一种半导体大功率开关器件的驱动集成电路及其应用电路的制作方法 专利技术说明

控制;调节装置的制造及其应用技术1.本发明涉及驱动集成电路技术领域，特别是一种半导体大功率开关器件的驱动集成电路及其应用电路。背景技术：2.现有技术中，大功率半导体开关器件(例如igbt、大功率三极管、mosfet等)工作时，一般有矩形波驱动大功率半导体开关器件工作在开关状态，负载电路中的电流在大功率开关器件的控制下开通或者关断。由于大功率半导体开关器件开通时电流能量较大，若这个电流超过许可值(或：阈值)，就容易对大功率半导体开关器件造成损坏，尤其是电感性负载情况下，在瞬间开通时刻，电感中的电流能量通过大功率半导体开关器件瞬间释放，往往会造成瞬间浪涌电流过大，大功率半导体开关器件就会被烧毁，这往往是大功率半导体开关器件容易损坏的原因，进而导致设备无法正常工作。技术实现要素：3.针对上述缺陷，本发明的目的在于提出一种半导体大功率开关器件的驱动集成电路及其应用电路，其驱动集成电路具有缓启动模式和常规模式，其中，缓启动模式可有效控制大功率开关器件的开通程度，限制浪涌大电流的产生。4.为达此目的，本发明采用以下技术方案：5.一种半导体大功率开关器件的驱动集成电路，包括比较单元和驱动单元，在所述比较单元和驱动单元之间还包括选择单元；6.所述比较单元包括第一比较电路和第二比较电路；7.所述第一比较电路用于外接驱动控制信号，对所述驱动控制信号的电压和内设的基准电压进行比较，生成第一比较电平；8.所述第二比较电路用于外接采样电路输出的检测信号，对所述检测信号的电压和内设的所述基准电压进行比较，生成第二比较电平；所述采样电路用于检测所述半导体大功率开关器件q4的第一负载端的电压；9.所述驱动单元包括第一驱动放大器、第二驱动放大器和推挽电路，所述第一驱动放大器的输入端和所述第一比较电路的输出端电连接，所述第二驱动放大器的输入端和所述选择单元的输出端电连接，所述第一驱动放大器的输出端和所述推挽电路的第一输入端电连接，所述第二驱动放大器的输出端和所述推挽电路的第二输入端电连接，所述推挽电路的输出端用于外接所述半导体大功率开关器件q4的控制端；10.所述选择单元用于进行向所述第二驱动放大器输入所述第一比较电平或第二比较电平的选择，以进行驱动控制信号的缓启动模式/常规模式的切换；11.所述驱动单元用于根据选择后的所述驱动控制信号进行半导体大功率开关器件q4的缓启动模式/常规模式的驱动控制。12.优选地，所述推挽电路包括第一场效应管q1、第二场效应管q2和第三场效应管q3，所述驱动单元还包括电源正端口、电源负端口和驱动输出口，所述第一驱动放大器的输出端、所述第一场效应管q1的栅极和所述第二场效应管q2的栅极电连接，所述第二驱动放大器的输出端和第三场效应管q3的栅极电连接；13.所述第一场效应管q1的漏极、第三场效应管q3的漏极和电源正端口电连接，所述第一场效应管q1的源极、第三场效应管q3的源极、第二场效应管q2的漏极均和所述驱动输出口电连接，所述第二场效应管q2的源极和电源负端口电连接。14.具体地，所述第一场效应管q1的沟道类型和第三场效应管q3的沟道类型相同，所述第二场效应管q2的沟道类型和第一场效应管q1的沟道类型相反；15.所述电源正端口用于外接第一工作电源vcc；16.所述电源负端口用于接地；17.所述驱动输出口用于外接所述半导体大功率开关器件q4的控制端。18.进一步地，所述选择单元包括复用选择口、第一选择开关s1和开关控制模块，所述复用选择口用于外接选择控制信号；19.所述第一选择开关s1的第一输入端和所述第二比较电路的输出端电连接，所述第一选择开关s1的第二输入端和所述第一比较电路的输出端电连接，所述第一选择开关s1的输出端和所述第二驱动放大器的输入端电连接，所述第一选择开关s1的输出端作为所述选择单元的输出端；20.所述开关控制模块的输入端和所述复用选择口电连接，所述开关控制模块的输出端和第一选择开关s1的控制端电连接，所述开关控制模块用于根据所述选择控制信号的电平高低控制所述第一选择开关s1的第一输入端和第二输入端的切换，以进行向所述第二驱动放大器输入所述第一比较电平或第二比较电平的选择。21.可选地，所述比较单元还包括基准电压模块，所述基准电压模块用于输出预设的所述基准电压；22.所述第一比较电路包括第一比较器u1和第一输入口，所述第一输入口用于外接驱动控制信号，所述第一比较器u1的正输入端和所述第一输入口电连接，所述第一比较器u1的负输入端和基准电压模块的输出端电连接，所述第一比较器u1的输出端和第一选择开关s1的第二输入端电连接，所述第一比较器u1的输出端作为所述第一比较电路的输出端。23.更具体地，所述第二比较电路包括第二比较器u2和第二输入口，所述第二输入口用于外接所述采样电路输出的检测信号，所述第二比较器u2的负输入端和所述第二输入口电连接，所述第二比较器u2的正输入端和基准电压模块的输出端电连接，所述第二比较器u2的输出端和第一选择开关s1的第一输入端电连接，所述第二比较器u2的输出端作为所述第二比较电路的输出端。24.进一步地，所述推挽电路中，当所述第一场效应管q1、第二场效应管q2和第三场效应管q3均导通时，所述推挽电路高电平时的输出内阻为：[0025][0026]当所述第三场效应管q3关断，并所述第一场效应管q1和第二场效应管q2导通时，所述推挽电路高电平时的输出内阻为r内＝rq1，所述推挽电路低电平时的输出内阻为r内＝rq2；[0027]其中，所述第三场效应管q3的等效电阻rq3小于所述第一场效应管q1的等效电阻rq1，rq2为所述第二场效应管q2的等效电阻。[0028]可选地，一种应用电路，包括所述半导体大功率开关器件的驱动集成电路、所述采样电路、驱动控制器mcu、感性负载电路、第二选择开关s2和所述半导体大功率开关器件q4；[0029]所述采样电路的输入端、所述感性负载电路的输出端均和所述半导体大功率开关器件q4的第一负载端电连接，所述半导体大功率开关器件q4的第二负载端接地，所述半导体大功率开关器件q4的控制端电连接所述驱动输出口；[0030]所述驱动控制器mcu的输出端和所述第一比较电路的第一输入口电连接；[0031]所述采样电路的输出端和所述第二比较电路的第二输入口电连接；[0032]所述第二选择开关s2的第一输入端接高电平，所述第二选择开关s2的第二输入端接地，所述第二选择开关s2的输出端和复用选择口电连接。[0033]进一步地，所述采样电路包括电阻r3和电阻r4，所述感性负载电路包括电感l1和电容c1，所述电阻r3的一端、电容c1的一端、电感l1的一端均和所述半导体大功率开关器件q4的第一负载端电连接，所述电阻r3的另一端、电阻r4的一端均和所述第二比较电路的第二输入口电连接，所述电阻r4的另一端接地；[0034]所述电容c1的另一端、电感l1的另一端均和第二工作电源vdd电连接。[0035]上述技术方案具有如下有益效果：[0036]所述半导体大功率开关器件的驱动集成电路，设有选择单元，通过选择单元可实现缓启动模式/常规模式的切换，即兼具缓启动模式和常规模式这两种模式，更为灵活通用。所述驱动控制信号经第一比较电路形成第一比较电平，第一比较电平经第一驱动放大器和推挽电路放大后控制半导体大功率开关器件q4的导通或关断。[0037]所述第二比较电平可改变推挽电路高电平时的输出内阻，使集成电路高内阻输出，输出电平通过较大的内阻对半导体大功率开关器件q4的控制端和第二负载端上的寄生电容c2进行缓慢充电，使输出控制半导体大功率开关器件q4开启的电压缓慢上升，如图1中矩形波上升沿形成了圆弧角，达到缓启动的效果。从而通过电压不同选择在合适的时间控制开启缓冲功能使矩形波缓慢上升形成圆弧，在能量释放到阈值以下时关闭缓冲功能。附图说明[0038]图1是本发明的其中一个实施例的半导体大功率开关器件的驱动集成电路图；[0039]图2是本发明的其中一个实施例的驱动集成电路的应用电路图。[0040]其中：比较单元1；选择单元2；驱动单元3；第一比较电路11；第二比较电路12；采样电路4；第一驱动放大器31；第二驱动放大器32；推挽电路33；第一场效应管q1；第二场效应管q2；第三场效应管q3；半导体大功率开关器件q4；电源正端口34；电源负端口35；驱动输出口36；复用选择口21；第一选择开关s1；开关控制模块22；基准电压模块13；第一比较器u1；第一输入口111；第二比较器u2；第二输入口121；驱动控制器mcu；感性负载电路5；第二选择开关s2；电阻r3；电阻r4；电感l1；电容c1。具体实施方式[0041]下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。[0042]下面结合图1至图2，描述本发明实施例的半导体大功率开关器件的驱动集成电路及其应用电路。[0043]实施例一[0044]本实施例的半导体大功率开关器件的驱动集成电路，如图1所示，包括比较单元1和驱动单元3，在所述比较单元1和驱动单元3之间还包括选择单元2；[0045]所述比较单元1包括第一比较电路11和第二比较电路12；[0046]所述第一比较电路11用于外接驱动控制信号，对所述驱动控制信号的电压和内设的基准电压进行比较，生成第一比较电平；[0047]所述第二比较电路12用于外接采样电路4输出的检测信号，对所述检测信号的电压和内设的所述基准电压进行比较，生成第二比较电平；所述采样电路4用于检测所述半导体大功率开关器件q4的第一负载端的电压；[0048]所述驱动单元3包括第一驱动放大器31、第二驱动放大器32和推挽电路33，所述第一驱动放大器31的输入端和所述第一比较电路11的输出端电连接，所述第二驱动放大器32的输入端和所述选择单元2的输出端电连接，所述第一驱动放大器31的输出端和所述推挽电路33的第一输入端电连接，所述第二驱动放大器32的输出端和所述推挽电路33的第二输入端电连接，所述推挽电路33的输出端用于外接所述半导体大功率开关器件q4的控制端；[0049]所述选择单元2用于进行向所述第二驱动放大器32输入所述第一比较电平或第二比较电平的选择，以进行驱动控制信号的缓启动模式/常规模式的切换；[0050]所述驱动单元3用于根据选择后的所述驱动控制信号进行半导体大功率开关器件q4的缓启动模式/常规模式的驱动控制。[0051]所述半导体大功率开关器件的驱动集成电路，设有选择单元2，通过选择单元2可实现缓启动模式/常规模式的切换，即兼具缓启动模式和常规模式这两种模式，更为灵活通用，应用时可外接选择电路，例如选择开关等；所述驱动控制信号通常为如图1所示的矩形波，其中所述驱动控制信号经第一比较电路11形成第一比较电平，第一比较电平经第一驱动放大器31和推挽电路33放大后控制半导体大功率开关器件q4的导通或关断；[0052]而第二比较电路12的输入端外接检测信号，即检测半导体大功率开关器件q4的第一负载端的电压，因半导体大功率开关器件q4的第一负载端通常连接的是感性负载电路5的能量释放端，以检测半导体大功率开关器件q4的能量电压，所以检测信号经第二比较电路12形成第二比较电平，第二比较电平经第二驱动放大器32和推挽电路33放大后控制半导体大功率开关器件q4的导通或关断。更为具体地，所述第二比较电平可改变推挽电路33高电平时的输出内阻，使集成电路高内阻输出，输出电平通过较大的内阻对半导体大功率开关器件q4的控制端和第二负载端上的寄生电容c2进行缓慢充电，使输出控制半导体大功率开关器件q4开启的电压缓慢上升，如图1中矩形波上升沿形成了圆弧角，达到缓启动的效果。寄生电容是半导体大功率开关器件q4制造中自然产生的电容。[0053]因此，当选择向第二驱动放大器32输入所述第二比较电平时，半导体大功率开关器件q4为缓启动模式；当选择向第二驱动放大器32输入所述第一比较电平时，半导体大功率开关器件q4为常规模式，即无缓启动效果的驱动模式。[0054]需要说明的是，在本实施例中，半导体大功率开关器件q4为图1所示的igbt，其中，所述半导体大功率开关器件q4的第一负载端为igbt的集电极，半导体大功率开关器件q4的第二负载端为igbt的发射极，半导体大功率开关器件q4的控制端为igbt的栅极。当然，本实施例的半导体大功率开关器件q4也可以是大功率三极管、mosfet等，由实际使用需求确定，在此并不予以自限。[0055]进一步地，如图1所示，所述推挽电路33包括第一场效应管q1、第二场效应管q2和第三场效应管q3，所述驱动单元3还包括电源正端口34、电源负端口35和驱动输出口36，所述第一驱动放大器31的输出端、所述第一场效应管q1的栅极和所述第二场效应管q2的栅极电连接，所述第二驱动放大器32的输出端和第三场效应管q3的栅极电连接；[0056]所述第一场效应管q1的漏极、第三场效应管q3的漏极和电源正端口34电连接，所述第一场效应管q1的源极、第三场效应管q3的源极、第二场效应管q2的漏极均和所述驱动输出口36电连接，所述第二场效应管q2的源极和电源负端口35电连接。[0057]其中，所述电源正端口34用于外接第一工作电源vcc；[0058]所述电源负端口35用于接地；[0059]所述驱动输出口36用于外接所述半导体大功率开关器件q4的控制端。[0060]所述第一场效应管q1的沟道类型和第三场效应管q3的沟道类型相同，所述第二场效应管q2的沟道类型和第一场效应管q1的沟道类型相反。沟道类型相同的意思是均为p沟道型场效应管或均为n沟道型场效应管；沟道类型相反的意思是一个为p沟道型场效应管时另一个为n沟道型场效应管，或一个为n沟道型场效应管时另一个为p沟道型场效应管。[0061]例如，如图1所示，所述第一场效应管q1和第三场效应管q3均为p沟道型场效应管，所述第二场效应管q2为n沟道型场效应管；又例如，所述第一场效应管q1和第三场效应管q3均为n沟道型场效应管，所述第二场效应管q2为p沟道型场效应管。根据实际应用需求，选择不同的沟道类型组合。[0062]从而，第一比较电平经第一驱动放大器31放大，以及第一场效应管q1和第二场效应管q2组成的推挽电路33后控制半导体大功率开关器件q4的导通或关断。[0063]当选择单元2选择向第二驱动放大器32输入所述第二比较电平时，第二比较电平控制第三场效应管q3的导通或关断：例如，将第二比较电路12设置为当检测信号的电压高于基准电压时，第二比较电平为低电平，则经第二驱动放大器32放大后控制第三场效应管q3关断，此时第三场效应管q3不起作用，推挽电路33的输出由第一场效应管q1和第二场效应管q2决定，则驱动输出口36输出高电平时推挽电路33的内阻大，半导体大功率开关器件q4的寄生电容c2进行缓慢充电，使输出控制半导体大功率开关器件q4开启的电压缓慢上升，即半导体大功率开关器件q4处于缓慢(不完全)导通状态；[0064]当检测信号的电压低于基准电压时，第二比较电平为高电平，则经第二驱动放大器32放大后控制第三场效应管q3导通，此时第三场效应管q3与第一场效应管q1并联，使驱动输出口36输出高电平时推挽电路33的内阻小，半导体大功率开关器件q4的驱动电流增大，半导体大功率开关器件q4的寄生电容c2被迅速充电，半导体大功率开关器件q4的控制端电压迅速升高并趋向平直，半导体大功率开关器件q4进入完全导通状态。完全开通状态是半导体大功率开关器件q4损耗较小的理想状态。从而通过电压不同选择在合适的时间控制开启缓冲功能使矩形波缓慢上升形成圆弧，在能量释放到阈值以下时关闭缓冲功能。[0065]上述为缓启动模式的工作过程，而当选择单元2选择向第二驱动放大器32输入所述第一比较电平时，由第一比较电平控制第三场效应管q3的导通或关断，驱动集成电路可以作为普通无缓启动驱动电路使用，直接做常规的半导体大功率开关器件q4的驱动器，无缓启动功能，切换成常规模式工作。[0066]所述电源正端口34用于外接第一工作电源vcc，为驱动集成电路的电源输入口。所述电源负端口35用于接地，为驱动集成电路的电源负输入端，也是电源地端。[0067]可选地，所述选择单元2包括复用选择口21、第一选择开关s1和开关控制模块22，所述复用选择口21用于外接选择控制信号；[0068]所述第一选择开关s1的第一输入端和所述第二比较电路12的输出端电连接，所述第一选择开关s1的第二输入端和所述第一比较电路11的输出端电连接，所述第一选择开关s1的输出端和所述第二驱动放大器32的输入端电连接，所述第一选择开关s1的输出端作为所述选择单元2的输出端；[0069]所述开关控制模块22的输入端和所述复用选择口21电连接，所述开关控制模块22的输出端和第一选择开关s1的控制端电连接，所述开关控制模块22用于根据所述选择控制信号的电平高低控制所述第一选择开关s1的第一输入端和第二输入端的切换，以进行向所述第二驱动放大器32输入所述第一比较电平或第二比较电平的选择。[0070]例如，当选择控制信号为高电平时，控制所述第一选择开关s1的第一输入端和其输出端连接，向所述第二驱动放大器32输入第二比较电平，进入缓启动模式；而当选择控制信号为低电平时，控制所述第一选择开关s1的第二输入端和其输出端连接，向所述第二驱动放大器32输入第一比较电平，进入常规模式。[0071]需要说明的是，在本实施例中，第一选择开关s1的第一输入端为图1显示的第一选择开关s1的1引脚，所述第一选择开关s1的第二输入端为图1显示的第一选择开关s1的2引脚，所述第一选择开关s1的输出端为图1显示的第一选择开关s1的3引脚。开关控制模块22为现有的选择开关常规控制模块，在此不再予以赘述。[0072]具体地，所述比较单元1还包括基准电压模块13，所述基准电压模块13用于输出预设的所述基准电压；[0073]所述第一比较电路11包括第一比较器u1和第一输入口111，所述第一输入口111用于外接驱动控制信号，所述第一比较器u1的正输入端和所述第一输入口111电连接，所述第一比较器u1的负输入端和基准电压模块13的输出端电连接，所述第一比较器u1的输出端和第一选择开关s1的第二输入端电连接，所述第一比较器u1的输出端作为所述第一比较电路11的输出端。[0074]从而，当驱动控制信号的电压高于第一比较器u1的基准电压，第一比较器u1输出的第一比较电平为高电平，经过第一驱动放大器31驱动由内部的第一场效应管q1和第二场效应管q2组成的推挽输出电路，再通过驱动输出口36输出高电平，驱动半导体大功率开关器件q4开通；[0075]同理，当驱动控制信号的电压低于第一比较器u1的基准电压，第一比较器u1输出的第一比较电平为低电平，经过第一驱动放大器31驱动由内部的第一场效应管q1和第二场效应管q2组成的推挽输出电路，再通过驱动输出口36输出低电平，驱动半导体大功率开关器件q4关断。[0076]更为具体地，所述第二比较电路12包括第二比较器u2和第二输入口121，所述第二输入口121用于外接所述采样电路输出的检测信号，所述第二比较器u2的负输入端和所述第二输入口121电连接，所述第二比较器u2的正输入端和基准电压模块13的输出端电连接，所述第二比较器u2的输出端和第一选择开关s1的第一输入端电连接，所述第二比较器u2的输出端作为所述第二比较电路12的输出端。[0077]从而，当检测信号的电压高于第二比较器u2的基准电压，第二比较器u2输出的第二比较电平为低电平，通过第一选择开关s1的选择(假设此时第一选择开关s1的1引脚和3引脚连通)，经第二驱动放大器32放大后控制第三场效应管q3关断，此时第三场效应管q3不起作用，推挽电路33的输出由第一场效应管q1和第二场效应管q2决定，则驱动输出口36输出高电平时推挽电路33的内阻大，半导体大功率开关器件q4的寄生电容c2进行缓慢充电，使输出控制半导体大功率开关器件q4开启的电压缓慢上升，即半导体大功率开关器件q4处于缓慢(不完全)导通状态；[0078]当检测信号的电压低于第二比较器u2的基准电压，第二比较器u2输出的第二比较电平为高电平，经第二驱动放大器32放大后控制第三场效应管q3导通，此时第三场效应管q3与第一场效应管q1并联，使驱动输出口36输出高电平时推挽电路33的内阻小，半导体大功率开关器件q4的驱动电流增大，半导体大功率开关器件q4的寄生电容c2被迅速充电，半导体大功率开关器件q4的控制端电压迅速升高并趋向平直，半导体大功率开关器件q4进入完全导通状态。完全开通状态是半导体大功率开关器件q4损耗较小的理想状态。[0079]需要说明的是，所述基准电压的选取范围可以是但不限定为0.1v至4.9v。第一比较器u1和第二比较器u2共用一个基准电压，第一比较器u1和第二比较器u2的输入信号与基准电压比较后输出控制电平，第一比较器u1是正输入端输入，因此输入电压高于基准电压时第一比较器u1输出的控制电平为高电平。第二比较器u2是负输入端输入，因此输入电压低于基准电压时第二比较器u2输出的控制电平为高电平，反之亦反。[0080]更进一步地，所述推挽电路33中，当所述第一场效应管q1、第二场效应管q2和第三场效应管q3均导通时，所述推挽电路33高电平时的输出内阻为：[0081][0082]当所述第三场效应管q3关断，并所述第一场效应管q1和第二场效应管q2导通时，所述推挽电路33高电平时的输出内阻为r内＝rq1，所述推挽电路33低电平时的输出内阻为r内＝rq2；[0083]其中，所述第三场效应管q3的等效电阻rq3小于所述第一场效应管q1的等效电阻rq1，rq2为所述第二场效应管q2的等效电阻。[0084]即第一场效应管q1、第二场效应管q2和第三场效应管q3构成输出内阻可变的推挽电路33，其中第二场效应管q2用做下拉管使用，该第二场效应管q2的等效电阻rq2比较小。第一场效应管q1用做上拉管使用，该第一场效应管q1的等效电阻rq1比较大。第三场效应管q3也用做上拉管使用，该第三场效应管q3的等效电阻rq3比较小，一些实施例中等效电阻rq2和等效电阻rq3的阻值范围可相似，且远小于等效电阻rq1的阻值范围。[0085]当所述第三场效应管q3关断，并所述第一场效应管q1和第二场效应管q2导通时，所述推挽电路33高电平时的输出内阻为r内＝rq1，所述推挽电路33低电平时的输出内阻为r内＝rq2，输出内阻大，半导体大功率开关器件q4的寄生电容c2进行缓慢充电，使输出控制半导体大功率开关器件q4开启的电压缓慢上升，如图1中矩形波上升沿形成了圆弧角，达到缓启动的效果。[0086]当第三场效应管q3开通时，第三场效应管q3与第一场效应管q1并联，并联后的推挽电路33高电平时的输出内阻为输出内阻变小，半导体大功率开关器件q4的驱动电流增大，半导体大功率开关器件q4的寄生电容c2被迅速充电，半导体大功率开关器件q4的控制端电压迅速升高并趋向平直，半导体大功率开关器件q4进入完全导通状态。[0087]缓冲功能采用了两个沟道类型相同的mos功率管(即第三场效应管q3与第一场效应管q1)，第三场效应管q3与第一场效应管q1开启并联时则降低推挽电路33的输出内阻。取消并联时，使用单管工作则增加内阻，起到降低输出电流，缓冲启动的作用；[0088]另外，根据制造半导体器件的制程可知，mosfet可以按阻值制造，所以采用了改变阻值来改变输出电流，改变对半导体大功率开关器件q4的寄生电容的充电电流，从而改变半导体大功率开关器件q4的控制端上的电压上升速度，达到缓慢开通开关的作用。[0089]实施例二[0090]本实施例的应用电路，如图2所示，包括实施例一所述的半导体大功率开关器件的驱动集成电路、所述采样电路4、驱动控制器mcu、感性负载电路5、第二选择开关s2和所述半导体大功率开关器件q4；[0091]所述采样电路4的输入端、所述感性负载电路5的输出端均和所述半导体大功率开关器件q4的第一负载端电连接，所述半导体大功率开关器件q4的第二负载端接地，所述半导体大功率开关器件q4的控制端电连接所述驱动输出口36；[0092]所述驱动控制器mcu的输出端和所述第一比较电路11的第一输入口111电连接；[0093]所述采样电路4的输出端和所述第二比较电路12的第二输入口121电连接；[0094]所述第二选择开关s2的第一输入端接高电平，所述第二选择开关s2的第二输入端接地，所述第二选择开关s2的输出端和复用选择口21电连接。[0095]所述应用电路通过采样电路4检测感性负载电路5的能量释放端的电压并输入至所述驱动集成电路的第二输入口121，驱动控制器mcu的输出端向第一输入口111输入驱动控制信号；[0096]第二选择开关s2向复用选择口21输出选择控制信号，当第二选择开关s2的第一输入端和其输出端连接，选择控制信号为高电平；当第二选择开关s2的第二输入端和其输出端连接，选择控制信号为低电平。[0097]需要说明的是，在本实施例中，第二选择开关s2的第一输入端为图1显示的第二选择开关s2的1引脚，所述第二选择开关s2的第二输入端为图1显示的第二选择开关s2的2引脚，所述第二选择开关s2的输出端为图1显示的第二选择开关s2的3引脚。[0098]具体地，所述采样电路4包括电阻r3和电阻r4，所述感性负载电路5包括电感l1和电容c1，所述电阻r3的一端、电容c1的一端、电感l1的一端均和所述半导体大功率开关器件q4的第一负载端电连接，所述电阻r3的另一端、电阻r4的一端均和所述第二比较电路12的第二输入口121电连接，所述电阻r4的另一端接地；[0099]所述电容c1的另一端、电感l1的另一端均和第二工作电源vdd电连接。[0100]所述电阻r3和电阻r4起到分压作用，将电阻r3检测到半导体大功率开关器件q4的第一负载端上的电压通过电阻r4分压连接到驱动集成电路的第二输入口121。感性负载电路5包括电感l1和电容c1，需要说明的是，该感性负载电路5的具体结构组成，由本发明所应用场景中的电路结构确定，在此并不予以自限。[0101]所述应用电路的工作过程如下：[0102]所述驱动控制器mcu向第一比较电路11输入驱动控制信号，当驱动控制信号的电压高于第一比较器u1的基准电压，第一比较器u1输出的第一比较电平为高电平，经过第一驱动放大器31驱动由内部的第一场效应管q1和第二场效应管q2组成的推挽输出电路，再通过驱动输出口36输出高电平，驱动半导体大功率开关器件q4开通；[0103]同理，当驱动控制信号的电压低于第一比较器u1的基准电压，第一比较器u1输出的第一比较电平为低电平，经过第一驱动放大器31驱动由内部的第一场效应管q1和第二场效应管q2组成的推挽输出电路，再通过驱动输出口36输出低电平，驱动半导体大功率开关器件q4关断。[0104]第二选择开关s2向复用选择口21输出选择控制信号，选择控制信号控制所述第一选择开关s1的第一输入端和第二输入端的切换，以进行向所述第二驱动放大器32输入所述第一比较电平或第二比较电平的选择。[0105]当选择缓启动模式(第一选择开关s1的1引脚和3引脚连通)时，采样电路4检测到半导体大功率开关器件q4的第一负载端的电压较高时，电阻r3和电阻r4分压的电压高于基准电压，第二比较器u2输出的第二比较电平为低电平，经第二驱动放大器32放大后控制第三场效应管q3关断，此时第三场效应管q3不起作用，推挽电路33的输出由第一场效应管q1和第二场效应管q2决定，则驱动输出口36输出高电平时推挽电路33的内阻大，半导体大功率开关器件q4的寄生电容c2进行缓慢充电，使输出控制半导体大功率开关器件q4开启的电压缓慢上升，即半导体大功率开关器件q4处于缓慢(不完全)导通状态；[0106]采样电路4检测到半导体大功率开关器件q4的第一负载端的电压较低时，电阻r3和电阻r4分压的电压低于基准电压，第二比较器u2输出的第二比较电平为高电平，经第二驱动放大器32放大后控制第三场效应管q3导通，此时第三场效应管q3与第一场效应管q1并联，使驱动输出口36输出高电平时推挽电路33的内阻小，半导体大功率开关器件q4的驱动电流增大，半导体大功率开关器件q4的寄生电容c2被迅速充电，半导体大功率开关器件q4的控制端电压迅速升高并趋向平直，半导体大功率开关器件q4进入完全导通状态。完全开通状态是半导体大功率开关器件q4损耗较小的理想状态。从而通过电压不同选择在合适的时间控制开启缓冲功能使矩形波缓慢上升形成圆弧，在能量释放到阈值以下时关闭缓冲功能。[0107]而当第二选择开关s2选择向第二驱动放大器32输入所述第一比较电平时，由第一比较电平控制第三场效应管q3的导通或关断，驱动集成电路可以作为普通无缓启动驱动电路使用，直接做常规的半导体大功率开关器件q4的驱动器，无缓启动功能，切换成常规模式工作。[0108]根据本发明实施例的一种半导体大功率开关器件的驱动集成电路及其应用电路的其他构成等以及操作对于本领域普通技术人员而言都是已知的，这里不再详细描述。[0109]在本说明书的描述中，参考术语“实施例”、“示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。[0110]尽管已经示出和描述了本发明的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由权利要求及其等同物限定。









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