一种ITO导电蚀刻玻璃及制作方法与流程 专利技术说明

计算;推算;计数设备的制造及其应用技术一种ito导电蚀刻玻璃及制作方法技术领域1.本发明涉及ito导电玻璃技术领域，具体为一种ito导电蚀刻玻璃及制作方法。背景技术：2.触摸屏生产分前段制程和后段制程。通用型氧化铟锡（简称：ito）导电玻璃是双面镀ito的导电玻璃，使用者需进行蚀刻线路，工艺流程繁杂，主要用在触摸屏前段制程生产，采用的工艺是蚀刻膏工艺，蚀刻膏中带有轻浮酸成分，这是不可规避的缺陷，此工艺对生产技术人员要求很高，必须对印刷蚀刻膏、置放时间、烘烤温度把控的非常精确才不会产生蚀刻白边问题，因此，有经验的工厂可以把握的很好，没有经验或者是经验不足就容易产生蚀刻白边问题，导致良品率不高，很难长期保证产品品质及良率的稳定性，导致品质风险。此工艺在触摸屏前段制程蚀刻ito导电玻璃过程中，把控不好，ito导电玻璃容易产生蚀刻白边问题（专业术语：蚀刻印），白边问题是触摸屏所不能接受的，被视为不良品。这是一个长期困扰着触摸屏行业的问题，问题很难彻底解决，也是触摸屏行业的通病。3.为此，我们经过研发及多次验证，成功发明一种更为先进的制程工艺，此种工艺叫做磁控溅射ito导电蚀刻玻璃的制作方法，通过这种方法生产出来了蚀刻ito导电玻璃，并为此申请发明专利。技术实现要素：4.针对上述存在的问题和不足，本发明提供一种解决蚀刻产生白边问题、工艺简洁、提高产品良品率、节能环保的ito导电蚀刻玻璃及制作方法。5.本发明技术方案是这样实现的：一种ito导电蚀刻玻璃的制作方法，包括如下步骤：（1）、玻璃基板裂片清洗干净；（2）、玻璃基板固定于磁控溅射设备的真空镀槽里的基板载具上，玻璃基板的工作面朝向物理磁控溅射靶材，设计图形模具置放在玻璃基板的工作面上，模具的设计图形为触摸屏行业通用型芯片匹配的原理图，此图形通用型为菱型，或者是客户定制的图形；（3）、对靶材磁控溅射到玻璃基板的双工作面上形成氧化铟锡导电层，氧化铟锡导电层的电阻值为80-120ω；（4）、移除设计图形模具；（5）、生成电镀ito导电玻璃。6.进一步地，上述步骤（3）所述氧化铟锡导电层为三层膜质堆叠结构，该三层膜质堆叠结构是在玻璃基板上通过磁控溅射设备依次对靶材铌、硅、氧化铟锡混合物磁控溅射到玻璃基板的双工作面上而形成的线路导电图层，三层膜质堆叠结构的底层为五氧化二铌层，中间层为二氧化硅层，上层为氧化铟锡层。7.进一步地，步骤（1）所述磁控溅射设备为双面镀设备，真空镀槽里的基板载具设置在两个正对的靶材之间，工作时，同时进行双面镀膜。也可以是，步骤（1）所述磁控溅射设备为单面镀设备，真空镀槽里的基板载具正对靶材设置，工作时，玻璃基板依次进行双面镀膜。8.进一步地，所述步骤（3）氧化铟锡导电层的镀膜膜层厚度分别是五氧化二铌：4.8-6nm；二氧化硅 ：64nm-72nm；氧化铟锡：20nm-26nm。9.进一步地，所述步骤（2）和步骤（3）靶材材质包括铌、硅、氧化铟锡混合物，靶材材质铌采用功率：10kwꢀ‑20kw，采用o2流量为：25-40sccm ，采用ar流量为：250-400sccm ；靶材材质硅采用功率：10kwꢀ‑20kw，采用o2流量为：5-15sccm ，采用ar流量为：60-150sccm ；氧化铟锡混合物，采用功率：6kwꢀ‑8kw，采用o2流量为：5-18sccm ，采用 ar流量为:280-350 sccm。10.进一步地，所述步骤（3）磁控溅射氧化铟锡导电层环境温度为150℃-260℃；所述氧化铟锡导电层的电阻值为60-90ω。11.本发明采用上述制作方法制作的ito导电蚀刻玻璃，包括玻璃基板，所述玻璃基板两侧面磁控溅射有氧化铟锡导电层，所述氧化铟锡导电层是通过设计图形模具置放在玻璃基板的工作面上，再通过磁控溅射设备对靶材磁控溅射在玻璃基板上而形成的线路导电图层。12.进一步地，所述氧化铟锡导电层为三层膜质堆叠结构，该三层膜质堆叠结构是在玻璃基板（1）上通过磁控溅射设备依次对靶材铌、硅、氧化铟锡混合物磁控溅射在玻璃基板的工作面上而形成的线路导电图层，三层膜质堆叠结构的底层为五氧化二铌层（21），中间层为二氧化硅层，上层为氧化铟锡层。13.进一步地，所述三层膜质厚度分别是五氧化二铌：4.8-6nm；二氧化硅：64nm-72nm；氧化铟锡：20nm-26nm。14.本发明把置放在玻璃基板上设计图形模具的线路通过磁控溅射ito导电层方式，在生成ito导电玻璃的同时把设计图模具上线路转移到ito导电玻璃上。本发明的技术特点是生产ito玻璃时先覆盖一层有设计图形的模具，直接形成隔离层。所能获得的效果，可在生产磁控溅射ito导电蚀刻玻璃完成后,同时将设计图形线路完成，并可免去后续运用蚀刻工艺完成设计图形线路之加工成本。15.本发明采用的是磁控溅射线路工艺，直接跳过轻浮酸蚀刻，因此不会产品蚀刻白边问题，工艺既简单又环保，因此很好解决蚀刻产生白边问题。16.此外，本发明还减少触摸屏行业前段制程的设备投入，比如：蚀刻清洗线、印刷机，以及该设备配备人员，大大降低了用户的投入成本，在触摸屏生产过程中的前段制程工艺更简洁、高效。做到真正的节能、减排和环保。17.本发明的有益效果：此专利与以往技术相比：（1）彻底解决蚀刻产生白边问题；（2）工艺制程更简洁、高效及产品良品率高；（3）设备及人员投入更少；（4）真正做到低碳和节能减排。附图说明18.图1是本发明一种ito导电蚀刻玻璃的制作方法的流程图；图2是本发明一种ito导电蚀刻玻璃的制作方法磁控溅射的工作原理示意图；图3是本发明一种ito导电蚀刻玻璃的制作方法磁控溅射到玻璃基板的双工作面上形成氧化铟锡导电层的ito导电玻璃截面结构示意图；图4是本发明一种ito导电蚀刻玻璃的制作方法磁控溅射完后带有设计图形模具时的ito导电玻璃截面结构示意图（氧化铟锡导电层为三层膜质堆叠结构）；图5是本发明蚀刻完成后的ito导电蚀刻玻璃截面结构示意图。具体实施方式19.如图1-3所示，本发明实施例一：一种ito导电蚀刻玻璃的制作方法，包括如下步骤：（1）、玻璃基板1裂片清洗干净；（2）、玻璃基板1固定于磁控溅射设备的真空镀槽里的基板载具上，玻璃基板（1）的工作面朝向物理磁控溅射靶材，设计图形模具3置放在玻璃基板1的工作面上，模具的设计图形为触摸屏行业通用型芯片匹配的原理图，此图形通用型为菱型，或者是客户定制的图形；（3）、对靶材磁控溅射到玻璃基板1的双工作面上形成氧化铟锡导电层2，氧化铟锡导电层2的电阻值为80-120ω；（4）、移除设计图形模具3；（5）、生成蚀刻ito导电玻璃。20.步骤（3）所述氧化铟锡导电层2为三层膜质堆叠结构，该三层膜质堆叠结构是在玻璃基板（1）上通过磁控溅射设备依次对靶材铌、硅、氧化铟锡混合物磁控溅射到玻璃基板1的双工作面上而形成的线路导电图层，三层膜质堆叠结构的底层为五氧化二铌层21，中间层为二氧化硅层22，上层为氧化铟锡层23。21.步骤（1）所述磁控溅射设备为双面镀设备，真空镀槽里的基板载具设置在两个正对的靶材之间，工作时，同时进行双面镀。22.也可以是，步骤（1）所述磁控溅射设备为单面镀设备，真空镀槽里的基板载具正对靶材设置，工作时，玻璃基板1依次进行双面镀。23.步骤（3）氧化铟锡导电层2的镀膜膜层厚度分别是五氧化二铌：4.8-6nm；二氧化硅 ：64nm-72nm；氧化铟锡：20nm-26nm。24.步骤（2）和步骤（3）靶材4的材质包括铌、硅、氧化铟锡混合物，靶材4材质铌采用功率：10kwꢀ‑20kw，采用o2流量为：25-40sccm ，采用ar流量为：250-400sccm ；靶材4材质硅采用功率：10kwꢀ‑20kw，采用o2流量为：5-15sccm ，采用ar流量为：60-150sccm ；靶材4材质氧化铟锡混合物，采用功率：6kwꢀ‑8kw，采用o2流量为：5-18sccm ，采用 ar流量为:280-350 sccm。25.步骤（3）磁控溅射氧化铟锡导电层2环境温度为150℃-260℃，较佳环境温度为：220℃、240℃ 、260℃；所述氧化铟锡导电层2的电阻值为60-90ω，比如60ω、70ω、80ω、90ω。26.如图3-5所示，本发明采用上述制作方法制作的ito导电蚀刻玻璃，包括玻璃基板1，玻璃基板1两侧面磁控溅射有氧化铟锡导电层2，氧化铟锡导电层2是通过设计图形模具3置放在玻璃基板1的工作面上，再通过磁控溅射设备对靶材4磁控溅射在玻璃基板1上而形成的线路导电图层。氧化铟锡导电层2为三层膜质堆叠结构，该三层膜质堆叠结构是在玻璃基板1上通过磁控溅射设备依次对靶材4铌、硅、氧化铟锡混合物磁控溅射在玻璃基板1的工作面上而形成的线路导电图层，三层膜质堆叠结构的底层为五氧化二铌层21，中间层为二氧化硅层22，上层为氧化铟锡层23。三层膜质厚度分别是五氧化二铌：4.8-6nm；二氧化硅：64nm-72nm；氧化铟锡：20nm-26nm。如五氧化二铌：4.8 nm、5 nm、6nm；二氧化硅 ：64nm、68 nm、72nm；氧化铟锡：20nm、22 nm、24 nm、26nm。27.把触摸屏行业常用芯片（简称：ic）匹配的设计线路图形电镀在ito玻璃上，简称为“电镀ito导电玻璃”。目前触摸屏常用的ic有：嵩立（kasa）、汇顶（gt）、奕力（ilitek）、禾瑞雅（eeti）、威达（wd）、sis、贝特莱（bl）等等，这些ic均通用菱形线路设计图，设计图中菱形的大小及线路的线宽线距可根据触摸屏尺寸的大小来调整。包括未来新出ic匹配的图形方案，用户也可以采取定制方式生产。彻底解决传统ito玻璃蚀刻工艺产生白边的问题。真正做到简洁、高效、节能减排和环保。28.本发明依据客户提供ic匹配的图形方案,制作相应模具,放置入被加工产品上,在真空中,电子冲击气体造成解离,氩气离子受负极吸引再冲击固体表面,表面原子在冲击过程获得动能的交换, 从表面跳脱而出, 沉积在玻璃上来完成蚀刻ito导电玻璃。29.以上所述仅为本发明的实施方式，并不用于限制本发明。对于本领域技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原理的内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包括在本发明的权利要求范围之内。









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