基板处理方法和基板处理装置与流程

电气元件制品的制造及其应用技术around：全环绕栅极)晶体管的制造工序中，如图1所示那样依次进行以下工序：(a)基板(晶圆w)上的sige层与si层的层叠；(b)sige层的选择性蚀刻；(c)作为绝缘膜的内间隔物(is)的埋入；以及(d)多余的内间隔物的蚀刻。此外，在(c)中埋入的绝缘膜构成为用于减小在之后的工序中埋入的金属栅极与源极/漏极之间的寄生电容的绝缘膜。21.上述的专利文献1中公开的技术是用于进行该(b)sige层的选择性蚀刻的方法。具体地说，对配置于腔室内的基板供给作为蚀刻气体的f2气体、nh3气体，并控制该f2气体和nh3气体的体积比率，由此能够进行sige层相对于si层的选择性蚀刻。22.另外，在这样的sige层的选择性蚀刻中，要求均匀地控制所层叠的各sige层的蚀刻量。然而，在专利文献1所记载的蚀刻方法中，有时难以通过蚀刻条件来均匀地控制各sige层的蚀刻量。即，以往的sige膜的选择性蚀刻方法存在改善的余地。23.本公开所涉及的技术是鉴于上述情况而完成的，在交替地层叠有硅层与硅锗层的基板的处理中，适当地进行硅锗层相对于硅层的选择性蚀刻。下面，参照附图来对作为本实施方式所涉及的基板处理方法的晶圆处理进行说明。此外，在本说明书和附图中，对具有实质上相同的功能结构的要素标注相同的附图标记，由此省略重复说明。24.图2是示出本实施方式所涉及的sige层的选择性蚀刻的主要工序的流程图。另外，图3是示出sige层的选择性蚀刻的主要工序的说明图。此外，在以下的说明中，有时将sige层与si层交替地排列而成的各层露出的端面(侧面)称为sige层和si层的“露出面”。25.如图2和图3所示，在本实施方式所涉及的sige层的选择性蚀刻中，进行以下工序：在层叠于晶圆w上的si层和sige层中的sige层的露出面表层选择性地形成氧化膜ox(图2的步骤t1)；以及去除所形成的氧化膜ox(图2的步骤t2)。如图3的(e)所示，从sige层的露出面起在深度方向上重复进行这些步骤t1和步骤t2，直到得到期望的蚀刻量为止(图2的分支c1)。26.之后，当针对sige层得到期望的蚀刻量时，将残留于晶圆w的表层的的氧化膜ox去除，更具体地说，尤其是将残留于si层和sige层的露出面表层的氧化膜ox去除。具体地说，例如进行以下处理：使氧化膜ox变质来生成反应生成物的cor(chemical oxide removal：化学氧化物去除)处理(图2的步骤t3)；以及通过晶圆w的加热来在cor处理中使氧化膜ox变质而生成的反应生成物升华的pht(post heat treatment：后热处理)处理(图2的步骤t4)。27.下面，对图2和图3所示的各工序的详细方法进行说明。28.《步骤t1：氧化膜的形成》29.在图2的步骤t1中，使用作为等离子体处理部的等离子体处理装置1对sige层的露出面表层选择性地进行氧化，由此，从sige层的露出面起在深度方向上形成氧化膜ox(例如sio2膜)。30.如图4所示，等离子体处理装置1具备用于收容晶圆w的密闭构造的处理容器10。处理容器10例如由铝或铝合金构成，上端开放，且处理容器10的上端被作为顶部的盖体10a封闭。在处理容器10的侧面设置有晶圆w的搬入搬出口(未图示)，经由该搬入搬出口与等离子体处理装置1的外部连接。搬入搬出口构成为通过闸阀(未图示)开闭自如。31.处理容器10的内部被分隔板11分隔为上方的等离子体生成空间p和下方的处理空间s。即，本实施方式所涉及的等离子体处理装置1构成为等离子体生成空间p与处理空间s分离的远程等离子体处理装置。32.分隔板11具有以从等离子体生成空间p朝向处理空间s隔开间隔地重叠的方式配置的至少两个板状构件12、13。板状构件12、13分别具有以在重叠方向上贯通的方式形成的狭缝12a、13a。而且，各狭缝12a、13a以在俯视时彼此不重叠的方式配置，由此，分隔板11作为当在等离子体生成空间p中生成等离子体时抑制等离子体中的离子透过并到达处理空间s的、所谓的离子阱发挥功能。更具体地说，通过使狭缝12a与狭缝13a以彼此不重叠的方式配置的迷宫构造，来阻止各向异性地移动的离子的移动，另一方面，使各向同性地移动的自由基透过。33.等离子体生成空间p具有向处理容器10内供给处理气体的供气部20和将供给到处理容器10内的处理气体等离子体化的等离子体生成部30。34.在供气部20连接有多个气体供给源(未图示)，将包含含氟气体(例如nf3气体)、含氧气体(例如o2气体)以及稀释气体(例如ar气体)的处理气体分别供给到处理容器10的内部。此外，只要能够在sige层的露出面表层形成氧化膜ox即可，向供气部20供给的处理气体的种类并不限定于此。35.另外，在供气部20设置有用于调节针对等离子体生成空间p供给的处理气体的供给量的流量调节器(未图示)。流量调节器例如具有开闭阀和质量流量控制器。36.等离子体生成部30构成为使用rf天线的电感耦合型的装置。处理容器10的盖体10a例如由石英板形成，构成为电介质窗。在盖体10a的上方形成有用于在处理容器10的等离子体生成空间p生成电感耦合等离子体的rf天线31。rf天线31经由具有匹配电路的匹配器32而与高频电源33连接，匹配电路用于使电源侧与负载侧的阻抗取得匹配，所述高频电源33以任意的输出值输出适于生成等离子体的固定频率(通常为13.56mhz以上)的高频电力。37.处理空间s具有在处理容器10内载置晶圆w的载置台40、以及用于排出处理容器10内的处理气体的排气部50。38.载置台40具有用于载置晶圆w的上部台41、以及固定于处理容器10的底面且支承上部台41的下部台42。在上部台41的内部设置有用于调节晶圆w的温度的温度调节机构43。39.排气部50经由设置于处理容器10的底部的排气管而与例如真空泵等排气机构(未图示)连接。另外，在排气管设置有自动压力控制阀(apc)。通过这些排气机构和自动压力控制阀来控制处理容器10内的压力。40.在以上的等离子体处理装置1设置有作为控制部的控制装置60。控制装置60例如是具备cpu、存储器等的计算机，并具有程序保存部(未图示)。在程序保存部中保存有控制等离子体处理装置1中的晶圆w的处理的程序。此外，上述程序可以记录于计算机可读取的存储介质h中，并从该存储介质h安装于控制装置60。41.等离子体处理装置1如以上那样构成。接着，对使用等离子体处理装置1进行的等离子体氧化处理(氧化膜ox的形成)进行说明。此外，在被搬入等离子体处理装置1的晶圆w上预先以交替层叠的方式形成有si层与sige层。42.首先，如图3的(a)所示，将以交替层叠的方式形成有si层与sige层的晶圆w载置于载置台40。在搬入到等离子体处理装置1的晶圆w上，如图3的(b)所示那样在sige层的露出面表层形成氧化膜ox。43.具体地说，当在载置台40上载置晶圆w时，从供气部20向等离子体生成空间p供给处理气体(在本实施方式中为nf3气体、o2气体以及ar气体)，并且向rf天线31供给高频电力，来生成电感耦合等离子体即含有氧和氟的等离子体。换言之，所生成的等离子体含有氧自由基(o*)和氟自由基(f*)。44.在此，优选的是，向等离子体生成空间p供给的处理气体的流量为o2：nf3＝100～2500sccm：1～20sccm，更优选的是，nf3气体相对于o2气体的体积比率为0.1vol％以上且1.0vol％以下。另外，优选等离子体生成空间p中的高频电力的输出为100w～1000w、等离子体生成空间p的内部压力(真空度)为6.67pa～266.6pa(50mtorr～2000mtorr)。另外，此时，优选将载置于载置台40上的晶圆w的温度控制为0℃～120℃，更优选控制为15～100℃。45.在等离子体生成空间p中生成的等离子体经由分隔板11向处理空间s被供给。在此，由于如前述那样在分隔板11形成有迷宫构造，因此仅有在等离子体生成空间p中生成的自由基透过并到达处理空间s。当自由基透过并到达处理空间s时，附着于晶圆w的表面的杂质通过f*被去除。接着，通过将o*作用于sige层，来使sige层的露出面表层氧化，从而在该露出面表层形成氧化膜ox(sio2膜)。在此，在sige层的氧化中，o2代替ge来与si结合，由此ge气化(例如ge2f4、geof2)并飞散。气化后的ge例如被f*、ar*搬运到排气部50并被回收。46.在此，在本实施方式所涉及的等离子体氧化处理中，不仅在sige层的露出面表层进行氧化，还在si层的露出面表层进行氧化，形成氧化膜ox(sio2膜)。然而，本发明的发明人们进行了深入研究，结果发现sige层的氧化速度比si层的氧化速度快(例如10倍左右)。换言之，在本实施方式所涉及的等离子体氧化处理中，与相对于sige层的氧化膜ox的形成厚度相比，相对于si层的氧化膜ox的形成厚度小(例如1/10左右)，因此能够适当地进行sige层的选择性的氧化。47.另外，在本实施方式所涉及的等离子体氧化处理中，如上述那样仅使各向同性地移动的自由基透过并到达处理空间s。因此，通过等离子体氧化处理形成的氧化膜ox的形成厚度在晶圆w的面内均匀且在所层叠的各sige层上均匀。换言之，能够减小所形成的氧化膜ox的厚度的偏差，特别地，能够减小在层叠地形成的各sige层的露出面表层形成的氧化膜ox的厚度的偏差。48.另外，在此，本实施方式所涉及的等离子体氧化处理是在等离子体处理装置1的处理时间内sige层的氧化量、换言之为所形成的氧化膜ox的从露出面起的厚度饱和的工艺。在本实施方式中，如图5所示，通过一次等离子体氧化处理形成的氧化膜ox的厚度例如约为10nm。49.此外，图5所示的sige层的饱和氧化量(氧化膜ox的饱和形成厚度)由自由基相对于sige层的到达深度来决定。换言之，通过控制等离子体处理装置1的内部压力来控制自由基相对于sige层的到达深度，由此能够控制sige层的饱和氧化量。具体地说，例如通过提高等离子体处理装置1的内部压力，能够增大饱和氧化量、即被形成的氧化膜ox的厚度。另外，例如通过降低等离子体处理装置1的内部压力，能够减小饱和氧化量、即被形成的氧化膜ox的厚度。50.此外，在等离子体处理装置1的处理时间长的情况下，存在供给到处理空间s的自由基对si层的作用变大，从而si层的氧化量、即形成于露出面表层的氧化膜ox的形成厚度可能会变大。如后述那样，通过去除所形成的氧化膜ox来进行本实施方式所涉及的sige层的选择性蚀刻，但在像这样si层的氧化量变大了的情况下，由于如上所述sige层的氧化量的饱和不取决于处理时间，因此sige层的选择比率(sige层的氧化量相对于si层的氧化量的比率)下降。51.因此，为了抑制该自由基对si层的影响，本实施方式所涉及的等离子体氧化处理优选在sige层的氧化量达到饱和氧化量之前停止对处理容器10供给处理气体。由此，能够适当地抑制sige层的选择比率的下降。另外，即使在像这样在sige层的氧化量达到饱和氧化量之前停止了处理气体的供给的情况下，也能够通过残留于处理容器10的内部的处理气体(等离子体)使sige层的氧化有进展，从而能够使sige层的氧化量适当地接近饱和氧化量。52.《步骤t2：氧化膜的去除》53.当在sige层的暴露面表层形成氧化膜ox时，接着，使用作为去除部的蚀刻处理装置101来进行在步骤t1中形成的氧化膜ox的去除、例如气体蚀刻。图6是示出用于进行该氧化膜ox的去除的蚀刻处理装置101的结构的概要的纵剖截面图。54.如图6所示，蚀刻处理装置101具备收容晶圆w的密闭构造的处理容器110，在处理容器110的内部形成有处理空间s。在处理容器110的侧面设置有晶圆w的搬入搬出口(未图示)，经由该搬入搬出口与蚀刻处理装置101的外部连接。搬入搬出口构成为通过闸阀(未图示)开闭自如。另外，在蚀刻处理装置101设置有在处理容器110内载置晶圆w的载置台120、向处理空间s内供给蚀刻气体的供给部130以及将处理容器110内的蚀刻气体排出的排气部140。55.载置台120固定地设置于处理容器110的底面，在该载置台120的上表面形成有用于保持晶圆w的晶圆保持面。在载置台120的内部设置有对保持于晶圆保持面上的晶圆w的温度进行调节的温度调节机构121。56.供给部130具有向处理容器110的内部分别供给作为蚀刻气体的含氟气体(例如hf气体)、氨(nh3)气体、稀释气体(例如ar气体)以及非活性气体(例如n2气体)的多个气体供给源131、以及设置于处理容器110的顶部且具有用于向处理空间s内喷出处理气体的多个喷出口的喷淋头132。气体供给源131经由连接于喷淋头132的供给管而与处理容器110的内部连接。57.另外，在供给部130设置有流量调节器133，所述流量调节器133对针对处理容器110的内部供给蚀刻气体的供给量进行调节。流量调节器133例如具有开闭阀和质量流量控制器。58.排气部140经由设置于处理容器110的底部的排气管而与例如真空泵等排气机构(未图示)连接。另外，在排气管设置有自动压力控制阀(apc)。通过这些排气机构和自动压力控制阀来控制处理容器110内的压力。59.在以上的蚀刻处理装置101设置有作为控制部的控制装置150。控制装置150例如是具备cpu、存储器等的计算机，并具有程序保存部(未图示)。在程序保存部中保存有控制蚀刻处理装置101中的晶圆w的处理的程序。此外，上述程序可以记录于计算机可读取的存储介质h，并从该存储介质h安装于控制装置150。60.此外，设置于蚀刻处理装置101的控制装置150也可以与设置于等离子体处理装置1的控制装置60是共同的。即，蚀刻处理装置101也可以与设置于等离子体处理装置1的控制装置60连接，来取代与控制装置150连接。61.蚀刻处理装置101如以上那样构成。接着，对使用蚀刻处理装置101进行的气体蚀刻处理(氧化膜ox的去除)进行说明。此外，关于被搬入到蚀刻处理装置101的晶圆w，预先在前述的步骤t1中在sige层的露出面表层形成有氧化膜ox。62.首先，如图3的(b)所示，将在sige层的露出面表层形成有氧化膜ox的晶圆w载置于载置台120。如图3的(c)所示，将被搬入到蚀刻处理装置101的晶圆w的氧化膜ox去除。63.具体地说，当将晶圆w载置于载置台120上并将处理容器110的内部密闭时，首先向处理空间s供给稀释气体(ar气体)和非活性气体(n2气体)。此时，将处理空间s的内部压力例如控制为30mtorr～5000mt，并将载置台120上的晶圆w的温度例如控制为0℃～150℃。64.当处理空间s的内部压力和晶圆w的温度成为期望的状态时，接着，还向处理空间s供给含氟气体(hf气体)和nh3气体。此时，将向处理空间s供给的hf气体和nh3气体的流量例如分别控制为10～1000sccm，将ar气体和n2气体的流量例如分别控制为0sccm～1000sccm。而且，通过像这样向处理空间s供给hf气体和nh3气体，来开始对形成于sige层的露出面表层的氧化膜ox进行气体蚀刻。65.在此，在本实施方式所涉及的气体蚀刻处理中，根据氧化膜ox(sio2膜)与si层及sige层的蚀刻速率之差，来选择性地去除在步骤t1中形成的氧化膜ox。换言之，在步骤t1中，通过si层与sige层的氧化速度之差来针对sige层选择性地形成氧化膜ox，因此，在本实施方式所涉及的气体蚀刻处理中，能够适当地进行sige层的选择性的蚀刻去除。66.另外，如上所述，在步骤t1中的等离子体氧化处理中，能够使氧化膜ox的形成厚度在晶圆w的面内均匀且在所层叠的各sige层中均匀。即，在本实施方式所涉及的气体蚀刻处理中，能够在晶圆w的面内均匀地且在所层叠的各sige层中均匀地进行sige层的去除。67.另外，在步骤t1中的等离子体氧化处理中，如图5所示，通过一次等离子体氧化处理形成的氧化膜ox的厚度的饱和不取决于处理时间。即，一次气体蚀刻处理中的sige层的蚀刻量会与氧化膜ox的形成厚度一致地饱和，因此能够容易地控制sige层的蚀刻量。另外，此时，能够如上述那样通过等离子体处理装置1的内部压力来控制氧化膜ox的形成厚度，因此能够更适当地控制sige层的蚀刻量。68.《分支c1：氧化膜的形成和去除的重复处理》69.本实施方式所涉及的氧化膜ox的形成(步骤t1)和氧化膜ox的去除(步骤t2)即sige层的去除如以上的那样进行。在此，如上所述，如图5所示，本实施方式所涉及的sige层的氧化量(sige层的蚀刻量)的饱和不取决于等离子体处理时间。即，通过一次氧化膜ox的形成和去除，有时无法得到期望的sige层的蚀刻量。因此，在本实施方式所涉及的sige层的选择性蚀刻方法中，通过重复进行包括该氧化膜ox的形成(步骤t1)和去除(步骤t2)的晶圆处理的循环，来将sige层蚀刻去除到期望的深度。70.换言之，在本实施方式中，根据所需的sige层的总蚀刻量来决定重复进行的晶圆处理的循环数。71.像这样，即使在重复进行一系列的晶圆处理的循环的情况下，一次循环中的sige层的蚀刻量也与sige膜的饱和氧化量一致，因此能够容易地控制sige层的总蚀刻量。另外，此时，如上述那样通过等离子体处理装置1的内部压力来控制sige膜的饱和氧化量，因此能够更适当地控制sige层的总蚀刻量。而且，由于能够像这样适当地控制sige层的总蚀刻量，因此能够将sige层的选择性蚀刻处理后的sige层的线宽、即在后续工序中形成的沟道宽度控制为任意的尺寸。72.当通过重复进行氧化膜的形成和去除的循环而在sige层得到期望的总蚀刻量时，在将晶圆w向下一工序搬送之前，将残留于晶圆w的表层的氧化膜ox去除，更具体地说，尤其是将残留于si层和sige层的露出面表层的氧化膜ox去除。关于氧化膜ox的去除方法并无特别限定，例如可以通过干蚀刻、湿蚀刻等来进行，但在以下的说明中，以对晶圆w依次进行cor处理和pht处理的情况为例来进行说明。73.《步骤t3：氧化膜的变质(反应生成物的生成)》74.在图2的步骤t3中，使用作为去除部的cor处理装置来使蚀刻气体作用于在si层和sige层的露出面表层残留的氧化膜ox，由此使氧化膜ox变质而生成反应生成物(cor处理)。75.cor处理装置(未图示)例如具有与图6所示的蚀刻处理装置101同等的结构。即，cor处理装置具备例如在内部形成有处理空间s的处理容器、在处理容器内载置晶圆w的载置台、向处理空间s供给蚀刻气体的供给部以及将处理容器内的处理气体排出的排气部。换言之，也可以在进行步骤t2的气体蚀刻处理的蚀刻处理装置101中进行本实施方式所涉及的cor处理。76.在本实施方式所涉及的cor处理中，首先，将在步骤t1和步骤t2中进行了sige层的选择性蚀刻的晶圆w载置于载置台。接着，向密闭的处理容器的内部供给稀释气体(ar气体)和非活性气体(n2气体)，并将处理容器内的压力例如控制为30mtorr～5000mt，将载置台上的晶圆w的温度例如控制为0℃～150℃。77.当处理空间s的内部压力和晶圆w的温度成为期望的状态时，接着还向处理空间s供给含氟气体(hf气体)和nh3气体。此时，将向处理空间s内供给的hf气体和nh3气体的流量例如分别控制为50sccm～500sccm，将ar气体和n2气体的流量例如分别控制为100sccm～600sccm。而且，通过使像这样供给到处理空间s的hf气体和nh3气体作用于在晶圆w的表面残留的氧化膜ox，来使氧化膜ox变质为作为反应生成物的氟化铵系化合物。78.《步骤t4：反应产物的升华》79.当在步骤t3中使氧化膜ox变质时，接着，使用作为去除部的pht处理装置来使通过氧化膜ox的变质而生成的反应生成物(氟化铵系化合物)升华(pht处理)。80.pht处理装置(未图示)例如具有与cor处理装置同等的结构。即，pht处理装置例如具备在内部形成有处理空间s的处理容器、在处理容器内载置晶圆w的载置台、向处理空间s供给蚀刻气体的供给部、以及将处理容器内的处理气体排出的排气部。换言之，也可以在进行步骤t3的cor处理的cor处理装置中进行本实施方式所涉及的pht处理。另外，换言之，也可以在同一蚀刻处理装置101中分别进行步骤t2的氧化膜ox的去除、步骤t3的cor处理以及步骤t4的本pht处理。81.在本实施方式所涉及的pht处理中，首先，将在步骤t3中进行了cor处理的晶圆w载置于载置台。接着，向密闭的处理容器的内部供给作为处理气体的非活性气体(n2气体)，并且将载置台上的晶圆w的温度控制为例如85℃以上。作为在cor处理中生成的反应生成物即氟化铵系化合物受热升华。即，通过像这样使晶圆w的温度上升，能够使在步骤t3的cor处理中生成的氟化铵系化合物、即变质后的氧化膜ox升华来将其去除。此外，升华后的反应生成物例如与处理气体(n2气体)一同在排气部50中被回收。82.此外，可以重复进行步骤t3中的氧化膜ox的变质、以及步骤t4中的通过氧化膜ox的变质而生成的反应生成物的升华，直至作为反应生成物的氟化铵系化合物被去除为止。而且，当通过这样将残留于晶圆w的表层、尤其是残留于si层和sige层的露出面表层的氧化膜ox去除时，本实施方式所涉及的一系列的sige层的选择性蚀刻结束。83.《本实施方式所涉及的晶圆处理的效果》84.根据本实施方式，通过使用被利用远程等离子体自由基化后的处理气体，能够针对sige层在晶圆w的面内均匀地且在所层叠的各sige层均匀地形成氧化膜ox。而且，通过去除像这样形成的氧化膜ox来进行sige层的蚀刻，由此能够使sige层的蚀刻量在晶圆w的面内均匀且在所层叠的各sige层均匀。即，能够减小所层叠的各sige层的蚀刻量的偏差。85.根据本实施方式，能够通过si层与sige层的氧化速度之差来选择性地使sige层氧化，并且根据氧化膜ox(sio2膜)与si层及sige层的蚀刻速率之差来选择性地蚀刻氧化膜ox。即，根据本实施方式，能够适当地进行sige层的选择性蚀刻。86.另外，根据本实施方式中的等离子体氧化处理，氧化膜ox的形成厚度的饱和不取决于处理时间，因此能够容易地控制随着氧化膜ox的去除而产生的sige层的蚀刻量。另外，此时，通过进行等离子体氧化处理的等离子体处理装置的内部压力来控制氧化膜ox的形成厚度，因此能够更适当地控制sige层的蚀刻量。87.另外，进一步地，根据本实施方式，通过重复进行这样的针对sige层的露出面表层的氧化膜ox的形成以及所形成的氧化膜ox的去除，能够容易地以期望的总蚀刻量去除sige层。并且，此时，通过进行等离子体氧化处理的等离子体处理装置的内部压力来控制氧化膜ox的形成厚度，由此能够更适当地控制sige层的总蚀刻量。88.此外，在以上的实施方式中，通过利用含氟气体(hf气体)和氨(nh3)气体的气体蚀刻来进行形成于sige层的露出面表层的氧化膜ox(sio2膜)的去除，但氧化膜ox的去除方法并不限定于此。例如形成于sige层的露出面表层的氧化膜ox也可以通过湿蚀刻来去除，也可以通过进行例如上述的cor处理和pht处理来去除。89.在此，在图7中示出进行了本实施方式所涉及的sige层的选择性蚀刻的情况下的处理结果的一例。在本例中，首先，如上述那样，使用被利用远程等离子体自由基化后的处理气体来针对sige层的露出面表层选择性地形成氧化膜ox。而且，图7的(a)示出如上述实施方式所示的那样通过使用了含氟气体(hf气体)和氨(nh3)气体的气体蚀刻来进行氧化膜ox的去除的情况下的处理结果，图7的(b)示出通过湿蚀刻进行了氧化膜ox的去除的情况下的处理结果。90.如图7的(a)和图7的(b)所示，通过如本实施方式所示的那样使用被利用远程等离子体自由基化后的处理气体来形成氧化膜ox，能够均匀地控制从sige层的露出面起的蚀刻量(ea：etching amount)。具体地说，如图7所示那样层叠地形成的各sige层的蚀刻量的偏差为2.2％左右。像这样，根据本实施方式所涉及的sige层的选择蚀刻方法，能够适当地减小所层叠的各sige层的总蚀刻量的偏差。91.此外，在以上的实施方式中，在等离子体处理装置1和蚀刻处理装置101中分别进行了步骤t1的等离子体氧化处理和步骤t2的氧化膜ox的蚀刻去除处理，但也可以在同一处理容器内进行这些等离子体氧化处理和蚀刻去除处理。即，例如只要构成为能够在等离子体处理装置1中向处理空间s供给作为蚀刻气体的hf气体和nh3气体，就能够在等离子体处理装置1中进行氧化膜ox的蚀刻去除。92.另外，如上所述，能够在同一处理容器(蚀刻处理装置101)中进行步骤t2的蚀刻去除处理、步骤t3的cor处理以及步骤t4的pht处理。换言之，如果构成为如上述那样能够在等离子体处理装置1中进行氧化膜ox的蚀刻去除，则能够在同一处理容器内进行图2的步骤t1～步骤t4所涉及的一系列的晶圆处理。93.此外，在以上的实施方式中，以通过sige层的选择性蚀刻来如图3所示那样将该sige层的表层去除到期望的深度的情况为例进行了说明，但也可以如图8所示的那样将sige层全部去除。即使在该情况下，也能够通过应用本实施方式所涉及的方法来适当地进行sige层的选择性蚀刻。另外，此时，如上述那样在sige层的氧化量达到饱和氧化量之前停止对处理容器供给处理气体，并且控制等离子体氧化处理的时间，以通过残留于处理容器的内部的处理气体使sige层的氧化量达到饱和氧化量，由此能够适当地缩短重复进行的晶圆处理的循环所花费的时间。94.应当认为本次公开的实施方式在所有方面均为例示，而非限制性的。上述的实施方式可以不脱离所附的权利要求书及其主旨地以各种方式进行省略、置换、变更。95.此外，以下那样的结构也属于本公开的技术范围。96.(1)一种基板处理方法，是交替地层叠有硅层与硅锗层的基板的处理方法，所述基板处理方法包括以下工序：使用被利用远程等离子体自由基化后的、包含氟和氧的气体，选择性地将所述硅锗层的露出面的表层氧化来形成氧化膜；以及去除所形成的所述氧化膜。97.根据所述(1)，通过使用被利用远程等离子体自由基化后的气体，能够在所层叠的各硅锗层均匀地形成氧化膜。而且，通过去除像这样形成的氧化膜来去除硅锗层，由此能够减小所层叠的各硅锗层中的蚀刻量的偏差。98.(2)根据所述(1)所述的基板处理方法，其中，用于形成所述氧化膜的气体包含o2气体和含氟气体，含氟气体相对于o2气体的体积比率为0.1vol％以上且1.0vol％以下。99.(3)根据所述(1)或所述(2)所述的基板处理方法，其中，通过进行所述氧化膜的形成的等离子体氧化处理部的内部压力来控制被形成的所述氧化膜的厚度。100.(4)根据所述(1)～所述(3)中的任一项所述的基板处理方法，其中，被形成的所述氧化膜的厚度的饱和不取决于形成所述氧化膜的工序的处理时间，在形成所述氧化膜的工序中，在所述氧化膜的形成厚度饱和之前停止对进行所述氧化膜的形成的等离子体氧化处理部供给气体。101.(5)根据所述(1)～所述(4)中的任一项所述的基板处理方法，其中，重复进行包括形成所述氧化膜的工序和去除所述氧化膜的工序的循环。102.根据所述(5)，通过重复进行氧化膜的形成和氧化膜的去除，能够适当地控制针对硅锗层的蚀刻总量。103.(6)根据所述(1)至所述(5)中的任一项所述的基板处理方法，其中，去除所述氧化膜的工序包括以下工序：使所述氧化膜变质为反应生成物；以及对所述基板进行加热，来使通过所述氧化膜的变质而生成的反应生成物升华。104.(7)根据所述(1)～所述(6)中的任一项所述的基板处理方法，其中，使用至少包含hf气体和nh3气体的气体来进行去除所述氧化膜的工序。105.(8)一种基板处理装置，对交替地层叠有硅层与硅锗层的基板进行处理，所述基板处理装置具备：等离子体处理部，其使用被利用远程等离子体自由基化后的、包含氟和氧的气体，选择性地将所述硅锗层的露出面的表层氧化来形成氧化膜；去除部，其去除所形成的所述氧化膜；以及控制部，其控制所述等离子体处理部和所述去除部的动作。106.(9)根据所述(8)所述的基板处理装置，其中，用于形成所述氧化膜的气体包含o2气体和含氟气体，所述控制部控制所述等离子体处理部的动作，以使含氟气体相对于o2气体的体积比率成为0.1vol％以上且1.0vol％以下。107.(10)根据所述(8)或所述(9)所述的基板处理装置，其中，所述控制部通过所述等离子体处理部的内部压力来控制被形成的所述氧化膜的厚度。108.(11)根据所述(8)～所述(10)中的任一项所述的基板处理装置，其中，被形成的所述氧化膜的厚度的饱和不取决于所述等离子体处理部的处理时间，在所述氧化膜的形成厚度饱和之前，所述控制部控制所述等离子体处理部的动作以停止对所述等离子体处理部供给气体。109.(12)根据所述(8)～所述(11)中的任一项所述的基板处理装置，其中，所述控制部控制所述等离子体处理部和所述去除部的动作，以重复进行包括所述等离子体处理部中的所述氧化膜的形成和所述去除部中的所述氧化膜的去除的循环。110.(13)根据所述(8)至所述(12)中的任一项所述的基板处理装置，其中，所述控制部控制所述去除部的动作，以在使所述氧化膜变质为反应生成物之后，对所述基板进行加热来使通过所述氧化膜的变质而生成的反应生成物升华。111.(14)根据所述(8)～所述(13)中的任一项所述的基板处理装置，其中，所述控制部控制所述去除部的动作，以使用至少包含hf气体和nh3气体的气体来进行所述氧化膜的去除。112.附图标记说明113.ox：氧化膜；si：硅；sige：硅锗；w：晶圆。









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