一种碳化硅晶圆RTA快速合金工艺的制作方法 专利技术说明

电气元件制品的制造及其应用技术一种碳化硅晶圆rta快速合金工艺技术领域1.本发明涉及碳化硅晶圆技术领域，具体的是一种碳化硅晶圆rta快速合金工艺。背景技术：2.碳化硅晶圆，也称碳化硅单晶片，是沿特定的结晶方向将碳化硅晶体切割、研磨、抛光得到片状单晶材料。3.碳化硅晶圆的加工，需要进行rta合金工艺，以使得碳化硅晶圆和金属的接触面阻值更小，有利于电流和输入和输出，为了规避rta快速合金工艺时铝融化导致需要局部热，而局部热处理做出的合金工艺效果不佳，所形成的欧姆接触效果不好，现有技术会采用将铝金属层沉积放在rta合金工艺后制作。4.在进行rta快速合金工艺后沉积铝金属层的工艺中，由于银金属层的制作rta快速合金工艺后制作的工艺也在rta快速合金步骤之后，需要多次配合玻璃载盘的键合以及解键合来翻转碳化硅晶圆，其工艺步骤复杂，加工成本高，不方便快速完成对碳化硅晶圆的加工。技术实现要素：5.本发明的目的在于提供一种碳化硅晶圆rta快速合金工艺，以解决上述背景技术中提出的问题。6.本发明的目的可以通过以下技术方案实现：7.一种碳化硅晶圆rta快速合金工艺，包括以下步骤：8.s1、在碳化硅晶圆的背面键合玻璃载板，再在碳化硅晶圆的正面制作晶体管和ild层，然后在碳化硅晶圆的正面键合玻璃载板，再翻转晶圆和玻璃载板，再对碳化硅晶圆背面的玻璃载板进行解键合，并去除粘着剂；9.s2、对于步骤s1中得到的碳化硅晶圆，首先采用溅镀工艺在碳化硅晶圆的背面沉积一层钛金属层，然后在钛金属层表面采用溅镀工艺沉积一层镍金属层，最后在镍金属层的表面采用溅镀工艺沉积一层银金属层；10.s3、对于步骤s2中得到的碳化硅晶圆，取一个玻璃载盘，然后翻转碳化硅晶圆，将碳化硅晶圆背面的银金属层贴附到玻璃载盘上；11.s4、对于步骤s3中得到的碳化硅晶圆，再对碳化硅晶圆背面的金属层进行rta快速合金工艺，使碳化硅晶圆的背面形成欧姆接触，最后再对经过rta快速合金工艺的碳化硅晶圆表面沉积一层铝金属层；12.s5、对于步骤s4中得到的碳化硅晶圆，将碳化硅晶圆表面所沉积的铝金属层制作成铝接触点，然后在碳化硅晶圆正面涂布聚酰亚胺，最后进行化镀工艺，在碳化硅晶圆正面的铝接触点表面制作金属连接点。13.优选的，在所述步骤s1中，在键合玻璃载板时通过uv胶作为粘着剂将玻璃载板键合在碳化硅晶圆正面，解键合玻璃载板时，进行uv光照，使uv胶失去粘性，完成对玻璃载板的解键合。14.优选的，在所述步骤s1中，完成对玻璃载板解键合后，移除玻璃载板，通过有机溶剂清洗碳化硅晶圆去除碳化硅晶圆正面的粘着剂。15.优选的，在所述步骤s4中，在经过rta快速合金工艺的碳化硅晶圆表面沉积的铝金属层位于碳化硅晶圆的正面。16.优选的，在所述步骤s3中，在对碳化硅晶圆进行rta快速合金工艺时，对碳化硅晶圆进行恒温加热，加热温度的范围控制在600℃-800℃，恒温加热时间范围控制在10s-30s，加热后进行快速自动冷却。17.优选的，在所述步骤s2中，所沉积的银金属层熔点为961.93℃，以保证碳化硅晶圆在进行rta快速合金工艺时，银金属层的状态不会发生变化。18.优选的，在所述步骤s5中，在进行铝接触点制作时，其工艺步骤依次为在铝金属层表面涂布光阻、曝光显影、蚀刻，最后再去除光阻，得到铝接触点。19.优选的，在所述步骤s5中，所制作的金属连接点自下至上依次为镍层、钯层和金层，镍层位于铝接触点表面。20.优选的，在所述步骤s4中，进行金属铝沉积时，采用溅镀工艺进行沉积，沉积金属铝时的温度控制在400℃以上。21.本发明的有益效果：22.通过在碳化硅晶圆进行rta快速合金工艺前，在完成镍金属层和钛金属层的溅镀后，直接在钛金属层表面沉积银金属层，使得银金属层可以随着碳化硅晶圆一同进行rta快速合金工艺，无需在完成rta快速合金工后艺多次翻转碳化硅晶圆配合玻璃载盘进行银金属层沉积，简化rta快速合金的步骤，有效的降低加工成本，提升加工速度。附图说明23.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图；24.图1是本发明步骤s1的流程示意图；25.图2是本发明步骤s2的流程示意图；26.图3是本发明步骤s3的流程示意图；27.图4是本发明步骤s4的流程示意图；28.图5是本发明步骤s5的流程示意图；29.图6是图5中金属连接点部分的结构示意图。具体实施方式30.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。31.一种碳化硅晶圆rta快速合金工艺，包括以下步骤：32.s1、在碳化硅晶圆的背面键合玻璃载板，再在碳化硅晶圆的正面制作晶体管和ild层，然后在碳化硅晶圆的正面键合玻璃载板，再翻转晶圆和玻璃载板，再对碳化硅晶圆背面的玻璃载板进行解键合，并去除粘着剂；33.s2、对于步骤s1中得到的碳化硅晶圆，首先采用溅镀工艺在碳化硅晶圆的背面沉积一层钛金属层，然后在钛金属层表面采用溅镀工艺沉积一层镍金属层，最后在镍金属层的表面采用溅镀工艺沉积一层银金属层；34.s3、对于步骤s2中得到的碳化硅晶圆，取一个玻璃载盘，然后翻转碳化硅晶圆，将碳化硅晶圆背面的银金属层贴附到玻璃载盘上；35.s4、对于步骤s3中得到的碳化硅晶圆，再对碳化硅晶圆背面的金属层进行rta快速合金工艺，使碳化硅晶圆的背面形成欧姆接触，最后再对经过rta快速合金工艺的碳化硅晶圆表面沉积一层铝金属层；36.s5、对于步骤s4中得到的碳化硅晶圆，将碳化硅晶圆表面所沉积的铝金属层制作成铝接触点，然后在碳化硅晶圆正面涂布聚酰亚胺，最后进行化镀工艺，在碳化硅晶圆正面的铝接触点表面制作金属连接点。37.在所述步骤s1中，在键合玻璃载板时通过uv胶作为粘着剂将玻璃载板键合在碳化硅晶圆正面，解键合玻璃载板时，进行uv光照，使uv胶失去粘性，完成对玻璃载板的解键合。38.在所述步骤s1中，完成对玻璃载板解键合后，移除玻璃载板，通过有机溶剂清洗碳化硅晶圆去除碳化硅晶圆正面的粘着剂。39.通过采用uv胶对玻璃载板和碳化硅晶圆进行键合，方便对玻璃载板的解键合。40.在所述步骤s4中，在经过rta快速合金工艺的碳化硅晶圆表面沉积的铝金属层位于碳化硅晶圆的正面。41.在所述步骤s3中，在对碳化硅晶圆进行rta快速合金工艺时，对碳化硅晶圆进行恒温加热，加热温度的范围控制在600℃-800℃，恒温加热时间范围控制在10s-30s，加热后进行快速自动冷却。42.在进行快速自动冷却时，可以通过冷媒接触，以实现对碳化硅晶圆在经过加热后的快速冷却。43.在所述步骤s2中，所沉积的银金属层熔点为961.93℃，以保证碳化硅晶圆在进行rta快速合金工艺时，银金属层的状态不会发生变化。44.在所述步骤s5中，在进行铝接触点制作时，其工艺步骤依次为在铝金属层表面涂布光阻、曝光显影、蚀刻，最后再去除光阻，得到铝接触点。45.在所述步骤s5中，所制作的金属连接点自下至上依次为镍层、钯层和金层，镍层位于铝接触点表面。46.镍层位于铝接触点表面，钯层位于镍层表面，金层位于钯层表面。47.在所述步骤s4中，进行金属铝沉积时，采用溅镀工艺进行沉积，沉积金属铝时的温度控制在400℃以上。48.与相关技术相比较，本发明提供的一种碳化硅晶圆rta快速合金工艺具有如下有益效果：49.通过在碳化硅晶圆进行rta快速合金工艺前，在完成镍金属层和钛金属层的溅镀后，直接在钛金属层表面沉积银金属层，使得银金属层可以随着碳化硅晶圆一同进行rta快速合金工艺，无需在完成rta快速合金工后艺多次翻转碳化硅晶圆配合玻璃载盘进行银金属层沉积，简化rta快速合金的步骤，有效的降低加工成本，提升加工速度。50.以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。









图片声明：本站部分配图来自人工智能系统AI生成,觅知网授权图片,PxHere摄影无版权图库。本站只作为美观性配图使用,无任何非法侵犯第三方意图,一切解释权归图片著作权方,本站不承担任何责任。如有恶意碰瓷者,必当奉陪到底严惩不贷!




内容声明：本文中引用的各种信息及资料（包括但不限于文字、数据、图表及超链接等）均来源于该信息及资料的相关主体（包括但不限于公司、媒体、协会等机构）的官方网站或公开发表的信息。部分内容参考包括:(百度百科,百度知道,头条百科,中国民法典,刑法,牛津词典,新华词典,汉语词典,国家院校,科普平台)等数据,内容仅供参考使用,不准确地方联系删除处理！本站为非盈利性质站点,发布内容不收取任何费用也不接任何广告!




免责声明：我们致力于保护作者版权，注重分享，被刊用文章因无法核实真实出处，未能及时与作者取得联系，或有版权异议的，请联系管理员，我们会立即处理，本文部分文字与图片资源来自于网络，部分文章是来自自研大数据AI进行生成,内容摘自(百度百科,百度知道,头条百科,中国民法典,刑法,牛津词典,新华词典,汉语词典,国家院校,科普平台)等数据,内容仅供学习参考,不准确地方联系删除处理!的,若有来源标注错误或侵犯了您的合法权益，请立即通知我们，情况属实，我们会第一时间予以删除，并同时向您表示歉意,谢谢!