发光材料及其制造方法

喷涂装置;染料;涂料;抛光剂;天然树脂;黏合剂装置的制造及其制作,应用技术1.本发明涉及发光材料及其制造方法。背景技术：2.芯壳型半导体纳米粒子具有发光效率高、发光光谱的半值宽度窄的特征，而且通过改变其粒径，能够在广的波长范围控制其发光颜色。这样的性质作为高效率且高演色性的照明、广色域的显示器用途是优异的。因此，芯壳型半导体纳米粒子作为新一代的发光材料受到瞩目。然而，芯壳型半导体纳米粒子由于表面积相对于体积的比例高，所以化学稳定性低，特别容易因水、氧等而劣化。因此，研究了对纳米粒子赋予阻挡性的方法。3.例如，在国际公开第2013/041864号中公开了一种发光装置，其包含发光粒子和发光层，所述发光粒子是半导体纳米粒子包埋于高分子胶囊化介质中而成的，所述发光层在主基体材料中埋有发光粒子。技术实现要素：4.发明所要解决的问题5.本发明的一个方式的目的在于，提供耐久性优异的发光材料。6.解决问题的方法7.第一个方式涉及一种发光材料，其包含第二半导体纳米粒子(以下也称为“芯壳型半导体纳米粒子”)、和包埋芯壳型半导体纳米粒子的金属化合物，上述第二半导体纳米粒子包含第一半导体纳米粒子(以下也称为“芯”)及配置于芯的表面的附着物(以下也称为“壳”)，并且上述第二半导体纳米粒子通过光的照射而发光。芯包含m1、m2及z。m1为选自银(ag)、铜(cu)、金(au)及碱金属中的至少一种，并且至少包含ag。m2为选自铝(al)、镓(ga)、铟(in)及铊(tl)中的至少一种，并且至少包含in及ga中的至少一者。z包含选自硫(s)、硒(se)及碲(te)中的至少一种。芯具有如下组成：m1的总含有率为10摩尔％以上且30摩尔％以下，m2的总含有率为15摩尔％以上且35摩尔％以下，z的总含有率为35摩尔％以上且55摩尔％以下。壳包含半导体，上述半导体实质上由选自铝(al)、镓(ga)、铟(in)、铊(tl)及碱金属中的至少一种、和选自硫(s)、氧(o)、硒(se)及碲(te)中的至少一种构成。金属化合物包含锌(zn)及镓(ga)中的至少一者、和硫(s)及氧(o)中的至少一者。8.第二方式涉及一种发光材料的制造方法，该方法包括：准备芯壳型半导体纳米粒子，上述芯壳型半导体纳米粒子包含芯及配置于芯的表面的壳，并且上述芯壳型半导体纳米粒子通过光的照射而发光；得到包含芯壳型半导体纳米粒子、含有zn及ga中的至少一者的化合物、含有s及o中的至少一者的化合物、以及溶剂的混合物；以及包埋芯壳型半导体纳米粒子的金属化合物，上述芯壳型半导体纳米粒子包含zn及ga中的至少一者、和s及o中的至少一者。芯包含m1、m2及z。m1为选自ag、cu、au及碱金属中的至少一种，并且至少包含ag。m2为选自al、ga、in及tl中的至少一种，并且至少包含in及ga中的至少一者。z包含选自s、se及te中的至少一种。芯具有如下组成：m1的总含有率为10摩尔％以上且30摩尔％以下，m2的总含有率为15摩尔％以上且35摩尔％以下，z的总含有率为35摩尔％以上且55摩尔％以下。壳实质上由选自al、ga、in、tl及碱金属中的至少一种、和选自s、o、se及te中的至少一种构成。9.发明的效果10.根据本发明的一个方式，可以提供耐久性优异的发光材料。附图说明11.图1是包含包埋芯壳型半导体纳米粒子的金属化合物的发光材料的示意图。12.图2是示出发光装置的一例的剖面示意图。13.图3是示出发光装置的另一例的剖面示意图。14.图4是示出发光装置的另一例的剖面示意图。15.图5是实施例1的发光材料的发光光谱。16.图6是实施例2的发光材料的发光光谱。17.符号说明18.1 发光材料19.2 芯壳型半导体纳米粒子20.3 金属化合物21.6 发光元件22.10、20、30 发光装置具体实施方式23.在本说明书中，“工序”的用语不仅包括独立的工序，在不能与其它工序明确区分的情况下，只要能够实现该工序的预期目的，也包含在本用语中。另外，对于组合物中的各成分的含量，在组合物中存在多个与各成分相当的物质时，只要没有特别限定，则是指存在于组合物中的该多个物质的合计量。此外，本说明书中记载的数值范围的上限及下限可以任意选择该数值并进行组合。以下，对本发明的实施方式详细地进行说明。然而，以下示出的实施方式是示例出用于使本发明的技术思想具体化的发光材料及其制造方法，本发明不限定于以下示出的发光材料及其制造方法。需要说明的是，权利要求书中示出的构件绝不限定于实施方式的构件。特别地，只要没有特别记载，则本发明的范围不限定于在实施方式中记载的构成构件的尺寸、材质、形状、其相对配置等，只不过是说明例。24.发光材料25.发光材料包含第二半导体纳米粒子、和包埋第二半导体纳米粒子的金属化合物。第二半导体纳米粒子包含第一半导体纳米粒子和配置于第一半导体纳米粒子的表面的附着物。附着物可以包覆第一半导体的表面。因此，在第二半导体纳米粒子的表面分析中，可以检测不到仅可以在第一半导体纳米粒子中包含的元素(例如ag)。以下，在本说明书中，为了方便，将第一半导体纳米粒子称为芯，将附着物称为壳，将第二半导体纳米粒子称为芯壳型半导体纳米粒子。26.发光材料包含通过光的照射而发光的芯壳型半导体纳米粒子、和包埋芯壳型半导体纳米粒子的金属化合物，上述芯壳型半导体纳米粒子包含芯及配置于芯的表面的壳。芯例如可以是包含m1、m2及z的半导体。这里，m1可以为选自ag、cu、au及碱金属中的至少一种，并且至少包含ag。m2可以为选自al、ga、in及tl中的至少一种，并且包含in及ga中的至少一者。z可以包含选自s、se及te中的至少一种。芯可以具有如下组成：m1的总含有率为10摩尔％以上且30摩尔％以下，m2的总含有率为15摩尔％以上且35摩尔％以下，z的总含有率为35摩尔％以上且55摩尔％以下。壳可以包含半导体，上述半导体实质上由选自al、ga、in、tl及碱金属中的至少一种、和选自s、o、se及te中的至少一种构成。包埋芯壳型半导体纳米粒子的金属化合物可以包含zn及ga中的至少一者、和s及o中的至少一者。27.发光材料由具有特定的构成的芯壳型半导体纳米粒子、和包埋该芯壳型半导体纳米粒子的特定的金属化合物构成，由此，发光材料的耐久性提高，由环境中的水、氧等引起的发光材料的发光特性的劣化得以抑制。认为金属化合物例如作为包埋芯壳型半导体纳米粒子的基体发挥功能。28.对于芯壳型半导体纳米粒子而言，粒子的至少一部分包埋在金属化合物内而构成发光材料。在发光材料中，可以多个粒子以聚集状态包埋在金属化合物内，也可以各个粒子独立地包埋在金属化合物内。29.这里，参照附图对发光材料的构成例进行说明。图1是示意性地示出发光材料1的一例的概要图。发光材料1由芯壳型半导体纳米粒子2、和包埋该芯壳型半导体纳米粒子2的金属化合物3构成。在图1中，芯壳型半导体纳米粒子2以单独的粒子或聚集粒子的形式包埋于成为基体的金属化合物3中。另外，一部分芯壳型半导体纳米粒子2可以从金属化合物3的表面局部露出。在图1中，为了将说明简化，将芯壳型半导体纳米粒子2设为球状，但芯壳型半导体纳米粒子的形状不限定于球状。另外，在图1中，将金属化合物3描绘成立方体形状，但金属化合物3的形状不限定于立方体形状。30.芯壳型半导体纳米粒子31.芯壳型半导体纳米粒子包含芯和壳，上述芯包含含有m1、m2及z的半导体，上述壳包含实质上由选自al、ga、in、tl及碱金属中的至少一种、和选自s、o、se及te中的至少一种构成的半导体。构成芯的m1可以为选自ag、cu、au及碱金属中的至少一种，并且至少包含ag。m2可以为选自al、ga、in及tl中的至少一种，并且包含in及ga中的至少一者。z可以包含选自s、se及te中的至少一种。在将芯的组成设为1摩尔的情况下的m1的总含有率例如可以为10摩尔％以上且30摩尔％以下，优选为15摩尔％以上且25摩尔％以下。芯的组成中的m2的总含有率例如可以为15摩尔％以上且35摩尔％以下，优选为20摩尔％以上且30摩尔％以下。芯的组成中的z的总含有率例如可以为35摩尔％以上且55摩尔％以下，优选为40摩尔％以上且55摩尔％以下。32.在芯的组成中，m2的总原子数相对于m1的总原子数之比(m2/m1)例如为0.5以上且10以下，优选为0.8以上且5以下，更优选为0.9以上且2以下。另外，在芯的组成中，z的总原子数相对于m1的总原子数之比(z/m1)例如为1以上且10以下，优选为1.5以上且8以下，更优选为2以上且3以下。芯例如可以具有组成式：m1m2z2表示的组成。33.含有ag、in及s、并且其晶体结构为正方晶、六方晶或斜方晶的半导体纳米粒子一般以agins2的组成式表示，在文献等中有所介绍。另一方面，实际不是上述组成式表示的化学计量组成，特别地，也存在m2的原子数相对于m1的原子数之比(m2/m1)小于1的情况，或者也存在反之大于1的情况。另外，在m1的原子数与m2的原子数的总和有时与z的原子数不同。因此，在本说明书中，对于包含特定的元素的半导体，在不论其是否为化学计量组成的情形下，有时会像m1-m2-z这样，用以“‑”连接构成元素的化学式表示组成。34.在包含上述的元素的半导体中，具有六方晶的晶体结构的是纤锌矿型，具有正方晶的晶体结构的半导体是黄铜矿型。晶体结构例如可以通过测定利用x射线衍射(xrd)分析得到的xrd图案来鉴定。具体而言，将通过半导体纳米粒子得到的xrd图案与作为agins2的组成表示的半导体已知的xrd图案、或根据晶体结构参数进行模拟而求出的xrd图案进行比较。在已知的图案和模拟的图案中，如果与芯中所含的半导体的图案一致，则可以认为该芯的晶体结构是与其一致的已知或模拟的图案的晶体结构。35.在成为芯的半导体纳米粒子的集合体中，混合存在有正方晶、六方晶、斜方晶等不同晶体结构的半导体纳米粒子。在该情况下，在xrd图案中，观察到来自多个晶体结构的峰。在芯壳型半导体纳米粒子中，由于实质上由正方晶构成，因此可观察到与正方晶对应的峰，实质上未观察到来自其它晶体结构的峰。36.m1至少包含ag，并且可以进一步包含选自cu、au及碱金属中的至少一种。m1可以实质上由ag构成，可以实质上由ag及cu构成，或者可以实质上由ag及碱金属构成。这里，“实质上”表示，除ag、cu及碱金属以外的元素相对于ag、cu及碱金属的总量的比例例如为10摩尔％以下，优选为5摩尔％以下、更优选为1摩尔％以下。这里，m1中所含的碱金属中包含锂(li)、钠(na)、钾(k)、铷(rb)及铯(cs)。37.在m1包含ag及cu的情况下，cu的原子数相对于ag及cu的总原子数之比(cu/(ag+cu))例如可以小于1，优选为0.8以下、更优选为0.4以下、进一步优选为0.2以下。而且其比例如大于0，优选为0.05以上、更优选为0.1以上。在m1包含ag及碱金属(以下有时简称为ma)的情况下，碱金属(ma)的原子数相对于ag的原子数及碱金属(ma)的总原子数之比(ma/(ag+ma))例如可以小于1，优选为0.8以下、更优选为0.4以下、进一步优选为0.2以下。而且其比例如大于0，优选为0.05以上、更优选为0.1以上。38.m2包含in及ga中的至少一者，可以进一步包含选自al及tl中的至少一种。m2优选实质上由in及ga中的至少一者构成。这里，“实质上”表示，除in及ga以外的元素相对于in及ga的合计的比例例如为10摩尔％以下，优选为5摩尔％以下、更优选为1摩尔％以下。39.在m2包含in及ga中的至少一者的情况下，ga的原子数相对于in与ga的总原子数之比(ga/(ga+in))例如可以为0.95以下，优选为0.2以上且0.9以下。40.z包含选自s、se及te中的至少一种。z至少包含s，可以一部分被取代而包含se及te中的至少一者。z优选实质上由s、se或te构成。这里，“实质上”是指，除z以外的元素相对于z的比例例如为10摩尔％以下，优选为5摩尔％以下、更优选为1摩尔％以下。41.作为m1、m2及z的组合(m1/m2/z)的例子，可举出cu/in/s、ag/in/s、ag/(in,ga)/s、ag/in/se、ag/(in,ga)/se、ag/in/te、ag/(in,ga)/te、ag/ga/s、ag/ga/se、ag/ga/te等。42.芯中所含的半导体可以实质上由ag、cu、碱金属、in、ga、s及上述的那些一部分被取代的元素构成。这里，“实质上”的用语考虑由杂质混入等引起的不可避地包含除ag、cu、碱金属、in、ga、s及上述的那些一部分发生了取代的元素以外的其它元素而使用。43.芯例如可以具有10nm以下、特别是8nm以下的平均粒径。半导体纳米粒子的平均粒径可以在1.5nm以上且10nm以下的范围内、特别是1.7nm以上且7.5nm以下的范围内。半导体纳米粒子的平均粒径为上述上限值以下时，容易得到量子尺寸效果。44.半导体纳米粒子的平均粒径例如可以根据使用透射型电子显微镜(tem)拍摄的tem图像求出。半导体纳米粒子的粒径具体是指，连结通过tem图像观察到的粒子的外周的任意两点，存在于粒子的内部的线段中最长的线段。45.对通过50000倍以上且150000倍以下的tem图像观察到的全部可计测的粒子测定粒径，将半导体纳米粒子的平均粒径设为这些粒径的算术平均值。这里，“可计测的”粒子在tem图像中能够观察到粒子整体的轮廓。因此，在tem图像中，其轮廓的一部分不包含在拍摄范围中，“切断”这样的粒子不是可计测的粒子。在一个tem图像中所含的可计测的粒子数为100以上的情况下，使用其tem图像求出平均粒径。另一方面，在一个tem图像中所含的可计测的粒子数小于100的情况下，变更拍摄场所，进一步获取tem图像，对两个以上tem图像中所含的100个以上可计测的粒子测定粒径而求出平均粒径。46.壳可以由具有比构成芯的半导体大的带隙能量、并且包含选自第13族元素及碱金属中的至少一种、和第16族元素的半导体构成。壳可以为实质上由选自al、ga、in、tl及碱金属中的至少一种、和选自s、o、se及te中的至少一种形成的半导体。这里，“实质上”表示，将壳中所含的全部元素的原子数的合计设为100％时，除al、ga、in、tl、碱金属、s、o、se及te以外的元素的原子数的比例例如为10％以下、优选为5％以下、更优选为1％以下。47.壳可以根据上述的构成芯的半导体的带隙能量选择其组成等而构成。或者在事先决定了壳的组成等的情况下，可以以使构成芯的半导体的带隙能量比壳的小的方式设计芯。一般而言，含有ag-in-s的半导体具有1.8ev以上且1.9ev以下的带隙能量。48.具体而言，构成壳的半导体例如可以具有2.0ev以上且5.0ev以下、特别是2.5ev以上且5.0ev以下的带隙能量。另外，壳的带隙能量可以比芯的带隙能量大例如0.1ev以上且3.0ev以下左右、特别是0.3ev以上且3.0ev以下左右、更特别是0.5ev以上且1.0ev以下左右。构成壳的半导体的带隙能量与构成芯的半导体的带隙能量之差为上述下限值以上时，在来自芯的发光中，存在除带边发光以外的发光的比例变少、带边发光的比例变大的倾向。49.此外，关于构成芯及壳的半导体的带隙能量，优选以在芯与壳的异质接合中形成壳的带隙能量嵌入芯的带隙能量的type-i的能带对齐的方式进行选择。通过形成type-i的能带对齐，能够更良好地得到来自芯的带边发光。在type-i的对齐中，优选在芯的带隙与壳的带隙之间至少形成0.1ev的势垒，例如可以形成0.2ev以上、或0.3ev以上的势垒。势垒的上限例如为1.8ev以下，特别是1.1ev以下。势垒为上述下限值以上时，在来自芯的发光中，存在除带边发光以外的发光的比例变少、带边发光的比例变大的倾向。50.构成壳的半导体可以含有in或ga作为第13族元素。而且，壳可以含有s作为第16族元素。含有in或ga、或者含有s的半导体存在成为具有比上述的芯大的带隙能量的半导体的倾向。此外，构成壳的半导体可以含有氧(o)元素。含有in或ga、s及o的半导体存在成为具有比上述的芯大的带隙能量的半导体的倾向。51.壳可以是其半导体的晶系与芯的半导体的晶系吻合的壳，而且其晶格常数可以与芯的半导体的晶格常数相同或相近。由晶系相吻合、晶格常数相近(这里，壳的晶格常数的倍数与芯的晶格常数相近的情况视为晶格常数相近)的半导体构成的壳有时会良好的包覆芯的周围。例如上述的芯一般为正方晶系，但是作为与其吻合的晶系，可举出正方晶系、斜方晶系。在ag-in-s为正方晶系的情况下，它们的晶格常数依次为0.5828nm、0.5828nm、1.119nm，将其包覆的壳优选为正方晶系或立方晶系，并且其晶格常数或其倍数接近ag-in-s的晶格常数。或者壳可以为无定形(非晶质)壳。52.是否形成了无定形(非晶质)的壳可以通过利用haadf-stem对芯壳结构的半导体纳米粒子进行观察来确认。在形成了无定形(非晶质)的壳的情况下，具体而言，在中心部观察到具有规则的花纹(例如条纹花纹或点花纹等)的部分，在其周围无法以具有规则的花纹的形式被观察到的部分利用haadf-stem进行观察。根据haadf-stem，像结晶性物质那样具有规则的结构的物质，以具有规则的花纹的图像的形式被观察到，像非晶性物质那样不具有规则的结构的物质，无法以具有规则的花纹的图像的形式被观察到。因此，在壳为无定形的情况下，能够以与芯(如上所述，可以具有正方晶系等晶体结构)明确不同的部分的形式观察到壳，所述芯以具有规则的花纹的图像的形式被观察到。53.另外，在壳包含ga-s的情况下，ga是比芯中所含的ag、in等轻的元素，因此，在通过haadf-stem得到的图像中，存在以比芯暗的图像的形式观察到壳的倾向。54.是否形成了无定形的壳，也可以通过利用高分辨率的透射型电子显微镜(hrtem)对芯壳结构的半导体纳米粒子进行观察来确认。在利用hrtem得到的图像中，芯的部分以晶格图像(具有规则的花纹的图像)的形式被观察到，壳的部分无法以晶格图像的形式观察到，可观察到黑白的对比，但是以无法看到规则的花纹的部分的形式被观察到。55.另一方面，优选壳与芯不构成固溶体。如果壳与芯形成固溶体，则两者成为一体，存在变得无法得到带边发光的情况。例如确认了即使包含ag-in-s的芯的表面被化学计量组成或非化学计量组成的硫化锌(zn-s)覆盖，也无法由芯得到带边发光。zn-s在与ag-in-s的关系中，关于带隙能量，满足上述的条件，并形成type-i的能带对齐。尽管如此，推断从芯壳型半导体纳米粒子无法得到带边发光的原因是，芯的半导体与zn-s形成固溶体，而芯-壳的界面消失。56.在壳中，作为第13族元素及第16族元素的组合，可以包含in与s的组合、ga与s的组合、或者in、ga及s的组合，但不限定于这些。in与s的组合可以是硫化铟的形态，另外，ga与s的组合可以是硫化镓的形态，另外，in、ga及s的组合可以是硫化铟镓。构成壳的硫化铟可以不是化学计量组成的硫化铟(in2s3)，在此含义的基础上，在本说明书中，有时由式insx(x是不限定于整数的任意数字，例如为0.8以上且1.5以下)表示硫化铟。同样，硫化镓也可以不是化学计量组成的硫化镓(ga2s3)，在此含义的基础上，在本说明书中，有时由式gasx(x是不限定于整数的任意数字，例如为0.8以上且1.5以下)表示硫化镓。硫化铟镓可以由in2(1-y)ga2ys3(y是大于0且小于1的任意数字)表示的组成，或者可以由inpga(1-p)sq(p是大于0且小于1的任意数字，q是不限定于整数的任意数值)表示。57.构成壳的氧元素的形态并不明确，例如可以为ga-o-s、ga2o3等。58.硫化铟在其带隙能量为2.0ev以上且2.4ev以下、晶系为立方晶的情况下，其晶格常数为1.0775nm。硫化镓在其带隙能量为2.5ev以上且2.6ev以下左右、晶系为正方晶的情况下，其晶格常数为0.5215nm。然而，这里的晶系等均为报告值，在实际的芯壳结构的半导体纳米粒子中，不限定于壳满足这些报告值。59.硫化铟及硫化镓优选用作构成配置于芯的表面的壳的半导体。特别是硫化镓，由于带隙能量更大而优选使用。在使用硫化镓的情况下，与使用硫化铟的情况相比，能够得到更强的带边发光。60.芯壳型半导体纳米粒子的粒径例如可以具有50nm以下的平均粒径。从制造的容易度和带边发光的量子产率的方面考虑，平均粒径优选为1nm以上且20nm以下的范围，更优选为1.6nm以上且8nm以下，特别优选为2nm以上且7.5nm以下。芯壳型半导体纳米粒子的平均粒径与上述的半导体纳米粒子的平均粒径同样地进行测定。61.壳的厚度例如可以在0.1nm以上且50nm以下的范围内、优选为0.1nm以上且10nm以下的范围内、更优选为0.3nm以上且3nm以下的范围内。在壳的厚度为上述下限值以上的情况下，容易充分地得到由壳包覆芯带来的效果，得到带边发光。62.壳的厚度可以通过例如利用haadf-stem对芯壳结构的半导体纳米粒子进行观察而求出。特别是在壳为无定形的情况下，可以通过haadf-stem容易地求出容易以与芯不同的部分的形式被观察到的壳的厚度。在壳的厚度不一定的情况下，将最小的厚度作为该粒子中的壳的厚度。63.或者芯的平均粒径可以在利用壳进行包覆之前预先测定。由此，可以通过对芯壳结构的半导体纳米粒子的平均粒径进行测定，求出该平均粒径与预先测定的芯的平均粒径之差而求出壳的厚度。64.芯壳型的半导体纳米粒子优选晶体结构实质上为正方晶。晶体结构与上述同样，通过对利用x射线衍射(xrd)分析得到的xrd图案进行测定来鉴定。实质上为正方晶是指，表示为六方晶及斜方晶的48°附近的峰高相对于表示为正方晶的26°附近的主峰之比例如为10％以下。65.对于芯壳型的半导体纳米粒子而言，如果照射紫外光、可见光或红外线等光，则发出波长比照射的光长的光。具体而言，对于半导体纳米粒子而言，例如如果照射紫外光、可见光或红外线，则能够实现具有波长比照射的光长的发光，并且主成分的发光的寿命为200ns以下和/或发光光谱的半值宽度为70nm以下。66.芯壳型半导体纳米粒子可以通过照射在450nm附近具有峰的光，从而发出在500nm以上且820nm以下的范围具有发光峰值波长的光。发光光谱中的发光峰的半值宽度例如可以为150nm以下、优选为100nm以下、更优选为70nm以下、特别优选为50nm以下。半值宽度的下限值例如可以为10nm以上。另外，半值宽度例如可以为250mev以下、优选为210mev以下、更优选为190mev以下。半值宽度的下限例如可以为35mev以上。67.芯壳型半导体纳米粒子的发光除带边发光以外还可以包含缺陷发光(例如供体受体发光)，但优选实质上仅为带边发光。缺陷发光一般发光寿命较长，而且具有宽的光谱，与带边发光相比在长波长侧具有峰。这里，实质上仅为带边发光是指，发光光谱中的带边发光成分的纯度可以为40％以上，优选为60％以上。“带边发光成分的纯度”是指，将发光光谱的峰分离成带边发光的峰和缺陷发光的峰这两者，将它们的面积分别设为a1、a2时，所述“带边发光成分的纯度”由下述的式表示。需要说明的是，各个峰的形状假定为正态分布。68.带边发光成分的纯度(％)＝a1/(a1+a2)×10069.在发光光谱完全不包含带边发光的情况、即仅包含缺陷发光的情况下为0％，在带边发光与缺陷发光的峰面积相同的情况下为50％，在仅包含带边发光的情况下为100％。70.带边发光的量子产率定义为用上述带边发光成分的纯度乘以内部量子产率并除以100而得到的值，所述内部量子产率是使用量子产率测定装置在激发波长450nm、温度25℃的条件下进行测定、并在506nm～882nm的范围计算出的值。芯壳型半导体纳米粒子的带边发光的量子产率例如为10％以上，优选为20％以上。71.对于芯壳型半导体纳米粒子发出的带边发光而言，通过使芯壳型半导体纳米粒子的粒径变化，能够改变峰的位置。例如，小于芯壳型半导体纳米粒子的粒径时，存在带边发光的峰值波长移动至短波长侧的倾向。此外，小于芯壳型半导体纳米粒子的粒径时，存在带边发光的光谱的半值宽度变得更小的倾向。72.另外，芯壳型半导体纳米粒子优选其吸收光谱或激发光谱(也称为荧光激发光谱)显示出激子峰。激子峰是通过生成激子而得到的峰，在吸收光谱或激发光谱中展现出该峰，意味着为粒径的分布小、晶体缺陷少的适于带边发光的粒子。激子峰越陡峭，越是意味着粒径一致且晶体缺陷少的粒子更多地包含于芯壳型半导体纳米粒子的集合体中。因此，预想发光的半值宽度变窄，发光效率提高。在芯壳型半导体纳米粒子的吸收光谱或激发光谱中，例如在350nm以上且1000nm以下的范围内观察到激子峰。用于观察激子峰的有无的激发光谱可以将观测波长设定为峰值波长附近而进行测定。73.芯壳型半导体纳米粒子的壳表面可以通过表面修饰剂进行了修饰。作为表面修饰剂的具体例，可举出碳原子数2以上且20以下的氨基醇、离子性表面修饰剂、非离子性表面修饰剂、具有碳原子数4以上且20以下的烃基的含氮化合物、具有碳原子数4以上且20以下的烃基的含硫化合物、具有碳原子数4以上且20以下的烃基的含氧化合物、及具有碳原子数4以上且20以下的烃基的含磷化合物。表面修饰剂可以组合使用不同的两种以上。74.氨基醇只要是具有氨基及醇性羟基、并且包含碳原子数2以上且20以下烃基的化合物即可。氨基醇的碳原子数优选为10以下，更优选为6以下。构成氨基醇的烃基可以来自直链状、支链状或环状的烷烃、烯烃、炔烃等烃。来自烃是指，从烃中去除至少两个氢原子而构成。作为氨基醇，具体可举出：氨基乙醇、氨基丙醇、氨基丁醇、氨基戊醇、氨基己醇、氨基辛醇等。在芯壳型半导体纳米粒子表面键合有氨基醇的氨基，羟基在其相反侧、即粒子最表面露出，由此认为，芯壳型半导体纳米粒子的极性发生变化，在醇系溶剂(例如甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等)中的分散性提高。75.作为离子性表面修饰剂，可举出在分子内具有离子性官能团的含氮化合物、含硫化合物、含氧化合物等。离子性官能团可以是阳离子性、阴离子性官能团中的任意离子性官能团，优选至少具有阳离子性基团。表面修饰剂的具体例及表面修饰的方法例如可以参照chemistry letters,vol.45,pp898-900,2016中的记载。76.离子性表面修饰剂例如可以为具有叔烷基氨基或季烷基氨基的含硫化合物。烷基氨基的烷基的碳原子数例如可以为1以上且4以下。另外，含硫化合物可以是碳原子数2以上且20以下的烷基或烯基硫醇。作为离子性表面修饰剂，具体可举出：二甲氨基乙硫醇的卤化氢盐、三甲基铵乙硫醇的卤盐、二甲氨基丁硫醇的卤化氢盐、三甲基铵丁硫醇的卤盐等。77.作为非离子性表面修饰剂，例如可举出：具有包含亚烷基二醇单元、亚烷基二醇单烷基醚单元等的非离子性官能团的含氮化合物、含硫化合物、含氧化合物等。亚烷基二醇单元中的亚烷基的碳原子数例如可以为2以上且8以下，优选为2以上且4以下。另外，亚烷基二醇单元的重复数例如可以为1以上且20以下，优选为2以上且10以下。非离子性表面修饰剂中所含的含氮化合物可以具有氨基，含硫化合物可以具有硫醇基，氧化合物可以具有羟基。作为非离子性表面修饰剂的具体例，可举出甲氧基三乙烯氧基乙硫醇、甲氧基六乙烯氧基乙硫醇等。78.作为具有碳原子数4以上且20以下的烃基的含氮化合物，可举出胺类、酰胺类等。作为具有碳原子数4以上且20以下的烃基的含硫化合物，可举出硫醇类。作为具有碳原子数4以上且20以下的烃基的含氧化合物，可举出羧酸类、醇类、醚类、醛类、酮类等。作为具有碳原子数4以上且20以下的烃基的含磷化合物，例如可举出：三烷基膦、三芳基膦、三烷基膦氧化物、三芳基膦氧化物等。79.相对于发光材料的总质量，发光材料中的芯壳型半导体纳米粒子的含有率例如可以为0.01质量％以上且10质量％以下，优选为0.1质量％以上且5质量％以下。80.构成发光材料的金属化合物包含zn及ga中的至少一者、和s及o中的至少一者，并且包埋芯壳型半导体纳米粒子。金属化合物可以是实质上由zn及ga中的至少一者、和s及o中的至少一者构成的化合物。这里，“实质上”表示，将金属化合物中所含的全部元素的原子数的合计设为100％时，除zn、ga、s及o以外的元素的原子数的比例例如为10％以下，优选为5％以下，更优选为3％以下，特别优选为1％以下。金属化合物中所含的元素的比例例如可以通过icp发光分析对zn、ga及s进行确认，并通过利用燃烧法的元素分析对o进行确认。金属化合物可以包含选自金属硫化物、金属氧硫化物及金属氧化物中的至少一种。金属化合物包含选自金属硫化物、金属氧硫化物及金属氧化物中的至少一种例如可以通过sem-epma来确认。81.金属硫化物可以包含zn及ga中的至少一者、和s。在金属硫化物实质上由zn和s形成的情况下，可以具有zns表示的组成。这里，“实质上”表示，将金属硫化物中所含的全部元素的原子数的合计设为100％时，除zn及s以外的元素的原子数的比例例如为5％以下，优选为3％以下，更优选为1％以下。另外，在金属硫化物实质上由ga和s形成的情况下，可以具有ga2s3表示的组成。这里，“实质上”表示，将金属硫化物中所含的全部元素的原子数的合计设为100％时，除ga及s以外的元素的原子数的比例例如为5％以下，优选为3％以下，更优选为1％以下。82.金属氧硫化物可以包含zn及ga中的至少一者、s及o。在金属氧硫化物例如实质上由zn、s及o形成的情况下，可以具有znoxs(1-x)(0＜x＜1)表示的组成。这里，“实质上”表示，将金属氧硫化物中所含的全部元素的原子数的合计设为100％时，除zn、s及o以外的元素的原子数的比例例如为5％以下，优选为3％以下，更优选为1％以下。另外，在金属氧硫化物实质上由ga、s及o形成的情况下，可以具有ga2oxs(3-x)(0＜x＜3)表示的组成。这里，“实质上”表示，将金属氧硫化物中所含的全部元素的原子数的合计设为100％时，除ga、s及o以外的元素的原子数的比例例如为5％以下，优选为3％以下，更优选为1％以下。83.金属氧化物可以包含zn及ga中的至少一者、和o。在金属氧化物例如实质上由zn和o形成的情况下，可以具有zno表示的组成。这里，“实质上”表示，将金属氧化物中所含的全部元素的原子数的合计设为100％时，除zn及o以外的元素的原子数的比例例如为5％以下，优选为3％以下，更优选为1％以下。另外，在金属氧化物实质上由ga和o形成的情况下，可以具有ga2o3表示的组成。这里，“实质上”表示，将金属氧化物中所含的全部元素的原子数的合计设为100％时，除ga及o以外的元素的原子数的比例例如为5％以下，优选为3％以下，更优选为1％以下。84.包埋芯壳型半导体纳米粒子的金属化合物如后所述，可以是在溶液反应中生成的化合物。金属化合物例如可以是在100℃以下的低温下使金属的有机酸盐或无机酸盐、与含硫化合物及含氧化合物中的至少一者在水、醇等存在下进行反应而得到的溶剂分解产物。金属化合物可以是结晶体，也可以是非晶体。金属化合物的结晶状态例如可以通过x射线衍射法来确认。85.发光材料的制造方法86.发光材料的制造方法包括：准备芯壳型半导体纳米粒子的准备工序，上述芯壳型半导体纳米粒子包含芯及配置于芯的表面的壳，并且上述芯壳型半导体纳米粒子通过光的照射而发光；得到包含芯壳型半导体纳米粒子、含有zn及ga中的至少一者的化合物、含有s及o中的至少一者的化合物、以及溶剂的发光材料制造用的混合物的混合工序；以及由发光材料制造用的混合物得到包埋芯壳型半导体纳米粒子的金属化合物的合成工序，上述金属化合物包含zn及ga中的至少一者、和s及o中的至少一者。芯壳型半导体纳米粒子的芯可以包含m1、m2及z，可以是包含m1、m2及z的半导体。这里，m1为选自ag、cu、au及碱金属中的至少一种，并且至少包含ag。m2为选自al、ga、in及tl中的至少一种，并且至少包含in及ga中的至少一者。z包含选自s、se及te中的至少一种。芯可以具有如下组成：m1的总含有率为10摩尔％以上且30摩尔％以下，m2的总含有率为15摩尔％以上且35摩尔％以下，z的总含有率为35摩尔％以上且55摩尔％以下。壳可以实质上由选自al、ga、in、tl及碱金属中的至少一种、和选自s、o、se及te中的至少一种构成。87.在芯壳型半导体纳米粒子的存在下，通过溶剂使含有zn及ga中的至少一者的化合物、和含有s及o中的至少一者的化合物进行反应，包含zn及ga中的至少一者作为金属的金属化合物析出。金属化合物包埋芯壳型半导体纳米粒子并析出，因此，能够通过溶液反应高效地制造发光材料。88.准备工序89.在准备工序中，准备芯壳型半导体纳米粒子。芯壳型半导体纳米粒子可以从市售品中适当选择，可以制造具有期望的特性的芯壳型半导体纳米粒子而准备。关于芯壳型半导体纳米粒子的制造方法，例如可以参照日本特开2018-044142号公报、国际公开第2018/159699号、国际公开第2019/160094号、美国公开第2019/0345384号说明书等的记载。具体而言，例如可以如下所述地制造。90.成为芯的半导体纳米粒子的第一制造方法可以包括：准备包含含有m1的盐、含有m2的盐、以及有机溶剂的第一混合物；对第一混合物进行升温；以及在升温后的混合物中添加z的供给源。成为芯的半导体纳米粒子的第二制造方法可以包括：准备包含含有m1的盐、含有m2的盐、z的供给源、以及有机溶剂的第二混合物；以及对第二混合物进行热处理。91.作为在第一制造方法及第二制造方法中使用的含有m1的盐及含有m2的盐，可举出有机酸盐及无机酸盐。具体而言，作为无机酸盐，可举出硝酸盐、硫酸盐、盐酸盐、磺酸盐、碳酸盐等。另外，作为有机酸盐，可举出乙酸盐、乙酰丙酮盐等。其中，从在有机溶液中的溶解度高的方面考虑，优选为有机酸盐。92.作为在第一制造方法及第二制造方法中使用的z的供给源，可举出z的单质及含有z的化合物。在z为s的情况下，作为s的供给源，可举出硫或含硫化合物。作为含硫化合物，具体可举出：2,4-戊烷二硫酮等β-二硫酮类；1,2-双(三氟甲基)亚乙基-1,2-二硫醇等二硫醇类；二乙基二硫代氨基甲酸盐等二烷基二硫代氨基甲酸盐；硫脲、具有碳原子数1～18的烷基的1,3-二烷基硫脲、1,1-二烷基硫脲、烷基硫脲、1,1,3-三烷基硫脲、1,1,3,3-四烷基硫脲等烷基硫脲。作为s的供给源，优选可溶解于有机溶剂的含硫化合物，从溶解性和反应性的观点考虑，更优选烷基硫脲，进一步优选使用1,3-二烷基硫脲。作为烷基硫脲的烷基，碳原子数优选为1～12、更优选为1～8、更优选为1～6、更优选为1～4、进一步优选为1～3。在烷基硫脲具有多个烷基的情况下，它们可以相同，也可以不同。93.在第一制造方法及第二制造方法中使用的z为se的情况下，作为se的供给源，例如可举出硒单质；硒脲、硒代乙酰胺、烷基硒醇等含se化合物等。另外，在z为te的情况下，作为te的供给源，例如可举出碲单质；二烯丙基碲化物、二甲基二碲化物等含te化合物。94.作为在第一制造方法及第二制造方法中使用的有机溶剂，可举出：具有碳原子数4以上且20以下的烃基的胺、特别是碳原子数4以上且20以下的烷基胺或烯基胺；具有碳原子数4以上且20以下的烃基的硫醇、特别是碳原子数4以上且20以下的烷基硫醇或烯基硫醇；具有碳原子数4以上且20以下的烃基的膦、特别是碳原子数4以上且20以下的烷基膦或烯基膦。这些有机溶剂最终可以对得到的半导体纳米粒子进行表面修饰。这些有机溶剂可以组合使用2种以上，特别地，可以使用将选自具有碳原子数4以上且20以下的烃基的硫醇中的至少一种、和选自具有碳原子数4以上且20以下的烃基的胺中的至少一种组合而成的混合溶剂。另外，这些有机溶剂可以与其它有机溶剂混合使用。需要说明的是，有机溶剂只要在120℃以上溶解即可，在常温下可以为固体。95.第一制造方法中的第一混合物中所含的m2的总原子数相对于m1的总原子数之比(m1/m2)例如可以为0.1以上且2以下，优选为0.5以上且1.2以下。另外，混合物中的m1的总浓度例如可以为1mmol/l以上且500mmol/l以下，优选为10mmol/l以上且50mmol/l以下。96.在第一制造方法中的升温中，可以将准备的第一混合物升温至在120℃以上且300℃以下的范围的温度。通过升温达到的温度优选为125℃以上、更优选为130℃以上、进一步优选为135℃以上。另外，通过升温达到的温度优选为175℃以下、更优选为160℃以下、进一步优选为150℃以下。升温速度例如可以为1℃/分以上且50℃/分以下，优选为10℃/分以上且50℃/分以下。97.第一制造方法中的第一混合物的升温时的气氛可以为不活泼气体气氛，例如优选为氩气气氛、氮气气氛等。通过设为不活泼气体气氛，能够减少或防止作为副产物的氧化物的生成。98.在第一制造方法中的z的供给源的添加中，一边将升温至给定温度后的第一混合物保持在给定温度，一边以使混合物中的z的原子数相对于m1的总原子数之比的增加率成为10/分以下的方式缓慢地添加z的供给源。混合物中的z的原子数相对于m1的总原子数之比(z/m1比)的增加率例如可以如下所述地计算出：用某一时刻的单位时间后的z/m1比减去该时刻的z/m1比，除以将单位时间换算成分钟的值而计算出。单位时间例如在1秒钟～1分钟之间任意选择。从纳米粒子的粒子成长控制的方面考虑，混合物中的z的原子数相对于m1的总原子数之比的增加率优选为0.0001/分以上且2/分以下，更优选为0.0001/分以上且1/分以下，进一步优选为0.001/分以上且0.2/分以下，特别优选为0.001/分以上且0.1/分以下。另外，优选为0.0002/分以上且2/分以下，更优选为0.002/分以上且0.2/分以下，进一步优选为0.0025/分以上且0.19/分以下，特别优选为0.04/分以上且0.12/分以下。z/m1比的增加率例如可以为0.0001/分以上，优选为0.001/分以上、更优选为0.01/分以上、特别优选为0.04/分以上。z/m1比的增加率例如可以为5/分以下，优选为2/分以下、更优选为0.5/分以下、0.25/分以下。99.第一制造方法中的z的供给源的总添加量可以是第一混合物中的z的原子数相对于m1的总原子数之比成为0.1以上且5以下的量，优选为成为1以上且2.5以下的量。z的供给源的添加所需的所用时间例如为1分钟以上即可，优选为5分钟以上、更优选为15分钟以上、进一步优选为20分钟以上。另外，需用时间例如可以为120分钟以下，优选为60分钟以下、更优选为40分钟以下。100.在第一制造方法中的z的供给源的总添加量为混合物中的z的原子数相对于m1的总原子数之比成为0.1以上且2.5以下的量的情况下，z/m1比的增加率例如可以为0.0001/分以上且1/分以下，优选为0.001/分以上且0.2/分以下、更优选为0.002/分以上且0.2分/分以下、进一步优选为0.0025/分以上且0.19/分以下、特别优选为0.04/分以上且0.12/分以下。另外，在z的供给源的总添加量为混合物中的z的原子数相对于m1的总原子数之比成为超过2.5且为5.0以下的量的情况下，z/m1比的增加率例如可以为0.0002/分以上且2/分以下，优选为0.002/分以上且0.2/分以下、更优选为0.0025/分以上且0.19/分以下、进一步优选为0.04/分以上且0.12/分以下。101.第一制造方法中的z的供给源的添加以使平均单位时间的添加量在需用时间的范围内大致相同的方式进行。即，可以用z的供给源的总添加量除以用需用时间除以单位时间而得到的数值，将所得到的单位量作为平均单位时间的添加量而添加。单位时间例如可以为1秒钟、5秒钟、10秒钟、30秒钟或1分钟。z的供给源可以连续地添加，也可以阶段性地添加。另外，z的供给源例如可以在不活泼气体气氛中添加于混合物中。102.第一制造方法中的z的供给源可以以将包含z的化合物溶解于有机溶剂中而得到的溶液的形式添加于混合物中。通过使z的供给源为包含z的化合物的溶液，能够容易地控制添加工序中的z的供给源的平均单位时间的添加量，能够高效地制造粒度分布更窄的半导体纳米粒子。103.作为第一制造方法中的溶解包含z的化合物的有机溶剂，可示例出与上述混合物中所含的有机溶剂同样的有机溶剂，例如可以使用具有碳原子数4以上且20以下的烃基的胺。104.在第一制造方法中的z的供给源为包含z的化合物的溶液的情况下，包含z的化合物的浓度例如可以为1mmol/l以上且500mmol/l以下，优选为10mmol/l以上且50mmol/l以下。105.第一制造方法可以进一步包括：以在120℃以上且300℃以下的范围的温度对结束了z的供给源的添加后的混合物进行热处理的热处理工序。热处理的温度可以与混合物升温后的温度相同，也可以不同。从量子产率的方面出发，热处理的温度例如可以为120℃以上且300℃以下，优选为125℃以上且175℃以下、更优选为130℃以上且160℃以下、进一步优选为135℃以上且150℃以下。106.从半导体纳米粒子的量子效率的方面出发，第一制造方法中的热处理的时间例如可以为3秒钟以上，优选为5分钟以上。关于热处理时间的上限，没有特别限定，例如可以为60分钟以下。对于热处理的时间而言，将达到给定温度的时刻(例如在140℃的情况下为达到140℃的时间)设为热处理的开始时间，将进行用于降温的操作的时刻设为热处理的结束时间。107.第一制造方法中的热处理的气氛可以为不活泼气体气氛，例如优选为氩气气氛或氮气气氛。通过设为不活泼气体气氛，能够减少或防止作为副产物的氧化物的生成及所得到的半导体纳米粒子表面的氧化。108.第一制造方法中的半导体纳米粒子的制造方法可以接着上述的热处理进一步具有对包含半导体纳米粒子的溶液的温度进行降温的冷却工序。冷却工序将进行用于降温的操作的时刻设为开始，将冷却至50℃以下的时刻设为结束。109.从抑制由未反应的m1盐生成包含m1和z的化合物的方面考虑，第一制造方法中的冷却工序可以包含降温速度为50℃/分以上的期间。例如，可以在进行用于降温的操作后，在降温开始的时刻设为50℃/分以上。110.第一制造方法中的冷却工序的气氛为不活泼气体气氛、例如优选为氩气气氛或氮气气氛。通过设为不活泼气体气氛，能够减少或防止作为副产物的氧化物的生成，而且能够减少或防止所得到的半导体纳米粒子表面的氧化。111.在第二制造方法中，准备包含含有m1的盐、含有m2的盐、z的供给源、以及有机溶剂的第二混合物。第二制造方法中的第二混合物可以通过将含有m1的盐、含有m2的盐、z的供给源、以及有机溶剂混合而得到。另外，第二制造方法中的第二混合物可以通过准备包含含有m1的盐、含有m2的盐、以及有机溶剂的溶液、并在对其进行加热的状态下添加z的供给源而制备。在加热的状态下添加z的供给源而制备时的加热温度例如为30℃以上且90℃以下，优选为40℃以上且80℃以下。112.第二制造方法中的第二混合物中所含的m2的总原子数相对于m1的总原子数之比(m1/m2)例如可以为0.1以上且2以下，优选为0.5以上且1.2以下。另外，混合物中的m1的总浓度例如可以为1mmol/l以上且500mmol/l以下，优选为10mmol/l以上且50mmol/l以下。113.第二制造方法中的热处理可以是将第二混合物升温至第一温度、并将该温度保持给定时间而实施的第一热处理。第一温度例如可以是在200℃以上且370℃以下的范围的温度。在z的供给源包含s的情况下，优选高于260℃以上且为320℃以下、更优选为290℃以上且310℃以下。在z的供给源包含se的情况下，优选为220℃以上，更优选为250℃以上，优选为370℃以下，更优选为350℃以下。在m2包含ga的情况下，第一温度为230℃以上是适当的。保持给定温度的时间可以为1分钟以上且180分钟以下，优选为5分钟以上且60分钟以下。第二混合物的热处理可以是在两种以上温度下进行的第二热处理。例如，可以以30℃以上且190℃以下范围的温度加热1分钟以上且30分钟以下后，以200℃以上且370℃以下范围的上述的第一温度加热1分钟以上且60分钟以下。114.第二制造方法中的热处理可以是将第二混合物升温至第二温度、并将该温度保持给定时间而实施的第三热处理。第二温度例如可以是在125℃以上且175℃以下的范围的温度，优选为130℃以上且160℃以下、更优选为135℃以上且150℃以下。升温速度例如为1℃/分以上且50℃/分以下。115.从量子效率方面考虑，第三热处理时保持第二温度的时间优选3秒钟以上。保持的时间的上限例如可以设为60分钟以下。对于保持给定温度的时间而言，将达到在上述温度范围内设定的温度的时刻设为热处理的开始时间，将进行用于降温的操作的时刻设为热处理的结束时间。116.第二制造方法中的第一、第二及第三热处理的气氛优选为不活泼气氛、特别是氩气气氛或氮气气氛。通过设为不活泼气氛，能够减少或防止作为副产物的氧化物的生成及所得到的半导体纳米粒子表面的氧化。117.第二制造方法可以接着第一、第二及第三热处理具有对包含半导体纳米粒子的溶液的温度进行降温的冷却工序。冷却工序将进行用于降温的操作的时刻设为开始，将冷却至50℃以下的时刻设为结束。118.从抑制由未反应的m1盐生成含有m1和z的化合物的方面考虑，第二制造方法中的冷却工序优选包含降温速度为50℃/分以上的期间。特别优选在进行了用于降温的操作之后、开始降温的时刻设为50℃/分以上。119.第二制造方法中的冷却工序的气氛可以为不活泼气氛，特别优选为氩气气氛或氮气气氛。通过设为不活泼气氛，能够减少或防止作为副产物的氧化物的生成及所得到的半导体纳米粒子表面的氧化。120.上述的成为芯的半导体纳米粒子的第一及第二制造方法可以进一步包括将半导体纳米粒子从溶液中分离的分离工序，根据需要，可以进一步包括纯化工序。在分离工序中，例如可以对包含半导体纳米粒子的溶液实施离心分离，将包含纳米粒子的上清液取出。在纯化工序中，例如可以在通过分离工序得到的上清液中添加醇等适当的有机溶剂并实施离心分离，将半导体纳米粒子作为沉淀物取出。需要说明的是，通过使有机溶剂从上清液中挥发，能够将半导体纳米粒子取出。取出的沉淀物例如可以通过真空脱气、或自然干燥、或真空脱气与自然干燥的组合进行干燥。自然干燥例如可以通过在大气中在常温常压下放置来实施，在该情况下，可以放置20小时以上、例如30小时左右。另外，取出的沉淀物可以分散于适当的有机溶剂。121.在成为芯的半导体纳米粒子的第一及第二制造方法中，可以根据需要实施多次醇等有机溶剂的添加和利用离心分离的纯化工序。作为用于纯化的醇，可以使用甲醇、乙醇、正丙醇等碳原子数1～4的低级醇。在使沉淀物分散于有机溶剂中的情况下，作为有机溶剂，可使用氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷、三氯乙烷、四氯乙烷等卤素系溶剂、甲苯、环己烷、己烷、戊烷、辛烷等烃系溶剂等。从量子产率的观点考虑，使沉淀物分散的有机溶剂可以为卤素系溶剂。122.芯壳型半导体纳米粒子的制造方法可以包括：将通过上述成为芯的半导体纳米粒子的第一及第二制造方法得到的包含半导体纳米粒子的分散液、包含选自al、ga、in、tl及碱金属中的至少一种的化合物、以及选自s、o、se及te中的至少一种单质或含有该单质的化合物混合而得到第三混合物的准备工序；和对第三混合物进行热处理的壳形成工序。123.在分散有半导体纳米粒子的液体中，不产生散射光，因此，分散液一般以透明(有色或无色)的形态得到。使半导体纳米粒子分散的溶剂与制作半导体纳米粒子时同样，可以制成任意的有机溶剂，有机溶剂可以制成表面修饰剂、或包含表面修饰剂的溶液。例如，有机溶剂可以设为关于半导体纳米粒子的制造方法所说明的表面修饰剂、即选自具有碳原子数4以上且20以下的烃基的含氮化合物中的至少一种，或者可以设为选自具有碳原子数4以上且20以下的烃基的含硫化合物中的至少一种，或者可以设为选自具有碳原子数4以上且20以下的烃基的含氮化合物中的至少一种、与选自具有碳原子数4以上且20以下的烃基的含硫化合物中的至少一种的组合。作为含氮化合物，特别是从容易获得纯度高的化合物的方面和沸点超过290℃的方面考虑，优选反应温度更高，作为具体的有机溶剂，可举出油胺、正十四烷胺、十二硫醇、或其组合。124.使半导体纳米粒子分散的溶剂可以包含氯仿等卤素系溶剂，也可以实质上为卤素系溶剂。另外，可以在使半导体纳米粒子分散于卤素系溶剂中之后，溶剂交换为包含含氮化合物等表面修饰剂的有机溶剂，得到半导体纳米粒子的分散液。溶剂交换例如可以通过在包含卤素系溶剂的半导体纳米粒子的分散液中添加了表面修饰剂之后将卤素系溶剂的至少一部分除去而进行。具体而言，例如可以通过在减压下对包含卤素系溶剂及表面修饰剂的分散液进行热处理，从而将卤素系溶剂的至少一部分除去，得到包含表面修饰剂的半导体纳米粒子的分散液。减压下的热处理时的减压条件及热处理温度设为将卤素系溶剂的至少一部分除去、且表面修饰剂残存的条件即可。具体而言，减压条件例如可以为1pa以上且2000pa以下，优选为50pa以上且500pa以下。另外，热处理温度例如可以为20℃以上且120℃以下，优选为50℃以上且80℃以下。125.半导体纳米粒子的分散液以使在分散液中所占的粒子的浓度例如成为5.0×10-7摩尔/升以上且5.0×10-5摩尔/升以下、特别是1.0×10-6摩尔/升以上且1.0×10-5摩尔/升以下的方式制备。在分散液中所占的粒子的比例过小时，通过基于不良溶剂的凝聚/沉淀工艺的产物的回收变得困难，过大时，由构成芯的材料的奥斯特瓦尔德熟化、碰撞造成的吻合的比例增加，存在粒径分布变宽的倾向。126.包含选自al、ga、in、tl及碱金属中的至少一种的化合物可以是这些元素的有机盐、无机盐、有机金属化合物等。作为含有这些元素的化合物，可举出硝酸盐、乙酸盐、硫酸盐、盐酸盐、磺酸盐、乙酰丙酮络合物等，优选为乙酸盐等有机盐、或有机金属化合物。有机盐及有机金属化合物在有机溶剂中的溶解度高，容易使反应更均匀地进行。127.作为选自s、o、se及te中的至少一种，例如在以s作为壳的构成元素的情况下，可以使用高纯度硫这样的硫单质。或者可以使用正丁硫醇、异丁硫醇、正戊硫醇、正己硫醇、辛硫醇、癸硫醇、十二硫醇、十六硫醇、十八硫醇等的硫醇、二苄基二硫这样的二硫化物、硫脲、1,3-二甲基硫脲等烷基硫脲、硫代羰基化合物等含硫化合物。其中，如果使用1,3-二甲基硫脲等烷基硫脲作为第16族元素源(硫源)，则可充分地形成壳，容易得到能够形成强的带边发光的半导体纳米粒子。在以o作为壳的构成元素的情况下，具体而言，可以使用包含氧原子的化合物、包含氧原子的气体等。作为包含氧原子的化合物，可举出水、醇等，优选选自其中的至少一种。作为包含氧原子的气体，可举出氧气、臭氧气体等，优选选自其中的至少一种。氧源可以通过壳形成用混合物中溶解或分散包含氧原子的化合物而添加，也可通过向壳形成用混合物中吹入包含氧原子的气体而添加。128.作为芯壳型半导体纳米粒子的制造方法，可以通过如下方法形成壳层(缓慢注入法)：对成为芯的包含半导体纳米粒子的分散液进行升温，使其峰值温度达到200℃以上且310℃以下，达到峰值温度后，在保持峰值温度的状态下，每次少量添加预先使形成壳的单质或化合物分散或溶解于有机溶剂中而得到的混合液，然后，使其降温。在该情况下，将包含半导体纳米粒子的分散液与混合液混合，在得到第三混合物后立即开始热处理。混合液可以以0.1ml/小时以上且10ml/小时以下、特别是1ml/小时以上且5ml/小时以下的速度添加。根据需要，在混合液的添加结束后也可以保持峰值温度。129.峰值温度为上述温度以上时，出于修饰半导体纳米粒子的表面修饰剂充分地脱离、或者用于生成的化学反应充分地进行等理由，存在半导体的层(壳)的形成充分地进行的倾向。峰值温度为上述温度以下时，可抑制半导体纳米粒子发生变质，存在得到良好的带边发光的倾向。保持峰值温度的时间可以设为从开始混合液的添加起总计1分钟以上且300分钟以下、特别是10分钟以上且120分钟以下。峰值温度的保持时间根据与峰值温度的关系进行选择，在峰值温度较低的情况下进一步延长保持时间，在峰值温度较高的情况下进一步缩短保持时间时，容易形成良好的壳层。升温速度及降温速度没有特别限定，降温可以通过例如在峰值温度下保持给定时间后、停止利用加热源(例如电加热器)的加热并自然冷却而实施。130.或者作为芯壳型半导体纳米粒子的制造方法，可以通过将包含成为芯的半导体纳米粒子的分散液、与形成壳的单质或化合物混合而得到第三混合物后，对第三混合物进行热处理，由此将作为壳的半导体层形成于半导体纳米粒子的表面(加热法)。具体而言，可以通过如下方法进行加热：缓慢地对第三混合物进行升温，使其峰值温度达到200℃以上且310℃以下，在峰值温度下保持1分钟以上且300分钟以下后，缓慢地降温。升温速度例如可以设为1℃/分以上且50℃/分以下，但为了使由于在没有壳的状态下持续进行热处理而发生的芯的变质停留在最小限度，优选为50℃/分以上且100℃/分以下直到200℃为止。另外，在进一步升温至200℃以上的情况下，优选将从此以后的升温速度设为1℃/分以上且5℃/分以下。降温速度例如可以设为1℃/分以上且50℃/分以下。给定的峰值温度为上述范围的有利点如缓慢注入法中所说明的那样。131.根据加热法，与通过缓慢注入法形成壳的情况相比，存在可以得到能够形成更强的带边发光的芯壳型半导体纳米粒子。132.加热法中的第三混合物可以如下所述地制备：在将包含卤素系溶剂的半导体纳米粒子的分散液、表面修饰剂等有机溶剂、以及形成壳的单质或化合物混合后，例如在减压下进行热处理，将卤素系溶剂的至少一部分除去而制备。即，准备工序可以包括：将包含卤素系溶剂的半导体纳米粒子的分散液、表面修饰剂等有机溶剂、以及形成壳的单质或化合物混合而得到预混合物；和将卤素系溶剂的至少一部分从预混合物中除去而得到第三混合物。133.在任意方法中，对于形成壳的单质或化合物的投料比而言，均可以与由选自al、ga、in、tl及碱金属中的至少一种、和选自s、o、se及te中的至少一种构成的半导体化合物的化学计量组成比对应地而确定投料比，并不必须设为化学计量组成比。例如，以选自s、o、se及te中的至少一种相对于选自al、ga、in、tl及碱金属中的至少一种的投料比计，可以设为0.75以上且1.5以下。134.另外，考虑分散液中所含的半导体纳米粒子的量并选择投料量，使得存在于分散液中的半导体纳米粒子形成期望厚度的壳。例如，可以决定形成壳的单质或化合物的投料量，使得相对于半导体纳米粒子的以粒子计的物质的量10nmol，生成1μmol以上且10mmol以下、特别是5μmol以上且1mmol以下的由第13族元素及第16族元素构成的化学计量组成的化合物半导体。然而，以粒子计的物质的量是指，将一个粒子视为巨大的分子时的摩尔量，与用分散液中所含的半导体纳米粒子的个数除以阿伏伽德罗数(na＝6.022×1023)而得到的值相等。135.在芯壳型半导体纳米粒子的制造方法中，优选使用乙酸铟或乙酰丙酮镓，并使用硫单质、硫脲或二苄基二硫化物，作为分散介质，使用油胺与十二硫醇的混合液、或油胺，形成包含硫化铟或硫化镓的壳。136.另外，在加热法中，分散液使用油胺与十二硫醇的混合液或油胺时，存在可得到形成来自缺陷发光的宽峰的强度充分小于带边发光的峰的强度的发光光谱的芯壳型半导体纳米粒子的倾向。上述倾向在使用了镓源的情况下也可以明显地确认到。137.这样一来，形成壳而形成芯壳结构的芯壳型半导体纳米粒子。得到的芯壳结构的芯壳型半导体纳米粒子可以从溶剂中分离，根据需要，也可以进一步纯化及干燥。分离、纯化及干燥的方法如以上关于半导体纳米粒子所说明的那样，因此，这里省略其详细的说明。138.混合工序139.在发光材料的制造方法中的混合工序中，将芯壳型半导体纳米粒子、含有zn及ga中的至少一者的化合物、含有s及o中的至少一者的化合物、以及溶剂混合而得到发光材料制造用的混合物。在混合工序中使用的芯壳型半导体纳米粒子可以为分散液的形态。140.作为含有zn及ga中的至少一者的化合物，可举出包含zn及ga中的至少一者的有机酸盐及无机酸盐。具体而言，作为无机酸盐，可举出硝酸盐、硫酸盐、盐酸盐、磺酸盐、碳酸盐等。另外，作为有机酸盐，可举出乙酸盐、乙酰丙酮盐等。其中，从在有机溶液中的溶解度高的方面考虑，优选有机酸盐。作为含有s的化合物，除上述的含硫化合物以外，可举出硫代乙酰胺等硫代酰胺类。作为含有o的化合物，可举出水、醇、氨基醇等。141.作为溶剂，可举出水、碳原子数1以上且8以下的醇、碳原子数2以上且8以下的亚烷基二醇、甘油等其它多醇。作为醇的具体例，可举出甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、丁醇、异丁醇、己醇、辛醇、2-乙基己醇等。溶剂可以是水与醇的混合溶剂，由于能够抑制芯壳型半导体纳米粒子的劣化，所以优选实质上为醇。“实质上”表示，除醇以外的成分的含量例如为5重量％以下，优选为1重量％以下，更优选为0.5重量％以下。142.对于发光材料制造用的混合物中的芯壳型半导体纳米粒子的含量而言，作为将以纳米粒子计的物质的量(粒子数)作为基准的浓度，例如可以为10纳摩尔/升以上且10微摩尔/升以下，优选为100纳摩尔/升以上且1微摩尔/升以下。发光材料制造用的混合物中的含有zn及ga中的至少一者的化合物的含量例如可以为1毫摩尔/升以上且1摩尔/升以下，优选为10毫摩尔/升以上且200毫摩尔/升以下。发光材料制造用的混合物中的含有s及o中的至少一者的化合物的含量例如可以为1毫摩尔/升以上且1摩尔/升以下，优选为10毫摩尔/升以上且200毫摩尔/升以下。143.发光材料制造用的混合物中的含有s及o中的至少一者的化合物的含量相对于含有zn及ga中的至少一者的化合物的含量的摩尔比例如可以为0.1以上且10以下，优选可以为0.5以上且2以下。144.在混合工序中，例如可以在包含含有zn及ga中的至少一者的化合物的溶液与芯壳型半导体纳米粒子的分散液的混合物中添加含有s及o中的至少一者的化合物而得到发光材料制造用的混合物。另外，可以在包含含有s及o中的至少一者的化合物的溶液与芯壳型半导体纳米粒子的分散液的混合物中添加含有zn及ga中的至少一者的化合物而得到发光材料制造用的混合物。混合的温度例如可以为0℃以上且100℃以下，优选为10℃以上且80℃以下。混合的气氛例如可以为不活泼气氛，在仅使用醇作为溶剂的情况下，更优选为脱水气氛。145.发光材料的制造方法可以包括：使通过准备工序准备的芯壳型半导体纳米粒子、与上述的碳原子数2以上且20以下的氨基醇、离子性表面修饰剂、非离子性表面修饰剂、具有碳原子数4以上且20以下的烃基的含氮化合物、具有碳原子数4以上且20以下的烃基的含硫化合物、具有碳原子数4以上且20以下的烃基的含氧化合物及具有碳原子数4以上且20以下的烃基的含磷化合物的表面修饰剂(以下也称为特定表面修饰剂)接触的表面处理工序。146.用于表面处理工序的氨基醇只要是具有氨基及醇性羟基的碳原子数2以上且20以下的化合物即可。氨基醇的碳原子数优选为3以上，而且优选为10以下、更优选为6以下。构成氨基醇的烃基可以来自直链状、支链状或环状的烷烃、烯烃、炔烃等烃。作为氨基醇，具体可举出氨基乙醇、氨基丙醇、氨基丁醇、氨基戊醇、氨基己醇、氨基辛醇等。通过使芯壳型半导体纳米粒子与戊醇接触，能够进一步提高芯壳型半导体纳米粒子在溶剂中的分散性，能够得到分散稳定性良好的发光材料制造用的混合物。认为表面修饰剂例如附着于芯壳型半导体纳米粒子的表面而进一步提高在溶剂中的分散性。147.在表面处理工序中，例如可以通过将芯壳型半导体纳米粒子与上述的特定表面修饰剂混合，从而使芯壳型半导体纳米粒子与特定表面修饰剂接触。表面处理工序中的特定表面修饰剂的量相对于芯壳型半导体纳米粒子之比例如相对于芯壳型半导体纳米粒子1×10-8摩尔为0.1ml以上即可，优选为0.5ml以上且10ml以下。接触的温度例如可以为0℃以上且100℃以下，优选为10℃以上且80℃以下。接触时间例如可以为10秒钟以上且10天以下，优选为1分钟以上且1天以下。接触的气氛可以为不活泼气氛，特别优选为氩气气氛或氮气气氛。148.发光材料的合成工序149.在合成工序中，由发光材料制造用的混合物得到包埋芯壳型半导体纳米粒子的金属化合物，该金属化合物包含zn及ga中的至少一者、和s及o中的至少一者。通过伴随着溶剂分解的合成反应(所谓溶胶-凝胶法)，金属化合物包埋芯壳型半导体纳米粒子并从从发光材料制造用的混合物中析出。150.在合成工序中，例如可以在室温(例如25℃)下使金属化合物析出，也可以进行热处理而使金属化合物析出。热处理的温度例如可以小于100℃，优选为80℃以下，更优选为60℃以下。另外，热处理的温度可以为0℃以上，优选为30℃以上。合成工序所需的时间例如可以为1分钟以上，优选为10分钟以上。另外，合成工序所需的时间例如可以为10天以下，优选为3天以下。合成工序的气氛优选为不活泼气氛、特别是氩气气氛或氮气气氛。通过设为不活泼气氛，能够得到发光特性更良好的发光材料。另外，在仅使用醇作为溶剂的情况下，可以为脱水气氛。151.合成工序中的芯壳型半导体纳米粒子在金属化合物中的包埋率例如可以为10％以上，优选为80％以上。包埋率通过用析出的金属化合物中所含的芯壳型半导体纳米粒子的量除以在发光材料制造用的混合物中添加的芯壳型半导体纳米粒子的量而求出。152.发光材料的制造方法可以进一步包括将在合成工序中生成的金属化合物从溶剂中分离的分离工序，根据需要，可以进一步包括纯化工序。在分离工序中，例如可以对包含发光材料的反应液实施离心分离，将发光材料以析出物的形式回收。另外，也可以通过过滤等固液分离手段回收发光材料的析出物。在纯化工序中，例如可以用醇等有机溶剂对通过分离工序得到的析出物进行清洗，可以对清洗后的析出物进行干燥处理。153.发光装置154.发光装置具备：在紫外区域～可见光区域的范围具有发光峰值波长的光源、和上述的发光材料。发光装置例如具备在380nm以上且485nm以下的范围具有发光峰值波长的光源，根据需要可以进一步包含其它构成构件。通过使发光装置包含上述发光材料，能够实现优异的长期可靠性。发光装置除光源及发光材料以外，还可以具备包覆光源的构件。155.作为光源，使用在短波长区域即380nm以上且485nm以下的范围具有发光峰值波长的光源。光源的发光峰值波长优选为420nm以上且485nm以下，更优选为440nm以上且480nm以下。由此，能够高效地激发上述发光材料，有效利用可见光。另外，通过使用该波长范围的光源，能够提供发光强度高的发光装置。156.在光源中优选使用半导体发光元件(以下简称为“发光元件”)。通过在光源中使用半导体发光元件，能够构成高效率、输出相对于输入的线性高、并且对于机械冲击的稳定性也强的发光装置。作为发光元件，可以具备由选自gan、gaas、ingan、alingap、gap、sic、及zno等中的至少一种构成的半导体层。作为发出蓝紫色光、蓝色光或紫外线的光的半导体发光元件，优选具备氮化物系化合物(inxalyga1-x-yn，0≤x，0≤y，x+y≤1)作为半导体层的半导体发光元件。157.关于发光装置所具备的发光材料的详细情况，如下所述。发光材料例如可以包含于包覆光源的构件中，也可以配置于包覆光源的构件上。通过将发光材料配置于光源上，能够吸收从光源射出的光的一部分并放射为波长更长的光。而且，通过使光源在380nm以上且485nm以下的范围具有发光峰值波长，能够更有效地利用从光源放射的光。即，能够减少从发光装置射出的光的损失，能够提供高效率的发光装置。发光装置所具备的发光材料的含量可以根据光源、目的等适当选择。158.发光装置除发光材料以外，还可以根据需要包含荧光体。作为荧光体，只要是吸收从光源射出的光的一部分、并将其波长转换成波长与发光材料不同的光的荧光体即可。荧光体例如可以通过包含于包覆光源的构件中而构成发光装置。通过包含荧光体，能够提供各种色调的发光装置。159.作为荧光体，可举出主要由eu、ce等镧系元素激活的氮化物系荧光体、氮氧化物系荧光体、赛隆系荧光体；主要由eu等镧系、mn等过渡金属系的元素激活的碱土卤素磷石灰荧光体、碱土金属硼酸卤素荧光体、碱土金属铝酸盐荧光体、碱土硅酸盐、碱土硫化物、碱土硫代镓酸盐、碱土氮化硅、锗酸盐、氟化物络合物；主要由ce等镧系元素激活的稀土类铝酸盐、稀土类硅酸盐；及主要由eu等镧系元素激活的无机及有机络合物等。160.作为荧光体，具体可举出例如：(ca,sr,ba)2sio4:eu、(y,gd)3(ga,al)5o12:ce、(si,al)6(o,n)8:eu(β-赛隆)、srga2s4:eu、(ca,sr)2si5n8:eu、caalsin3:eu、(ca,sr)alsin3:eu、lu3al5o12:ce、(ca,sr,ba,zn)8mgsi4o16(f,cl,br,i)2:eu、k2(si,ti,ge)f6:mn、3.5mgo·0.5mgf2·geo2:mn等，优选包含选自其中的至少一种。161.包覆光源的构件例如包含至少一种树脂而构成。树脂可以是热塑性树脂及热固化性树脂中的任意树脂。作为热固化性树脂，具体可举出：环氧树脂、有机硅树脂等。作为包覆光源的构件，除了树脂以外，还可以包含上述的发光材料、荧光体等，可以根据需要进一步包含其它成分。作为其它成分，可举出二氧化硅、钛酸钡、氧化钛、氧化铝等填料、光稳定剂、着色剂等。荧光构件例如在包含填料作为其它成分的情况下，其含量相对于树脂可以设为0.01质量％～20质量％。162.基于图2、图3及图4对本实施方式的发光装置的一例进行说明。163.图2、图3及图4分别为发光装置10、20及30的剖面示意图，是表面安装型发光装置的一例。发光装置10、20及30具备：发出可见光的短波长侧(例如、380nm以上且485nm以下的范围)的光、发光峰值波长在440nm以上且480nm以下的范围内的发光元件6、以及载置发光元件6的成形体9。成形体9将引线7与树脂部一体成形而成。成形体9形成具有底面和侧面的凹部，在凹部的底面配置有发光元件6。发光元件6具有一对正负电极，该一对正负电极分别通过引线7和金属线8进行电连接。发光元件6被包含树脂的包覆构件4包覆。需要说明的是，包覆构件4不仅作为用于保护发光元件6不受外部环境伤害的构件发挥功能，而且能够对发光元件6发出的光进行波长转换。164.在图2的发光装置10中，包含芯壳型半导体纳米粒子2及金属化合物3的发光材料1内包于包覆构件4中。在图2中，发光材料1以在包覆构件4整体中大致均匀的比例混合。由此，能够得到进一步抑制了颜色不均的光。而且，在发光材料1内包于包覆构件4的情况下，发光材料1可以在包覆构件4中不均匀地存在。例如，通过将发光材料1配置于接近发光元件6的位置，能够高效地对来自发光元件6的光进行波长转换，能够制成发光效率优异的发光装置。165.在图3的发光装置20中，内包有包含芯壳型半导体纳米粒子2及金属化合物3的发光材料1的波长转换构件5被配置于包覆构件4的表面。在图3中，发光元件6与内包于波长转换构件5中的发光材料1隔开间隔而配置，因此，能够抑制由发光元件6产生的热对发光材料1造成的影响。166.在图4的发光装置30中，内包有包含芯壳型半导体纳米粒子2及金属化合物3的发光材料1的波长转换构件5被配置于包覆构件4及成形体9的上表面。由此，关于由发光元件6产生的热对发光材料1造成的影响，能够期待与发光装置20同样的抑制效果。另外，发光装置30可以通过在通过其它工序一起制造了波长转换构件5后粘贴于发光装置30的除波长转换构件5以外的构成部分的方法、或者对发光装置30的除波长转换构件5以外的构成部分吹送涂敷波长转换构件5的浆料状的原料后使其固化的方法等来制作，因此，能够同时期待由工序简化、成品率提高带来的制造成本的削减效果。167.作为发光装置的用途，例如可举出：照明器具；监视器、显示器、雷达等显示装置；液晶显示装置用光源。168.作为发光装置的用途，例如可举出：照明器具；显示器、雷达等显示装置；液晶显示装置用光源，优选作为光源被导入液晶显示装置中。基于发光材料的带边发光的发光寿命短，因此，使用了该发光材料的发光装置适于要求比较快的响应速度的液晶显示装置的光源。另外，本实施方式的发光材料可以显示出半值宽度小的发光峰作为带边发光。因此，发光装置可以为以下的方式。(1)通过蓝色半导体发光元件，得到峰值波长在420nm以上且490nm以下的范围内的蓝色光，通过发光材料，得到峰值波长在510nm以上且550nm以下、优选为530nm以上且540nm以下的范围内的绿色光、及峰值波长在600nm以上且680nm以下、优选为630nm以上且650nm以下的范围内的红色光的方式；或者(2)在发光装置中，通过半导体发光元件得到峰值波长400nm以下的紫外光，通过发光材料，得到峰值波长在430nm以上且470nm以下、优选为440nm以上且460nm以下的范围内的蓝色光、峰值波长为510nm以上且550nm以下、优选为530nm以上且540nm以下的绿色光、及峰值波长在600nm以上且680nm以下、优选为630nm以上且650nm以下的范围内的红色光的方式。通过使发光装置为这些方式，不使用深的滤色器，就可以得到颜色再现性良好的液晶显示装置。发光装置例如用作直下型的背光灯、或边缘型的背光灯。169.或者可以将由包含发光材料的树脂或玻璃等制成的片、板状构件、或棒作为独立于发光装置的光转换构件导入至液晶显示装置。170.实施例171.以下，通过实施例对本发明具体地进行说明，但本发明不限定于这些实施例。172.(实施例1)173.半导体纳米粒子的合成174.在反应容器中，将乙酸银(agoac)0.4mmol、和乙酸铟(in(oac)3)0.4mmol与经蒸馏纯化的油胺(ola)8ml混合，添加十二硫醇(1.25mmol、300μl)而制成了a液。另行将1,3-二甲基硫脲0.8mmol溶解于油胺2ml，制成了b液。对a液进行脱气，置换成氩气气氛，加热至140℃。然后，用30分钟在a液中添加b液。混合物中的s的原子数相对于ag的原子数之比的增加率为0.067/分。滴加结束后，将液温在140℃下保持30分钟。接着，自然冷却至室温，通过离心分离将粗大粒子除去后，在上清中添加甲醇，使成为芯的半导体纳米粒子沉淀，通过离心分离将其回收。使回收的固体分散于氯仿1ml中。175.芯壳型半导体纳米粒子的合成176.量取乙酰丙酮镓(ga(acac)3)0.1mmol、1,3-二甲基硫脲0.1mmol，添加于经蒸馏纯化的油胺8ml中，接着，将上述合成的半导体纳米粒子的氯仿分散液作为芯粒子的分散液，添加以纳米粒子浓度计相当于30nmol的量。以60℃左右对得到的溶液进行脱气，置换成氩气气氛后，急速升温(升温速度约60℃/分)至达到230℃为止，230℃后以2℃/分的速度进一步升温至280℃，在280℃下进行30分钟的热处理。接着，自然冷却至室温，添加甲醇，使芯壳型半导体粒子沉淀，进行了清洗后，使得到的芯壳型半导体纳米粒子分散于氯仿中。177.发光材料的合成178.从得到的芯壳型半导体纳米粒子的氯仿分散液中分取一部分，在得到的溶液中添加甲醇，使其沉淀，添加数ml的4-氨基-1-丁醇，在60℃下搅拌30分钟，得到了分散有芯壳型半导体纳米粒子的c液。179.在包含乙酸锌0.6mmol、4-氨基-1-丁醇0.5ml的1-丙醇12ml中添加上述c液0.06ml，一边在室温下进行搅拌一边添加硫代乙酰胺0.6mmol。在该状态下搅拌了1天后，通过离心分离将析出物回收。用甲醇对析出物进行清洗，在70℃的真空烘箱中使其干燥，得到了实施例1的发光材料。将所得到的发光材料的发光光谱示于图5。需要说明的是，发光光谱使用分光荧光光度计(日本分光制、商品名fp-8600)并设定为激发光波长450nm、观测波长460nm～1010nm而进行测定。180.(实施例2)181.在包含乙酰丙酮镓(ga(acac)3)0.6mmol、4-氨基-1-丁醇0.5ml的1-丙醇12ml中，添加在实施例1中得到的c液0.06ml，一边在室温下搅拌一边添加硫代乙酰胺0.6mmol。在该状态下进行了1天的搅拌后，通过离心分离将析出物回收。用甲醇对析出物进行清洗，在70℃的真空烘箱中使其干燥，得到了实施例2的发光材料。将得到的发光材料的发光光谱示于图6。182.(比较例1)183.将在实施例1中得到的芯壳型半导体纳米粒子的氯仿分散液作为比较例1的发光材料。184.(耐久性评价)185.将上述得到的发光材料在大气中于暗处保存后，通过肉眼观察发光材料的发光特性。186.实施例1的发光材料在室温下保存时，在20天后可保持发光，但是随着时间经过，发光颜色从橙色变化成红色。另外，实施例2的发光材料在室温下保存了1个月后也保持与初始相同的黄色发光。另一方面，比较例1的发光材料即使在冷藏保存状态下数日发光强度仍降低，2周左右变成无发光。187.可确认在通过金属化合物包埋芯壳型半导体纳米粒子的实施例1及实施例2的发光材料中，与未包埋芯壳型半导体纳米粒子的比较例1相比，耐久性提高。另外可以确认，在通过硫化镓包埋芯壳型半导体纳米粒子的实施例2的发光材料中，与通过硫化锌包埋芯壳型半导体纳米粒子的实施例1的发光材料相比，耐久性进一步提高。188.通过参照将日本专利申请2020-040093号(申请日：2020年3月9日)的公开整体导入本说明书中。对于本说明书中记载的全部文献、专利申请、及技术标准，按照与具体地分别记载通过参照将各个文献、专利申请及技术标准导入的情况相同的程度，通过参照导入本说明书中。









图片声明：本站部分配图来自人工智能系统AI生成,觅知网授权图片,PxHere摄影无版权图库。本站只作为美观性配图使用,无任何非法侵犯第三方意图,一切解释权归图片著作权方,本站不承担任何责任。如有恶意碰瓷者,必当奉陪到底严惩不贷!




内容声明：本文中引用的各种信息及资料（包括但不限于文字、数据、图表及超链接等）均来源于该信息及资料的相关主体（包括但不限于公司、媒体、协会等机构）的官方网站或公开发表的信息。部分内容参考包括:(百度百科,百度知道,头条百科,中国民法典,刑法,牛津词典,新华词典,汉语词典,国家院校,科普平台)等数据,内容仅供参考使用,不准确地方联系删除处理！本站为非盈利性质站点,发布内容不收取任何费用也不接任何广告!




免责声明：我们致力于保护作者版权，注重分享，被刊用文章因无法核实真实出处，未能及时与作者取得联系，或有版权异议的，请联系管理员，我们会立即处理，本文部分文字与图片资源来自于网络，部分文章是来自自研大数据AI进行生成,内容摘自(百度百科,百度知道,头条百科,中国民法典,刑法,牛津词典,新华词典,汉语词典,国家院校,科普平台)等数据,内容仅供学习参考,不准确地方联系删除处理!的,若有来源标注错误或侵犯了您的合法权益，请立即通知我们，情况属实，我们会第一时间予以删除，并同时向您表示歉意,谢谢!