保护膜形成用片的制作方法

电气元件制品的制造及其应用技术1.本发明涉及保护膜形成用片。背景技术：2.以往，在将mpu、门阵列等所使用的多引脚的lsi封装体安装于印刷布线基板的情况下，作为半导体芯片，已使用了在其连接焊盘部形成有凸状电极(以下也称为“凸块”)的芯片。其中，采用的是如下所述的倒装芯片安装方法：通过所谓的倒装(face down)方式使这些凸块与芯片搭载用基板上的相应的端子部面对面地接触，并进行熔融/扩散接合。3.近年来，随着电子设备的小型轻量化、薄型化及高功能化，对于内置的电子部件，也要求高密度安装。在专利文献1～3中，为了避免伴随高密度安装的问题，即，为了避免由于α射线侵入半导体集成电路的存储单元中而导致存储内容被改写的软错误问题，提出了低α射线量的焊料材料。4.现有技术文献5.专利文献6.专利文献1：日本专利第4472752号公报7.专利文献2：日本特开2011-214040号公报8.专利文献3：国际公开第2012/120982号小册子技术实现要素：9.发明要解决的课题10.但是，由于对电子部件的高密度安装的要求增高，对半导体芯片所具有的凸块的窄间距化的要求也不断增高。然而，在将半导体芯片所具有的凸块窄间距化时，会产生新的问题。例如，在经由球凸块将半导体芯片与布线基板电连接的工序中，球凸块被压扁而沿横向扩展，产生球凸块彼此接触而引起短路的问题。另外，为了应对进一步高密度安装的要求，也探讨了将半导体封装体沿高度方向堆叠而成的三维高密度安装，在该情况下，由于球凸块会因半导体封装体的自重而逐渐压扁，因此有时会导致短路。11.本发明人等鉴于上述问题而进行了深入研究，开发出了用于形成能够抑制球凸块被压扁而沿横向扩展的保护膜的片。另外，对于具有柱凸块的半导体芯片而言，也考虑到了有时会因柱凸块的弯曲等而使柱凸块彼此接触引起短路。本发明人等发现，所开发出的片在解决柱凸块的这样的问题的方面也是有效的。12.因此，本发明的课题在于提供能够抑制经窄间距化了的凸块彼此的短路的保护膜形成用片。13.解决课题的方法14.本发明人等发现，通过下述发明可以解决上述课题。15.即，本发明涉及下述[1]～[9]。[0016][1]一种保护膜形成用片，其具有固化性树脂膜(x)与支撑片(y)的层叠结构，[0017]所述保护膜形成用片用于在具有多个凸块、且满足下述要件(α1)～(α2)的半导体晶片的凸块形成面形成保护膜(x)。[0018]·要件(α1)：上述凸块的宽度(bmw)(单位:μm)为20μm～350μm。[0019]·要件(α2)：上述凸块的间距(bmp)(单位:μm)和所述凸块的宽度(bmw)(单位:μm)满足下述式(i)。[0020][(bmp)/(bmw)]≤1.0····(i)[0021]其中，所述保护膜形成用片满足下述要件(β1)～(β3)。[0022]·要件(β1)：使上述固化性树脂膜(x)固化而形成的保护膜(x)在23℃下的拉伸模量e’(23℃)为1×107pa～1×1010pa。[0023]·要件(β2)：使上述固化性树脂膜(x)固化而形成的保护膜(x)在260℃下的拉伸模量e’(260℃)为1×105pa～1×108pa。[0024]·要件(β3)：使上述固化性树脂膜(x)固化而形成的保护膜(x)在23℃下的厚度(xt)(单位:μm)和所述凸块的高度(bmh)(单位:μm)满足下述式(ii)。[0025][(xt)/(bmh)]≥0.2····(ii)。[0026][2]根据[1]所述的保护膜形成用片，其还满足下述要件(α3a)。[0027]·要件(α3a)：上述凸块的高度(bmh)和上述凸块的宽度(bmw)满足下述式(iiia)，[0028]0.2≤[(bmh)/(bmw)]≤1.0····(iiia)。[0029][3]根据[1]所述的保护膜形成用片，其还满足下述要件(α3b)。[0030]·要件(α3b)：上述凸块的高度(bmh)和上述凸块的宽度(bmw)满足下述式(iiib)，[0031]0.5≤[(bmh)/(bmw)]≤5.0····(iiib)。[0032][4]根据[1]～[3]中任一项所述的保护膜形成用片，其还满足下述要件(α4)。[0033]·要件(α4)：所述凸块的高度(bmh)为15μm～300μm。[0034][5]根据[1]～[4]中任一项所述的保护膜形成用片，其中，[0035]上述支撑片(y)为背磨胶带。[0036][6]一种带保护膜的半导体晶片的制造方法，该方法包括下述工序(s1)～(s3)，[0037]·工序(s1)：准备具有设置有多个凸块的凸块形成面的半导体晶片的工序；[0038]·工序(s2)：将[1]～[5]中任一项所述的保护膜形成用片以固化性树脂膜(x)为粘贴面边按压边贴合于上述半导体晶片的上述凸块形成面的工序；[0039]·工序(s3)：使固化性树脂膜(x)固化而形成保护膜(x)的工序，[0040]其中，在上述工序(s1)中准备的上述半导体晶片满足下述要件(α1)～(α2)，[0041]·要件(α1)：上述凸块的宽度(bmw)(单位:μm)为20μm～350μm，[0042]·要件(α2)：上述凸块的间距(bmp)(单位:μm)和上述凸块的宽度(bmw)(单位:μm)满足下述式(i)，[0043][(bmp)/(bmw)]≤1.0····(i)。[0044][7]一种带保护膜的半导体芯片的制造方法，该方法包括下述工序(t1)～(t2)，[0045]·工序(t1)：实施[6]所述的制造方法而得到带保护膜的半导体晶片的工序，[0046]·工序(t2)：将上述带保护膜的半导体晶片单片化的工序。[0047][8]一种半导体封装件的制造方法，该方法包括下述工序(u1)～(u2)，[0048]·工序(u1)：实施[7]所述的制造方法而得到带保护膜的半导体芯片的工序，[0049]·工序(u2)：将布线基板与上述带保护膜的半导体芯片经由上述凸块进行电连接的工序。[0050][9]根据[8]所述的半导体封装件的制造方法，该方法还具有工序(u3)，[0051]·工序(u3)：在上述布线基板与上述带保护膜的半导体芯片之间填充底部填充材料的工序。[0052]发明的效果[0053]根据本发明，可以提供能够抑制经窄间距化了的凸块彼此的短路的保护膜形成用片。附图说明[0054]图1是示出本发明的保护膜形成用片的构成的剖面示意图。[0055]图2是示出本发明的一个方式的保护膜形成用片的构成的一例的剖面示意图。[0056]图3是示出本发明的一个方式的保护膜形成用片的构成的另一例的剖面示意图。[0057]图4是示出本发明的一个方式的保护膜形成用片的构成的另一例的剖面示意图。[0058]图5是示出具有多个凸块的半导体晶片的一例的剖面示意图。[0059]图6是示出具有多个凸块的半导体晶片的另一例的剖面示意图。[0060]图7是用于对凸块的间距(bmp)及凸块的宽度(bmw)进行定义而放大的半导体晶片上的3个凸块的俯视图。[0061]图8是对本发明的一个方式的带保护膜的半导体晶片的制造方法的工序(s2)进行说明的剖面示意图。[0062]图9是对本发明的一个方式的带保护膜的半导体晶片的制造方法的工序(s3)进行说明的剖面示意图。[0063]图10是对本发明的一个方式的半导体封装件的制造方法的工序(u2)进行说明的剖面示意图。[0064]图11是示出凸块的高度(bmh)(单位:μm)与将固化性树脂膜(x)固化而形成的保护膜(x)在23℃下的厚度(xt)(单位:μm)的关系的剖面示意图。[0065]符号说明[0066]1、1a、1b、1cꢀꢀꢀꢀ保护膜形成用片[0067]xꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ固化性树脂膜[0068]x1ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ热固性树脂膜[0069]x2ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ能量线固化性树脂膜[0070]xꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ保护膜[0071]yꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ支撑片[0072]11ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ基材[0073]21ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ粘合剂层[0074]31ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ中间层[0075]40ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ带凸块的半导体晶片[0076]41ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ半导体晶片[0077]41aꢀꢀꢀꢀꢀꢀ凸块形成面[0078]bmꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ凸块[0079]cpꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ带保护膜的半导体芯片[0080]zꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ布线基板[0081]z1ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ布线具体实施方式[0082]在本说明书中，“有效成分”是指在作为对象的组合物所包含的成分中除水、有机溶剂等稀释溶剂以外的成分。[0083]另外，在本说明书中，“(甲基)丙烯酸”表示“丙烯酸”和“甲基丙烯酸”这两者，其它类似用语也同样。[0084]以外，在本说明书中，重均分子量及数均分子量是通过凝胶渗透色谱(gpc)法测定的聚苯乙烯换算值。[0085]另外，在本说明书中，对于优选的数值范围(例如，含量等的范围)，分步记载的下限值及上限值可以各自独立地进行组合。例如，根据“优选为10～90、更优选为30～60”这样的记载，可以将“优选的下限值(10)”与“更优选的上限值(60)”进行组合而的得到“10～60”。[0086][保护膜形成用片的方式][0087]本发明的保护膜形成用片具有固化性树脂膜(x)与支撑片(y)的层叠结构。[0088]本发明的保护膜形成用片用于在具有多个凸块、且满足下述要件(α1)～(α2)的半导体晶片的凸块形成面形成保护膜(x)。[0089]·要件(α1)：上述凸块的宽度(bmw)(单位:μm)为20μm～350μm。[0090]·要件(α2)：上述凸块的间距(bmp)(单位:μm)和上述凸块的宽度(bmw)(单位:μm)满足下述式(i)。[0091][(bmp)/(bmw)]≤1.0····(i)[0092]而且，本发明的保护膜形成用片满足下述要件(β1)～(β3)。[0093]·要件(β1)：使上述固化性树脂膜(x)固化而形成的保护膜(x)在23℃下的拉伸模量e’(23℃)为1×107pa～1×1010pa。[0094]·要件(β2)：使上述固化性树脂膜(x)固化而形成的保护膜(x)在260℃下的拉伸模量e’(260℃)为1×105pa～1×108pa。[0095]·要件(β3)：使上述固化性树脂膜(x)固化而形成的保护膜(x)在23℃下的厚度(xt)(单位:μm)和上述凸块的高度(bmh)(单位:μm)满足下述式(ii)。[0096][(xt)/(bmh)]≥0.2····(ii)[0097]即，本发明的保护膜形成用片用于满足上述要件(α1)～(α2)的具有经窄间距化了的凸块的半导体晶片的凸块形成面。而且，本发明的保护膜形成用片具有固化性树脂膜(x)与支撑片(y)的层叠结构作为具体的构成，且满足固化性树脂膜(x)相关的上述要件(β1)～(β3)。[0098]本发明人等发现，通过使用具有固化性树脂膜(x)与支撑片(y)的层叠结构、且满足固化性树脂膜(x)相关的上述要件(β1)～(β3)的保护膜形成用片，在满足上述要件(α1)～(α2)的具有经窄间距化了的凸块的半导体晶片的凸块形成面形成保护膜(x)，从而能够抑制凸块的压扁及变形，可以抑制经窄间距化了的凸块彼此的短路。[0099]以下，对本发明的保护膜形成用片中限定的与保护膜(x)相关的上述要件(β1)～(β3)进行说明。[0100]＜要件(β1)＞[0101]要件(β1)限定了将固化性树脂膜(x)固化而形成的保护膜(x)在23℃下的拉伸模量e’(23℃)为1×107pa～1×1010pa。[0102]拉伸模量e’(23℃)小于1×107pa时，保护膜(x)无法抑制凸块的压扁及变形，存在凸块彼此接触而发生短路的隐患。[0103]另一方面，拉伸模量e’(23℃)超过1×1010pa时，加热冷却时的应力增高，对凸块施加负荷，可靠性降低。[0104]这里，从更易于抑制凸块的压扁及变形、并且抑制加热冷却时对凸块施加的负荷的观点考虑，使固化性树脂膜(x)固化而形成的保护膜(x)在23℃下的拉伸模量e’(23℃)优选为3×107pa～8×109pa、更优选为5×107pa～7×109pa、进一步优选为7×107pa～6×109pa。[0105]需要说明的是，具有要件(β1)所限定的拉伸模量e’(23℃)的保护膜(x)可将固化性树脂膜(x)固化而形成。用于形成保护膜(x)的固化性树脂膜(x)的制备方法如后所述。[0106]＜要件(β2)＞[0107]要件(β2)限定了使固化性树脂膜(x)固化而形成的保护膜(x)在260℃下的拉伸模量e’(260℃)为1×105pa～1×108pa。[0108]拉伸模量e’(260℃)小于1×105pa时，特别是在经由凸块将布线基板与具有凸块的半导体晶片电连接的工序中的加热温度范围(例如，250℃～270℃)内，保护膜(x)无法抑制凸块的压扁及变形，存在凸块彼此接触而发生短路的隐患。[0109]另一方面，拉伸模量e’(260℃)超过1×108pa时，加热冷却时的应力增高，对凸块施加负荷，可靠性及接合性降低。[0110]这里，从更容易抑制凸块的压扁及变形、并且抑制加热冷却时对凸块施加的负荷的观点考虑，使固化性树脂膜(x)固化而形成的保护膜(x)在260℃下的拉伸模量e’(260℃)优选为7×105pa～3×107pa、更优选为9×105pa～2×107pa、进一步优选为1×106pa～1.5×107pa。[0111]需要说明的是，具有要件(β2)所限定的拉伸模量e’(260℃)的保护膜(x)可将固化性树脂膜(x)固化而形成。用于形成保护膜(x)的固化性树脂膜(x)的制备方法如后所述。[0112]＜要件(β3)＞[0113]要件(β3)限定了使固化性树脂膜(x)固化而形成的保护膜(x)在23℃下的厚度(xt)(单位:μm)与上述凸块的高度(bmh)(单位:μm)的关系。具体而言，满足下述式(ii)。[0114][(xt)/(bmh)]≥0.2····(ii)[0115][(xt)/(bmh)]＜0.2时，保护膜(x)的包覆高度相对于凸块的高度(bmh)不足，保护膜(x)无法抑制凸块的压扁及变形，存在凸块彼此接触而发生短路的隐患。[0116]需要说明的是，[(xt)/(bmh)]的上限值没有特别限定，从使凸块顶部从保护膜(x)露出的观点考虑，优选为1.0以下、更优选小于1.0。[0117]这里，从更容易抑制凸块的压扁及变形的观点、以及使凸块顶部从保护膜(x)露出的观点考虑，在要件(β3)中，优选满足下述式(iia)。[0118]p≤[(xt)/(bmh)]≤q····(iia)[0119]式(iia)中，p为0.2、优选为0.30、更优选为0.40、进一步优选为0.50。[0120]另外，式(iia)中，q优选为1.0、更优选为0.90、进一步优选为0.80。[0121]需要说明的是，满足要件(β3)所限定的关系的固化性树脂膜(x)的厚度可以基于固化性树脂膜(x)的厚度与使固化性树脂膜(x)固化而形成的保护膜(x)的厚度的关系、以及作为使用对象的半导体晶片所具有的凸块的高度等信息而进行调整。[0122]图11中示出了凸块的高度(bmh)(单位:μm)与使固化性树脂膜(x)固化而形成的保护膜(x)在23℃下的厚度(xt)(单位:μm)的关系。[0123]如图11所示，使固化性树脂膜(x)固化而形成的保护膜(x)在23℃下的厚度(xt)(单位:μm)是指，着眼于测定了凸块高度(bmh)的凸块(凸块bm)，在该凸块与保护膜(x)的接触部中最远离凸块形成面41a的位置50距凸块形成面41a的高度。[0124]其中，最远离凸块形成面41a的位置50在形成于凸块形成面41a的保护膜(x)连续存在的区域内确定。因此，例如，最远离凸块形成面41a的位置50不是从在凸块顶部局部存在、且通过后述的露出处理(等离子蚀刻处理)被除去的保护膜(x)与凸块的接触部确定的。另外，在进行后述的露出处理(等离子蚀刻处理)的情况下，由该露出处理形成的保护膜(x)后退后的厚度需要满足上述式(ii)(为0.2μm以上)。即，不论有无后述的露出处理，保护膜(x)的厚度当然在即将进行经由球凸块将半导体芯片与布线基板电连接的工序之前需要满足上述式(ii)(为0.2μm以上)。[0125]凸块的高度(bmh)和保护膜(x)的厚度(xt)例如可以通过以下方式测定：将带有保护膜(x)的半导体晶片以与凸块形成面垂直的方向且通过凸块的中心的方式割断，对割断后的截面进行光学显微镜观察。[0126]以下，对于本发明的保护膜形成用片，基于用于形成满足要件(β1)及要件(β2)的保护膜(x)的固化性树脂膜(x)的制备方法详细地进行说明。[0127]《保护膜形成用片的构成》[0128]将本发明的保护膜形成用片的构成例示于图1。[0129]本发明的一个方式的保护膜形成用片如图1所示的保护膜形成用片1那样在支撑片(y)的一面具备固化性树脂膜(x)。通过在支撑片(y)的一面具备固化性树脂膜(x)，在作为产品封装体而运送固化性树脂膜(x)、在工序内运送固化性树脂膜(x)时，固化性树脂膜(x)被稳定地支撑/保护。[0130]另外，将本发明的一个方式的保护膜形成用片的构成例示于图2～4。[0131]本发明的一个方式的保护膜形成用片如图2所示的保护膜形成用片1a那样，支撑片(y)为基材11，在基材11的一面具备固化性树脂膜(x)。[0132]另外，本发明的一个方式的保护膜形成用片如图3所示的保护膜形成用片1b那样，支撑片(y)为层叠有基材11和粘合剂层21的粘合片，该粘合片的粘合剂层21与固化性树脂膜(x)可以贴合在一起。[0133]此外，本发明的一个方式的保护膜形成用片如图4所示的保护膜形成用片1c那样，支撑片(y)为依次层叠有基材11、中间层31及粘合剂层21的粘合片，该粘合片的粘合剂层21与固化性树脂膜(x)可以贴合在一起。依次层叠有基材11、中间层31及粘合剂层21的粘合片可以适宜地用作背磨胶带。即，图4所示的保护膜形成用片1c由于具有背磨胶带作为支撑片(y)，因此，在将保护膜形成用片1c的固化性树脂膜(x)与具有多个凸块的半导体晶片的凸块形成面贴合后，在对半导体晶片的与凸块形成面相反侧的一面(以下也称为“半导体晶片的背面”)进行磨削而将半导体晶片薄化处理时可以适宜地使用。[0134]以下，对本发明的保护膜形成用片所使用的固化性树脂膜(x)及支撑片(y)进行说明。[0135]《固化性树脂膜(x)》[0136]固化性树脂膜(x)时用于保护具有多个凸块的半导体晶片的凸块形成面的膜，通过基于加热或能量线照射的固化而形成保护膜(x)。即，固化性树脂膜(x)可以是通过加热而固化的热固性树脂膜(x1)，也可以是通过能量线照射而固化的能量线固化性树脂膜(x2)。[0137]需要说明的是，在本说明书中，“能量线”是指电磁波或带电粒子线中具有能量量子的射线。作为其例子，可以举出紫外线、电子束等，可优选举出紫外线。[0138]固化性树脂膜(x)的物性可以通过调整固化性树脂膜(x)的含有成分的种类及量中的任意一者或两者来进行调整。[0139]以下，对热固性树脂膜(x1)及能量线固化性树脂膜(x2)进行说明。[0140]＜热固性树脂膜(x1)＞[0141]热固性树脂膜(x1)含有聚合物成分(a)及热固性成分(b)。[0142]热固性树脂膜(x1)例如由含有聚合物成分(a)及热固性成分(b)的热固性树脂组合物(x1-1)形成。[0143]聚合物成分(a)可被认为是聚合性化合物发生聚合反应而形成的成分。另外，热固性成分(b)是能够以热作为反应的触发因子而进行固化(聚合)反应的成分。需要说明的是，该固化(聚合)反应也包括缩聚反应。[0144]需要说明的是，在本说明书的以下记载中，“热固性树脂组合物(x1-1)的有效成分的总量中的各成分的含量”与“由热固性树脂组合物(x1-1)形成的热固性树脂膜(x1)的各成分的含量”含义相同。[0145](聚合物成分(a))[0146]热固性树脂膜(x1)及热固性树脂组合物(x1-1)含义聚合物成分(a)。[0147]聚合物成分(a)是用于对热固性树脂膜(x1)赋予成膜性、挠性等的聚合物化合物。聚合物成分(a)可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。在组合使用2种以上聚合物成分(a)的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。[0148]作为聚合物成分(a)，可以列举例如：聚乙烯醇缩醛、丙烯酸类树脂(具有(甲基)丙烯酰基的树脂)、聚酯、氨基甲酸酯类树脂(具有氨基甲酸酯键的树脂)、丙烯酸氨基甲酸酯树脂、有机硅类树脂(具有硅氧烷键的树脂)、橡胶类树脂(具有橡胶结构的树脂)、苯氧树脂、以及热固性聚酰亚胺等。这些可以单独使用1种，或者组合使用2种以上。[0149]其中，优选为选自聚乙烯醇缩醛及丙烯酸类树脂中的1种以上。[0150]以下，举出作为聚合物成分(a)优选的聚乙烯醇缩醛及丙烯酸类树脂为例进行说明。[0151]·聚乙烯醇缩醛[0152]作为用作聚合物成分(a)的聚乙烯醇缩醛，没有特别限定，例如，可以使用公知的聚乙烯醇缩醛。[0153]这里，在聚乙烯醇缩醛当中，可以列举例如：聚乙烯醇缩甲醛、聚乙烯醇缩丁醛等，更优选为聚乙烯醇缩丁醛。[0154]作为聚乙烯醇缩丁醛，从提高半导体晶片的凸块形成面与保护膜(x)的密合性的观点考虑，优选具有以下述式(i-1)、(i-2)及(i-3)表示的结构单元。[0155][化学式1][0156][0157]在上述式(i-1)、(i-2)及(i-3)中，p、q及r为各个结构单元的含有比例(摩尔％)。[0158]聚乙烯醇缩醛的重均分子量(mw)优选为5000～200000，更优选为8000～100000，进一步优选为9000～80000，更进一步优选为10000～50000。通过使聚乙烯醇缩醛的重均分子量为这样的范围，易于提高半导体晶片的凸块形成面与保护膜(x)的密合性。另外，抑制凸块的上部(凸块的顶部和其附近区域)的保护膜(x)残留的效果进一步提高。[0159]以上述式(i-1)表示的缩丁醛基的结构单元的含有比例p(缩丁醛化度)以聚合物成分(a)的全部结构单元基准计优选为40～90摩尔％，更优选为50～85摩尔％，进一步优选为60～76摩尔％。[0160]以上述式(i-2)表示的具有乙酰基的结构单元的含有比例q以聚合物成分(a)的全部结构单元基准计优选为0.1～9摩尔％，更优选为0.5～8摩尔％，进一步优选为1～7摩尔％。[0161]以上述式(i-3)表示的具有羟基的结构单元的含有比例r以聚合物成分(a)的全部结构单元基准计优选为10～60摩尔％，更优选为10～50摩尔％，进一步优选为20～40摩尔％。[0162]聚乙烯醇缩醛的玻璃化转变温度(tg)优选为40～80℃，更优选为50～70℃。通过使聚乙烯醇缩醛的tg为这样的范围，在将热固性树脂膜(x1)粘贴于带有凸块的晶片的凸块形成面时，抑制凸块的上述上部的保护膜(x)残留的效果进一步提高，而且，能够使通过将热固性树脂层热固化而形成的保护膜的硬度变得充分。[0163]需要说明的是，在本说明书中，聚合物(树脂)的玻璃化转变温度(tg)是如后所述通过实施例中记载的方法测定的值。[0164]构成聚乙烯醇缩丁醛的上述3种结构单元的含有比率可以根据期望的物性而任意调整。[0165]另外，聚乙烯醇缩丁醛可以具有上述3种结构单元以外的结构单元，上述3种结构单元的含量以聚乙烯醇缩丁醛的总量基准计优选为80～100摩尔％、更优选为90～100摩尔％、进一步优选为100摩尔％。[0166]·丙烯酸类树脂[0167]作为丙烯酸类树脂，可以举出公知的丙烯酸聚合物。[0168]丙烯酸类树脂的重均分子量(mw)优选为10000～2000000，更优选为100000～1500000。[0169]通过使丙烯酸类树脂的重均分子量为上述的下限值以上，易于提高热固性树脂膜(x1)的形状稳定性(保管时的经时稳定性)。另外，通过使丙烯酸类树脂的重均分子量为上述的上限值以下，固性树脂膜(x1)变得易于跟随热被粘附物的凹凸面，例如，易于抑制在被粘附物与热固性树脂膜(x1)之间产生空隙等。[0170]丙烯酸类树脂的玻璃化转变温度(tg)优选为-60～70℃、更优选为-30～50℃。[0171]通过使丙烯酸类树脂的玻璃化转变温度(tg)为上述的下限值以上，保护膜(x)与支撑片(y)的粘接力受到抑制，支撑片(y)的剥离性提高。另外，通过使丙烯酸类树脂的玻璃化转变温度(tg)为上述的上限值以下，热固性树脂膜(x1)及保护膜(x)的被粘附物的粘接力提高。[0172]作为丙烯酸类树脂，可列举例如：一种或两种以上(甲基)丙烯酸酯的聚合物；选自(甲基)丙烯酸、衣康酸、乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯及n-羟甲基丙烯酰胺等中的两种以上单体的共聚物等。[0173]作为构成丙烯酸类树脂的(甲基)丙烯酸酯，可列举例如：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯((甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯((甲基)丙烯酸肉豆蔻酯)、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯((甲基)丙烯酸棕榈酯)、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、及(甲基)丙烯酸十八烷基酯((甲基)丙烯酸硬脂酯)等构成烷基酯的烷基是碳原子数为1～18的链状结构的(甲基)丙烯酸烷基酯；[0174](甲基)丙烯酸异冰片酯及(甲基)丙烯酸二环戊酯等(甲基)丙烯酸环烷基酯；[0175](甲基)丙烯酸苄酯等(甲基)丙烯酸芳烷基酯；[0176](甲基)丙烯酸二环戊烯酯等(甲基)丙烯酸环烯基酯；[0177](甲基)丙烯酸二环戊烯氧基乙酯等(甲基)丙烯酸丙烯酸环烯氧基烷基酯；[0178](甲基)丙烯酰亚胺；[0179](甲基)丙烯酸缩水甘油酯等含缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯；[0180](甲基)丙烯酸羟基甲酯、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丁酯、以及(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯等含羟基的(甲基)丙烯酸酯；[0181](甲基)丙烯酸n-甲基氨基乙酯等含取代氨基的(甲基)丙烯酸酯等。[0182]在本说明书中，“取代氨基”是指氨基的1个或2个氢原子被氢原子以外的基团取代而成的基团。[0183]丙烯酸类树脂例如除了(甲基)丙烯酸酯以外，还可以是选自(甲基)丙烯酸、衣康酸、乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯及n-羟甲基丙烯酰胺等的1种以上单体共聚而成的。[0184]构成丙烯酸类树脂的单体可以为单独1种，也可以为2种以上。在构成丙烯酸类树脂的单体为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。[0185]丙烯酸类树脂也可以具有乙烯基、(甲基)丙烯酰基、氨基、羟基、羧基、及异氰酸酯基等能够与其它化合物键合的官能团。[0186]丙烯酸类树脂的上述官能团可以经由后述的交联剂(f)而与其它化合物键合，也可以不经由交联剂(f)而与其它化合物直接键合。通过利用上述官能团将丙烯酸类树脂与其它化合物键合，具有使用热固性树脂膜(x1)而得到的封装件的可靠性提高的倾向。[0187]·其它树脂[0188]这里，在本发明的一个方式中，作为聚合物成分(a)，可以不使用丙烯酸类树脂而单独使用聚乙烯醇缩醛及丙烯酸类树脂以外的热塑性树脂(以下，有时简称为“热塑性树脂”)，也可以组合使用聚乙烯醇缩醛和/或丙烯酸类树脂。[0189]通过使用热塑性树脂，有时候保护膜(x)从支撑片(y)上剥离的剥离性提高，热固性树脂膜(x1)易于跟随被粘附物的凹凸面，在被粘附物与热固性树脂膜(x1)之间产生空隙等受到抑制。[0190]热塑性树脂的重均分子量优选为1000～100000、更优选为3000～80000。[0191]上述热塑性树脂的玻璃化转变温度(tg)优选为-30～150℃、更优选为-20～120℃。[0192]作为热塑性树脂，可列举例如：聚酯、聚氨酯、苯氧树脂、聚丁烯、聚丁二烯、以及聚苯乙烯等。[0193]热塑性树脂可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。在热塑性树脂为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。[0194]·聚合物成分(a)的含量[0195]从易于得到满足要件(β1)及要件(β2)的保护膜(x)的观点考虑，聚合物成分(a)的含量以热固性树脂组合物(x1-1)的有效成分的总量基准计优选为5～85质量％、更优选为10～80质量％、进一步优选为15～70质量％、更进一步优选为15～60质量％、更进一步优选为15～50质量％。[0196]·优选的聚合物成分(a)的方式[0197]如上所述，作为聚合物成分(a)，优选为选自聚乙烯醇缩醛及丙烯酸类树脂的1种以上，从更易于得到满足要件(β1)及要件(β2)的保护膜(x)的观点考虑，聚合物成分(a)优选为聚乙烯醇缩醛。[0198]需要说明的是，有时聚合物成分(a)也属于热固性成分(b)。在本发明中，在热固性树脂组合物(x1-1)含有这样的属于聚合物成分(a)及热固性成分(b)这两者的成分的情况下，热固性树脂组合物(x1-1)被视为含有聚合物成分(a)及热固性成分(b)这两者。[0199](热固性成分(b))[0200]热固性树脂膜(x1)及热固性树脂组合物(x1-1)含有热固性成分(b)。[0201]热固性成分(b)是用于使热固性树脂膜(x1)固化而形成硬质的保护膜(x)的成分。[0202]热固性成分(b)可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。在热固性成分(b)为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。[0203]作为热固性成分(b)，可以列举例如：环氧类热固性树脂、热固性聚酰亚胺、聚氨酯、不饱和聚酯、以及有机硅树脂等。其中，优选为环氧类热固性树脂。[0204]环氧类热固性树脂包含环氧树脂(b1)及热固化剂(b2)。[0205]环氧类热固性树脂可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。在环氧类热固性树脂为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。[0206]·环氧树脂(b1)[0207]作为环氧树脂(b1)，可列举公知的环氧树脂，可列举例如：多官能类环氧树脂、联苯化合物、双酚a二缩水甘油醚及其加氢产物、邻甲酚酚醛清漆环氧树脂、双环戊二烯型环氧树脂、联苯型环氧树脂、双酚a型环氧树脂、双酚f型环氧树脂、亚苯基骨架型环氧树脂等、以及双官能以上的环氧化合物。[0208]作为环氧树脂(b1)，也可以使用具有不饱和烃基的环氧树脂。与不具有不饱和烃基的环氧树脂相比，具有不饱和烃基的环氧树脂与丙烯酸类树脂的相容性更高。因此，通过使用具有不饱和烃基的环氧树脂，使用热固性树脂膜(x1)而得到的封装体的可靠性提高。[0209]作为具有不饱和烃基的环氧树脂，可列举例如：多官能类环氧树脂的环氧基的一部分被转换为具有不饱和烃基的基团而成的化合物。这样的化合物例如可通过使(甲基)丙烯酸或其衍生物与环氧基进行加成反应而得到。另外，作为具有不饱和烃基的环氧树脂，可列举例如：具有不饱和烃基的基团直接键合于构成环氧树脂的芳环等而成的化合物等。[0210]不饱和烃基是具有聚合性的不饱和基团，作为其具体例，可列举乙烯基(vinyl group、ethenyl group)、2-丙烯基(烯丙基)、(甲基)丙烯酰基、及(甲基)丙烯酰胺基等。其中，优选为丙烯酰基。[0211]环氧树脂(b1)的数均分子量没有特别限定，从热固性树脂膜(x1)的固化性、以及固化后的保护膜(x)的强度及耐热性的观点考虑，优选为300～30000、更优选为400～10000、进一步优选为500～3000。[0212]环氧树脂(b1)的环氧当量优选为100～1000g/eq、更优选为300～800g/eq。[0213]环氧树脂(b1)可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。在组合使用2种以上环氧树脂(b1)的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。[0214]·热固化剂(b2)[0215]热固化剂(b2)作为环氧树脂(b1)的固化剂而发挥功能。[0216]作为热固化剂(b2)，可列举例如：在1分子中具有2个以上能够与环氧基反应的官能团的化合物。作为上述官能团，可列举例如：酚羟基、醇羟基、氨基、羧基、及酸基经酸酐化而成的基团等，优选为酚羟基、氨基、或酸基经酸酐化而成的基团，更优选为酚羟基或氨基。[0217]作为热固化剂(b2)中的具有酚羟基的酚类固化剂，可列举例如：多官能酚醛树脂、联苯酚、酚醛清漆型酚醛树脂、双环戊二烯类酚醛树脂、以及芳烷基酚醛树脂等。[0218]作为热固化剂(b2)中的具有氨基的胺类固化剂，可列举例如：双氰胺(以下有时也简称为“dicy”)等。[0219]热固化剂(b2)也可以是具有不饱和烃基的热固化剂。[0220]作为具有不饱和烃基的热固化剂(b2)，可列举例如：酚醛树脂的羟基的一部分被具有不饱和烃基的基团取代而成的化合物、或具有不饱和烃基的基团直接键合于酚醛树脂的芳环而成的化合物等。热固化剂(b2)中的上述不饱和烃基是与上述具有不饱和烃基的环氧树脂中的不饱和烃基相同的基团。[0221]使用酚类固化剂作为热固化剂(b2)的情况下，从易于提高保护膜(x)相对于支撑片(y)的剥离性的观点出发，热固化剂(b2)优选为软化点或玻璃化转变温度高的热固化剂。[0222]热固化剂(b2)中的例如多官能酚醛树脂、酚醛清漆型酚醛树脂、双环戊二烯类酚醛树脂、及芳烷基酚醛树脂等树脂成分的数均分子量优选为300～30000、更优选为400～10000、进一步优选为500～3000。[0223]热固化剂(b2)中的例如联苯酚、双氰胺等非树脂成分的分子量没有特殊限定，但优选为例如60～500。[0224]热固化剂(b2)可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。在热固化剂(b2)为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。[0225]在热固性树脂组合物(x1-1)中，热固化剂(b2)的含量相对于环氧树脂(b1)的含量100质量份优选为0.1～500质量份、更优选为1～200质量份。通过使热固化剂(b2)的含量为上述的下限值以上，热固性树脂膜(x1)的固化更容易进行。另外，通过使热固化剂(b2)的含量为上述的上限值以下，热固性树脂膜(x1)的吸湿率降低，使用热固性树脂膜(x1)得到的封装体的可靠性进一步提高。[0226]在热固性树脂组合物(x1-1)中，热固性成分(b)的含量(环氧树脂(b1)及热固化剂(b2)的合计含量)相对于聚合物成分(a)的含量100质量份优选为50～1000质量份、更优选为70～800质量份、进一步优选为80～600质量份、更进一步优选为90～500质量份、更进一步优选为100～400质量份。通过使热固性成分(b)的含量为这样的范围，保护膜(x)与支撑片(y)的粘接力受到抑制，支撑片(y)的剥离性提高。另外，可以易于得到满足要件(β1)及要件(β2)的保护膜(x)。需要说明的是，具有越增加热固性成分(b)相对于聚合物成分(a)的量，越易于提高拉伸模量e’的倾向。反之，具有越减少热固性成分(b)相对于聚合物成分(a)的量，越降低拉伸模量e’的倾向。[0227](固化促进剂(c))[0228]热固性树脂膜(x1)及热固性树脂组合物(x1-1)可以含有固化促进剂(c)。[0229]固化促进剂(c)是用于调整热固性树脂组合物(x1-1)的固化速度的成分。[0230]作为优选的固化促进剂(c)，可列举例如：三亚乙基二胺、苄基二甲基胺、三乙醇胺、二甲基氨基乙醇、三(二甲基氨基甲基)苯酚等叔胺；2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑等咪唑类(1个以上氢原子被氢原子以外的基团取代而成的咪唑)；三丁基膦、二苯基膦、三苯基膦等有机膦类(1个以上氢原子被有机基团取代而成的膦)；四苯基四苯基硼酸盐、三苯基膦四苯基硼酸盐等四苯基硼酸盐等。[0231]固化促进剂(c)可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。在固化促进剂(c)为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。[0232]在热固性树脂组合物(x1-1)中，使用固化促进剂(c)时的固化促进剂(c)的含量相对于热固性成分(b)的含量100质量份优选为0.01～10质量份、更优选为0.1～5质量份。通过使固化促进剂(c)的含量为上述的下限值以上，容易更显著地获得使用了固化促进剂(c)所带来的效果。另外，通过使固化促进剂(c)的含量为上述的上限值以下，例如，抑制高极性的固化促进剂(c)在高温/高湿度条件下于热固性树脂膜(x1)中向与被粘附物的粘接界面侧移动而偏析的效果增高，使用热固性树脂膜(x1)得到的封装体的可靠性进一步提高。[0233](填充材料(d))[0234]热固性树脂膜(x1)及热固性树脂组合物(x1-1)可以含有填充材料(d)。[0235]通过含有填充材料(d)，易于将使固化性树脂膜(x1)固化而得到的保护膜(x)的热膨胀系数调整为适当的范围，使用热固性树脂膜(x1)得到的封装体的可靠性进一步提高。另外，通过使热固性树脂膜(x1)含有填充材料(d)，也可以降低保护膜(x)的吸湿率，提高散热性。[0236]填充材料(d)可以是有机填充材料及无机填充材料中的任意材料，但优选为无机填充材料。作为优选的无机填充材料，可列举例如：二氧化硅、氧化铝、滑石、碳酸钙、钛白、铁红、碳化硅、氮化硼等粉末；将这些无机填充材料制成球形而成的珠粒；这些无机填充材料的表面改性品；这些无机填充材料的单晶纤维；玻璃纤维等。[0237]填充材料(d)可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。[0238]在填充材料(d)为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。[0239]使用填充材料(d)时的填充材料(d)的含量以热固性树脂组合物(x1-1)的有效成分的总量基准计优选为5～80质量％、更优选为7～60质量％。通过使填充材料(d)的含量为这样的范围，更容易进行上述热膨胀系数的调整。[0240]填充材料(d)的平均粒径优选为5nm～1000nm、更优选为5nm～500nm、进一步优选为10nm～300nm。上述的平均粒径是在多个部位测定1个粒子的外径并求其平均值而得到的。[0241](偶联剂(e))[0242]热固性树脂膜(x1)及热固性树脂组合物(x1-1)可以含有偶联剂(e)。[0243]作为偶联剂(e)，通过使用具有能够与无机化合物或有机化合物发生反应的官能团的偶联剂，易于提高热固性树脂膜(x1)对于被粘附物的粘接性及密合性。另外，通过使用偶联剂(e)，将热固性树脂膜(x1)固化而得到的保护膜(x)不会损害耐热性，而且易于提高耐水性。[0244]偶联剂(e)优选为具有能够与聚合物成分(a)及热固性成分(b)等所具有的官能团反应的官能团的化合物，更优选为硅烷偶联剂。作为优选的硅烷偶联剂，可列举例如：3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷、3-环氧丙氧基甲基二乙氧基硅烷、2-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-(2-氨基乙基氨基)丙基三甲氧基硅烷、3-(2-氨基乙基氨基)丙基甲基二乙氧基硅烷、3-(苯基氨基)丙基三甲氧基硅烷、3-苯胺基丙基三甲氧基硅烷、3-脲丙基三乙氧基硅烷、3-巯基丙基三甲氧基硅烷、3-巯基丙基甲基二甲氧基硅烷、双(3-三乙氧基甲硅烷基丙基)四硫化物、甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、及咪唑硅烷等。[0245]偶联剂(e)可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。在偶联剂(e)为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。[0246]在热固性树脂组合物(x1-1)中，使用偶联剂(e)时的偶联剂(e)的含量相对于聚合物成分(a)及热固性成分(b)的合计含量100质量份优选为0.03～20质量份、更优选为0.05～10质量份、进一步优选为0.1～5质量份。通过使偶联剂(e)的含量为上述的下限值以上，可以更显著地获得填充材料(d)在树脂中的分散性的提高、热固性树脂膜(x1)与被粘附物的粘接性的提高等使用了偶联剂(e)所带来的效果。另外，通过使偶联剂(e)的含量为上述的上限值以下，可进一步抑制脱气(outgas)的发生。[0247](交联剂(f))[0248]作为聚合物成分(a)，在使用上述的丙烯酸类树脂等具有能够与其它化合物键合的乙烯基、(甲基)丙烯酰基、氨基、羟基、羧基或异氰酸酯基等官能团的成分的情况下，热固性树脂膜(x1)及热固性树脂组合物(x1-1)可以含有用于使上述官能团与其它化合物键合而进行交联的交联剂(f)。[0249]通过使用交联剂(f)进行交联，可以对热固性树脂膜(x1)的初期粘接力及凝聚力进行调节。[0250]作为交联剂(f)，可列举例如：有机多异氰酸酯化合物、有机多亚胺化合物、金属螯合物类交联剂(具有金属螯合物结构的交联剂)、以及氮丙啶类交联剂(具有氮丙啶基的交联剂)等。[0251]作为有机多异氰酸酯化合物，可列举例如：芳香族多异氰酸酯化合物、脂肪族多异氰酸酯化合物及脂环族多异氰酸酯化合物(以下有时也将这些化合物统一简称为“芳香族多异氰酸酯化合物等”)；上述芳香族多异氰酸酯化合物等三聚物、异氰脲酸酯体及加合物；使上述芳香族多异氰酸酯化合物等和多元醇化合物反应而得到的末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物等。上述“加合物”表示上述芳香族多异氰酸酯化合物、脂肪族多异氰酸酯化合物或脂环族多异氰酸酯化合物与乙二醇、丙二醇、新戊二醇、三羟甲基丙烷或蓖麻油等低分子含活泼氢化合物的反应物，作为其例子，可列举三羟甲基丙烷的苯二亚甲基二异氰酸酯加成物等。[0252]作为有机多异氰酸酯化合物，更具体地，可列举例如：2,4-甲苯二异氰酸酯；2,6-甲苯二异氰酸酯；1,3-苯二亚甲基二异氰酸酯；1,4-二甲苯二异氰酸酯；二苯基甲烷-4,4’‑二异氰酸酯；二苯基甲烷-2,4’‑二异氰酸酯；3-甲基二苯基甲烷二异氰酸酯；六亚甲基二异氰酸酯；异佛尔酮二异氰酸酯；二环己基甲烷-4,4’‑二异氰酸酯；二环己基甲烷-2,4’‑二异氰酸酯；三羟甲基丙烷等多元醇的全部或部分羟基上加成有甲苯二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯及苯二亚甲基二异氰酸酯中的任意一种或两种以上而成的化合物；赖氨酸二异氰酸酯等。[0253]作为上述有机多亚胺化合物，可列举例如：n,n’‑二苯基甲烷-4,4’‑双(1-氮丙啶甲酰胺)、三羟甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、四羟甲基甲烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、及n,n’‑甲苯-2,4-双(1-氮丙啶甲酰胺)三亚乙基三聚氰胺等。[0254]在使用有机多异氰酸酯化合物作为交联剂(f)的情况下，作为聚合物成分(a)，优选使用含羟基的聚合物。在交联剂(f)具有异氰酸酯基、聚合物成分(a)具有羟基的情况下，可通过交联剂(f)与聚合物成分(a)的反应而简便地向热固性树脂膜(x1)导入交联结构。[0255]交联剂(f)可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。在交联剂(f)为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。[0256]在热固性树脂组合物(x1-1)中，使用交联剂(f)时的交联剂(f)的含量相对于聚合物成分(a)的含量100质量份优选为0.01～20质量份、更优选为0.1～10质量份、进一步优选为0.5～5质量份。通过使交联剂(f)的上述含量在上述下限值以上，可更显著地获得使用交联剂(f)而带来的效果。另外，通过使交联剂(f)的上述含量在上述上限值以下，可抑制交联剂(f)的过量使用。[0257](能量线固化性树脂(g))[0258]热固性树脂膜(x1)及热固性树脂组合物(x1-1)可以含有能量线固化性树脂(g)。[0259]热固性树脂膜(x1)通过含有能量线固化性树脂(g)，能够基于能量线的照射而改变特性。[0260]能量线固化性树脂(g)是使能量线固化性化合物聚合(固化)而得到的树脂。作为能量线固化性化合物，可列举例如：分子内至少具有1个聚合性双键的化合物，优选为具有(甲基)丙烯酰基的丙烯酸酯类化合物。[0261]作为丙烯酸酯类化合物，可列举例如：三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯等含链状脂肪族骨架的(甲基)丙烯酸酯；二(甲基)丙烯酸二环戊酯等含环状脂肪族骨架的(甲基)丙烯酸酯；聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯等聚亚烷基二醇(甲基)丙烯酸酯；低聚酯(甲基)丙烯酸酯；氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯低聚物；环氧改性(甲基)丙烯酸酯；上述聚亚烷基二醇(甲基)丙烯酸酯以外的聚醚(甲基)丙烯酸酯；衣康酸低聚物等。[0262]能量线固化性化合物的重均分子量优选为100～30000、更优选为300～10000。[0263]聚合所使用的能量线固化性化合物可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。聚合所使用的能量线固化性化合物为2种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。[0264]使用能量线固化性树脂(g)时的能量线固化性树脂(g)的含量以热固性树脂组合物(x1-1)的有效成分的总量基准计优选为1～95质量％、更优选为5～90质量％、进一步优选为10～85质量％。[0265](光聚合引发剂(h))[0266]在热固性树脂膜(x1)及热固性树脂组合物(x1-1)含有能量线固化性树脂(g)的情况下，为了效率良好地进行能量线固化性树脂(g)的聚合反应，热固性树脂膜(x1)及热固性树脂组合物(x1-1)可以含有光聚合引发剂(h)。[0267]作为光聚合引发剂(h)，具体可以列举：二苯甲酮、苯乙酮、苯偶姻、苯偶姻甲基醚、苯偶姻乙基醚、苯偶姻异丙基醚、苯偶姻异丁基醚、苯甲酰苯甲酸、苯甲酰苯甲酸甲酯、安息香双甲醚、2,4-二乙基噻唑酮、1-羟基环己基苯基甲酮、苄基二苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆、偶氮二异丁腈、苯偶酰、联苄、丁二酮、1,2-二苯甲烷、2-羟基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮、2,4,6-三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦、以及2-氯蒽醌等。[0268]光聚合引发剂(h)可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。在光聚合引发剂(h)为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。[0269]在热固性树脂组合物(x1-1)中，光聚合引发剂(h)的含量相对于能量线固化性树脂(g)的含量100质量份优选为0.1～20质量份、更优选为1～10质量份、进一步优选为2～5质量份。[0270](通用添加剂(i))[0271]在不损害本发明效果的范围内，热固性树脂膜(x1)及热固性树脂组合物(x1-1)可以含有通用添加剂(i)。通用添加剂(i)可以是公知的，可以根据目的而任意选择，没有特别限定。[0272]作为优选的通用添加剂(i)，可以列举例如：增塑剂、抗静电剂、抗氧剂、着色剂(染料、颜料)、以及吸气剂等。[0273]通用添加剂(i)可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。在通用添加剂(i)为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。[0274]通用添加剂(i)的含量没有特别限定，可以根据目的而适当选择。[0275](溶剂)[0276]热固性树脂组合物(x1-1)优选进一步含有溶剂。[0277]含有溶剂的热固性树脂组合物(x1-1)的操作性变得良好。[0278]溶剂没有特殊限定，作为优选的溶剂，可列举例如：甲苯、二甲苯等烃；甲醇、乙醇、2-丙醇、异丁醇(2-甲基丙烷-1-醇)、1-丁醇等醇；乙酸乙酯等酯；丙酮、甲乙酮等酮；四氢呋喃等醚；二甲基甲酰胺、n-甲基吡咯烷酮等酰胺(具有酰胺键的化合物)等。[0279]溶剂可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。在溶剂为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。[0280]从能够将热固性树脂组合物(x1-1)中的含有成分更均匀地混合的观点考虑，溶剂优选为甲乙酮等。[0281](热固性树脂组合物(x1-1)的制备方法)[0282]热固性树脂组合物(x1-1)可以通过将构成其的各成分配合而制备。[0283]配合各成分时的添加顺序没有特殊限定，也可以将两种以上成分同时添加。使用溶剂的情况下，可以通过将溶剂与该溶剂以外的任意配合成分混合而将该配合成分预先稀释后使用，也可以不对溶剂以外的任意配合成分预先进行稀释，而是通过将溶剂与这些配合成分混合而使用。[0284]对于配合时将各成分混合的方法没有特殊限定，从使搅拌子或搅拌桨等旋转而进行混合的方法、使用混合器进行混合的方法、施加超声波进行混合的方法等公知的方法中适当选择即可。[0285]各成分的添加及混合时的温度及时间只要在不导致各配合成分劣化的情况下则没有特别限定，适当调节即可，但优选温度为15～30℃。[0286]＜能量线固化性树脂膜(x2)＞[0287]能量线固化性树脂膜(x2)含有能量线固化性成分(a)。[0288]能量线固化性树脂膜(x2)例如由含有能量线固化性成分(a)的能量线固化性树脂组合物(x2-1)形成。[0289]能量线固化性成分(a)优选未固化，优选具有粘合性，更优选未固化且具有粘合性。[0290]需要说明的是，在本说明书的以下记载中，“能量线固化性树脂组合物(x2-1)的有效成分的总量基准中的各成分的含量”与“由能量线固化性树脂组合物(x2-1)形成的能量线固化性树脂膜(x2)的各成分的含量”含义相同。[0291](能量线固化性成分(a))[0292]能量线固化性成分(a)是通过能量线的照射而发生固化的成分，也是用于对能量线固化性树脂膜(x2)赋予成膜性、挠性等的成分。[0293]作为能量线固化性成分(a)，可以列举例如：具有能量线固化性基团的重均分子量为80000～2000000的聚合物(a1)、以及具有能量线固化性基团的分子量为100～80000的化合物(a2)。聚合物(a1)可以是其至少一部分通过交联剂交联而成的聚合物，也可以是未交联的聚合物。[0294](聚合物(a1))[0295]作为具有能量线固化性基团的重均分子量为80000～2000000的聚合物(a1)，可以列举例如丙烯酸类聚合物(a11)与能量线固化性化合物(a12)聚合而成的丙烯酸类树脂(a1-1)，所述丙烯酸类聚合物(a11)具有能够与其它化合物所具有的基团发生反应的官能团，所述能量线固化性化合物(a12)具有与上述官能团发生反应的基团、以及能量线固化性双键等能量线固化性基团。[0296]作为能够与其它化合物所具有的基团发生反应的官能团，可以列举例如：羟基、羧基、氨基、取代氨基(氨基的1个或2个氢原子被氢原子以外的基团取代而成的基团)、以及环氧基等。其中，从防止半导体晶片、半导体芯片等电路的腐蚀的观点考虑，上述官能团优选为羧基以外的基团。其中，上述官能团优选为羟基。[0297]·具有官能团的丙烯酸类聚合物(a11)[0298]作为具有官能团的丙烯酸类聚合物(a11)，可以列举例如具有官能团的丙烯酸类单体与不具有官能团的丙烯酸类单体共聚而成的聚合物，除这些单体以外，还可以进一步共聚有丙烯酸类单体以外的单体(非丙烯酸类单体)。另外，丙烯酸类聚合物(a11)可以是无规共聚物，也可以是嵌段共聚物。[0299]作为具有官能团的丙烯酸类单体，可以列举例如：含羟基单体、含羧基单体、含氨基单体、含取代氨基单体、以及含环氧基单体等。[0300]作为含羟基单体，可以列举例如：(甲基)丙烯酸羟基甲酯、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯等(甲基)丙烯酸羟基烷基酯；乙烯醇、烯丙醇等非(甲基)丙烯酸类不饱和醇(不具有(甲基)丙烯酰基骨架的不饱和醇)等。[0301]作为含羧基单体，可以列举例如：(甲基)丙烯酸、巴豆酸等烯属不饱和一元羧酸(具有烯属不饱和键的一元羧酸)；富马酸、衣康酸、马来酸、柠康酸等烯属不饱和二元羧酸(具有烯属不饱和键的二元羧酸)；上述烯属不饱和二元羧酸的酸酐；甲基丙烯酸2-羧基乙酯等(甲基)丙烯酸羧基烷基酯等。[0302]具有官能团的丙烯酸类单体优选为含羟基单体或含羧基单体，更优选为含羟基单体。[0303]构成丙烯酸类聚合物(a11)的具有官能团的丙烯酸类单体可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。在构成丙烯酸类聚合物(a11)的具有官能团的丙烯酸类单体为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。[0304]作为不具有官能团的丙烯酸类单体，可以列举例如：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯((甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯((甲基)丙烯酸肉豆蔻酯)、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯((甲基)丙烯酸棕榈酯)、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、以及(甲基)丙烯酸十八烷基酯((甲基)丙烯酸硬脂酯)等构成烷基酯的烷基是碳原子数为1～18的链状结构的(甲基)丙烯酸烷基酯等。[0305]作为具有官能团的丙烯酸类单体，可以列举例如：(甲基)丙烯酸甲氧基甲酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基甲酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等含烷氧基烷基的(甲基)丙烯酸酯；包含(甲基)丙烯酸苯酯等(甲基)丙烯酸芳酯等的具有芳香族基团的(甲基)丙烯酸酯；非交联性的(甲基)丙烯酰胺及其衍生物；(甲基)丙烯酸n,n-二甲基氨基乙酯、(甲基)丙烯酸n,n-二甲基氨基丙酯等非交联性的具有叔氨基的(甲基)丙烯酸酯等。[0306]构成丙烯酸类聚合物(a11)的不具有官能团的丙烯酸类单体可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。在构成丙烯酸类聚合物(a11)的不具有官能团的丙烯酸类单体为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。[0307]作为非丙烯酸类单体，可以列举例如：乙烯、降冰片烯等烯烃；乙酸乙烯酯；苯乙烯等。[0308]构成丙烯酸类聚合物(a11)的非丙烯酸类单体可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。在构成丙烯酸类聚合物(a11)的非丙烯酸类单体为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。[0309]在丙烯酸类聚合物(a11)中，相对于构成其的结构单元的全部质量，由具有官能团的丙烯酸类单体衍生得到的结构单元的量的比例(含量)优选为0.1～50质量％、更优选为1～40质量％、进一步优选为3～30质量％。通过使上述比例为这样的范围，在通过丙烯酸类聚合物(a11)与能量线固化性化合物(a12)的共聚而得到的丙烯酸类树脂(a1-1)中，能量线固化性基团的含量能够容易地将保护膜(x)的固化程度调节为优选的范围。[0310]构成丙烯酸类树脂(a1-1)的丙烯酸类聚合物(a11)可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。在构成丙烯酸类树脂(a1-1)的丙烯酸类聚合物(a11)为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。[0311]丙烯酸类树脂(a1-1)的含量以能量线固化性树脂组合物(x2-1)的有效成分的总量基准计优选为1～60质量％、更优选为3～50质量％、进一步优选为5～40质量％。[0312]·能量线固化性化合物(a12)[0313]对于能量线固化性化合物(a12)而言，作为能够与丙烯酸类聚合物(a11)所具有的官能团发生反应的基团，优选具有选自异氰酸酯基、环氧基及羧基中的1种或2种以上，作为上述基团，更优选具有异氰酸酯基。[0314]能量线固化性化合物(a12)例如在具有异氰酸酯基作为上述基团的情况下，该异氰酸酯基容易与具有羟基作为上述官能团的丙烯酸类聚合物(a11)的该羟基发生反应。[0315]能量线固化性化合物(a12)优选在1分子中具有1～5个能量线固化性基团，更优选具有1～2个。[0316]作为能量线固化性化合物(a12)，可以列举例如：2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、间异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯、甲基丙烯酰异氰酸酯、烯丙基异氰酸酯、1,1-(双丙烯酰氧基甲基)乙基异氰酸酯；通过二异氰酸酯化合物或多异氰酸酯化合物与(甲基)丙烯酸羟基乙酯的反应而得到的丙烯酰单异氰酸酯化合物；通过二异氰酸酯化合物或多异氰酸酯化合物、多元醇化合物、以及(甲基)丙烯酸羟基乙酯的反应而得到的丙烯酰单异氰酸酯化合物等。其中，能量线固化性化合物(a12)优选为2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯。[0317]构成丙烯酸类树脂(a1-1)的能量线固化性化合物(a12)可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。在构成丙烯酸类树脂(a1-1)的能量线固化性化合物(a12)为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。[0318]在丙烯酸类树脂(a1-1)中，相对于丙烯酸类聚合物(a11)来源的上述官能团的含量，能量线固化性化合物(a12)来源的能量线固化性基团的含量的比例优选为20～120摩尔％、更优选为35～100摩尔％、进一步优选为50～100摩尔％。通过使上述含量的比例为这样的范围，固化后的保护膜(x)的粘接力变得更大。需要说明的是，在能量线固化性化合物(a12)为一官能(1分子中具有1个上述基团)化合物的情况下，上述含量的比例的上限值为100摩尔％，在上述能量线固化性化合物(a12)为多官能(1分子中具有2个以上上述基团)化合物的情况下，上述含量的比例的上限值超过100摩尔％。[0319]聚合物(a1)的重均分子量(mw)优选为100000～2,000000、更优选为300000～1,500000。[0320]在聚合物(a1)为其至少一部分通过交联剂进行了交联的聚合物的情况下，聚合物(a1)可以是如下单体聚合并在与上述交联剂发生反应的基团中进行了交联的聚合物，所述单体是作为构成丙烯酸类聚合物(a11)的单体进行说明的不属于上述任何单体且具有与交联剂反应的基团的单体，聚合物(a1)也可以是能量线固化性化合物(a12)来源的与上述官能团反应的基团中进行了交联的聚合物。[0321]聚合物(a1)可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。在聚合物(a1)为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。[0322](化合物(a2))[0323]作为具有能量线固化性基团的重均分子量为100～80000的化合物(a2)所具有的能量线固化性基团，可以举出包含能量线固化性双键的基团，作为优选的基团，可以列举：(甲基)丙烯酰基、或乙烯基等。[0324]化合物(a2)只要满足上述条件即可，没有特别限定，可以列举：具有能量线固化性基团的低分子量化合物、具有能量线固化性基团的环氧树脂、以及具有能量线固化性基团的酚醛树脂等。[0325]在化合物(a2)中，作为具有能量线固化性基团的低分子量化合物，可以举出例如多官能的单体或低聚物等，优选为具有(甲基)丙烯酰基的丙烯酸酯类化合物。作为丙烯酸酯类化合物，可以列举例如：甲基丙烯酸2-羟基-3-(甲基)丙烯酰氧基丙酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化乙氧基化双酚a二(甲基)丙烯酸酯、2,2-双[4-((甲基)丙烯酰氧基聚乙氧基)苯基]丙烷、乙氧基化双酚a二(甲基)丙烯酸酯、2,2-双[4-((甲基)丙烯酰氧基二乙氧基)苯基]丙烷、9,9-双[4-(2-(甲基)丙烯酰氧基乙氧基)苯基]芴、2,2-双[4-((甲基)丙烯酰氧基聚丙氧基)苯基]丙烷、三环癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、1,10-癸二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,9-壬二醇二(甲基)丙烯酸酯、二丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚四亚甲基二醇二(甲基)丙烯酸酯、乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、2,2-双[4-((甲基)丙烯酰氧基乙氧基)苯基]丙烷、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、2-羟基-1,3-二(甲基)丙烯酰氧基丙烷等2官能(甲基)丙烯酸酯；三(2-(甲基)丙烯酰氧基乙基)异氰脲酸酯、ε-己内酯改性三-(2-(甲基)丙烯酰氧基乙基)异氰脲酸酯、乙氧基化甘油三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、双三羟甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇聚(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等多官能(甲基)丙烯酸酯；氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯低聚物等多官能(甲基)丙烯酸酯低聚物等。[0326]在化合物(a2)中，作为具有能量线固化性基团的环氧树脂、具有能量线固化性基团的酚醛树脂，例如，可以使用“日本特开2013-194102号公报”的0043段等记载的树脂。[0327]化合物(a2)的重均分子量优选为100～30000、更优选为300～10000。[0328]化合物(a2)可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。在化合物(a2)为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。[0329](不具有能量线固化性基团的聚合物(b))[0330]在能量线固化性树脂组合物(x2-1)及能量线固化性树脂膜(x2)含有化合物(a2)作为能量线固化性成分(a)的情况下，优选进一步还含有不具有能量线固化性基团的聚合物(b)。[0331]不具有能量线固化性基团的聚合物(b)可以是其至少一部分通过交联剂进行了交联的聚合物，也可以是未交联的聚合物。[0332]作为不具有能量线固化性基团的聚合物(b)，可以列举例如：丙烯酸类聚合物、苯氧树脂、氨基甲酸酯树脂、聚酯、橡胶类树脂、以及丙烯酸氨基甲酸酯树脂等。其中，上述聚合物(b)优选为丙烯酸类聚合物(以下，有时简称为“丙烯酸类聚合物(b-1)”)。[0333]丙烯酸类聚合物(b-1)可以是公知的聚合物，例如，可以是1种丙烯酸类单体的均聚合物，也可以是2种以上丙烯酸类单体的共聚物。另外，丙烯酸类聚合物(b-1)可以是1种或2种以上丙烯酸类单体与1种或2种以上丙烯酸类单体以外的单体(非丙烯酸类单体)的共聚物。[0334]作为构成丙烯酸类聚合物(b-1)的上述丙烯酸类单体，可以列举例如：(甲基)丙烯酸烷基酯、具有环状骨架的(甲基)丙烯酸酯、含缩水甘油基(甲基)丙烯酸酯、含羟基(甲基)丙烯酸酯、以及含取代氨基(甲基)丙烯酸酯等。[0335]作为(甲基)丙烯酸烷基酯，可以列举例如：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯((甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯((甲基)丙烯酸肉豆蔻酯)、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯((甲基)丙烯酸棕榈酯)、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、以及(甲基)丙烯酸十八烷基酯((甲基)丙烯酸硬脂酯)等构成烷基酯的烷基是碳原子数为1～18的链状结构的(甲基)丙烯酸烷基酯等。[0336]作为具有环状骨架的(甲基)丙烯酸酯，可以列举例如：(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸二环戊酯等(甲基)丙烯酸环烷基酯；(甲基)丙烯酸苄酯等(甲基)丙烯酸芳烷基酯；(甲基)丙烯酸二环戊烯酯等(甲基)丙烯酸环烯基酯；(甲基)丙烯酸二环戊烯氧基乙酯等(甲基)丙烯酸丙烯酸环烯氧基烷基酯等。[0337]作为含缩水甘油基(甲基)丙烯酸酯，可以举出例如(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等。作为上述含羟基(甲基)丙烯酸酯，可以列举例如：(甲基)丙烯酸羟基甲酯、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丁酯、以及(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯等。[0338]作为上述含取代氨基(甲基)丙烯酸酯，可以举出例如(甲基)丙烯酸n-甲基氨基乙酯等。[0339]作为构成丙烯酸类聚合物(b-1)的非丙烯酸类单体，可以列举例如：乙烯、降冰片烯等烯烃；乙酸乙烯酯；苯乙烯等。[0340]作为至少一部分通过交联剂进行了交联的不具有能量线固化性基团的聚合物(b)，可以举出例如聚合物(b)中的反应性官能团与交联剂反应而成的聚合物。[0341]反应性官能团可以根据交联剂的种类等而适当选择，没有特别限定。例如，在交联剂为多异氰酸酯化合物的情况下，作为上述反应性官能团，可以举出羟基、羧基及氨基等，其中，优选为与异氰酸酯基的反应性高的羟基。[0342]另外，在交联剂为环氧类化合物的情况下，作为上述反应性官能团，可以举出羧基、氨基及酰胺基等，其中，优选为与环氧基的反应性高的羧基。[0343]其中，从防止半导体晶片、半导体芯片的电路腐蚀的观点考虑，上述反应性官能团优选为羧基以外的基团。[0344]作为具有反应性官能团的不具有能量线固化性基团的聚合物(b)，可以举出例如至少使反应性官能团的单体聚合而得到的聚合物。在丙烯酸类聚合物(b-1)的情况下，作为构成其的单体而列举的丙烯酸类单体及非丙烯酸类单体中的任一者或两者，只要使用具有反应性官能团的单体即可。例如，作为具有羟基作为反应性官能团的聚合物(b)，可以举出例如使含羟基(甲基)丙烯酸酯聚合而得到的聚合物，除此以外，还可以举出在先前列举的上述丙烯酸类单体或非丙烯酸类单体中1个或2个以上氢原子被上述反应性官能团取代而成的单体发生聚合而得到的聚合物。[0345]在具有反应性官能团的聚合物(b)中，相对于构成其的结构单元的全部质量，由具有反应性官能团的单体衍生得到的结构单元的量的比例(含量)优选为1～20质量％、更优选为2～10质量％。通过上述比例为这样的范围，在聚合物(b)中，交联的程度为更优选的范围。[0346]从能量线固化性树脂组合物(x2-1)的成膜性变得更良好的观点考虑，不具有能量线固化性基团的聚合物(b)的重均分子量(mw)优选为10000～2000000、更优选为100000～1500000。[0347]不具有能量线固化性基团的聚合物(b)可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。在不具有能量线固化性基团的聚合物(b)为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。[0348]作为能量线固化性树脂组合物(x2-1)，可以举出含有聚合物(a1)及化合物(a2)中的任一者或两者的组合物。[0349]其中，在能量线固化性树脂组合物(x2-1)含有化合物(a2)的情况下，优选进一步还含有不具有能量线固化性基团的聚合物(b)，在该情况下，优选进一步含有聚合物(a1)。[0350]另外，能量线固化性树脂组合物(x2-1)可以不含有化合物(a2)而同时含有聚合物(a1)及不具有能量线固化性基团的聚合物(b)。[0351]在能量线固化性树脂组合物(x2-1)含有聚合物(a1)、化合物(a2)、以及不具有能量线固化性基团的聚合物(b)的情况下，化合物(a2)的含量相对于聚合物(a1)及不具有能量线固化性基团的聚合物(b)的合计含量100质量份优选为10～400质量份、更优选为30～350质量份。[0352]能量线固化性成分(a)及不具有能量线固化性基团的聚合物(b)的合计含量以能量线固化性树脂组合物(x2-1)的有效成分的总量基准计优选为5～90质量％、更优选为10～80质量％、进一步优选为20～70质量％。通过使能量线固化性成分的含量为这样的范围，能量线固化性树脂膜(x2)的能量线固化性变得更良好。[0353]能量线固化性树脂组合物(x2-1)除能量线固化性成分以外，还可以根据目的含有选自热固性成分、光聚合引发剂、填充材料、偶联剂、交联剂及通用添加剂中的1种或2种以上。[0354]例如，通过使用含有能量线固化性成分及热固性成分的能量线固化性树脂组合物(x2-1)，形成的能量线固化性树脂膜(x2)通过加热而对被粘附物的粘接力提高，由该能量线固化性树脂膜(x2)形成的保护膜(x)的强度也提高。[0355]作为能量线固化性树脂组合物(x2-1)中的热固性成分、光聚合引发剂、填充材料、偶联剂、交联剂及通用添加剂，可以分别列举与能量线固化性树脂组合物(x2-1)中的热固性成分(b)、光聚合引发剂(h)、填充材料(d)、偶联剂(e)、交联剂(f)及通用添加剂(i)相同的物质。[0356]在能量线固化性树脂组合物(x2-1)中，热固性成分、光聚合引发剂、填充材料、偶联剂、交联剂及通用添加剂可以分别单独使用1种，也可以组合使用2种以上。在组合使用2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。[0357]能量线固化性树脂组合物(x2-1)中的热固性成分、光聚合引发剂、填充材料、偶联剂、交联剂及通用添加剂的含量可以根据目的而适当调节，没有特别限定。[0358]能量线固化性树脂组合物(x2-1)通过稀释而提高其操作性，因此，优选进一步含有溶剂。[0359]作为能量线固化性树脂组合物(x2-1)所含有的溶剂，可以举出例如与热固性树脂组合物(x1-1)中的溶剂相同的溶剂。[0360]能量线固化性树脂组合物(x2-1)所含有的溶剂可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。在组合使用2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。[0361](其它成分)[0362]能量线固化性树脂组合物(x2-1)除上述的能量线固化性成分以外，与先前说明的热固性树脂膜(x1)的情况相同，还可以适量含有固化性成分以外的成分、即固化促进剂(c)、填充材料(d)、偶联剂(e)等。[0363](能量线固化性树脂组合物(x2-1)的制造方法)[0364]能量线固化性树脂组合物(x2-1)可以通过配合用于构成其的各成分而得到。各成分在配合时的添加顺序没有特别限定，可以将2种以上的成分同时添加。[0365]在使用溶剂的情况下，可以通过将溶剂与除该溶剂以外的任意配合成分混合而将该配合成分预先稀释来使用，也可以在不将除溶剂以外的任意配合成分预先稀释的情况下将溶剂与这些配合成分混合而使用。配合时将各成分混合的方法没有特别限定，只要从选自以下的公知的方法中适当选择即可，所述公知的方法为：使搅拌子或搅拌桨等旋转进行混合的方法；使用混合机进行混合的方法；施加超声波进行混合的方法等。[0366]对于各成分的添加及混合时的温度及时间而言，只要各配合成分不劣化即可，没有特别限定，可以适当调节，优选温度为15～30℃。[0367]《支撑片(y)》[0368]支撑片(y)作为用于支撑固化性树脂膜(x)的支撑体而发挥功能。[0369]如图2所示，支撑片(y)可以仅由基材11构成，如图3所示，可以为基材11与粘合剂层21的层叠体，如图4所示，可以为基材11、中间层31及粘合剂层21依次层叠而成的层叠体。基材11、中间层31及粘合剂层21依次层叠而成的层叠体适合作为背磨胶带而使用。[0370]以下，对于支撑片(y)所具有的基材、支撑片(y)所任选具有的粘合剂层及中间层进行说明。[0371]＜基材＞[0372]基材为片状或膜状，作为其构成材料，可以举出例如以下的各种树脂。[0373]作为构成基材的树脂，可以列举例如：低密度聚乙烯(ldpe)、直链低密度聚乙烯(lldpe)、高密度聚乙烯(hdpe)等聚乙烯；聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、降冰片烯树脂等聚乙烯以外的聚烯烃；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-降冰片烯共聚物等乙烯类共聚物(使用乙烯作为单体而得到的共聚物)；聚氯乙烯、氯乙烯共聚物等氯乙烯类树脂(使用氯乙烯作为单体而得到的树脂)；聚苯乙烯；聚环烯烃；聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚间苯二甲酸乙二醇酯、聚2,6-萘二甲酸乙二醇酯、全部结构单元具有芳香族环式基团的全芳香族聚酯等聚酯；2种以上上述聚酯的共聚物；聚(甲基)丙烯酸酯；聚氨酯；聚氨酯丙烯酸酯；聚酰亚胺；聚酰胺；聚碳酸酯；氟树脂；聚缩醛；改性聚苯醚；聚苯硫醚；聚砜；聚醚酮等。[0374]另外，作为构成基材的树脂，可以举出例如上述聚酯与除此以外的树脂的混合物等聚合物合金。上述聚酯与除此以外的树脂的聚合物合金优选除聚酯以外的树脂的量为较少的量。[0375]另外，作为构成基材的树脂，可以列举例如：目前为止示例出的上述树脂中的1种或2种以上交联而成的交联树脂；使用了目前为止示例出的上述树脂中的1种或2种以上的离聚物等改性树脂。[0376]构成基材的树脂可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。在构成基材的树脂为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。[0377]基材可以仅为1层(单层)，也可以为2层以上的多层。在基材为多层的情况下，这些多层可以彼此相同，也可以不同，这些多层的组合没有特别限定。[0378]基材的厚度优选为5μm～1000μm、更优选为10μm～500μm、进一步优选为15μm～300μm、更进一步优选为20μm～150μm。[0379]这里，“基材的厚度”是指基材整体的厚度，例如，包含多层的基材的厚度是指构成基材的全部层的合计厚度。[0380]基材优选为厚度的精度高的基材，即，优选为厚度的偏差受到抑制而与部位无关的基材。在上述的构成材料中，作为这样的能够用于构成基材的厚度精度高的材料，可以列举例如：聚乙烯、除聚乙烯以外的聚烯烃、聚对苯二甲酸乙二醇酯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物等。[0381]基材除上述树脂等主要构成材料以外，还可以含有填充材料、着色剂、抗静电剂、抗氧剂、有机润滑剂、催化剂、软化剂(增塑剂)等公知的各种添加剂。[0382]基材可以透明，也可以不透明，可以根据目的而着色，或者可以蒸镀有其它层。另外，在固化性树脂膜(x)为能量线固化性树脂膜(x2)的情况、以及粘合剂层为能量线固化性的粘合剂层的情况下，优选基材为透射能量线的基材。[0383]基材可以通过公知的方法制造。例如，在含有树脂的基材可以通过对含有上述树脂的树脂组合物进行成型而制造。[0384]＜粘合剂层＞[0385]粘合剂层为片状或膜状，含有粘合剂。[0386]作为粘合剂，可以列举例如：丙烯酸类树脂(由具有(甲基)丙烯酰基的树脂形成的粘合剂)、氨基甲酸酯类树脂(由具有氨基甲酸酯键的树脂形成的粘合剂)、橡胶类树脂(由具有橡胶结构的树脂形成的粘合剂)、有机硅类树脂(由具有硅氧烷键的树脂形成的粘合剂)、环氧类树脂(由具有环氧基的树脂形成的粘合剂)、聚乙烯基醚、聚碳酸酯等粘合性树脂。其中，优选为丙烯酸类树脂。[0387]需要说明的是，在本发明中，“粘合性树脂”是指包含具有粘合性的树脂和具有粘接性的树脂这两者的概念，例如，不仅是树脂本身具有粘合性的树脂，也包括通过与添加剂等其它成分组合使用而显示出粘合性的树脂、通过热或水等触发因素的存在而显示出粘接性的树脂等。[0388]粘合剂层可以仅为1层(单层)，也可以为2层以上的多层。在粘合剂层为多层的情况下，这些多层可以彼此相同，也可以不同，这些多层的组合没有特别限定。[0389]粘合剂层的厚度优选为1μm～1000μm、更优选为5μm～500μm、进一步优选为10μm～100μm。这里，“粘合剂层的厚度”是指粘合剂层整体的厚度，例如，包含多层的粘合剂层的厚度是指构成粘合剂层的全部层的合计厚度。[0390]粘合剂层可以使用能量线固化性粘合剂来形成，也可以使用非能量线固化性粘合剂来形成。使用能量线固化性的粘合剂形成的粘合剂层可以容易地调节固化前及固化后的物性。[0391]＜中间层＞[0392]中间层为片状或膜状，其构成材料可以根据目的而适当选择，没有特别限定。例如，在以通过在包覆半导体表面的保护膜反映半导体表面存在的凸块的形状而抑制保护膜(x)发生变形作为目的的情况下，作为中间层的优选构成材料，从提高凹凸跟随性的观点、使凸块贯通性变得良好的观点、以及进一步提高中间层的粘贴性的观点考虑，可以举出氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。[0393]中间层可以仅为1层(单层)，也可以为2层以上的多层。在中间层为多层的情况下，这些多层可以彼此相同，也可以不同，这些多层的组合没有特别限定。[0394]中间层的厚度可以根据作为保护对象的半导体表面的凸块的高度而适当调节，从高度较高的凸块的影响也能够容易地吸收的观点考虑，优选为50μm～600μm、更优选为70μm～500μm、进一步优选为80μm～400μm。这里，“中间层的厚度”是指中间层整体的厚度，例如，包含多层的中间层的厚度是指构成中间层的全部层的合计厚度。[0395]接下来，对于保护膜形成用片的制造方法进行说明。[0396][保护膜形成用片的制造方法][0397]保护膜形成用片可以通过以将上述各层成为对应的位置关系的方式依次层叠而制造。[0398]例如，在制造支撑片时，在基材上层叠粘合剂层或中间层的情况下，可以通过在基材上涂敷粘合剂组合物或中间层形成用组合物，根据需要使其干燥或照射能量线，从而层叠粘合剂层或中间层。[0399]作为涂敷方法，可以列举例如：旋涂法、喷涂法、棒涂法、刮刀涂布法、辊涂法、辊刀涂布法、刮板涂布法、模涂法、凹版涂布法等。[0400]另一方面，例如，在已层叠在基材上的粘合剂层上进一步层叠固化性树脂膜(x)的情况下，可以在粘合剂层上涂敷热固性树脂组合物(x1-1)或能量线固化性树脂组合物(x2-1)而直接形成固化性树脂膜(x)。[0401]同样地，在已层叠在基材上的中间层上进一步层叠粘合剂层的情况下，可以在中间层上涂敷粘合剂组合物而直接形成粘合剂层。[0402]这样，在使用任意的组合物形成连续2层的层叠结构的情况下，可以在由上述组合物形成的层上进一步涂敷组合物而形成新的层。其中，优选这2层中的后进行层叠的层使用上述组合物预先形成于其它剥离膜上，通过使该完成形成的层的与上述剥离膜接触一侧的相反侧的露出面与已完成形成的剩余层的露出面贴合，优选形成连续2层的层叠结构。此时，上述组合物优选涂敷于剥离膜的剥离处理面。在形成层叠结构后，剥离膜可以根据需要去除。[0403][使用了保护膜形成用片的带保护膜的半导体晶片的制造方法][0404]本发明的带保护膜的半导体晶片的制造方法可使用上述的本发明的保护膜形成用片来实施。[0405]具体包括下述工序(s1)～(s3)。[0406]·工序(s1)：准备具有设置有多个凸块的凸块形成面的半导体晶片的工序[0407]·工序(s2)：将上述的本发明的保护膜形成用片以固化性树脂膜(x)为粘贴面边按压边贴合于上述半导体晶片的上述凸块形成面的工序[0408]·工序(s3)：使固化性树脂膜(x)固化而形成保护膜(x)的工序[0409]以下，对作为应用对象的半导体晶片详细说明，并且对本发明的带保护膜的半导体晶片的制造方法进行说明。[0410]＜工序(s1)＞[0411]在工序(s1)中，准备具有设置有多个凸块的凸块形成面的半导体晶片。[0412]将本发明的带保护膜的半导体晶片的制造方法中使用的具有设置有多个凸块的凸块形成面的半导体晶片的一例示于图5。具备凸块的半导体晶片40在半导体晶片41的凸块形成面(电路面)41a具备多个凸块bm。[0413]在以下的说明中，将“具备凸块的半导体晶片”也称为“带凸块的晶片”。也将“半导体晶片”简称为“晶片”。[0414]晶片41例如在表面形成有布线、电容器、二极管及晶体管等电路。该晶片的材质没有特别限定，可以列举例如：硅晶片、碳化硅晶片、化合物半导体晶片、蓝宝石晶片、以及玻璃晶片等。[0415]晶片41的尺寸没有特别限定，从提高批次处理效率的观点考虑，通常为8英寸(直径200mm)以上，优选为12英寸(直径300mm)以上。需要说明的是，晶片的形状并不限定于圆形，可以为例如正方形、长方形等四边形。在四边形的晶片的情况下，从提高批次处理效率的观点考虑，晶片41的尺寸的最长边的长度优选为上述尺寸(直径)以上。[0416]晶片41的厚度没有特别限定，从易于抑制使固化性树脂膜(x)固化所伴随的晶片41的翘曲的观点考虑，优选为100μm～1000μm、更优选为200μm～900μm、进一步优选为300μm～800μm。[0417]凸块bm的形状没有特别限定，只要能够与芯片搭载用的基板上的电极等接触并固定即可，可以为任意形状。例如，在图5中，将凸块bm制成球状，但凸块bm也可以为旋转椭球体。该旋转椭球体例如可以是相对于晶片41的凸块形成面41a在垂直方向上延长的旋转椭球体，也可以是相对于晶片41的凸块形成面41a在水平方向上延长的旋转椭球体。[0418]另外，如图6所示，凸块bm可以为柱(pillar)状。[0419]需要说明的是，作为凸块bm的材质，可以举出例如焊料。[0420]这里，在本发明中，通过以下说明的要件所限定的具有经窄间距化了的凸块的半导体晶片为应用对象。[0421]即，在本发明中，通过使用保护膜形成用片在具有经窄间距化了的凸块的半导体晶片的凸块形成面形成保护膜(x)，抑制经窄间距化了的凸块的压扁、变形，防止了凸块彼此的短路。换言之，作为应用本发明的对象的半导体晶片是在未形成保护膜(x)的情况下存在因凸块的压扁、变形而发生短路的隐患的具有经窄间距化了的凸块的半导体晶片。[0422]以下说明的半导体晶片是在未形成保护膜(x)的情况下存在因凸块的压扁、变形而发生短路的隐患的具有经窄间距化了的凸块的半导体晶片。[0423]《半导体晶片》[0424]本发明的保护膜形成用片用于在满足下述要件(α1)～(α2)的半导体晶片的凸块形成面形成保护膜(x)。[0425]另外，本发明的带保护膜的半导体晶片的制造方法使用满足下述要件(α1)～(α2)的半导体晶片实施。[0426]·要件(α1)：上述凸块的宽度(bmw)(单位:μm)为20μm～350μm。[0427]·要件(α2)：上述凸块的间距(bmp)(单位:μm)和上述凸块的宽度(bmw)(单位:μm)满足下述式(i)。[0428][(bmp)/(bmw)]≤1.0····(i)[0429]上述要件(α1)～(α2)是表示具有经窄间距化了的凸块的半导体晶片的指标。即，是表示容易发生因凸块的压扁、变形导致的短路的指标。[0430]为了表示凸块的间距(bmp)(单位:μm)和凸块的宽度(bmw)(单位:μm)的定义，将在晶片41的凸块形成面上形成的3个凸块bm_a、bm_b及bm_c放大后的俯视图示于图7。[0431]凸块的间距(bmp)是2个凸块间的最短距离。在图7中，凸块bm_a与凸块bm_b的最短距离为p1。另外，凸块bm_b与凸块bm_c的最短距离为p2。[0432]凸块的宽度(bmw)是连接b1和点b2的直线b1-b2的长度，b1是连接凸块bm_a和凸块bm_b的直线p1与凸块bm_b的交点，b2是连接凸块bm_b和凸块bm_c的直线p2与凸块bm_b的交点。[0433]需要说明的是，凸块的间距(bmp)(单位:μm)和凸块的宽度(bmw)(单位:μm)可以基于上述的定义通过例如光学显微镜观察来测定。[0434]需要说明的是，在晶片上存在的多个凸块中至少任1个凸块间满足上述要件(α1)～(α2)时，由于该凸块间为狭间距，因此存在在该凸块间发生短路的隐患。[0435]因此，作为应用本发明的对象的晶片是晶片上存在的多个凸块中至少任1个凸块间满足上述要件(α1)～(α2)的晶片。[0436]这里，通过要件(α1)所限定的凸块的宽度(bmw)(单位:μm)为20μm～350μm。即，根据本发明，能够以具备凸块宽度(bmw)大小为20μm以上且小于150μm(特别是20μm～100μm)的多个凸块的晶片作为对象。换言之，能够以狭间距且具备多个微小凸块的晶片作为对象。另外，还能够以具备凸块宽度(bmw)大小为150μm～350μm的多个凸块的晶片作为对象。换言之，还能够以狭间距且具备多个宽度大的凸块的晶片作为对象。狭间距且具备多个宽度大的凸块的晶片特别容易发生凸块间的短路，但是，根据本发明，能够抑制这样的晶片中的凸块间的短路。[0437]这里，通过要件(α2)所限定的[(bmp)/(bmw)]的值是表示凸块彼此短路的容易程度的指标之一，该值可以为0.9以下，也可以为0.8以下。[0438]这里，晶片还可以满足下述要件(α3a)或下述要件(α3b)。[0439]·要件(α3a)：上述凸块的高度(bmh)和上述凸块的宽度(bmw)满足下述式(iiia)[0440]0.2≤[(bmh)/(bmw)]≤1.0····(iiia)[0441]·要件(α3b)：上述凸块的高度(bmh)和上述凸块的宽度(bmw)满足下述式(iiib)[0442]0.5≤[(bmh)/(bmw)]≤5.0····(iiib)[0443]上述要件(α3a)是表示凸块为球凸块的指标，[(bmh)/(bmw)]的值越接近1.0，越表明接近正球状，越接近0.2，越表明为相对于晶片41的凸块形成面41a在水平方向上延长的旋转椭球体。[0444]对于具有这样的球凸块的半导体晶片而言，在将其单片化制成半导体芯片并将该半导体芯片与布线基板经由球凸块进行电连接的工序中，球凸块被压扁而沿横向扩展，会发生球凸块彼此接触而引起短路的问题。另外，为了对应进一步高密度安装的要求，也探讨了将半导体封装沿高度方向堆叠的三维高密度安装，在该情况下，由于球凸块会被半导体封装体的自重而逐渐压扁，因此有时会导致短路。根据本发明，能够抑制因球凸块彼此的接触所导致的短路。[0445]上述要件(α3b)是表示凸块为柱凸块的指标，[(bmh)/(bmw)]的值越接近5.0，越表明为高宽比高的柱凸块，越接近0.5，越表明为高宽比低的柱凸块。[0446]对于具有这样的柱凸块的半导体晶片而言，在将其单片化制成半导体芯片并将该半导体芯片与布线基板经由柱凸块进行电连接的工序中，柱凸块发生变形而弯曲，会发生柱凸块彼此接触而引起短路的问题。此外，还存在因柱凸块发生变形、弯曲而产生连接不良的问题。另外，为了对应进一步高密度安装的要求，也探讨了将半导体封装沿高度方向堆叠的三维高密度安装，在该情况下，由于柱凸块会被半导体封装体的自重而逐渐压扁，因此有时会导致短路。根据本发明，能够抑制因柱凸块彼此的接触所导致的短路。另外，也能够抑制因柱凸块的变形所引起的连接不良。[0447]需要说明的是，凸块的高度(bmh)是指，在着眼于1个凸块时，连接与凸块形成面的凸块的接点、与位于最远离凸块形成面的位置的凸块的部位之间的直线的距离。[0448]凸块的高度(bmh)具体可以为由下述要件(α4)所限定的值。[0449]·要件(α4)：上述凸块的高度(bmh)为15μm～300μm[0450]即，在本发明的一个方式中，也能够以具备凸块高度(bmh)低的20μm以上且低于150μm(特别是20μm～100μm)的多个凸块的晶片作为对象。另外，还能够以具备凸块高度(bmh)高的150μm～350μm的多个凸块的晶片作为对象。[0451]凸块的高度(bmh)可以通过以下方式测定，例如，将带凸块的半导体晶片以与凸块形成面垂直的方向且通过凸块的中心的方式割断，对割断后的截面进行光学显微镜观察。[0452]＜工序(s2)＞[0453]将工序(s2)的概要示于图8。[0454]在工序(s2)中，将上述的本发明的保护膜形成用片1以固化性树脂膜(x)为粘贴面边按压边贴合于半导体晶片41的凸块形成面41a。[0455]由此，可在用固化性树脂膜(x)包覆半导体晶片41的凸块形成面41a，同时使固化性树脂膜(x)也填充于多个凸块bm之间。[0456]需要说明的是，从将固化性树脂膜(x)良好地填充于多个凸块bm之间的观点考虑，将保护膜形成用片1贴合于半导体晶片41的凸块形成面41a时的按压力优选为1kpa～200kpa、更优选为5kpa～150kpa、进一步优选为10kpa～100kpa。[0457]需要说明的是，将保护膜形成用片1贴合于半导体晶片41的凸块形成面41a时的按压力可以在贴合初期至末期适当变动。例如，从将固化性树脂膜(x)更良好地填充于多个凸块bm之间的观点考虑，优选在贴合初期降低按压力，逐渐提高按压力。[0458]另外，在将保护膜形成用片1贴合于半导体晶片41的凸块形成面41a时，在固化性树脂膜(x)为热固性树脂膜(x1)的情况下，从将固化性树脂膜(x)更良好地填充于多个凸块bm之间的观点考虑，优选进行加热。在固化性树脂膜(x)为热固性树脂膜(x1)的情况下，热固性树脂膜(x1)通过进行加热而使流动性暂时提高，通过持续加热而进行固化。因此，通过在提高热固性树脂膜(x1)的流动性的范围内进行加热，热固性树脂膜(x1)容易充满多个凸块bm之间，热固性树脂膜(x1)对多个凸块bm之间的填充性进一步提高。[0459]作为具体的加热温度(贴合温度)，优选为50℃～150℃、更优选为60℃～130℃、进一步优选为70℃～110℃。[0460]需要说明的是，对热固性树脂膜(x1)进行的该加热处理不包括于热固性树脂膜(x1)的固化处理。[0461]此外，在将保护膜形成用片1贴合于半导体晶片41的凸块形成面41a时，可以在减压环境下进行。由此，使多个凸块bm之间为负压，固化性树脂膜(x)容易充满多个凸块bm之间。其结果是，固化性树脂膜(x)对多个凸块bm之间的填充性易于进一步提高。作为减压环境的具体压力，优选为0.001kpa～50kpa、更优选为0.01kpa～5kpa、进一步优选为0.05kpa～1kpa。[0462]＜工序(s3)＞[0463]在实施了工序(s2)之后，实施工序(s3)。具体而言，如图9所示，使固化性树脂膜(x)固化而得到带保护膜的半导体晶片。[0464]将固化性树脂膜(x)固化而形成的保护膜(x)在常温(23℃)下比固化性树脂膜(x)更牢固。因此，通过形成保护膜(x)，凸块颈部可良好地受到保护。[0465]另外，在本发明中，由于使用了满足上述要件(β1)～(β3)的保护膜形成用片，如上所述，对于存在因凸块的压扁、变形而发生短路的隐患的具有经窄间距化了的凸块的半导体晶片，能够抑制凸块的压扁、变形，可以避免因凸块彼此接触而导致的短路。[0466]固化性树脂膜(x)的固化可以根据固化性树脂膜(x)所包含的固化性成分的种类而通过热固化及基于能量线照射的固化中的任一种来进行。[0467]作为进行热固化时的条件，固化温度优选为90℃～200℃，固化时间优选为1小时～3小时。[0468]作为进行基于能量线照射的固化时的条件，可根据待使用的能量线的种类而适当设定，例如，在使用紫外线的情况下，照度优选为170mw/cm2～250mw/cm2,光量优选为300mj/cm2～3000mj/cm2。[0469]这里，在使固化性树脂膜(x)固化而形成保护膜(x)的过程中，从在工序(s2)中将在用固化性树脂膜(x)填充多个凸块bm之间时夹入的气泡等去除的观点考虑，固化性树脂膜(x)优选为热固性树脂膜(x1)。即，在固化性树脂膜(x)为热固性树脂膜(x1)的情况下，热固性树脂膜(x1)通过进行加热而使流动性暂时提高，通过持续加热而进行固化。在通过利用该现象而提高热固性树脂膜(x1)的流动性时，可将在用热固性树脂膜(x1)填充多个凸块bm之间时夹入的气泡等去除，在使热固性树脂膜(x1)对多个凸块bm之间的填充性变为更良好的状态的基础上，可以将热固性树脂膜(x1)固化。[0470]另外，从缩短固化时间的观点考虑，固化性树脂膜(x)优选为能量线固化性树脂膜(x1)。[0471]需要说明的是，通过使支撑片(y)在将固化性树脂膜(x)固化之前剥离，将固化性树脂膜(x)固化而形成保护膜(x)，由此可得到带保护膜的半导体晶片。但是，并不限定于这样的实施方式，可以通过在将固化性树脂膜(x)固化而形成了保护膜(x)之后将支撑片(y)剥离，从而得到带保护膜的半导体晶片。[0472]另外，可以不剥离支撑片(y)，对半导体晶片41的与凸块形成面41a相反一面(即，半导体晶片41的背面)进行磨削(背磨处理)，对半导体晶片41进行薄化处理。背磨处理可以在固化性树脂膜(x)的固化前进行，也可以在固化性树脂膜(x)的固化后进行。[0473]另外，在进行背磨处理的情况下，从良好地实施背磨处理的观点考虑，支撑片(y)优选为背磨胶带。[0474]另外，可以在固化性树脂膜(x)固化后，去除包覆凸块顶部的保护膜(x)、或附着于凸块顶部的一部分的保护膜(x)，进行使凸块顶部露出的处理。[0475]作为使凸块顶部露出的露出处理，可以举出例如湿式蚀刻处理、干式蚀刻处理等蚀刻处理。[0476]这里，作为干式蚀刻处理，可以举出例如等离子蚀刻处理等。[0477]需要说明的是，在保护膜的表面未露出凸块的顶部的情况下，可以以使保护膜后退至凸块顶部露出为目的来实施露出处理。[0478][带保护膜的半导体芯片的制造方法][0479]本发明的带保护膜的半导体芯片的制造方法包括下述工序(t1)～(t2)。[0480]·工序(t1)：实施本发明的带保护膜的半导体晶片的制造方法而得到带保护膜的半导体晶片的工序[0481]·工序(t2)：将上述带保护膜的半导体晶片单片化的工序[0482]＜工序(t1)＞[0483]在工序(t1)中，实施上述的本发明的带保护膜的半导体晶片的制造方法，得到带保护膜的半导体晶片。[0484]＜工序(t2)＞[0485]在工序(t2)中，将工序(t1)中得到的带保护膜的半导体晶片单片化。[0486]单片化的方法没有特别限定，可以适当采用公知的单片化方法。具体而言，可以列举例如：激光切割、刀片切割及隐形切割(注册商标)等。[0487]需要说明的是，在实施工序(t1)之前，可以包括在带保护膜的半导体晶片的背面(与凸块形成面相反侧的一面)形成背面保护膜的工序。[0488][半导体封装件的制造方法][0489]本发明的半导体封装件的制造方法包括下述工序(u1)～(u2)。[0490]·工序(u1)：实施本发明的带保护膜的半导体芯片的制造方法而得到带保护膜的半导体芯片的工序[0491]·工序(u2)：将布线基板与上述带保护膜的半导体芯片经由上述凸块电连接的工序[0492]＜工序(u1)＞[0493]在工序(u1)中，实施上述的本发明的带保护膜的半导体芯片的制造方法而得到带保护膜的半导体芯片。[0494]＜工序(u2)＞[0495]如图10所示，在工序(u2)中，将具有布线z1的布线基板(z)与带保护膜的半导体芯片cp经由凸块bm电连接。[0496]更详细而言，以使带保护膜的半导体芯片cp的凸块形成面与布线基板(z)的布线z1的形成面夹隔凸块bm相对的状态进行加热(以下，也称为“加热连接工序”)。由此，能够将凸块bm的顶部与布线z1良好地电连接。[0497]而且，在本发明中，尽管使用了由存在因凸块的压扁、变形而发生短路的隐患的具有经窄间距化了的凸块的半导体晶片得到的半导体芯片，但通过使本发明的保护膜形成用片满足上述要件(β1)～(β3)，其中，特别是通过满足上述要件(β2)，可以在加热连接工序中能够抑制因凸块的压扁、变形导致的凸块彼此接触，可以避免由凸块彼此接触所引起的短路。[0498]加热连接工序的条件例如为温度250℃～270℃、30秒钟～5分钟。[0499]＜工序(u3)＞[0500]本发明的一个方式的半导体封装件的制造方法进一步包括下述工序(u3)。[0501]·工序(u3)：在上述布线基板与上述带保护膜的半导体芯片之间填充底部填充材料的工序[0502]在本发明中，如上所述，可以抑制因凸块的压扁、变形所导致的凸块彼此接触。换言之，能够抑制因凸块的压扁、变形所导致的凸块彼此接近。以往，如果凸块接近，则即使想要填充底部填充材料，也因凸块间的间隙狭窄而难以用底部填充材料填充该间隙。但是，在本发明中，由于凸块的接近受到抑制，因此，能够用底部填充材料良好地填充包括凸块间的间隙在内的保护膜(x)与布线基板(z)之间。[0503]实施例[0504]对于本发明，通过以下的实施例具体进行说明，但本发明并不限定于以下的实施例。[0505][各种物性值的测定方法][0506]以下的实施例及比较例中的物性值是通过以下的方法测得的值。[0507]＜重均分子量＞[0508]使用凝胶渗透色谱装置(东曹株式会社制、产品名“hlc-8020”)在下述的条件下测定，使用了经标准聚苯乙烯换算测定的值。[0509](测定条件)[0510]·色谱柱：将“tsk guard column hxl-l”“tsk gel g2500hxl”“tsk gel g2000hxl”“tsk gel g1000hxl”(均为东曹株式会社制)依次连接而成的色谱柱[0511]·柱温：40℃[0512]·洗脱溶剂：四氢呋喃[0513]·流速：1.0ml/min[0514]＜各层的厚度的测定＞[0515]保护膜(固化后)的厚度(xt)以外的厚度使用teclock公司制的恒压厚度测定器(型号：“pg-02j”、标准规格：依据jis k6783、z1702、z1709)进行测定。[0516]＜玻璃化转变温度＞[0517]对于后述的聚合物成分(a)的玻璃化转变温度(tg)而言，使用perkinelmer公司制的差示扫描量热仪(pyris diamond dsc)以升降温速度10℃/分实施从-70℃至150℃的温度曲线的测定，确认拐点而求出。[0518]＜环氧当量＞[0519]依据jis k 7236:2009测定。[0520]＜平均粒径＞[0521]将作为测定对象的粒子在水中利用超声波分散，通过动态光散射法粒度分布测定装置(株式会社堀场制作所制、lb-550)按照体积基准测定粒子的粒度分布，将其中值粒径(d50)作为平均粒径。[0522][实施例1-4、比较例1-2][0523]实施例中使用的热固性树脂膜(x1)的制造所使用的热固性树脂组合物(x1-1)通过以下的方法制备。[0524]＜热固性树脂组合物(x1-1)的原料＞[0525](聚合物成分(a))[0526]使用了具有以下述式(i-1)、下述式(i-2)及下述式(i-3)表示的结构单元的聚乙烯醇缩丁醛(积水化学工业株式会社制，s-lec(注册商标)b bl-10，重均分子量25000，玻璃化转变温度59℃，下述式中，p为68～74摩尔％，q为1～3摩尔％，r为约28摩尔％)。[0527][化学式2][0528][0529](环氧树脂(b1))[0530]使用了以下2种环氧树脂。[0531]·环氧树脂(b1-1)：液状双酚a型环氧树脂(dic株式会社制、epiclon(注册商标)exa-4850-1000、环氧当量404～412g/eq)[0532]·环氧树脂(b1-2)：双环戊二烯型环氧树脂(dic株式会社制、epiclon(注册商标)hp-7200、环氧当量254～264g/eq)[0533](热固化剂(b2))[0534]使用了酚醛清漆型酚醛树脂(昭和电工株式会社制、shonol(注册商标)brg-556)。[0535](固化促进剂(c))[0536]使用了2-苯基-4,5-二羟甲基咪唑(四国化成工业株式会社制、curezol(注册商标)2phz)。[0537](填充材料(d))[0538]使用了用环氧基修饰的球状二氧化硅(admatechs公司制、admanano(注册商标)ya050c-mkk、平均粒径0.05μm)。[0539]＜热固性树脂组合物(x1-1)的制备＞[0540]以热固性树脂组合物(x1-1)的总量(100质量％)基准计达到以下所示的含量的方式使聚合物成分(a)、环氧树脂(b1-1)、环氧树脂(b1-2)、热固化剂(b2)、固化促进剂(c)及填充材料(d)溶解或分散于甲乙酮，在23℃下进行搅拌，由此制备了有效成分(固体成分)浓度为55质量％的热固性树脂组合物(x1-1)。[0541]需要说明的是，在实施例1及2中，使用按照以下所示的配合1制备的热固性树脂组合物(x1-1)形成了保护膜(x)。另外，在实施例3及4中，使用按照以下所示的配合2制备的热固性树脂组合物(x1-1)形成了保护膜(x)。[0542](配合1)[0543]·聚合物成分(a)：41.4质量％[0544]·环氧树脂(b1-1)：23.2质量％[0545]·环氧树脂(b1-2)：15.2质量％[0546]·热固化剂(b2)：11.2质量％[0547]·固化促进剂(c)：0.2质量％[0548]·填充材料(d)：8.8质量％[0549](配合2)[0550]·聚合物成分(a)：19.9质量％[0551]·环氧树脂(b1-1)：33.1质量％[0552]·环氧树脂(b1-2)：21.7质量％[0553]·热固化剂(b2)：16.1质量％[0554]·固化促进剂(c)：0.2质量％[0555]·填充材料(d)：9.0质量％[0556]＜热固性树脂膜(x1)的制造＞[0557]在具有实施了基于有机硅的剥离处理的剥离处理面的聚对苯二甲酸乙二醇酯制的剥离材料(琳得科株式会社制、sp-pet381031、厚度38μm)的上述剥离处理面涂布按照配合1制备的热固性树脂组合物(x1-1)，在120℃下加热干燥2分钟，得到了厚度30μm的热固性树脂膜(x1：配合1)。另外，除了变更为按照配合2制备的热固性树脂组合物(x1-1)以外，通过同样的方法得到了厚度50μm的热固性树脂膜(x1：配合2)。[0558]＜保护膜形成用片的制造＞[0559]作为支撑片(y)，使用将基材(厚度：100μm)、中间层(厚度：400μm)及粘合剂层(厚度：10μm)依次层叠而成的粘贴胶带(琳得科株式会社制、e-8510hr)，将该粘贴胶带的粘合剂层与在剥离材上形成的厚度30μm的热固性树脂膜(x1：配合1)贴合，制造了依次层叠有支撑片(y)、热固性树脂膜(x1)及剥离材料的保护膜形成用片1。[0560]对于厚度50μm的热固性树脂膜(x1：配合2)，也通过同样的步骤制造了保护膜形成用片2。[0561][保护膜(x)的拉伸模量e’的测定][0562]使热固性树脂膜(x1)固化后，通过以下的方法测定了保护膜(x)的拉伸模量e’。[0563]首先，将6片厚度30μm的热固性树脂膜(x1：配合1)重叠，制作厚度0.18mm、宽度4.5mm、长度20.0mm的样品，在加压烘箱(琳得科株式会社制rad-9100)中于温度：130℃、时间：2h、炉内压力：0.5mpa的加热条件下对该样品进行热处理，得到了保护膜(x)。[0564]接着，使用动态粘弹性测定装置(ta instruments公司制、产品名“dma q800”)以拉伸模式、频率11hz、23℃、大气氛围下测定了保护膜(x)的拉伸模量e’(23℃)。另外，除了将测定时的温度设定为260℃以外，设为同样的条件测定了保护膜(x)的拉伸模量e’(260℃)。[0565]对于热固性树脂膜(x1：配合2)，将4片厚度50μm的热固性树脂膜(x1：配合2)重合，并将厚度设为0.20mm，除此以外，通过同样的步骤得到保护膜(x)，测定了保护膜(x)的拉伸模量e’(23℃)、保护膜(x)的拉伸模量e’(260℃)。[0566][短路评价][0567]从上述得到的保护膜形成用片去除剥离材料，将由此露出的热固性树脂层的表面(露出面)压接于带球凸块的晶片的凸块形成面，从而在半导体晶片的凸块形成面粘贴保护膜形成用片。此时，保护膜形成用片的粘贴使用粘贴装置(辊式层压机、琳得科株式会社制“rad-3510f/12”)在工作台温度90℃、粘贴速度2mm/sec、粘贴压力0.5mpa的条件下边对热固性树脂膜(x1)加热边进行。将粘贴有保护膜形成用片1或2的带球凸块的晶片的详细情况(要件(α1)、(α2)、(α3a)及(α4))示于表1。[0568]接下来，使用琳得科株式会社制的rad-2700进行紫外线照射，将保护膜形成用片的支撑片(y)剥离。[0569]将粘贴有热固性树脂膜(x1)的带凸块的晶片在加压烘箱(琳得科株式会社制rad-9100)中于温度：130℃、时间：2h、炉内压力：0.5mpa的加热条件进行热处理，使热固性树脂膜(x1)热固化，得到了带有保护膜(x)的半导体晶片(实施例1～4)。[0570]将带有保护膜(x)的半导体晶片以与凸块形成面垂直的方向且通过凸块中心的方式割断，对割断后的截面进行光学显微镜观察，由此测定了保护膜(x)的厚度(xt)。[0571]然后，在将带有保护膜(x)的半导体晶片的凸块形成面与布线基板的布线形成面夹隔凸块相对的状态下以260℃进行1分钟的加热处理(加热连接工序)，对凸块间有无接触(有无短路)进行了评价。[0572]需要说明的是，作为比较试验，对与实施例1及3、以及实施例2及4相同、且未形成保护膜(x)的带凸块的晶片实施加热连接工序，评价了有无短路(比较例1及2)。[0573]将结果示于表1。[0574][表1][0575][0576]根据表1可知以下的结论。[0577]在实施例1～4中，尽管使用了具有经窄间距化了的凸块的半导体晶片，但实现了凸块的短路的。[0578]另一方面可知，在如比较例1及2那样未设置保护膜(x)的情况下，无法抑制具有经窄间距化了的凸块的半导体晶片的凸块短路。









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