衬底处理工具的线性配置的制作方法

电气元件制品的制造及其应用技术衬底处理工具的线性配置相关申请的交叉引用1.本技术要求于2020年3月2日申请的美国临时申请no.62/983,829的权益。上述引用的申请其全部公开内容都通过引用合并于此。技术领域2.本公开涉及衬底处理工具架构，更具体而言，涉及衬底处理工具的线性配置。背景技术：3.这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的发明人的工作在其在此背景技术部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。4.衬底处理系统可用于执行衬底(如半导体晶片)的沉积、蚀刻和/或其他处理。在处理期间，将衬底设置于衬底处理系统的处理室中的衬底支撑件上。将包含一或更多前体的气体混合物导入处理室中，并且可激励等离子体以激活化学反应。5.衬底处理系统可包含设置在制造室内的多个衬底处理工具。衬底处理工具中的每一者可包含多个处理模块或室。衬底经由一或更多个中间室(例如前开式晶片传送盒(foup)、设备前端模块(efem)和/或装载锁)而传送至衬底处理工具中。衬底在真空传送模块(vtm)内于多个处理模块之间传送。技术实现要素：6.一种衬底处理系统包含：真空传送模块；以及多个处理模块，其限定相应的处理室。所述多个处理模块包含设置在所述真空传送模块的第一侧的第一行处理模块、以及设置在所述真空传送模块的与所述第一侧相对的第二侧的第二行处理模块。所述多个处理模块中的每一者包含：气体箱，其被设置在所述处理模块上方并且被配置成将至少一种气体和/或气体混合物选择性地供应至所述处理模块的所述处理室中，以及射频(rf)产生器，其被配置成产生rf功率以在所述处理室内产生等离子体。所述rf产生器被设置在所述处理模块上方，并且所述气体箱和所述rf产生器被并排地设置在所述处理模块上方。7.在其他特征中，所述衬底处理系统具有线性轴，所述第一行处理模块和第二行处理模块平行于所述线性轴且设置于所述线性轴的相对两侧，且所述气体箱相对于所述衬底处理系统的所述线性轴而设置在所述rf产生器的内侧。所述rf产生器相对于所述衬底处理系统的线性轴而设置在所述气体箱的内侧。所述处理模块具有由所述处理模块的外周所限定的竖直柱占用区(footprint)，且所述气体箱和所述rf产生器的外周不超出所述处理模块的所述竖直柱占用区。8.在其他特征中，所述第一行处理模块被配置成执行第一处理，且所述第二行处理模块被配置成执行第二处理。所述第一处理为电介质蚀刻处理，且所述第二处理为导体蚀刻处理。所述第一行处理模块被配置成独立于所述第二行处理模块执行所述第二处理而执行所述第一处理。9.在其他特征中，所述衬底处理系统还包含配电组件，所述配电组件被配置成将功率供应至所述第一行处理模块和所述第二行处理模块。所述配电组件被配置成独立于供应功率至所述第二行处理模块而将功率供应至所述第一行处理模块。所述配电组件被设置在所述真空传送模块的第三侧且介于所述第一侧与所述第二侧之间。所述衬底处理系统还包含上锁/挂牌(loto)组件，其被设置在所述真空传送模块的所述第三侧。所述衬底处理系统还包含设备前端模块(efem)，其被设置在所述真空传送模块的与所述第三侧相对的第四侧。10.在其他特征中，所述衬底处理系统还包含配置成将气体分配至所述第一行处理模块的第一设施气体对接箱、以及配置成将气体分配至所述第二行处理模块的第二设施气体对接箱。所述第一设施气体对接箱被配置成独立于所述第二设施气体对接箱将气体分配至所述第二行处理模块而将气体分配至所述第一行处理模块。11.在其他特征中，所述第一行处理模块包含五个处理模块，且所述第二行处理模块包含五个处理模块。所述第一行处理模块和所述第二行处理模块中的每一者包含两个升降器，其被配置成提升和降低所述处理模块中的至少三者的相应的顶板。所述两个升降器中的每一者被配置成提升和降低所述五个处理模块中的中间的处理模块的相应的顶板。所述处理模块中的每一者包含滑动和枢轴组件，其被配置成使所述处理模块的偏置组件旋转远离所述处理室。12.一种衬底处理系统包含：处理模块，其限定处理室。所述处理模块被配置成在设置于所述处理室内的衬底上执行至少一个处理。气体箱被配置成将至少一种气体和/或气体混合物选择性地供应至所述处理模块的所述处理室中。所述气体箱被设置在所述处理模块上方。射频(rf)产生器被配置成产生rf功率以在所述处理室内产生等离子体。所述rf产生器被设置在所述处理模块上方。13.在其他特征中，所述气体箱和所述rf产生器被并排地设置在所述处理模块上方。所述气体箱相对于所述衬底处理系统的所述线性轴而设置在所述rf产生器的内侧。所述rf产生器相对于所述衬底处理系统的线性轴而设置在所述气体箱的内侧。所述气体箱被设置在所述rf产生器上方。所述rf产生器被设置在所述气体箱上方。所述处理模块具有由所述处理模块的外周所限定的竖直柱占用区，且所述气体箱和所述rf产生器的外周不超出所述处理模块的所述竖直柱占用区。14.在其他特征中，所述衬底处理系统还包含呈线性配置的多个处理模块。所述多个处理模块包含第一行处理模块和第二行处理模块。所述第一行处理模块被配置成执行第一处理，且所述第二行处理模块被配置成执行第二处理。所述第一处理为电介质蚀刻处理，且所述第二处理为导体蚀刻处理。所述第一行处理模块被配置成独立于所述第二行处理模块执行所述第二处理而执行所述第一处理。15.在其他特征中，所述衬底处理系统还包含配电组件，所述配电组件被配置成将功率供应至所述第一行处理模块和所述第二行处理模块。所述配电组件被配置成独立于供应功率至所述第二行处理模块而将功率供应至所述第一行处理模块。所述第一行处理模块被设置在所述衬底处理系统的第一侧，所述第二行处理模块被设置在所述衬底处理系统的与所述第一侧相对的第二侧，且所述配电组件被设置在所述衬底处理系统的第三侧且介于所述第一侧与所述第二侧之间。16.在其他特征中，所述衬底处理系统还包含上锁/挂牌(loto)组件，其被设置在所述衬底处理系统的所述第三侧。所述衬底处理系统还包含设备前端模块(efem)，其被设置在所述衬底处理系统的与所述第三侧相对的第四侧。所述衬底处理系统还包含配置成将气体分配至所述第一行处理模块的第一设施气体对接箱、以及配置成将气体分配至所述第二行处理模块的第二设施气体对接箱。所述第一设施气体对接箱被配置成独立于所述第二设施气体对接箱将气体分配至所述第二行处理模块而将气体分配至所述第一行处理模块。17.在其他特征中，所述第一行处理模块包含五个处理模块，且所述第二行处理模块包含五个处理模块。所述第一行处理模块和所述第二行处理模块中的每一者包含两个升降器，其被配置成提升和降低所述处理模块中的至少三者的相应的顶板。所述两个升降器中的每一者被配置成提升和降低所述五个处理模块中的中间的处理模块的相应的顶板。所述处理模块包含滑动和枢轴组件，其被配置成使所述处理模块的偏置组件旋转远离所述处理室。18.根据详细描述、权利要求和附图，本公开内容的适用性的进一步的范围将变得显而易见。详细描述和具体示例仅用于说明的目的，并非意在限制本公开的范围。附图说明19.根据详细描述和附图将更充分地理解本公开，其中：20.图1为一示例性衬底处理工具；21.图2a为根据本公开内容的一示例性衬底处理工具的平面图；22.图2b为根据本公开内容的图2a的衬底处理工具的示例性端视图；23.图3a为根据本公开内容的一示例性衬底处理工具的侧视图；24.图3b为根据本公开内容的两个示例性衬底处理工具的部分的透视图；25.图3c和3d根据本公开内容显示了设置在处理模块的占用区内的示例性射频产生器模块及气体箱；26.图3e根据本公开内容显示了包含处于完全对接状态的滑动和枢轴组件的处理模块；27.图3f根据本公开内容显示了处于完全脱离(或完全旋转)状态的图3e的滑动和枢轴组件；28.图4a及4b为根据本公开内容的示例性衬底处理工具的等角后视图；以及29.图5为根据本公开内容的示例性衬底处理工具框架组件的分解图。30.在附图中，可以重复使用附图标记来标识相似和/或相同的元件。具体实施方式31.制造室内的衬底处理工具的数量可能受到衬底处理工具的尺寸及相应配置的限制。工具密度是指制造室每单位面积的衬底处理工具和/或处理模块的数量。衬底处理工具的配置定义工具占用区(footprint)、间隔和/或节距，其定义制造室的工具密度。根据本公开内容的原理的系统和方法提供使衬底处理工具密度和可访问性最大化的衬底处理工具配置。32.现参照图1，显示了示例性衬底处理工具100的俯视图。衬底处理工具100包含多个处理模块104。仅举例而言，处理模块104中的每一者可配置成在衬底上执行一或更多个相应的处理。经由大气对真空(atv)传送模块(例如设备前端模块(efem)108)的装载站的端口将待处理的衬底装载至衬底处理工具100中，然后将其转移至处理模块104中的一或多者中。例如，传送机械手112被配置成将衬底从装载站116传送至气锁或装载锁120，且真空传送模块128的机械手124被配置成将衬底从装载锁120传送至各个处理模块104。33.在图1所示的示例中，衬底处理工具100具有圆形配置。因此，处理模块104环绕vtm 128按方位角设置。制造室内的衬底处理工具100的数量及各自的位置可能受到图1所示的圆形配置的限制。制造室可包括按平行的行和列或按交错或偏移的配置方式设置的多个衬底处理工具100。此外，每个衬底处理工具100的处理模块104的数量和衬底处理工具100的组件(包括处理模块104)的可访问性(例如，用于维护、修理、更换等)可能受到此配置的限制。34.图2a根据本公开内容的原理显示了衬底处理工具200的示例性配置的平面图。处理工具200中的每一者包含按照线性配置方式设置的装载站204、设备前端模块(efem)208、装载锁212和真空传送模块(vtm)216。仅举例而言，装载站204可对应于前开式晶片传送盒(foup)。在某些示例中，装载锁212可完全或部分地整合在efem208内。在其他示例中，装载锁212被设置在efem 208的外部并与其相邻。包含至少部分地位于efem 208内的装载锁212的示例性线性配置在以下文献中描述：2018年3月14日提交的专利合作条约申请no.pct/us2018/022397，在此将其所有内容引入以供参照。35.工具200包含在与vtm 216相邻并从其偏移的两个平行的行中呈线性配置的2n个处理模块220，其中n为整数。在图2a中，n＝5，但工具200的其他配置可包含n＝1至4或n＝5的处理模块220。例如，可将vtm 216的长度延长或缩短以分别容纳更多或更少的处理模块220。处理模块220可包含衬底处理室，其被配置成在衬底上进行蚀刻，例如电介质蚀刻(例如，感应耦合等离子体(icp)蚀刻)、电容式蚀刻(例如，电容耦合等离子体(ccp)蚀刻)和/或其他衬底处理。在某些示例中，处理模块220的每一行可配置成非对称地操作。换言之，这些行中的一者中的处理模块220可配置以独立于另一行中的处理模块220和/或独立于同一行中的其他处理模块220操作。36.类似地，vtm 216可包含具有各种配置的一或更多个机械手224。例如，工具200包含与vtm 216的中心纵轴(即，中心线)对齐的m个机械手224，其中m为整数。例如，如图所示，m＝2，但可使用更多或更少的机械手224。在其他示例中，可相对于vtm 216的中心线而将一或更多个机械手224偏离中心地设置(即，朝向一侧或两侧的处理模块220向右和/或向左偏移)。换言之，机械手224的主枢轴可偏离中心。37.例如，如图2b中的衬底处理工具200的端视图所示，维护通道226可被限定在vtm 216下方。机械手224的包含相关电路及机械组件(例如，马达、电源等)的部分228在与机械手224的枢轴对齐的位置处从机械手224向下延伸至维护通道226中。当机械手224与vtm 216的中心线对齐时，向下延伸的部分228对进出维护通道226造成限制。相对地，在图2b所示的示例中，使机械手224偏移至vtm 216的一侧(即，偏离vtm 216的中心线)以有助于进出维护通道226。38.虽然显示为具有一个臂230，但机械手224中的每一者可具有包含一个、两个、或更多个臂230的配置。在某些示例中，机械手224可在臂230中的每一者上包含一个或两个末端执行器232。39.衬底处理工具200可包含一或更多个存储缓冲器236。存储缓冲器236被配置成在多个处理阶段之间、处理之前或之后等存储一或更多个衬底和/或存储处理模块220的边缘环、盖和其他部件。如图所示，一或更多个剥离模块238可被设置在vtm 216的与装载站204相反的一端。在其他示例中，存储缓冲器236、额外的处理模块、后处理模块和/或其他部件中的一或多者可被设置在vtm 216的与装载站204相反的一端。在某些示例中，efem 208、装载锁212、vtm 216和处理模块220中的一或多者可具有竖直堆叠的配置。例如，处理模块220中的每一者可对应于竖直堆叠配置中的两个处理模块220(即，一个处理模块220被设置在另一个上方/下方)，vtm 216可对应于竖直堆叠配置中的两个vtm 216，装载锁212中的每一者可对应于竖直堆叠配置中的两个装载锁212，并且装载站204中的每一者可对应于竖直堆叠配置中的两个装载站204。40.处理模块220中的每一者包含相关的内部和外部部件(未图示)，其包括(但不限于)射频(rf)产生器和电源电路以及气体输送系统部件。例如，处理模块220中的每一者包含rf产生器240及气体箱244(例如，包括诸如一或更多歧管、阀、流量控制器等部件)。在根据本公开内容的衬底处理工具200中，rf产生器240和气体箱244被设置在处理模块220上方。如图2a所示，rf产生器240和气体箱244并排地设置在处理模块220上方。在某些示例中，rf产生器240设置成比气体箱244更靠近vtm 216(即，相对于维护通道226而在气体箱244的内侧)，且气体箱244被设置在rf产生器240的外侧。在其他示例中，气体箱244被设置成比rf产生器240更靠近vtm 216(即，相对于维护通道226而在rf产生器240的内侧)，且rf产生器240被设置在气体箱244的外侧。在其他示例中，rf产生器240和气体箱244可按照堆叠配置方式(即，一个在另一个上面)设置在处理模块220上方。在其他示例中，rf产生器240和气体箱244中的一者可被设置在处理模块220上方，而rf产生器240和气体箱244中的另一者被设置在处理模块220下方。41.在以上配置的某些示例中，rf产生器240和气体箱244中的每一者可被设置在处理模块220的占用区(例如，竖直柱占用区)内。换言之，在这些示例中，rf产生器240和气体箱244的外周不超出处理模块220的外周。在其他示例中，rf产生器240和气体箱244中的一者或两者可延伸超出处理模块220的占用区。42.例如，工具200包含与vtm 216的中心纵轴(即，中心线)对齐的m个机械手224，其中m为整数。例如，如图所示，m＝2，但可使用更多或更少的机械手224。在其他示例中，可相对于vtm 216的中心线而将机械手224中的一或多者偏离中心地设置(即，朝向一侧或两侧的处理模块220向右和/或向左偏移)。43.图3a显示了衬底处理工具300的侧视图，且图3b显示了衬底处理工具300的等角视图，其包括按两个平行的行(例如，平行、共面的行)排列的处理模块304和在单一制造实验室中并排设置(在图3b中)的两个衬底处理工具300(一个以实线表示，另一个以虚线表示)的部分。在图3a和3b的视图中，仅显示一(例如，前)行的处理模块304，而后行是不可见的。44.处理模块304包括第一处理模块304-1、第二处理模块304-2、第三处理模块304-3、第四处理模块304-4和第五处理模块304-5，其统称为处理模块304。处理模块304中的每一者包含各自的下部(例如，包围处理容积)308、顶板312、用于顶板312的盖316和设置在顶板312上的连接组件320。例如，组件320包含流体和电连接。顶板312和组件320可统称为顶板组件。rf产生器324和气体箱326被设置在处理模块304中的相应处理模块304上方，并且将rf功率和处理气体供应至处理模块304。45.处理模块304中的每一者单独或其组合可被称为衬底处理系统。处理模块304中的每一者可用于利用例如射频(rf)等离子体以蚀刻衬底。每个处理模块304包含处理室，例如感应耦合等离子体(icp)室或电容耦合等离子体(ccp)室。这些站可例如进行导体蚀刻、电介质蚀刻和/或其他衬底处理。在某些示例中，其中处理模块304行中的一行可被配置成进行导体蚀刻，而处理模块304行中的另一行可配置成进行电介质蚀刻。在其他示例中，所述行中的每一行中的处理模块304可配置成接收不同的供应电压并根据该不同的供应电压来操作。例如，所述行中的一行中的处理模块304可配置以接收相对较低的电压(例如，200-300伏特)，而所述行中的另一行中的处理模块304可配置成接收相对较高的电压(例如，375-600伏特)。46.衬底处理工具300的每一行包含多个升降器328(在图5中更详细地显示)，其包括例如第一升降器328-1及第二升降器328-2。升降器328中的每一者沿着相应的轨道332而竖直和横向地移动。第一升降器328-1被配置成提升和降低处理模块304-1、304-2和304-3的顶板组件和/或其他部件。相对地，第二升降器328-2被配置成提升和降低处理模块304-3、304-4和304-5的顶板组件和/或其他部件。换言之，升降器328中的每一者被设置为与该行的相应端部的成对的处理模块304相互作用，且同时升降器328中的两者都被设置成与中间的处理模块304-3相互作用。以此方式，升降器328被配置成使得在衬底处理工具300的两行中使用相应的升降器328的多个(例如，多达四个)操作员能够同时提升和降低相应的顶板组件。47.预定被装载进入衬底处理工具300(或从其传送出)的衬底被存储在装载站336中。衬底经由efem和装载锁组件340而被装载至衬底处理工具300中，然后经由vtm 348的相应的装载端口344而被传送至处理模块304中。配电以及上锁/挂牌(loto)组件352将电力分配至衬底处理工具300的各种部件并提供loto功能。48.如图3b所示，多个衬底处理工具300中的相邻者之间的空间有限。例如，多个衬底处理工具300之间的通道的宽度w可为1030mm。这提供了最小量的空间以打开处理模块304的处理室并取得对处理模块304及相应处理室的内部的可访问性。49.通常，用于处理模块304的配电和/或loto组件与处理模块304中的相应者相邻地设置。换言之，配电和loto组件被设置在衬底处理工具300的面向相邻衬底处理工具300之间的通道的侧面。在该配置方式中，在相邻的衬底处理工具300之间的通道中需要更大的余隙空间以适应loto组件以及相关协议。如图3a和3b所示，根据本公开内容的配电和loto组件352位于衬底处理工具300的后端(即，衬底处理工具300的与装载站336相对的一端)。50.图3c和3d分别显示了设置在处理模块304上方的rf产生器324和气体箱326的俯视图和等角视图。在这些示例中，rf产生器324和气体箱326中的每一者被设置在处理模块304的占用区(例如，竖直柱占用区)内。换言之，rf产生器324和气体箱326的外周不超出处理模块304的外周。在其他示例中，rf产生器324和气体箱326中的一者或两者可延伸超出处理模块304的占用区。例如，气体箱326可部分地延伸超出处理模块304的占用区，或者可完全位于处理模块304的内侧(即，相对于衬底处理工具300的外周)。51.如图所示，rf产生器324和气体箱326并排地设置在处理模块304上方，其中气体箱326被设置在rf产生器324的内侧(即，相对于衬底处理工具300的外周)。在其他示例中，可将rf产生器324设置在气体箱326的内侧。52.通常，访问pm 304以进行维修和维护可能是困难的。例如，可能难以到达pm 304上面和上方以访问pm 304的组件(例如，顶板312、盖316、连接组件320等)和/或设置在pm 304上方和/或后方的衬底处理工具300的其他组件。根据本公开内容的配置将rf产生器324和气体箱326设置在pm 304上方使得pm 304能被设置在衬底处理工具300的底部附近(例如，在直接设置于制造室的地板上或附近的pm框架上)。因此，将rf产生器324和气体箱326设置于pm 304上方有助于维修和维护访问。53.虽然被显示为在处理模块304上方呈并排配置，但在其他示例中，rf产生器324和气体箱326可在处理模块304上方或下方按堆叠配置方式(即，一个在另一个的上)设置。在其他示例中，rf产生器324和气体箱326中的一者可被设置在处理模块304上方，而rf产生器324和气体箱326中的另一者被设置在处理模块304下方。54.在某些示例中，pm 304中的每一者可包含如图3e和3f所示的滑动和枢轴组件360。滑动和枢轴组件360被连接至处理室364和处理模块偏置组件368。滑动和枢轴组件360允许处理模块偏置组件368被拉出并远离处理室364并且相对于处理室364的正面而枢转至预定角度(例如，115°)。图3e显示了处于完全对接状态的滑动和枢轴组件360，而图3f显示了处于完全脱离状态的滑动和枢轴组件360。55.处理模块偏置组件368包含用于将rf和/或偏置功率供应至衬底支撑件的电极和/或将功率供应至衬底支撑件的加热器元件的电路，并且可以包含用于供应冷却剂以冷却衬底支撑件的冷却剂通道。滑动和枢轴组件360被附接于处理室364的壁，且被配置成支撑处理模块偏置组件368的重量。滑动和枢轴组件360被配置成提供可重复的关闭和完全对接状态。以此方式，滑动和枢转组件360使得处理模块偏置组件368能被拉出并枢转离开处理室364，并且使得能在多个衬底处理工具300之间的通道中进行维修或维护。56.图4a和4b为根据本公开内容的示例性衬底处理工具400的等角后视图。在这些视图中，显示了在衬底处理工具400的相应侧的两行处理模块404。配电和loto组件408(包括用于一行处理模块404的配电和loto组件408-1和用于另一行处理模块404的配电和loto组件408-2)被设置在衬底处理工具400的后端。其他组件(包括但不限于一或更多个剥离模块412、用于剥离模块412的电源模块416等)可被设置在衬底处理工具400的后端。57.在某些示例中，衬底处理工具400的气体分配可以是非对称的。例如，气体可被独立地供应至处理模块404的各个行。通常，提供设施气体对接箱420以将气体分配至处理模块404的每一行。例如，设施气体对接箱420可被设置在衬底处理工具400的后端上与其中一行处理模块404相对应的一侧。根据本公开内容的衬底处理工具400可包含第二设施气体对接箱424，其被设置在与另一行处理模块404相对应的一侧。因此，设施气体对接箱420和424中的每一者被配置成将不同组的气体分配至相应行的处理模块404。58.图5描绘了根据本公开内容的用于衬底处理工具的示例性框架组件500的组装图和示例性框架组件500的分解图。框架组件500包含被配置成支撑衬底处理工具的vtm、处理模块、rf产生器、气体箱等的各种结构组件。例如，vtm框架504被配置成支撑vtm(例如，vtm 348)和上部框架组件508。上部框架组件508和vtm框架504的上表面512可以限定通道516。在某些示例中，通道516可提供用于维修衬底处理工具的部件的访问空间。59.pm框架520被设置在vtm框架504下方。上部框架组件508支撑气体箱框架524和rf支撑框架528，rf支撑框架528进一步被支撑在rf支撑框架柱532上。rf支撑框架528支撑升降器536，升降器536被配置成提升和降低设置在pm框架520中的pm的顶板组件，如上所述。60.前面的描述本质上仅仅是说明性的，绝不旨在限制本公开、其应用或用途。本公开的广泛教导可以以各种形式实现。因此，虽然本公开包括特定示例，但是本公开的真实范围不应当被如此限制，因为在研究附图、说明书和所附权利要求时，其他修改方案将变得显而易见。应当理解，在不改变本公开的原理的情况下，方法中的一个或多个步骤可以以不同的顺序(或同时地)执行。此外，虽然每个实施方案在上面被描述为具有某些特征，但是相对于本公开的任何实施方案描述的那些特征中的任何一个或多个，可以在任何其它实施方案的特征中实现和/或与任何其它实施方案的特征组合，即使该组合没有明确描述。换句话说，所描述的实施方案不是相互排斥的，并且一个或多个实施方案彼此的置换保持在本公开的范围内。61.使用各种术语来描述元件之间(例如，模块之间、电路元件之间、半导体层之间等)的空间和功能关系，各种术语包括“连接”、“接合”、“耦合”、“相邻”、“紧挨”、“在...顶部”、“在...上面”、“在...下面”和“设置”。除非将第一和第二元件之间的关系明确地描述为“直接”，否则在上述公开中描述这种关系时，该关系可以是直接关系，其中在第一和第二元件之间不存在其它中间元件，但是也可以是间接关系，其中在第一和第二元件之间(在空间上或功能上)存在一个或多个中间元件。如本文所使用的，短语“a、b和c中的至少一个”应当被解释为意味着使用非排他性逻辑或(or)的逻辑(a或b或c)，并且不应被解释为表示“a中的至少一个、b中的至少一个和c中的至少一个”。62.在一些实现方案中，控制器是系统的一部分，该系统可以是上述示例的一部分。这样的系统可以包括半导体处理设备，半导体处理设备包括一个或多个处理工具、一个或多个室、用于处理的一个或多个平台、和/或特定处理部件(晶片基座、气体流系统等)。这些系统可以与用于在半导体晶片或衬底的处理之前、期间和之后控制它们的操作的电子器件集成。电子器件可以被称为“控制器”，其可以控制一个或多个系统的各种部件或子部件。根据处理要求和/或系统类型，控制器可以被编程以控制本文公开的任何处理，包括处理气体的输送、温度设置(例如加热和/或冷却)、压力设置、真空设置、功率设置、射频(rf)产生器设置、rf匹配电路设置、频率设置、流率设置、流体输送设置、位置和操作设置、晶片转移进出与具体系统连接或通过接口连接的工具和其他转移工具和/或装载锁。63.概括地说，控制器可以定义为电子器件，电子器件具有接收指令、发出指令、控制操作、启用清洁操作、启用端点测量等的各种集成电路、逻辑、存储器和/或软件。集成电路可以包括存储程序指令的固件形式的芯片、数字信号处理器(dsp)、定义为专用集成电路(asic)的芯片、和/或一个或多个微处理器、或执行程序指令(例如，软件)的微控制器。程序指令可以是以各种单独设置(或程序文件)的形式发送到控制器的指令，单独设置(或程序文件)定义用于在半导体晶片或系统上或针对半导体晶片或系统执行特定处理的操作参数。在一些实施方案中，操作参数可以是由工艺工程师定义的配方的一部分，以在一或多个(种)层、材料、金属、氧化物、硅、二氧化硅、表面、电路和/或晶片的管芯的制造期间完成一个或多个处理步骤。64.在一些实现方案中，控制器可以是与系统集成、耦合到系统、以其它方式联网到系统或其组合的计算机的一部分或耦合到该计算机。例如，控制器可以在“云”中或是晶片厂(fab)主机系统的全部或一部分，其可以允许对晶片处理的远程访问。计算机可以实现对系统的远程访问以监视制造操作的当前进展、检查过去制造操作的历史、检查多个制造操作的趋势或性能标准，以改变当前处理的参数、设置处理步骤以跟随当前的处理、或者开始新的处理。在一些示例中，远程计算机(例如服务器)可以通过网络(其可以包括本地网络或因特网)向系统提供处理配方。远程计算机可以包括使得能够输入或编程参数和/或设置的用户界面，然后将该参数和/或设置从远程计算机发送到系统。在一些示例中，控制器接收数据形式的指令，其指定在一个或多个操作期间要执行的每个处理步骤的参数。应当理解，参数可以特定于要执行的处理的类型和工具的类型，控制器被配置为与该工具接口或控制该工具。因此，如上所述，控制器可以是例如通过包括联网在一起并朝着共同目的(例如本文所述的处理和控制)工作的一个或多个分立的控制器而呈分布式。用于这种目的的分布式控制器的示例是在与远程(例如在平台级或作为远程计算机的一部分)的一个或多个集成电路通信的室上的一个或多个集成电路，其组合以控制在室上的处理。65.示例性系统可以包括但不限于等离子体蚀刻室或模块、沉积室或模块、旋转漂洗室或模块、金属电镀室或模块、清洁室或模块、倒角边缘蚀刻室或模块、物理气相沉积(pvd)室或模块、化学气相沉积(cvd)室或模块、原子层沉积(ald)室或模块、原子层蚀刻(ale)室或模块、离子注入室或模块、轨道室或模块、以及可以与半导体晶片的制造和/或制备相关联或用于半导体晶片的制造和/或制备的任何其它半导体处理系统。66.如上所述，根据将由工具执行的一个或多个处理步骤，控制器可以与一个或多个其他工具电路或模块、其它工具部件、群集工具、其他工具接口、相邻工具、邻近工具、位于整个工厂中的工具、主计算机、另一控制器、或在将晶片容器往返半导体制造工厂中的工具位置和/或装载口运输的材料运输中使用的工具通信。









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