用于防止流体的渗透和泄漏的多层且多环的密封件的制作方法 专利技术说明

电气元件制品的制造及其应用技术用于防止流体的渗透和泄漏的多层且多环的密封件相关申请的交叉引用1.本技术要求于2020年10月22日申请的美国专利申请no.63/104,250的权益。上述申请其全部公开内容都通过引用合并于此。技术领域2.本公开内容涉及用于防止流体的渗透和泄漏的密封件。背景技术：3.这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的发明人的工作在其在此背景技术部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。4.衬底处理系统可用于执行衬底(例如半导体晶片)的蚀刻、沉积、及/或其他处理。可在衬底上执行的示例性工艺包含(但不限于)化学气相沉积(cvd)工艺、原子层沉积(ald)工艺、离子植入工艺、和/或其他蚀刻、沉积、及清洁工艺。举例而言，在蚀刻工艺期间，可将衬底设置于衬底处理系统中的静电卡盘(esc)上，并且可供应气体以蚀刻衬底。可使用等离子体以增强化学反应。5.衬底处理环境对于密封件处(例如o形环处)的界面泄漏是敏感的。例如，氧和/或水在密封件周围渗透和“泄漏(leak-by)”可能导致膜氧化及/或腐蚀问题，其可能造成缺陷。技术实现要素：6.提供了一种密封件，其用于防止流体通过所述密封件与第一主体之间的第一界面。所述密封件包含第一带状构件、第二带状构件、以及桥接构件。第一带状构件在所述第一带状构件的第一侧限定第一带状密封表面。所述第一带状构件被配置成在被挤压至所述第一主体时与所述第一主体一起提供第一流体密封。第二带状构件在所述第二带状构件的第一侧限定第二带状密封表面，所述第二带状构件被配置成在被挤压至所述第一主体时与所述第一主体一起提供第二流体密封。所述第一带状构件和所述第二带状构件至少部分地在所述第一带状构件与所述第二带状构件之间限定空腔。桥接构件延伸通过所述空腔并且将所述第一带状构件连接至所述第二带状构件。7.在其它特征中，所述桥接构件是有孔的。在其它特征中，所述第一带状构件、所述第二带状构件、以及所述桥接构件为环形或矩形。8.在其它特征中，所述第一带状构件将第一区域与所述空腔隔开。所述第二带状构件将第二区域与所述空腔隔开。所述第一区域处于第一压力。所述第二区域处于第二压力，所述第二压力小于所述第一压力。所述空腔处于中间压力，所述中间压力小于所述第一压力且大于或等于所述第二压力。9.在其它特征中，所述第二带状构件的径向内侧表面处的直径大于所述第一带状构件的径向外侧表面处的直径。所述桥接构件包含：径向内侧表面，其连接至所述第一带状构件的径向外侧表面；以及径向外侧表面，其连接至所述第二带状构件的径向内侧表面。10.在其它特征中，所述密封件还包含设置于所述第一带状构件、所述第二带状构件、以及所述桥接构件上的一个或更多层。11.在其它特征中，所述密封件防止流体通过所述第一主体与第二主体之间的第二界面。所述第一带状构件在与所述第一侧相反的一侧限定第三带状密封表面，且被配置成当在所述第一主体与所述第二主体之间被挤压时与所述第二主体一起提供第三流体密封。所述第二带状构件在与所述第二带状密封表面相反的一侧限定第四带状密封表面，且被配置成当在所述第一主体与所述第二主体之间被挤压时与所述第二主体一起提供第四流体密封。所述空腔位于所述第一主体与所述第二主体之间。12.在其它特征中，所述第一带状构件和所述第二带状构件具有开放的圆形截面。所述第一带状构件包含第一内边缘。所述第二带状构件包含第二内边缘。当所述第一带状构件和所述第二带状构件在所述第一主体与所述第二主体之间被挤压时，所述第一内边缘和所述第二内边缘移动得更靠近所述桥接构件。在其它特征中，提供了一种系统，且其包含所述密封件、所述第一主体、所述第二主体、第一泵、以及控制器。所述第二主体包含通道。所述密封件被设置于所述通道中。所述控制器被配置成控制所述泵以将所述空腔抽空，其中所述空腔位于所述通道中且在所述第一带状构件与所述第二带状构件之间。13.在其它特征中，提供了一种系统，且其包含所述密封件以及配置以支撑所述密封件的定心环。14.在其它特征中，提供了一种密封件，其用于防止流体通过第一主体与第二主体之间的界面。所述密封件包含：芯部，其由铝形成；以及一个或更多层，其被设置于所述芯部的外表面上，且被配置成当在所述第一主体与所述第二主体之间被挤压时分别限定第一带状密封表面和第二带状密封表面。所述一个或更多层中的至少一者由全氟弹性体形成。在其它特征中，所述芯部为环形或矩形。15.在其它特征中，所述一个或更多层包含：第一层，其被设置在所述芯部上且由第一材料形成；以及第二层，其被设置在所述第一层上且由第二材料形成，其中所述第二材料与所述第一材料不同；并且所述第一层或所述第二层中的至少一者由全氟弹性体形成。在其它特征中，所述密封件为弹簧赋能式密封件。16.在其它特征中，提供了一种系统，且其包含所述密封件、所述第一主体、所述第二主体、泵、以及控制器。所述第二主体包含第一通道和第二通道。所述密封件为第一密封件且被设置在所述第一通道中。所述系统还包含第二密封件，其被设置在所述第二通道中。所述控制器被配置成控制所述泵的操作以经由充气部从所述界面将流体抽空，所述充气部位于所述第一主体与所述第二主体之间且在所述第一密封件与所述第二密封件之间的位置处。17.在其它特征中，提供了一种密封件，其用于防止流体通过第一主体与第二主体之间的界面。所述密封件包含：芯部，其由聚合物形成；以及一个或更多层，其被设置在所述芯部上，且被配置成当在所述第一主体与所述第二主体之间被挤压时分别限定第一带状密封表面和第二带状密封表面。所述一个或更多层中的至少一者由铝或全氟弹性体中的至少一者形成。在其它特征中，所述芯部为环形或矩形。18.在其它特征中，所述密封件包括一个或更多层，其包含设置于所述芯部上且由第一材料形成的第一层、以及设置于所述第一层上且由第二材料形成的第二层，其中所述第二材料与所述第一材料不同；并且所述第一层或所述第二层中的至少一者由铝或全氟弹性体中的至少一者形成。在其它特征中，所述密封件为弹簧赋能式密封件。19.在其它特征中，提供了一种系统，且其包含所述密封件、所述第一主体、所述第二主体、泵、以及控制器。所述第二主体包含第一通道和第二通道。所述密封件为第一密封件且被设置在所述第一通道中。所述系统还包含第二密封件，其被设置在所述第二通道中。所述控制器被配置成控制所述泵的操作以从所述界面中的间隙将流体抽空，其中所述间隙位于所述第一主体与所述第二主体之间且在所述第一密封件与所述第二密封件之间。20.在其它特征中，提供了一种密封件，其用于防止流体通过第一主体与第二主体之间的界面。所述密封件包含第一带状构件、第二带状构件、以及桥接构件。第一带状构件在其相反侧限定第一与第二带状密封表面，所述第一与第二带状密封表面被配置成当在所述第一主体与所述第二主体之间被挤压时分别与所述第一主体以及所述第二主体一起提供第一流体密封。第二带状构件在其相反侧限定第三与第四带状密封表面，所述第三与第四带状密封表面被配置成当在所述第一主体与所述第二主体之间被挤压时分别与所述第一主体及所述第二主体一起提供第二流体密封。所述第一带状构件和所述第二带状构件至少部分地在所述第一主体与所述第二主体之间限定空腔。桥接构件延伸通过所述空腔并且将所述第一带状构件连接至所述第二带状构件。21.在其它特征中，所述第一带状构件、所述第二带状构件和所述桥接构件为环形。在其它特征中，所述第一带状构件、所述第二带状构件和所述桥接构件并非环形。在其它特征中，所述第一带状构件、所述第二带状构件和所述桥接构件为矩形且包含圆角。22.在其它特征中，所述第一带状构件将第一区域与所述空腔隔开。所述第二带状构件将第二区域与所述空腔隔开。所述第一区域处于第一压力。所述第二区域处于第二压力，所述第二压力小于所述第一压力。所述空腔处于中间压力，所述中间压力小于所述第一压力且大于或等于所述第二压力。在其它特征中，第二流体密封位于第一流体密封的径向外侧或下方。23.在其它特征中，所述第二带状构件的径向内侧表面处的直径大于所述第一带状构件的径向外侧表面处的直径。所述桥接构件包含：径向内侧表面，其连接至所述第一带状构件的径向外侧表面；以及径向外侧表面，其连接至所述第二带状构件的径向内侧表面。24.在其它特征中，密封件还包含第三带状构件和第二桥接构件。第三带状构件在其相对侧限定第五与第六带状密封表面，所述第五与第六带状密封表面被配置成当在第一主体与第二主体之间被挤压时分别与第一主体及第二主体一起提供第三流体密封。第三流体密封位于第二流体密封的径向外侧，且第三带状构件的径向内侧表面处的直径大于第二带状构件的径向外侧表面处的直径。第二桥接构件包括连接至第二带状构件的径向外侧表面的径向内表面、以及连接至第三带状构件的径向内侧表面的径向外侧表面。25.在其它特征中，第一带状构件、第二带状构件和桥接构件限定哑铃形截面。在其他特征中，桥接构件包括在平行于第一主体和第二主体对密封件进行挤压的方向的平面中延伸的孔洞。26.在其它特征中，密封件还包含设置在第一带状构件、第二带状构件和桥接构件上的一个或更多层。在其他特征中，一个或更多层由与第一构件、第二构件以及桥接构件不同的材料形成。27.在其它特征中，第一构件、第二构件和桥接构件由聚合物形成。一个或更多层中的至少一者由铝、氧化铝、或氧化钇中的至少一者形成。28.在其它特征中，第一带状构件、第二带状构件和桥接构件由含氟弹性体形成。一个或更多层中的至少一者由全氟弹性体形成。在其他特征中，第一带状构件、第二带状构件和桥接构件由铝形成。一个或更多层中的至少一者由全氟弹性体形成。29.在其它特征中，密封件为弹簧赋能式密封件。在其他特征中，第一带状构件包括第一弹簧元件。第二带状构件包括第二弹簧元件。30.在其它特征中，第一带状构件、第二带状构件和桥接构件由金属形成。31.在其它特征中，第一带状构件和第二带状构件具有开放的圆形截面。第一带状构件包括第一内边缘。第二带状构件包括第二内边缘。当第一带状构件和第二带状构件在第一主体与第二主体之间被挤压时，第一内边缘和第二内边缘移动得更靠近桥接构件。32.在其它特征中，提供了一种系统，且其包括密封件、第一主体、第二主体、泵以及控制器。第二主体包括通道。密封件被设置在通道中。控制器被配置成控制泵以将空腔抽空，其中所述空腔位于所述通道中且在第一带状构件与第二带状构件之间。33.在其它特征中，第一主体为计量设备的外壳或衬底处理室的壁部。第二主体为计量设备的外壳或衬底处理室的壁部中的另一者。在其他特征中，第一主体为衬底处理室的盖部或壁部。第二主体为衬底处理室的盖部或壁部中的另一者。34.在其它特征中，第一主体为组件的部件或衬底处理室的壁部。第二主体为组件的部件或衬底处理室的壁部中的另一者。所述组件为物质输送组件、运输组件或物质排放组件。35.在其它特征中，提供一种密封件，用于防止流体通过第一主体与第二主体之间的界面。密封件包括芯部以及设置在芯部上的一个或更多层。芯部由铝形成。一个或更多层被设置在芯部的外表面上且被配置成当在第一主体与第二主体之间被挤压时分别限定第一带状密封表面及第二带状密封表面。一个或更多层中的至少一者由全氟弹性体形成。36.在其它特征中，芯部为环形。在其他特征中，芯部并非环形。在其他特征中，芯部为带有圆角的矩形。37.在其它特征中，一个或更多层中的至少一者是由铝、氧化铝或氧化钇中的至少一者形成。在其他特征中，一个或更多层包括第一层和第二层。第一层被设置在芯部上并且由第一材料形成。第二层被设置在第一层上并且由第二材料形成，其中第二材料不同于第一材料。第一层或第二层中的至少一者由全氟弹性体形成。38.在其它特征中，一个或更多层包括设置在第二层上且由第一材料形成的第三层。在其他特征中，一个或更多层中的每一者的密度为2-5g/cm3。在其他特征中，一个或更多层中的每一者的厚度为20-500nm。39.在其它特征中，密封件为弹簧赋能式密封件。在其他特征中，密封件还包含设置在芯部上的弹簧元件。一个或更多层被设置在弹簧元件上。40.在其它特征中，提供了一种系统，且其包括密封件、第一主体、第二主体、泵和控制器。第二主体包括第一通道和第二通道。密封件被设置在第一通道中。所述密封件为第一密封件。所述系统还包含设置在第二通道中的第二密封件。控制器被配置成控制泵的操作以从界面中的间隙将流体抽空，其中所述间隙位于第一主体与第二主体之间且在第一密封件与第二密封件之间。41.在其它特征中，第一通道与第二通道为同心通道。第二密封件与第一密封件同心。在其他特征中，第一主体为计量设备的外壳或衬底处理室的壁部。第二主体为计量设备的外壳或衬底处理室的壁部中的另一者。42.在其它特征中，第一主体为衬底处理室的盖部或壁部。第二主体为衬底处理室的盖部或壁部中的另一者。43.在其它特征中，第一主体为组件的部件或衬底处理室的壁部。第二主体为组件的部件或衬底处理室的壁部中的另一者。所述组件为物质输送组件、运输组件或物质排放组件。44.在其它特征中，提供了一种密封件，其用于防止流体通过第一主体与第二主体之间的界面。密封件包括芯部及一个或更多层。芯部是由聚合物形成。一个或更多层被设置在芯部上并且被配置以当在第一主体与第二主体之间被挤压时分别限定第一带状密封表面和第二带状密封表面。一个或更多层中的至少一者由铝或全氟弹性体中的至少一者形成。45.在其它特征中，芯部为环形。在其他特征中，芯部并非环形。在其他特征中，芯部为带有圆角的矩形。46.在其它特征中，一个或更多层中的至少一者由铝形成。在其他特征中，一个或更多层包括全氟弹性体。在其他特征中，一个或更多层包括铝以及全氟弹性体。47.在其它特征中，一个或更多层包括第一层和第二层。第一层被设置在芯部上且由第一材料形成。第二层被设置在第一层上且由第二材料形成，其中第二材料不同于第一材料。第一层或第二层中的至少一者由铝或全氟弹性体中的至少一者形成。48.在其它特征中，一个或更多层包括设置在第二层上且由第一材料形成的第三层。在其他特征中，一个或更多层中的每一者的密度为2-5g/cm3。在其他特征中，一个或更多层中的每一者的厚度为20-500nm。49.在其它特征中，密封件为弹簧赋能式密封件。在其他特征中，密封件还包含设置在芯部上的弹簧元件。一个或更多层被设置在弹簧元件上。50.在其它特征中，提供了一种系统，且其包括密封件、第一主体、第二主体、泵和控制器。第二主体包括第一通道和第二通道。密封件被设置在第一通道中。第二密封件被设置在第二通道中。控制器被配置成控制泵的操作以从界面中的间隙将流体抽空，其中所述间隙位于第一主体与第二主体之间且在第一密封件与第二密封件之间。51.在其它特征中，第一通道与第二通道为同心通道。第二密封件与第一密封件同心。在其他特征中，第一主体为计量设备的外壳或衬底处理室的壁部。第二主体为计量设备的外壳或衬底处理室的壁部中的另一者。52.在其它特征中，第一主体为衬底处理室的盖部或壁部。第二主体为衬底处理室的盖部或壁部中的另一者。53.在其它特征中，第一主体为组件的部件或衬底处理室的壁部。第二主体为组件的部件或衬底处理室的壁部中的另一者。所述组件为物质输送组件、运输组件或物质排放组件。54.根据详细描述、权利要求和附图，本公开内容的适用性的进一步的范围将变得显而易见。详细描述和具体示例仅用于说明的目的，并非意在限制本公开的范围。附图说明55.根据详细描述和附图将更充分地理解本公开，其中：56.图1为根据本公开内容的包含密封件的衬底处理系统的示例的功能框图；57.图2为根据本公开内容的密封系统的示例的功能框图，其包括具有成对多层o形环密封件的界面的一部分的截面图；58.图3为根据本公开内容的o形环的一部分的示例的截面图；59.图4为根据本公开内容的多环密封件的示例的俯视图；60.图5为根据本公开内容的密封系统的示例的功能框图，其包括具有双环密封件的界面的一部分的截面图；61.图6为根据本公开内容的具有圆形环构件截面的多层双环密封件的一部分的示例的截面图；62.图7为根据本公开内容的具有矩形环构件截面的另一多层双环密封件的一部分的示例的截面图；63.图8为根据本公开内容的包括多个桥接构件的多环密封件的另一示例的俯视图；64.图9a为根据本公开内容的密封系统的示例的功能框图，其包括界面的一部分的截面图，该界面具有成对的多层o形环密封件，其呈竖直排列并且设置在界面主体周围且在界面主体的通道中；65.图9b为根据本公开内容的密封系统的示例的功能框图，其包括界面的一部分的截面图，该界面具有成对的多层o形环密封件，其呈竖直排列并且设置在第一界面主体周围且在第二界面主体的通道中；66.图10a为根据本公开内容的密封系统的示例的功能框图，其包括界面的一部分的截面图，该界面具有双环密封件，其呈竖直排列并且设置在界面主体周围且在界面主体的通道中；67.图10b为根据本公开内容的密封系统的示例的功能框图，其包括界面的一部分的截面图，该界面具有双环密封件，其呈竖直排列并且设置在第一界面主体周围且在第二界面主体的通道中；68.图11为根据本公开内容的包含双弹簧元件的双环弹簧赋能式密封件的一部分的示例的截面图；69.图12为根据本公开内容的双环金属密封件的一部分的截面图；70.图13为根据本公开内容的密封系统的另一示例的截面图，该密封系统包括由定心环支撑的密封件，其包括单一带状构件且被设置在管道凸缘之间；以及71.图14为根据本公开内容的密封系统的另一示例的截面图，该密封系统包括由定心环支撑的密封件，其包括双重带状构件及桥接构件且被设置在管道凸缘之间。72.在附图中，可以重复使用附图标记来标识相似和/或相同的元件。具体实施方式73.衬底处理系统可包括各种密封件。这些密封件周围的流体渗透和/或泄漏可能导致衬底劣化以及蚀刻、沉积和清洁性能劣化。用于使流体渗透以及泄漏最小化的示例性密封件包括金属挤压性密封件(例如，康弗拉(conflats)、c形密封件、以及真空耦合辐射(vcr)垫片)以及成对的弹性体o形环。归因于空间限制以及制造和/或破坏密封的频率，使得在沉积工具上使用密封件的所有位置都使用金属挤压性密封件的方式并不可行。金属挤压性密封件的尺寸、形状、抗腐蚀性也可能限制和/或阻止金属挤压性密封件在某些位置的使用。74.成对的弹性体o形环包括设置在第一主体的相应通道中的第一o形环和第二o形环。两个o形环在第一主体与第二主体之间的界面处提供双重密封配置。第一o形环被设置在第二o形环的径向外侧并且围绕第二o形环。第一o形环的内径大于第二o形环的外径，使得这些o形环之间存在界面空间。渗透通过例如第一o形环和/或经由其泄漏的流体可从位于这些o形环之间的界面空间排出。这使得在第二o形环处感知的流体压力降低，并且使得流体渗透通过第二o形环和/或经由第二o形环泄漏的风险降低。然而，使用成对的o形环需要整合两个o形环通道(或凹槽)及两个不同的o形环，其与整合单一通道及单一o形环相比，会使得工具成本提高。75.本文所述的示例包括降低渗透率和/或泄漏率的多层单环密封件及多环密封件。多环密封件可各自包含两个以上的环形构件以及一个以上的桥接构件，这些桥接构件将相邻的环形构件连接。多环密封件中的每一者可包含芯部以及设置于芯部上的一个或更多层。76.图1显示了衬底处理系统100，其包括具有衬底支撑件104(例如静电卡盘)和喷头106的处理室102。可将衬底处理系统100实施为电容耦合式等离子体(ccp)系统。本文所公开的实施方案也适用于变压耦合式等离子体(tcp)系统、电子回旋共振(ecr)等离子体系统、感应耦合式等离子体(icp)系统、和/或包括衬底支撑件的其他系统及等离子体源。这些实施方案适用于衬底处理系统，例如原子层沉积(ald)、等离子体增强ald(peald)、物理气相沉积(pvd)工艺、cvd工艺、等离子体增强cvd(pecvd)、化学增强等离子体气相沉积(cepvd)工艺、离子植入工艺、等离子体蚀刻工艺、和/或其他蚀刻、沉积、及清洁工艺。可将衬底支撑件104安装于处理室102的底部。喷头106悬挂在处理室102的顶部。77.处理室102包括侧壁108、110、反应器盖部112、以及底壁114。反应器盖部112覆盖处理室102的内部并提供通往处理室102内部的入口以进行内部维护和维修。可将各种计量设备115连接至侧壁108、110中之一或多者。计量设备可包括气体分析仪、照相机、光发射光谱设备、温度传感器、压力传感器、湿度传感器、高温计等，其可由系统控制器117进行监控。也可将运输组件116附接于侧壁108、110中的一者，以用于往返处理室102的内部传送衬底。运输组件116可包括闸门119，其被打开以允许将衬底移入处理室102的内部或从处理室102的内部移出。闸门119可以是气动式或电气式致动。可将物质输送组件118附接至反应器盖部112。物质输送组件118可包括一个或更多注射器、通道、管件等，以用于将处理气体供应至处理室102的内部。物质排放组件120可附接于底壁114并且用于将处理室102的内部排空。78.可将密封件设置在各种位置，包括在(i)侧壁108、110、反应器盖部112以及底壁12中。图2、5和9a-10b显示不同示例性实施方案的这些点中的一者的特写横截面图。衬底处理系统100的密封件122、124、128、130、132和/或其他密封件中的每一者可根据图2-12的实施方案中的任一者实施。举例而言，密封件124可包括图2的o形环、图5的多环密封件、和/或本文所公开的其他密封件。84.虽然图2-12的密封件主要被描述为呈环状和/或包括多个环(或环状密封件)，但图2-12的密封件中的每一者可具有不同的形状。图2-12的密封件中的每一者可称为密封带，其包含一或多个带状构件。带状构件可包括圆周保形构件(conforming members)、环形构件、环面状(toroidal-shaped)构件、圆形构件、方形构件、具有圆角的方形构件、和/或其他不同形状的构件。密封带中的每一者可具有如图3所示的圆形截面或可具有非圆形截面。85.带件中的每一者可以是圆形或具有非圆形和/或不规则形状。通过带件中的每一者的横向截面可以是圆形、非圆形和/或不规则形状。图5中显示了一示例性平面，在该平面可截取密封件的横向截面。该平面横向地延伸通过密封件的中心。图5的密封件的横向截面将会显得与图4所示的相似。该横向截面与图5所示的密封件的截面垂直。86.此外，密封件中的每一者具有相对应的密封压盖(sealing gland)，密封件被设置在该密封压盖中。密封压盖中的每一者是指主体的提供空腔的部分，密封件被设置在该空腔中。密封件中的每一者可与相对应的密封压盖的至少一部分共形。密封压盖中的每一者的一个尺度可与相应密封件的对应尺度相同或比其更大。可提供较大的尺度以方便密封件的安装并允许密封件的热膨胀。延伸通过应用状态下的密封件的截面中心的中心线可以或可以不跟随延伸通过密封压盖的截面中心的中心线、可以或可以不与其共存、和/或可以或可以不与其对齐。这可取决于相对于密封件尺寸的压盖尺寸、密封件在压盖中的设置、以及密封件是否与压盖共形。图4显示了延伸通过密封件的对应部分的截面中心点的示例性中心线。87.图2显示了包含界面202的密封系统200，界面202具有成对的多层o形环密封件，其是由设置在相应通道208、210中且在第一界面主体212与第二界面主体214之间的两个o形环(或带)提供。通道208、210为同心通道，且o形环204和206为同心o形环，其可以中心线211为中心。主体212、214的为o形环204、206提供空腔的部分被称为密封压盖。参考平面213可穿过o形环204、206的中心(或形心)及通道208、210的中心。由箭头g所指示的间隙可存在于界面主体212、214之间的界面中。o形环204和206在界面主体212、214外部的区域与界面主体212、214内部的区域之间提供两级隔离。界面主体212、214外部的区域可处于大气(atm)压力下。界面主体212、214内部的区域可处于真空下。88.处于大气压(或高压)的环境空气可能进入第一通道208的第一侧的第一空间220，如箭头222所指示的。第一空间220中的压力p1可与界面主体212、214外部的压力(或大气压力)大致相同或相等。该环境空气的一部分可渗透通过第一o形环204或经由第一o形环204泄漏并进入第一o形环204的第二侧的第二空间223，并且可被抽出，如箭头224所指示的。第二空间223中的环境空气可处于压力p2(或中间压力)，并且可经由通道226而被抽出，通道226从界面的o形环204、206之间的一部分下方的充气部227延伸至第一泵228。充气部227被包含以更均匀地从界面的o形环204、206之间的该部分抽吸环境空气。可使用第二泵229以从室231内抽取气体。第一泵228和第二泵229可由图1的控制器117控制。第三空间232中的压力p3(或低压)可与室231中的压力大致相同或相等。在一实施方案中，泵228、229以有差异的方式从o形环204、206之间的界面抽吸环境空气和从室231抽吸气体以提供跨o形环206的压差。在该实施方案中，压力p3低于压力p2。差异抽吸指的是提供不同级的真空系统(其包括泵228、229)，以保持两个不同区域之间的设定压力差。可针对本文所公开的其他示例(例如图5和9a-10b中所示的)而实施差异抽吸。在另一实施方案中，泵228、229被替换为单一泵网络，其包括单个泵及位于该泵上游的被动或主动限制设备，用于在室231和界面的介于o形环204、206之间的部分中提供不同的压力。89.第二通道210的第一空间230(其位于第二o形环206的第一侧)内的压力p2明显小于第一o形环204的第一侧的第一空间220内的压力p1。这使得流体渗透通过第二o形环206和/或经由第二o形环206泄漏至第二o形环206的第二侧的空间232的可能性降低。虽然在通道208、210之间显示单一排放口，但可包含任何数量的排放口，且其从界面的位于通道208、210之间的部分吸引流体。界面的位于通道208、210之间的部分可处于与界面主体212、214内部的区域相同或不同的压力。举例而言，界面的位于通道208、210之间的部分可处于介于在atm(或p1)与界面主体212、214内部的区域中的压力p3之间的压力。90.o形环204、206为环状(或环形)构件，其可于第一界面主体212与通道208、210的底部之间被挤压。可经由紧固件而将第一界面主体212附接至第二界面主体214。举例而言，可使用螺钉以将第一界面主体212附接至第二界面主体214。o形环204、206的顶表面234、235及底表面236、237同时接触主体212、214，且为提供相应流体密封的环状密封表面。这防止通过o形环204、206的流体泄漏。类似的密封配置可设置有非环状的密封件。91.此外，为了进一步防止渗透和泄漏，o形环204、206中的每一者如本文所公开的那样建构，并且可包括芯部及设置在芯部上的一个或更多膜层。在所示的示例中，o形环204、206包含相应的芯部240、242及涂层(或层)244、246。虽然o形环204、206被显示为具有单个涂层或外层，但o形环204、206可包括堆叠在芯部240、242上的任意数量的层。芯部240、242和/或一个或更多层由高密度材料(例如，具有每立方厘米2-5克(g/cm3)的密度)形成以防止渗透。在一实施方案中，每个层可注入和/或填充芯部或中间层中的孔隙、孔洞、裂缝等。这进一步增加了o形环204、206的密度，并且使得o形环204、206的渗透性降低。图3显示了将层的一部分注入另一膜层的示例。92.在一实施方案中，图2的芯部240、242是由弹性体形成。在另一实施方案中，芯部240、242是由非导电性聚合物(例如氟碳化物(fkm))形成。fkm为含氟弹性体材料的系列。fkms包括偏二氟乙烯(vdf)以及一种或更多其他化合物，例如六氟丙烯(hfp)、四氟乙烯(tfe)、全氟甲基乙烯基醚(pmve)、丙烯及乙烯。93.在另一实施方案中，芯部240、242是由铝形成。施加于芯部240、242的一个或更多膜层可由铝、陶瓷(如氧化铝(al2o3)、氧化钇(y2o3))、和/或聚合物(如全氟弹性体(ffkm))所形成。含氟弹性体材料包括ffkms。ffkm提供良好的密封以防止化学品及等离子体渗透和泄漏。出于此原因，最外层可由ffkm形成，而芯部和/或一个或更多中间层可由对化学品和/或等离子体渗透和/或泄漏的抵抗力较低的材料形成。举例而言，芯部240、242可由铝形成，而涂层244、246可由ffkm形成。作为替代，一个或更多层可由基于非聚合物和/或基于晶体的材料所形成。作为另一示例，芯部240、242可由弹性体形成，在芯部240、242上的中间层可由铝形成，而形成于中间层上的最外层可由ffkm形成。94.可利用原子层沉积将一个或更多层沉积在芯部240、242上，而非将一个或更多层粘附于芯部240、242。可将一个或更多层直接地涂布于芯部240、242和/或一或更多中间层，而无需涂布中间的粘附层和/或材料。95.虽然o形环被显示为圆形，但也可形成非圆形的相似密封件。例如，密封件可具有矩形截面。芯部240、242的尺度(例如直径)和一个或更多层的厚度可根据应用而进行调整。可调整尺度和厚度以改变o形环204、206的密度以及对o形环204、206的渗透和泄漏的抵抗力。显示出膜层244、246中的每一者的示例性厚度t。一个或更多层可为薄的，例如厚度为20-500纳米(nm)。通过具有一个或更多层，可降低这些层之间的应力，从而产生较不易破裂的结构。一个或更多层可由具有不同化学组成且在不同压力和/或温度下的不同材料形成。通过包含具有不同组成和/或厚度的多个层，可改善阻隔密封性能以及外表面光洁度。96.举例而言，第一界面主体212可为例如计量设备的外壳、反应器盖部、运输组件的部件、或物质排放组件的部件。第二界面主体214可为处理室的壁部。作为另一示例，第一界面主体212可为反应器盖部，且第二界面主体214可为物质输送系统的部件。97.界面主体212、214可由相同材料或不同材料形成。界面主体212、214中的一者可由金属和/或导电性材料形成，且界面主体212、214中的另一者可由非金属非导电性材料(例如陶瓷)形成。在另一实施方案中，界面主体212、214两者都是由金属和/或导电性材料形成。98.图3显示了o形环300，其包括芯部302、第一中间层304、第二中间层306、以及最外层308。o形环300可取代图2的o形环204、206中的任一者或两者。虽然o形环300被显示为在芯部302上具有三个层，但可在芯部302上设置任何数量的层。芯部302可由以上针对图2的芯部240、242而描述的任何材料形成。层304、306、308可由以上针对设置在芯部240、242上的一个或更多层而描述的任何材料形成。举例而言，芯部302可由fkm形成，中间层304、306中的一或多者可由铝形成，且最外层308可由ffkm形成。堆叠在芯部302上的层可以在相似组成的层之间交替。例如，两个层可以由铝、al2o3、或y2o3形成，且另外两个层可由ffkm形成，其中ffkm层中的一者被设置在由铝、al2o3、或y2o3所形成的两个层之间，且另一个ffkm层为最外层。可实施其他的堆叠配置。中间层304会在芯部302中注入缺陷。示例性缺陷310被显示。99.可实施图4-12的以下实施方案以进一步降低渗透率和/或泄漏率。图4-12的实施方案在防止渗透和/或泄漏方面通常比图2-3的实施方案更佳，具体取决于材料、结构、密封件的形成、及密封件的应用。图4-12的实施方案可用于(i)当由密封件所分隔的区域之间存在高压差时；(ii)当所处理的物体(例如衬底)对湿气和/或污染物敏感时；和/或(iii)当需要低渗透率和/或泄漏率时。100.图4显示了包括第一内环构件(或内带构件)402、桥接构件(或中介带构件)404、以及外环构件(或外带构件406)的多环密封件(或带)400。图5中显示了多环密封件400的示例性实施方案。虽然显示出两个环构件及一个桥接构件，但多环密封件400可包括n个环构件及m个桥接构件，其中n为大于或等于2的整数且m等于n-1。桥接构件中的每一者连接两个相邻的环构件，如图4的示例所示，其中桥接构件404连接环构件402、406。环构件402、406及桥接构件404可为环状的。桥接构件404可以是有孔的。在所示的示例中，桥接构件404包括孔洞410。桥接构件404可包括具有不同尺寸及形状的任意数量的孔洞。虽然显示矩形的形状，但可使用圆形、椭圆形或其他形状。通过提供有孔的桥接构件，密封件400允许通过从桥接构件的一侧(而非从桥接构件的两侧)抽吸流体而将桥接构件上方及下方的流体排空。图4中显示了延伸通过密封件400的相应部分的截面中心点的示例性中心线420。中心线420遵循密封件400的曲度。中心线420不同于在与线420正交的方向上延伸且通过密封件400的中心点413的中心线。101.图5显示了包括界面502的密封系统500，界面502具有由多个环构件以及一个或更多桥接构件所提供的多环密封件504。多环密封件504为平面密封件，且可由图4的密封件400或图6-8的密封件中的一者实施。虽然多环密封件504被显示为具有两个环构件506、508以及单一桥接构件510，但多环密封件504可包含n个环构件以及m个桥接构件，其中n为大于或等于2的整数且m为等于n-1的整数。环构件506、508以及桥接构件510为同心构件，且具有哑铃形截面。参考平面511可延伸通过环构件506、508及桥接构件510的中心(或形心)。环构件506、508可以中心线513为中心。102.多环密封件504被设置在单一通道520中且在第一界面主体522与第二界面主体524之间。参考平面511也可延伸通过通道520的中心。由箭头g所指示的间隙可存在于界面主体522、524之间的界面中。主体522、524为密封件504提供空腔的部分被称为密封压盖(sealing gland)。环构件506、508在界面主体522、524外部的区域与界面主体522、524内部的区域之间提供多级隔离。界面主体522、524外部的区域可处于atm(或高)压力。界面主体522、524内部的区域可处于真空下(或处于低压下)。中心线513可以是界面主体522、524和/或室525的中心。在一实施方案中，环构件506、508并非以界面主体522、524和/或室525的中心线为中心。类似的密封配置可设置有非环状的密封件。103.在所示示例中，提供两级隔离。处于大气压力的环境空气可进入通道520的第一侧的第一空间530，如箭头531所指示的。该环境空气的一部分可渗透通过第一环构件506或经由第一环构件506泄漏并进入第二空间532，该第二空间532介于环构件506、508之间。进入第二空间532的环境空气可被抽出，如箭头534所指示的。空间532介于以下两者之间：(i)第一环构件506的最内表面535和最外表面536、以及(ii)第二环构件508的最内表面537和最外表面538。可经由自环构件506、508之间的空间532延伸至泵540的通道539将环境空气抽出。空间(或空腔)532(其位于环构件506与508之间并且至少部分地由环构件506与508限定)内的压力p2明显小于第一环构件506的第一侧的空间530中的压力p1。压力p1可与界面主体522、524外部的区域中的压力(其可处于大气压)大致相同或相等。第二环构件508的第二侧的空间542中的压力p3可与室525内的压力大致相同或相等。室525可处于真空下。这使得流体渗透通过第二环构件508和/或经由第二环构件508泄漏至空间542的可能性降低。104.第二泵541可用于从室525内抽取气体。第一泵540和第二泵541可由图1的控制器117控制。在一实施方案中，将泵540、541替换为单一泵网络，该单一泵网络包括单个泵以及位于该泵上游的被动或主动限制设备，以用于在室525及界面的环构件506、508之间的部分中提供不同的压力。105.环构件550、552为环状(或环形)构件，其可于第一界面主体522与通道520的底部之间被挤压。环构件506、508的顶表面550、552及底表面554、556同时在通道520中接触主体522及主体524，并且是提供相应流体密封的环状密封表面。这防止流体泄漏通过环构件550、552。桥接构件510为一环形构件，其与主体522、524间隔开且未接触主体522、524。106.空间532包括桥接构件510上方和下方的区域。桥接构件510可以是有孔的，并且包含一个或更多孔洞。显示出示例性孔洞560。孔洞允许桥接构件510上方和下方的流体经由单一排放口和/或从桥接构件510的单一侧排放。虽然在桥接构件510下方显示单一排放口，但在桥接构件510的上方和/或下方可包含任何数量的排放口。107.此外，为了进一步防止渗透和泄漏，密封件504如本文所公开的那样建构，并且可包括芯部以及设置在芯部上的一个或更多层，如图6-7所示。在一实施方案中，密封件504不包含涂布于芯部的一个或更多层。可如下文中进一步描述的那样形成层和芯部。108.举例而言，第一界面主体522可以是例如计量设备的外壳、反应器盖部、运输组件的部件、或物质排放组件的部件。第二界面主体524可以是处理室的壁部。作为另一示例，第一界面主体522可以是反应器盖部，且第二界面主体524可以是物质输送系统的部件。109.界面主体522、524可由相同材料或不同材料形成。界面主体522、524中的一者可由金属和/或导电性材料形成，且界面主体522、524中的另一者可由非金属非导电性材料(例如陶瓷)形成。在另一实施方案中，界面主体522、524两者都是由金属和/或导电性材料形成。110.图6显示了具有圆形环构件截面的多层双环密封件600。密封件600包括两个环构件602、604以及连接两个环构件602、604的桥接构件606。环构件602、604及桥接构件606具有哑铃形截面。构件602、604、606中的每一者可包含芯部以及堆叠在芯部上的一个或更多层。在所示示例中，中间层610被设置在芯部612上，接着为最外层614，其被设置在中间层610上。芯部612可为包含构件602、604、606中的每一者的相应部分的实心一体式结构。桥接构件606可为有孔的，且包含一或更多孔洞。显示出一示例性孔洞620。桥接构件606可以等距地介于平行的平面630、632之间，其中平面630、632延伸横过环构件602、604的第一(例如，最上面)点及第二(例如，最下面)点并且切向地通过它们。111.虽然密封件600被显示为具有涂布于芯部的两个层，但密封件600可具有任何数量的层。在一实施方案中，层610、614为薄涂层。层610、614中的每一者可具有20-500nm的厚度。可根据应用而调整芯部612的尺度以及一个或更多层的厚度。可调整尺度和厚度以改变环构件602、604的密度以及对环构件602、604的渗透和泄漏的抵抗力。通过包含一或更多薄层，可减小层之间的应力，因此密封件600的结构较不易破裂。虽然桥接构件606被显示为具有特定尺度(例如厚度t1)，但桥接构件606的尺度可与所示的不同。此外，虽然环构件602、604的尺度(例如厚度t2、t3)被显示为在尺寸上相等，但这些尺度在尺寸上也可以不相等。112.芯部612和/或芯部612上的一个或更多层可由高密度材料(例如，具有2-5g/cm3的密度)形成，以防止渗透。在一实施方案中，每个层可注入和/或填充芯部612或中间层中的孔隙、孔洞、裂缝等，其进一步增加密度并且使得密封件600的渗透性降低。113.在一实施方案中，芯部612由弹性体形成。在另一实施方案中，芯部612由非导电性聚合物(例如fkm)形成。在另一实施方案中，芯部612由铝形成。涂布于芯部612的一个或更多层可由铝、陶瓷(如al2o3、y2o3)、和/或聚合物(如ffkm)形成。在一实施方案中，最外层可由ffkm(其对化学品及等离子体渗透和泄漏具高度抵抗性)形成，且芯部612和/或一或更多中间层可由对化学品和/或等离子体渗透和/或泄漏的抵抗力较低的材料形成。举例而言，芯部612可由铝形成，且一个或更多层可由ffkm形成。作为替代，一个或更多层可由基于高密度非聚合物和/或基于晶体的材料形成。114.作为另一示例，芯部612可由弹性体形成，芯部612上的中间层可由铝形成，且形成于中间层上的最外层可由ffkm形成。一个或更多层可利用原子层沉积而沉积在芯部612上，而非粘附于芯部612。可将一个或更多层直接涂布于芯部612和/或一或更多中间层，而无需涂布中间的粘附层和/或材料。一个或更多层可由具有不同化学组成且在不同压力和/或温度下的不同材料形成。通过包含具有不同组成和/或厚度的多个层，使得阻隔密封性能获得改善。115.图7显示了具有矩形环构件截面的多层双环密封件700。密封件700为具有与上述密封件不同的几何形状的双环密封件的另一示例。密封件700包括两个环构件702、704以及连接两个环构件702、704的桥接构件706。虽然环构件702、704被显示为矩形，但环构件702、704可以是正方形的。构件702、704、706中的每一者可包括芯部及堆叠在芯部上的一个或更多层。在所示示例中，中间层710被设置在芯部712上，接着为最外层714，其被设置在中间层710上。芯部712可以是包含构件702、704、706中的每一者的相应部分的实心一体式结构。桥接构件706可以是有孔的，且包含一或更多孔洞。显示出一示例性孔洞720。桥接构件706可以等距地介于平行的平面730、732之间，其中平面730、732延伸横过环构件702、704的最高点及最低点并且切向地通过它们。116.虽然密封件700被显示为具有涂布于芯部的两个层，但密封件700可具有任何数量的层。在一实施方案中，层710、714为薄涂层。层710、714中的每一者可具有20-500nm的厚度。可根据应用而调整芯部712的尺度及一个或更多层的厚度。可调整尺度及厚度以改变环构件702、704的密度以及对环构件702、704的渗透和泄漏的抵抗力。通过包含一或更多薄层，可减小层之间的应力，且因此密封件700的结构较不易破裂。虽然桥接构件706被显示为具有特定的尺度(例如厚度t1)，但桥接构件706的尺度可与所示的不同。此外，虽然环构件702、704的尺度(例如，厚度t2、t3)被显示为在尺寸上相等，但环构件702、704的尺度可为不同的。117.芯部712和/或芯部712上的一个或更多层可由高密度材料(例如，具有2-5g/cm3的密度)形成，以防止渗透。在一实施方案中，每个层可注入和/或填充芯部712或中间层中的孔隙、孔洞、裂缝等，其进一步增加密度并使得密封件700的渗透性降低。118.在一实施方案中，芯部712由弹性体形成。在另一实施方案中，芯部712由非导电性聚合物(例如fkm)形成。在另一实施方案中，芯部712由铝形成。涂布于芯部712的一个或更多层可以由铝、陶瓷(如al2o3、y2o3)、和/或聚合物(如ffkm)形成。在一实施方案中，最外层可由ffkm形成，且芯部712和/或一或更多中间层可由对化学品和/或等离子体渗透和/或泄漏的抵抗力较低的材料形成。举例而言，芯部712可由铝形成，且一个或更多层可由ffkm形成。作为替代，一个或更多层可由基于非聚合物和/或基于晶体的材料形成。119.作为另一示例，芯部712可以由弹性体形成，芯部712上的中间层可由铝形成，且形成于中间层上的最外层可由ffkm形成。一个或更多层可利用原子层沉积而沉积在芯部712上，而非粘附于芯部712。可将一个或更多层直接涂布于芯部712和/或一或更多中间层，而无需涂布中间的粘附层和/或材料。一个或更多层可由具有不同化学组成且在不同压力和/或温度下的不同材料形成。通过包含具有不同组成和/或厚度的多个层，使得阻隔密封性能获得改善。120.虽然图5-7的密封件被显示为具有两个环构件及单一桥接构件，但密封件可具有额外的环构件以及桥接构件。图8中显示其示例。图8显示包括三个环构件802、804、806及两个桥接构件808、810的多环密封件800。可在与图5所示的通道520相似的通道中实施密封件800。密封件800在密封件外部的区域之间提供三级隔离。虽然显示出三个环构件及两个桥接构件，但密封件800可包含不同数量的环构件及桥接构件。这些桥接构件中的每一者连接两个相邻的环构件。例如，桥接构件808连接环构件802、804，且桥接构件810连接环构件804、806。构件802、804、806、808、810可为环状的。桥接构件808、810可以是有孔的。在所示示例中，桥接构件808包含孔洞812，且桥接构件810包含孔洞814。桥接构件808、810可包含具有不同尺寸和形状的任何数量的孔洞。通过提供有孔的桥接构件808、810，密封件800允许通过从桥接构件808、810的一侧(而非从桥接构件808、810的两侧)抽吸流体而将桥接构件808、810上方和下方的流体排空。121.可经由相应的通道以及一个或更多泵而将桥接构件808、810上方和下方的区域排空，类似于图5的桥接构件510上方和下方的区域。跨环构件802、804、806中的每一者两端的压差是不同的。举例而言，跨环构件806的压降可从atm至60毫托(mt)。跨环构件804的压降可从60mt至1mtorr。跨环构件802的压降可从1mt至1微托(μt)。这些压强作为示例而提供，压强可以是不同的，且跨环构件802、804、806的压差可以是不同的。122.图9a显示了密封系统900，其类似于图2的密封系统200，但包含竖直地设置于不同压力的多个区域之间的环形密封件。密封系统900包括界面902，其具有由两个o形环(或带)904、906所提供的成对的多层o形环密封件，该两个o形环904、906被设置在相应通道908、910中且在第一界面主体912与第二界面主体914之间。主体912、914的为o形环904、906提供空腔的部分被称为密封压盖(sealing glands)。通道908、910被竖直地设置，其中通道908被设置在通道910上方。这些通道可具有相同的尺寸并且以同一中心轴911为中心。类似地，o形环904和906被竖直地设置，其中o形环904被设置在第一通道908中且在第二o形环906上方，第二o形环906被设置在第二通道910中。如同通道908、910，o形环904、906可以同一中心轴911为中心。123.o形环904及906在界面主体912、914上方与下方(或外部)的区域之间提供两级隔离。显示为在界面主体912、914下方的第一区域可处于大气(atm)压力下。显示于界面主体912、914上方的第二区域可处于真空下。o形环904、906环绕界面主体914并且可按与图2的o形环204、206类似的方式形成，且可包括一个或更多层，如上所述。124.处于大气压下的环境空气可进入第一通道908的第一侧的第一空间920，如箭头922所指示。第一空间920的压力p1可与大气压大致相同或相等。该环境空气的一部分可渗透通过第一o形环904或经由第一o形环904泄漏并进入第一o形环904的第二侧的第二空间923，并且可被抽出，如箭头924所指示的。环境空气可经由通道926而被抽出，该通道926是从界面的在o形环904、906之间的一部分的一侧的充气部925延伸至泵928。泵928可由图1的控制器117控制。充气部925可处于第二压力p2并且被包含以更均匀地从界面的在o形环904、906之间的部分抽吸环境空气。压力p2小于压力p1。在第二o形环906的第一侧的第一空间927中的环境空气可处于压力p2下。在第二o形环906的第二侧的第二空间929中的气体的压力p3可与界面主体912、914上方的压力(或处于真空)大致相同或相等。压力p3可小于或等于压力p2。125.界面主体912、914可由相同材料或不同材料形成。界面主体912、914中的一者可由金属和/或导电性材料形成，且界面主体912、914中的另一者可由非金属非导电性材料(例如陶瓷)形成。在另一实施方案中，界面主体912、914两者都由金属和/或导电性材料形成。126.本文所公开的任何密封件可为弹簧赋能式密封件，包括图2和5-7的密封件。举例而言，o形环904、906可包括相应的环状弹簧元件930和932。本文所提及的弹簧赋能式密封件包含弹簧元件以提供增加且一致的负载以及遍及密封件的周边的密封。可类似地形成图2的o形环以包含环状弹簧元件。再次参照图9a，弹簧元件930及932可包括螺旋弹簧(helical springs)、斜圈弹簧(canted coil springs)、悬臂弹簧(cantilever springs)、蜗旋弹簧(spiral springs)和/或其他类型的工程柔性元件。密封件可以是o型环赋能式密封件(o-ring energized seals)、延伸复原性悬臂密封件(extended heal cantilevers seals)、延伸复原性倾斜密封件(extended heal canted seals)、延伸复原性螺旋密封件(extended heal helical seals)、凸缘密封件(flanged seals)、o型环根部密封件(o-ring heel seals)、o型环外径(od)密封件(o-ring outer diameter(od)seals)、内面密封件(internal face seals)、外面密封件(external face seals)等。弹簧元件930、932可设置在芯部934、936的上方。一个或更多层938和一个或更多层940可分别形成于弹簧元件930、932的上方。在一实施方案中，o形环904、906不包含弹簧元件。在另一实施方案中，不包含芯部934、936。一个或更多层938和一个或更多层940可包含上文中提及的用于芯部和/或层的任何材料。127.在又一实施方案中，两或更多层系形成于弹簧元件930、932的上，类似于上文中针对图6-7所描述的多个层。在一实施方案中，第一层形成于弹簧元件930、932的上方，且由弹性体所形成。在另一实施方案中，第一层由非导电性聚合物(如fkm)形成。在另一实施方案中，第一层由铝形成。接着可将一个或更多层涂布于第一层，且该一个或更多层可由铝、陶瓷(如al2o3、y2o3)、和/或聚合物(如ffkm)形成。128.图9b显示了密封系统950，其类似于图9a的密封系统900，但包含设置在圆柱形界面主体周围且同时位于另一界面主体的通道中的环形密封件。密封系统950包含界面952，界面952具有成对的多层o形环密封件，其由设置在界面主体964的相应通道958、960中且在第一界面主体962与第二界面主体964之间的两个o形环954、956所提供。通道958、960被竖直地设置，其中通道958被设置在通道960上方。通道958、960可具有相同的尺寸，并且以同一中心轴961为中心。类似地，o形环954和956被竖直地设置，其中o形环954被设置在第一通道958中且在第二o形环956上方，第二o形环956被设置在第二通道958中。如同通道958、960，o形环954、956可以同一中心轴961为中心。129.o形环954和956在界面主体962、964的上方与下方(或外部)的区域之间提供两级隔离。显示为在界面主体962、964下方的第一区域可处于大气压下。显示于界面主体962、964上方的第二区域可处于真空下。o形环954、956环绕界面主体962并且可按与图2的o形环204、206类似的方式形成，且可包括一个或更多层，如上所述。130.处于大气压下的环境空气可进入第一通道958的第一侧的第一空间970，如箭头972所指示的。第一空间970的压力p1可与大气压大致相同或相等。该环境空气的一部分可渗透通过第一o形环954或经由第一o形环954泄漏并进入第一o形环954的第二侧的第二空间973，并且可被抽出，如箭头924所指示的。第二空间973可处于小于压力p1的第二压力p2下。环境空气可经由通道976而被抽出，通道976是从界面的在o形环954、956之间的一部分的一侧的充气部975延伸至泵978。泵978可由图1的控制器117控制。充气部975处于第二压力p2下，且被包含以均匀地从界面的在o形环954、956之间的部分抽吸环境空气。在第二o形环956的第一侧的第一空间977中的环境空气可处于压力p2下。在第二o形环956的第二侧的第二空间979中的气体的压力p3可与界面主体962、964上方的压力(或处于真空)大致相同或相等。压力p3可小于或等于压力p2。131.界面主体912、914可由相同材料或不同材料形成。界面主体912、914中的一者可由金属和/或导电性材料形成，且界面主体912、914中的另一者可由非金属非导电性材料(例如陶瓷)形成。在另一实施方案中，界面主体912、914两者都由金属和/或导电性材料形成。132.举例而言，o形环954、956可包括相应的环状弹簧元件980和982。弹簧元件980和982可包括螺旋弹簧(helical springs)、斜圈弹簧(canted coil springs)、悬臂弹簧(cantilever springs)、蜗旋弹簧(spiral springs)和/或其他类型的弹簧元件。密封件可为o型环赋能式密封件(o-ring energized seals)、延伸复原性悬臂密封件(extended heal cantilevers seals)、延伸复原性倾斜密封件(extended heal canted seals)、延伸复原性螺旋密封件(extended heal helical seals)、凸缘密封件(flanged seals)、o型环根部密封件(o-ring heel seals)、o型环外径(od)密封件(o-ring outer diameter(od)seals)、内面密封件(internal face seals)、外面密封件(external face seals)等。弹簧元件980、982可设置在芯部984、986的上方。一个或更多层988和一个或更多层990可分别形成于弹簧元件980、982的上方。在一实施方案中，o形环954、956不包含弹簧元件。在另一实施方案中，不包含芯部984、986。一个或更多层988和一个或更多层990可包含上文中提及的用于芯部和/或层的任何材料。133.在又一实施方案中，两个或更多层被形成于弹簧元件980、982的上方，类似于上文中针对图6-7而描述的多个层。在一实施方案中，第一层被形成于弹簧元件980、982的上方，且由弹性体形成。在另一实施方案中，第一层由非导电性聚合物(如fkm)形成。在另一实施方案中，第一层由铝形成。接着可将一个或更多层涂布于第一层，且该一个或更多层可由铝、陶瓷(如al2o3、y2o3)、和/或聚合物(如ffkm)形成。134.图10a显示了包含界面1002的密封系统1000，界面1002具有由多个环构件(或带状构件)1006、1008和一或更多桥接构件(或一或更多带状构件)1010所提供的多环密封件(或构件)1004。多环密封件1004为圆柱形密封件。虽然多环密封件1004被显示为具有两个环构件和单一桥接构件，但多环密封件1004可包括n个环构件及m个桥接构件，其中n为大于或等于2的整数且m为等于n-1的整数。环构件1006、1008及桥接构件1010为竖直设置的构件，且具有哑铃形截面。桥接构件1010包含孔洞(显示出一个孔洞1011)。构件1006、1008、1010以堆叠件的形式设置。可将任何数量的额外环构件及桥接构件添加至该堆叠件。多环密封件1004可按与图4-8的多环密封件类似的方式形成，并且可包含一个或更多层，如上所述。135.多环密封件1004被设置在单一通道1020中且在第一界面主体1022与第二界面主体1024之间。主体1012、1014的为密封件1004提供空腔的部分被称为密封压盖(sealing gland)。第二界面主体1024可具有圆柱形的形状，且多环密封件1004可围绕第二界面主体1024延伸。第一界面主体1022可环绕多环密封件1004。环构件1006、1008在界面主体1022、1024的上方与下方(或外部)的区域之间提供多级隔离。在界面主体1022、1024下方的区域可处于atm压力下。在界面主体1022、1024上方的区域可处于真空下。构件1006、1008、1010及通道1020可以同一中心轴1025为中心。密封件1004可以中心线1025为中心，中心线1025可以是界面主体1024的中心线。136.在所示示例中，提供两级隔离。处于大气压下的环境空气可进入通道1020的第一侧的第一空间1030，如箭头1031所指示的。第一空间1030中的压力p1可与大气压(或第一高压)大致相同或相等。该环境空气的一部分可渗透通过第一环构件1006或经由第一环构件1006泄漏并进入介于环构件1006、1008之间的第二空间1032。第二空间1032中的压力p2为中间压力。进入第二空间(或空腔)1032的环境空气可被抽出，如箭头1034所指示的。环境空气可经由通道1039而被抽出，通道1039是从环构件1006、1008之间的空间1032延伸至泵1040，泵1040可由图1的控制器117控制。通道1020的第二侧的第三空间1035可处于低压p3下，该低压p3可等于或小于压力p2。137.界面主体1022、1024可由相同材料或不同材料形成。界面主体1022、1024中的一者可由金属和/或导电性材料形成，且界面主体1022、1024中的另一者可由非金属非导电性材料(例如陶瓷)形成。在另一实施方案中，界面主体1022、1024两者都由金属和/或导电性材料形成。138.环构件1006、1008可包括相应的环状弹簧元件1050和1052。可类似地形成图5的环构件以包含环状弹簧元件。再次参照图10a，弹簧元件1050及1052可包括螺旋弹簧(helical springs)、斜圈弹簧(canted coil springs)、悬臂弹簧(cantilever springs)、蜗旋弹簧(spiral springs)和/或其他类型的弹簧元件。密封件可为延伸复原性悬臂密封件(extended heal cantilevers seals)、延伸复原性倾斜密封件(extended heal canted seals)、延伸复原性螺旋密封件(extended heal helical seals)、凸缘密封件(flanged seals)、内面密封件(internal face seals)、外面密封件(external face seals)等。弹簧元件1050和1052可被设置在芯部1054、1056的上方。一个或更多层1058和一个或更多层1060可形成于弹簧元件1050、1052的上方。一个或更多层1058和一个或更多层1060可以是一体成型的、包含桥接构件1010、并且是由上文中针对芯部和/或层而提及的任何材料形成。在一实施方案中，环构件1006、1008不包含弹簧元件。在另一实施方案中，不包含芯部1054、1056。139.在又一实施方案中，两个或更多层被形成于弹簧元件1050、1052的上方，类似于上文中针对图6-7而描述的多个层。在一实施方案中，第一层形成于弹簧元件1050、1052的上方并且由弹性体形成。在另一实施方案中，第一层由非导电性聚合物(如fkm)形成。在另一实施方案中，第一层由铝形成。接着可将一个或更多层涂布于第一层，且该一个或更多层可由铝、陶瓷(如al2o3、y2o3)、和/或聚合物(如ffkm)形成。140.图10b显示了密封系统1070，其包括具有多环密封件1074的界面1072，多环密封件1074由多个环构件1076、1078和一或更多桥接构件1080提供。多环密封件1074为圆柱形密封件。虽然多环密封件1074被显示为具有两个环构件以及单一桥接构件，但多环密封件1074可包括n个环构件和m个桥接构件，其中n为大于或等于2的整数且m为等于n-1的整数。环构件1076、1078和桥接构件1080为竖直设置的构件并且具有哑铃形截面。桥接构件1080包括孔洞(显示出一个孔洞1081)。构件1076、1078、1080以堆叠件的形式设置。可将任何数量的额外环构件以及桥接构件添加至该堆叠件。多环密封件1074可按与图4-8的多环密封件类似的方式形成，并且可包含一个或更多层，如上所述。141.多环密封件1074被设置在单一通道1079中且在第一界面主体1082与第二界面主体1084之间。第一界面主体1082可具有圆柱形的形状，且多环密封件1074可围绕第一界面主体1082延伸。第一界面主体1082可环绕多环密封件1004。环构件1076、1078在界面主体1082、1084的上方与下方(或外部)的区域之间提供多级隔离。界面主体1082、1084下方的区域可处于atm压力(或高压)下。界面主体1082、1084上方的区域可处于真空下(或处于低中压力下)。构件1076、1078、1080和通道1079可以同一中心轴1085为中心。密封件1074可以中心线1085为中心，中心线1085可为界面主体1082的中心线。142.在所示示例中，提供两级隔离。处于大气压下的环境空气可进入通道1079的第一侧的第一空间1086，如箭头1087所指示的。第一空间1086中的压力p1可与大气压(或低压)大致相同或相等。该环境空气的一部分可渗透通过第一环构件1076或经由第一环构件1076泄漏，并进入介于环构件1076、1078之间的第二空间1088。第二空间1032中的压力p2可处于中间压力下。进入第二空间(或空腔)1032的环境空气可被抽出，如箭头1089所指示的。环境空气可经由通道1090而被抽出，通道1090是从环构件1076、1078之间的空间1088延伸至泵1091，泵1091可由图1的控制器117控制。通道1079的第二侧的第三空间1098可处于低压p3，其可与界面主体1082、1084上方的压力大致相同或相等。143.界面主体1082、1084可由相同材料或不同材料形成。界面主体1082、1084中的一者可由金属和/或导电性材料形成，且界面主体1082、1084中的另一者可由非金属非导电性材料(例如陶瓷)形成。在另一实施方案中，界面主体1082、1084两者都由金属和/或导电性材料形成。144.环构件1076、1078可以包括相应的环状弹簧元件1092和1093。弹簧元件1092和1093可包括螺旋弹簧(helical springs)、斜圈弹簧(canted coil springs)、悬臂弹簧(cantilever springs)、蜗旋弹簧(spiral springs)和/或其他类型的弹簧元件。密封件可以是延伸复原性悬臂密封件(extended heal cantilevers seals)、延伸复原性倾斜密封件(extended heal canted seals)、延伸复原性螺旋密封件(extended heal helical seals)、凸缘密封件(flanged seals)、内面密封件(internal face seals)、外面密封件(external face seals)等。弹簧元件1092和1093可被设置在芯部1094、1095的上方。一个或更多层1096和一个或更多层1097可形成于弹簧元件1092、1093的上方。一个或更多层1096以及一个或更多层1097可为一体成型、包含桥接构件1080、并且是由上文中针对芯部和/或膜层所提及的任何材料形成。在一实施方案中，环构件1076、1078不包含弹簧元件。在另一实施方案中，不包含芯部1094、1095。145.在又一实施方案中，两个或更多层形成于弹簧元件1092、1093的上方，类似于上文中针对图6-7而描述的多个层。在一实施方案中，第一层被形成于弹簧元件1092、1093的上方并且由弹性体形成。在另一实施方案中，第一层由非导电性聚合物(如fkm)形成。在另一实施方案中，第一层由铝形成。接着可将一个或更多层涂布于第一层，且该一个或更多层可由铝、陶瓷(如al2o3、y2o3)、和/或聚合物(如ffkm)形成。146.以上提供的图4-8、10a和10b的示例提供带有独特几何形状的密封件，其具有多重密封结构，其中每个环构件提供各自的密封件。包含设置于芯部上的层(例如薄膜涂层)的示例提供经改良的耐化学性且使得表面粗糙度降低，具体取决于材料和形成工艺。在所使用的化学品会侵袭和劣化某些材料的某些应用中，耐化学性至关重要。可按顺序沉积多个层。在一实施方案中，沉积单一固体层。可沉积层以平滑化芯部和/或任何中间层中的任何小缺陷。这种层的平滑化提供经改良的密封且使得渗透率和泄漏率降低。147.上述密封件可包括由廉价聚合物形成的芯部以及由耐化学性材料形成的一或更多薄外层。这相较于完全由耐化学性材料形成的密封件(例如o形环)而带来成本上的节省。对于包含多个密封件的工具而言，成本节省会增加。薄膜涂层可同时涂布在大批量的密封件上，也可涂布在廉价的芯部上，这可显著地降低成本。148.图4-8、10a及10b的示例还提供带有多个密封表面的密封件，其具有比图2、9a和9b的示例更少的部件，其中使用多个o形环(即，多个部件)。图4-8、10a及10b的示例包括单一部件的使用，且同时提供允许从多个密封表面之间清扫流体的密封结构。149.本文所公开的实施方案的多个层可显著减少渗透情况并提供水及氧分子不可穿透的屏障。不论具有各种不同几何形状的芯部如何，多个层可涂布于芯部的上方。150.图11显示了双环弹簧赋能式密封件(或带)的一部分1100的示例，该双环弹簧赋能式密封件包含呈“u”形的两个环构件(或带状构件)1102、1104、桥接构件(或带状构件)1106、以及弹簧元件1108、1110。环组件包含向外突出部分1112、1114以及1116、1118。桥接构件1106可包括孔洞(显示出一个孔洞1120)。弹簧元件1108、1110被设置在环构件1102、1104内，并且在向外突出部分1112、1114、1116、1118上施加向外的压力以在相邻的主体上施加压力，以提供相应的密封。举例而言，双环弹簧赋能式密封件可取代图5、10a及10b中所示的密封件。151.环构件1102、1104及桥接构件1106可由上文中提及的其他密封件的任何上述材料形成。环构件1102、1104和桥接构件1106可由一或更多种材料形成。在一实施方案中，环构件1102、1104和桥接构件1106由相同的材料形成。在另一实施方案中，环构件1102、1104和桥接构件1106包含芯部以及一个或更多外层，如上文中关于图5-7和10a-10b所描述。弹簧元件1108、1110可由金属和/或其他合适的材料形成以提供恢复力。152.密封件1100可被安装成使得环构件1102、1104的开口端面向较高压的区域。例如，邻近环构件1104的开口端的区域可处于大气压，而邻近环构件1102的封闭端的区域可处于真空或低于大气压的压力。这有助于使环构件1102、1104扩张以进一步将被密封的多个主体之间的对应密封界面密封。虽然图11中未显示出主体，但显示出压力指示符p1、p2、及p3以指示由环构件1102、1104所分隔的压力区域的差异。压力p2可小于压力p1，且压力p3可小于或等于压力p2。153.图12显示了双环金属密封件(或带)1200的一部分，其包括两个环构件(或带状构件)1202、1204及桥接构件(或中间带状构件)1206。两个环构件1202、1204可具有圆形截面，且具有沿内边缘1203、1205延伸的开口部分。两个环构件1202、1204用作弹簧元件，并且在点1210、1212、1214、1216处施加向外压力，类似于图5、10a、10b及11中的密封件。双环金属密封件1200可由金属和/或其他合适的材料形成以提供恢复力。金属密封件1200可将与上述的类似的多个主体之间的界面密封。虽然图12中未显示出主体，但显示出压力指示符p1、p2及p3以指示由环构件1202、1204所分隔的压力区域的差异。压力p2可小于压力p1，且压力p3可小于或等于压力p2。154.图13显示了密封系统1300，其包括由定心环1304支撑且设置在相应管道1310、1312的管道凸缘1306、1308之间的密封件1302。密封件1302可包括如图示的单一密封带，或者可包括如本文所公开的两个或更多个密封带(或带状构件)以及一个或更多桥接构件。例如，图3-8的密封件的任一者可取代密封件1302。当密封件1302包含两个或更多带件时，这些带件被径向地设置(其示例被显示于图14中)。例如，如果密封件1302包含两个带件(或带状构件)及桥接构件，则第一带件被设置在第二带件的径向内侧并且可通过径向延伸的桥接构件而耦合至第二带件。这些带件中的每一者被设置于凸缘1306、1308之间并且接触凸缘1306、1308。密封件1302可于凸缘1306、1308之间被挤压。作为若干示例，凸缘1306、1308可通过紧固件被紧固在一起和/或通过夹持件被保持在一起。155.定心环1304可包括其上支撑有密封件1302的径向外凹表面1320。定心环1304包括：(i)径向外侧部分1322，其延伸至界面区域1324中并且接触密封件1302、以及(ii)唇部1326，其延伸超出凸缘1306、1308的纵向部分。密封件1302在与凸缘1306、1308相接触的密封件1302的表面处提供流体密封。定心环1304可用于控制凸缘1306、1308之间的面对面几何隔离。156.可包含外环1330，且其环绕密封件1302。外环1330可具有径向内凹表面1332。密封件1302可被设置在环件1304、1330的凹形表面1320、1332之间。定心环1304使得密封件1302居中于位于凸缘1306、1308之间且在环件1304、1330之间的袋部1328中。外环1330防止密封件1302向外膨胀和泄漏。当例如管道1310、1312内部的压力可能超过大气压力和/或管道1310、1312外部的压力时，可包含外环1330。157.举例而言，管道1310、1312可用于将处理气体(由箭头1340表示)传送至衬底处理系统。密封件1302适用于平坦表面，例如凸缘1306、1308的平坦表面。环件1304及1330可由金属材料(例如铝)形成。158.图14显示了密封系统1400，其包括由定心环1404支撑且设置在相应管道1410、1412的管道凸缘1406、1408之间的密封件1402。密封件1402可包括如本文所公开的两个或更多密封带(显示出两个密封带1413、1415)以及一个或更多桥接构件(显示出一个桥接构件1417)。密封件1402可以与图4-8的密封件中的一个密封件类似的方式配置。这些带件中的每一者被设置在凸缘1406、1408之间并且接触凸缘1406、1408。带件1415径向往外地设置并且环绕带件1413。带件1413、1415可以在凸缘1406、1408之间被挤压。作为若干示例，凸缘1406、1408可通过紧固件被紧固在一起和/或通过夹持件保持在一起。159.定心环1404可包括径向外凹表面1420，密封件1402被支撑在该径向外凹表面1420上。定心环1404包含：(i)径向外侧部分1422，其延伸至界面区域1424中并且接触密封件1402、以及(ii)唇部1426，其延伸超出凸缘1406、1408的纵向部分。密封件1402在与凸缘1406、1408相接触的密封件1402的表面处提供流体密封。定心环1404可用于控制凸缘1406、1408之间的面对面几何隔离。160.可包含外环1430，且其环绕密封件1402。外环1430可具有径向内凹表面1432。密封件1402可被设置在环件1404、1430的凹形表面1420、1432之间。定心环1404使得密封件1402居中于位于凸缘1406、1408之间且在环件1404、1430之间的袋部1428中。外环1430防止密封件1402向外膨胀和泄漏。当例如管道1410、1412内部的压力可能超过大气压力和/或管道1410、1412外部的压力时，可包含外环1430。161.举例而言，管道1410、1412可用于将处理气体(由箭头1440表示)传送至衬底处理系统。密封件1402适用于平坦表面，例如凸缘1406、1408的平坦表面。环件1404和1430可由金属材料(例如铝)形成。162.在一实施方案中，带件1413、1415之间的空腔中的内容物(例如，环境空气和/或一种或更多气体)被抽出，类似于上文中关于图2的实施方案所述的。桥接构件1417可为有孔的，使得桥接构件1417两侧的内容物可被抽出。取决于应用，处于大气压(或高压)的环境空气可能渗透通过带件1415或经由带件1415泄漏、或者处于高压的处理气体可能渗透通过带件1413或经由带件1413泄漏，并进入带件1413、1415之间的空腔。当管道1410、1412外部的压力高于管道1410、1412内的压力时，管道1410、1412外部的环境空气可能渗透通过带件1415或经由带件1415泄漏并且进入带件1413、1415之间的空腔。当管道1410、1412内部的压力高于管道1410、1412外部的压力时，管道内的气体可能渗透通过带件1413或经由带件1413泄漏并且进入带件1413、1415之间的空腔。163.在一实施方案中，使用第一泵以将带件1413、1415之间的空腔的内容物抽出，并且使用第二泵以将管道1410、1412中的内容物抽出。这些泵可由图1的控制器117控制。在一实施方案中，这些泵以有差异的方式抽吸带件1413、1415之间的界面中的内容物以及管道1410、1412中的内容物，以提供在带件1413两端的压力差。在此示例中，管道1410、1412内的压力低于带件1413、1415之间的空腔内的压力。164.前面的描述本质上仅仅是说明性的，并且绝不旨在限制本公开、其应用或用途。本公开的广泛教导可以以各种形式实现。因此，虽然本公开包括特定示例，但是本公开的真实范围不应当被如此限制，因为在研究附图、说明书和所附权利要求时，其他修改将变得显而易见。应当理解，在不改变本公开的原理的情况下，方法中的一个或多个步骤可以以不同的顺序(或同时地)执行。此外，虽然每个实施方案在上面被描述为具有某些特征，但是相对于本公开的任何实施方案描述的那些特征中的任何一个或多个，可以在任何其它实施方案的特征中实现和/或与任何其它实施方案的特征组合，即使该组合没有明确描述。换句话说，所描述的实施方案不是相互排斥的，并且一个或多个实施方案彼此的置换保持在本公开的范围内。165.使用各种术语来描述元件之间(例如，模块之间、电路元件之间、半导体层之间等)的空间和功能关系，各种术语包括“连接”、“接合”、“耦合”、“相邻”、“紧挨”、“在...顶部”、“在...上面”、“在...下面”和“设置”。除非将第一和第二元件之间的关系明确地描述为“直接”，否则在上述公开中描述这种关系时，该关系可以是直接关系，其中在第一和第二元件之间不存在其它中间元件，但是也可以是间接关系，其中在第一和第二元件之间(在空间上或功能上)存在一个或多个中间元件。如本文所使用的，短语“a、b和c中的至少一个”应当被解释为意味着使用非排他性逻辑或(or)的逻辑(a或b或c)，并且不应被解释为表示“a中的至少一个、b中的至少一个和c中的至少一个”。166.在一些实现方案中，控制器是系统的一部分，该系统可以是上述示例的一部分。这样的系统可以包括半导体处理设备，半导体处理设备包括一个或多个处理工具、一个或多个室、用于处理的一个或多个平台、和/或特定处理部件(晶片基座、气体流系统等)。这些系统可以与用于在半导体晶片或衬底的处理之前、期间和之后控制它们的操作的电子器件集成。电子器件可以被称为“控制器”，其可以控制一个或多个系统的各种部件或子部件。根据处理要求和/或系统类型，控制器可以被编程以控制本文公开的任何工艺，包括处理气体的输送、温度设置(例如加热和/或冷却)、压力设置、真空设置、功率设置、射频(rf)产生器设置、rf匹配电路设置、频率设置、流率设置、流体输送设置、位置和操作设置、晶片转移进出工具和其他转移工具和/或与具体系统连接或通过接口连接的装载锁。167.从广义上讲，控制器可以定义为电子器件，电子器件具有接收指令、发出指令、控制操作、启用清洁操作、启用端点测量等的各种集成电路、逻辑、存储器和/或软件。集成电路可以包括存储程序指令的固件形式的芯片、数字信号处理器(dsp)、定义为专用集成电路(asic)的芯片、和/或执行程序指令(例如，软件)的一个或多个微处理器或微控制器。程序指令可以是以各种单独设置(或程序文件)的形式发送到控制器的指令，单独设置(或程序文件)定义用于在半导体晶片或系统上或针对半导体晶片或系统执行特定工艺的操作参数。在一些实施方案中，操作参数可以是由工艺工程师定义的配方的一部分，以在一或多个(种)层、材料、金属、氧化物、硅、二氧化硅、表面、电路和/或晶片的管芯的制造期间完成一个或多个处理步骤。168.在一些实现方案中，控制器可以是与系统集成、耦合到系统、以其它方式联网到系统或其组合的计算机的一部分或耦合到该计算机。例如，控制器可以在“云”中或是晶片厂(fab)主机系统的全部或一部分，其可以允许对晶片处理的远程访问。计算机可以实现对系统的远程访问以监视制造操作的当前进展、检查过去制造操作的历史、检查多个制造操作的趋势或性能标准，改变当前处理的参数、设置处理步骤以跟随当前的处理、或者开始新的工艺。在一些示例中，远程计算机(例如服务器)可以通过网络(其可以包括本地网络或因特网)向系统提供工艺配方。远程计算机可以包括使得能够输入或编程参数和/或设置的用户界面，然后将该参数和/或设置从远程计算机发送到系统。在一些示例中，控制器接收数据形式的指令，其指定在一个或多个操作期间要执行的每个处理步骤的参数。应当理解，参数可以特定于要执行的工艺的类型和工具的类型，控制器被配置为与该工具接口或控制该工具。因此，如上所述，控制器可以是例如通过包括联网在一起并朝着共同目的(例如本文所述的工艺和控制)工作的一个或多个分立的控制器而呈分布式。用于这种目的的分布式控制器的示例是在室上的与远程(例如在平台级或作为远程计算机的一部分)的一个或多个集成电路通信的一个或多个集成电路，其组合以控制在室上的工艺。169.示例系统可以包括但不限于等离子体蚀刻室或模块、沉积室或模块、旋转漂洗室或模块、金属电镀室或模块、清洁室或模块、倒角边缘蚀刻室或模块、物理气相沉积(pvd)室或模块、化学气相沉积(cvd)室或模块、原子层沉积(ald)室或模块、原子层蚀刻(ale)室或模块、离子注入室或模块、轨道室或模块、以及可以与半导体晶片的制造和/或制备相关联或用于半导体晶片的制造和/或制备的任何其它半导体处理系统。170.如上所述，根据将由工具执行的一个或多个处理步骤，控制器可以与一个或多个其他工具电路或模块、其它工具部件、群集工具、其他工具接口、相邻工具、邻近工具、位于整个工厂中的工具、主计算机、另一控制器、或在将晶片容器往返半导体制造工厂中的工具位置和/或装载口运输的材料运输中使用的工具通信。









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