线路62用于第一光电集成芯片2和第二光电集成芯片3之间的光传输。143.本实施例中，光波导线路62包括：第一光波导线支路621、第二光波导线支路622和第三光波导线支路623，其中，第一光波导线支路621的一端作为光波导线路62的一个光出入口，另一端连接第二光波导线支路622的一端，第二光波导线支路622的另一端连接第三光波导线支路623的一端，第三光波导线支路623的另一端作为光波导线路的另一个光出入口。144.本实施例中，第一光波导线支路621与第二光波导线支路622的连接处呈预设角度的第一斜面64，在第一斜面64的表面设置有第一金属层，从而形成第一光反射层；第三光波导线支路623与第二光波导线支路622的连接处呈预设角度的第二斜面65，在第二斜面65的表面设置有第二金属层，从而形成第二光反射层，第一光反射层和第二光反射层能够为光提供反射面，使光在光波导线路中传播时能够改变方向，从而实现第一光电集成芯片2和第二光电集成芯片3的光通讯。145.在一示例中，预设角度的范围为30度—60度，第一斜面64的预设角度与第二斜面64_1的预设角度可以设置为相同角度，也可以设置为不同角度，根据光传输线路具体设置；作为优选方案，预设角度可以设置为45度。146.本实施例中，塑封层1设置有两个凹槽，第一光电集成芯片2和第二光电集成芯片3分别设置于一个凹槽内；该两个凹槽是封装第一光电集成芯片2和第二光电集成芯片3之后所自然形成的凹槽。147.第一光电集成芯片2与再布线层7的下表面之间设置有第一填充层4，在第一填充层4内设置有第一凸块41，第一凸块41用于倒装第一光电集成芯片2，第一凸块41与第一倒装焊盘711连接；第二光电集成芯片3与再布线层7的下表面之间设置有第二填充层5，在第二填充层5内设置有第二凸块51，第二凸块51用于倒装第二光电集成芯片3，第二凸块51与第二倒装焊盘712连接；填充层是由于凸块占用一定空间所形成，填充层内填充填充胶，能固定光电集成芯片，提高封装可靠性。148.本实施例中，第一光电集成芯片2包括第一电子芯片区21和第一光子芯片区22，第二光电集成芯片3包括第二电子芯片区31和第二光子芯片区32，第一电子芯片区21与第一凸块41连接，第二电子芯片区31与第二凸块51连接，第一光子芯片区22与第二光子芯片区32通过光波导线路62进行光传输，使得第一光电集成芯片2和第二光电集成芯片3之间能够通过光波导线路62进行光通讯；光子芯片区作为光电集成芯片的光通讯功能区，能够对光信号和电信号进行转换。149.本实施例的光电共封装结构，在再布线层设置光波导层、倒装焊盘和电互连结构，光电集成芯片能够通过倒装焊盘和电互连结构与外部进行电通讯，第一光电集成芯片的第一光子芯片区和第二光电集成芯片的第二光子芯片区能够通过光波导线路进行光通讯，利用光传输的高带宽，有效的提高了芯片之间的传输速率；同时，光波导层有效的简化了封装结构内部复杂的线路。150.以上所述实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本发明的保护范围之内。









图片声明：本站部分配图来自人工智能系统AI生成,觅知网授权图片,PxHere摄影无版权图库。本站只作为美观性配图使用,无任何非法侵犯第三方意图,一切解释权归图片著作权方,本站不承担任何责任。如有恶意碰瓷者,必当奉陪到底严惩不贷!




内容声明：本文中引用的各种信息及资料（包括但不限于文字、数据、图表及超链接等）均来源于该信息及资料的相关主体（包括但不限于公司、媒体、协会等机构）的官方网站或公开发表的信息。部分内容参考包括:(百度百科,百度知道,头条百科,中国民法典,刑法,牛津词典,新华词典,汉语词典,国家院校,科普平台)等数据,内容仅供参考使用,不准确地方联系删除处理！本站为非盈利性质站点,发布内容不收取任何费用也不接任何广告!




免责声明：我们致力于保护作者版权，注重分享，被刊用文章因无法核实真实出处，未能及时与作者取得联系，或有版权异议的，请联系管理员，我们会立即处理，本文部分文字与图片资源来自于网络，部分文章是来自自研大数据AI进行生成,内容摘自(百度百科,百度知道,头条百科,中国民法典,刑法,牛津词典,新华词典,汉语词典,国家院校,科普平台)等数据,内容仅供学习参考,不准确地方联系删除处理!的,若有来源标注错误或侵犯了您的合法权益，请立即通知我们，情况属实，我们会第一时间予以删除，并同时向您表示歉意,谢谢!