包括具有可移动阻断物的萃取光学装置以及系统的制作方法

电气元件制品的制造及其应用技术1.本发明实施例涉及一种处理装置，且更特定地说，涉及用于改进从等离子体中萃取离子的装置。背景技术：2.用于使用离子处理衬底的已知装置包含波束线离子注入机和等离子体浸没离子注入工具。这些方法适用于在能量范围内注入离子。在波束线离子注入机中，从源中萃取离子，进行质量分析且接着输送到衬底表面。在等离子体浸没离子注入装置中，衬底位于邻近于等离子体产生等离子体的同一腔室中。衬底相对于等离子体设置为负电势，且穿过衬底前方的等离子体鞘的离子可以垂直入射角冲击到衬底上。3.许多等离子体辅助处理应用要求晶片上的离子束入射角为零或较小。然而，某些复杂工艺(例如沟槽侧壁的受控刻蚀、孔伸长、光刻胶收缩以及磁性随机存储器结构刻蚀)提供额外的挑战，在所述复杂工艺中，离子束具有以非零晶片上平均入射角为特征的离子角分布(ion angular distribution，iad)。一些当前方法递送具有可调的离子角分布的离子束以增加处理输送量，离子束电流通过增加萃取狭缝的数目而增加。然而，源自不同萃取狭缝的离子细束的角分布存在差异。随着射频功率降低且隐含地，等离子体密度降低，偏差变得更明显。相对于这些和其它考量，提供本公开。技术实现要素：4.在一种方面中，离子萃取系统可包含能操作以产生等离子体的等离子体腔室和沿等离子体腔室的一侧布置的离子萃取光学器件。离子萃取光学器件可包含：包含第一开口的萃取板和在第一开口上方延伸的第一波束阻断物，其中第一波束阻断物包含由第一波束阻断物第一边缘与萃取板之间的第一距离界定的第一内部狭缝和由第一波束阻断物第二边缘与萃取板之间的第二距离界定的第一外部狭缝，其中第一波束阻断物能移动以改变第一距离和第二距离中的至少一者。5.在另一方面中，离子萃取光学器件可包含：包含第一开口和第二开口的萃取板、和在第一开口上方延伸的第一波束阻断物以及在第二开口上方延伸的第二波束阻断物。第一波束阻断物和第二波束阻断物中的每一个可包含：由内部边缘与萃取板之间的第一距离界定的内部狭缝和由外部边缘与萃取板之间的第二距离界定的外部狭缝，其中第一波束阻断物和第二波束阻断物能移动以改变第一距离和第二距离中的至少一者。6.在又一方面中，方法可包含提供沿等离子体腔室的一侧布置的离子萃取光学器件，所述离子萃取光学器件包含：包含第一开口和第二开口的萃取板，和在第一开口上方延伸的第一波束阻断物以及在第二开口上方延伸的第二波束阻断物。第一波束阻断物和第二波束阻断物中的每一个可包含由内部边缘与萃取板之间的第一距离界定的内部狭缝和由外部边缘与萃取板之间的第二距离界定的外部狭缝。方法可更包含通过移动第一波束阻断物和第二波束阻断物来改变第一距离和第二距离中的至少一者。附图说明7.附图示出到目前为止为实际应用其原理而设计的本公开实施例的示例性方法，且其中：8.图1示出根据本公开的各种实施例的处理装置的框图。9.图2a为根据本公开的各种实施例的图1的处理装置的萃取光学器件的透视正视图。10.图2b为根据本公开的各种实施例的图1的处理装置的萃取光学器件的透视后视图。11.图3为根据本公开的各种实施例的沿切割线4-4的图2b的萃取光学器件的侧截面视图。12.图4a-4b为展现根据本公开的各种实施例的旋转波束阻断物的效果的图。13.图5a-5b为展现根据本公开的各种实施例的内部细束和外部细束的离子角分布的图。14.图6a-6b为根据本公开的各种实施例的用于旋转波束阻断物的装置的透视图。15.图7为描绘根据本公开的实施例的方法的流程图。16.附图未必按比例绘制。附图仅为表示，并不意图描绘本公开的具体参数。附图意图描绘本公开的示例性实施例，且因此不应被视为在范围上受到限制。在附图中，相似编号表示相似元件。17.此外，出于图示清楚的目的，可省略或不按比例示出一些附图中的一些元件。出于图示清楚的目的，横截面图可呈“切片”或“近视”横截面图的形式，从而省略在“真实”横截面图中另外可见的某些背景线条。此外，为了清晰起见，一些参考标号可在某些附图中省略。具体实施方式18.本文中参考示出实施例的附图公开了包含具有可移动阻断物的萃取光学器件的方法、装置以及系统。所述实施例可以许多不同形式来体现，且不应解释为受限于本文中所阐述的实施例。替代地，提供这些实施例以使得本公开将为透彻且完整的，并且将向本领域的技术人员充分传达方法、系统以及装置的范围。19.图1描绘根据本公开的实施例的系统或处理装置100。处理装置100包含由等离子体腔室102组成以在其中产生等离子体103的等离子体源。等离子体腔室102可充当等离子体源的一部分，所述等离子体源例如射频电感耦合等离子体(inductively-coupled plasma，icp)源、电容耦合等离子体(capacitively coupled plasma，ccp)源、螺旋波源、电子回旋共振(electron cyclotron resonance，ecr)源、间热式阴极(indirectly heated cathode，ihc)源、辉光放电源或本领域的技术人员已知的其他等离子体源。在这个特定实施例中，等离子体源是icp源，其中来自射频发生器105的功率通过射频匹配网络107耦合到等离子体中。射频功率从射频发生器到气体原子和/或分子的传输通过天线106和介电窗口(图中未示出)进行。20.如进一步所示出，气体歧管109可通过适当的气体管线和气体入口连接到等离子体腔室102。处理装置100的等离子体腔室102或其它组件也可以连接到真空系统(图中未示出)，例如由旋转泵或隔膜泵支持的涡轮分子泵。等离子体腔室102由腔室壁界定，且可邻近于处理腔室104而布置，由绝缘体117电绝缘。处理腔室104可包含衬底固持器114和晶片或衬底116。21.在一些实施例中，可使用偏置电压供应器112相对于衬底固持器114和处理腔室104偏置等离子体腔室102。举例而言，等离子体腔室102可保持在高电压(例如+1000伏)下，而衬底固持器114、衬底116以及处理腔室104接地。替代地，衬底固持器114可保持在负电势下，而等离子体腔室102接地。偏置电压供应器112与衬底固持器114之间的电连接是通过电馈通118实现的。在这些情境下，可从等离子体103萃取正离子且以与等离子体腔室102与衬底固持器114之间的电压差成比例的离子能量定向到衬底116。22.如进一步所示出，离子萃取光学器件(在下文中称为“光学器件”)120可沿等离子体腔室102的一侧布置。尽管未限制，但光学器件120可布置在等离子体腔室102的底部处，在水平平面中延伸。在一些实施例中，等离子体腔室102可布置在处理腔室104的一侧，其中光学器件120沿等离子体腔室102的竖直侧布置。特定地说，光学器件120设置在等离子体腔室102与处理腔室104之间。光学器件120可界定等离子体腔室102或处理腔室104，或二者的腔室壁的一部分。光学器件120包含孔径，通过所述孔径可将离子萃取为离子束或离子细束130，并且定向到衬底116。尽管未限制，但光学器件120可包含允许细束冲击衬底116的两个内部狭缝和两个外部狭缝。23.在各种实施例中，衬底固持器114可耦合到驱动件(图中未示出)，所述驱动件配置成沿平行于所示出的笛卡尔坐标系的y轴的方向移动衬底固持器114。在其它实施例中，衬底固持器114能沿平行于x轴、z轴或二者的方向移动。这种移动为处理装置100提供两个自由度，即，允许修改衬底相对于萃取孔径的相对位置，且允许相对于孔径扫描衬底116，因此在一些情况下，可在衬底116的整个表面上方提供离子。在各种实施例中，衬底固持器114能以较小增量(例如1度的增量)围绕z轴旋转，因此可进一步改进处理均匀性。24.在各种额外实施例中且如下详述，光学器件120可包含界定多个离子细束的分离部分。在各种实施例中，光学器件120界定多个萃取狭缝，所述多个萃取狭缝沿x方向伸长(到图1中的图的平面中)。这些萃取狭缝界定多个带状束，所述多个带状束沿x方向伸长且具有设计属性，例如离子能量、离子电流密度、相对于z轴的设计入射角以及设计角展度。25.如在图1中进一步示出，光学器件120可包含包含中心肋板126的萃取板122。在具体实施例中，光学器件120可更包含在下文更详细地解释的接近于由萃取板122界定的孔径布置的第一波束阻断物124a和第二波束阻断物124b。根据各种实施例，在图1的配置中，萃取板122、中心肋板126、第一波束阻断物124a以及第二波束阻断物124b可界定四个萃取狭缝。这四个萃取狭缝可产生四个不同的带状束或离子细束130。通过选择性布置萃取板122、第一波束阻断物124a以及第二波束阻断物124b，减轻从不同萃取狭缝萃取的离子细束130的离子角分布的差异是可能的，尤其在低功率操作的情况下，同时相对于两个狭缝萃取光学器件配置维持总萃取的离子束电流的2x增加。26.现转而参看图2a-2b，示出了根据本公开的实施例的光学器件120的平面视图。图2a的视图是从处理腔室104的视角示出的，其朝向等离子体腔室102观看，而图2b的视图是从等离子体腔室的视角示出的，其朝向处理腔室104观看。萃取板122包含与第二主侧127相对的第一主侧125，其中第一主侧125面向等离子体腔室且第二主侧127面向处理腔室104。如所示出，萃取板122可以是大体上矩形组件。然而，本文中的实施例并不受限于此上下文。27.萃取板122可包含切口区128，其中切口区128沿第一方向(在这种情况下，沿x轴)伸长。切口区128可伸长到产生具有与切口区128的长度大致相同的长度(例如100毫米、200毫米、300毫米或400毫米)的离子束的程度。本文中的实施例并不受限于此上下文。如所示出，切口区128可进一步配置成具有沿垂直于第一方向的第二方向(例如沿y轴)的宽度。切口区128沿y轴的宽度可设计成产生大小设定成与等离子体腔室102中的均匀等离子体重叠的覆盖面积。换句话说，切口区128可位于等离子体腔室102的一侧的中间，其中切口区128沿y轴的宽度小于或等于等离子体均匀的区沿y轴的宽度。以这种方式，可从切口区128萃取多个离子束，其中离子电流密度和角特性在不同离子束当中没有不同。28.如进一步所示出，中心肋板126可设置成与切口区128重叠，同时还沿x轴延伸超出切口区128。因此，中心肋板126和切口区128界定第一孔径132和第二孔径134。在一些实施例中，中心肋板126可定位成产生具有彼此相等大小的第一孔径132和第二孔径134。29.在各种实施例中，萃取板122和中心肋板126可由导电材料(例如金属、石墨或其他导体)制成。根据其中萃取板122由第一材料制成的各种实施例，中心肋板126可由第一材料或与第一材料不同的第二材料制成。30.如进一步所示出，第一波束阻断物124a和第二波束阻断物124b在中心肋板126的相对侧上延伸横越切口区128。尽管未限制，但第一波束阻断物124a和第二波束阻断物124b可延伸超出由萃取板122的第二主侧127界定的平面。31.现在转而参看图3，将更详细地描述光学器件120。第一波束阻断物124a设置成与第一孔径132的一部分重叠，其中第一波束阻断物124a和穿过萃取板122的第一孔径132界定第一内部狭缝142a和第一外部狭缝142b。同样地，第二波束阻断物124b设置成与第二孔径134的一部分重叠，其中第二波束阻断物124b和穿过萃取板122的第二孔径134界定第二内部狭缝144a和第二外部狭缝144b。在一些实例中，萃取狭缝(142a至142b和144a至144b)的个别宽度可为约几毫米、一毫米或小于一毫米，而萃取狭缝的长度可为约几十厘米。因此，萃取狭缝142a至萃取狭缝142b和萃取狭缝144a至萃取狭缝144b可界定可从等离子体腔室102萃取非常窄的带状束的细长孔径。32.在一些实施例中，可使用安装结构123将第一波束阻断物124a和第二波束阻断物124b附接到萃取板122，所述安装结构123适应第一波束阻断物124a和第二波束阻断物124b在操作期间的热膨胀。在第一波束阻断物124a和第二波束阻断物124b可相对于萃取板122独立偏置的实施例中，凹形、u形的第一波束阻断物124a和第二波束阻断物124b使静电势场线成形且，有助于控制通过光学器件120萃取的离子束的入射角和角展度。虽然第一波束阻断物124a和第二波束阻断物124b可以是电导体，但在一些实施例中，第一波束阻断物124a和第二波束阻断物124b可以是电绝缘体。此外，第一波束阻断物124a和第二波束阻断物124b的形状也可改变，例如，从具有不同凹度半径的凹形变为矩形(例如平行板)。33.在示例性实施例中，第一波束阻断物124a能围绕第一轴线148旋转，第一轴线148平行于由萃取板122的第一主侧125界定的平面而延伸。另外，第一波束阻断物124能相对于萃取板122在第一方向150上(例如沿z轴)可移动，第一方向150垂直于萃取板122的第一主侧125。类似地，第二波束阻断物124b能围绕第二轴线152旋转，第二轴线152平行于第一轴线150而延伸。如所示出，第二波束阻断物124b也能相对于萃取板122在第一方向156上移动，所述第一方向156垂直于萃取板122的第一主侧125。34.如进一步所示出，第一内部狭缝142a可由第一阻断物第一边缘161与萃取板122之间的第一距离‘d1’界定。更具体地说，第一距离d1可在第一阻断物第一边缘161与第一孔径132的第一周边点162之间测量，第一周边点162由中心肋板126的第一侧界定。第一外部狭缝142b可由第一阻断物第二边缘163与第一孔径132的第二周边点164之间的距离‘d2’界定。35.第二内部狭缝144a可由第二阻断物第一边缘165与萃取板122之间的第三距离‘d3’界定。更具体地说，第三距离d3可在第二阻断物第一边缘165与第二孔径134的第一周边点166之间测量，第一周边点166由中心肋板126的第二侧界定。第二外部狭缝144b可由第二阻断物第二边缘167与第二孔径134的第二周边点168之间的距离‘d4’界定。在一些实施例中，d1等于或大致等于d3，且d2等于或大致等于d4。36.在操作期间，等离子体密度在接近天线106(图1)的等离子体腔室102中最高，其中发生功率沉积。由于固有的扩散过程，等离子体密度朝向等离子体腔室102的壁减小。因此，竖直方向上(例如沿y轴)的等离子体密度分布具有抛物线状的形状。因此，第一内部狭缝142a、第二内部狭缝144a将看到比第一外部狭缝142b和第二外部狭缝144b更高的等离子体密度。为了减轻这种偏差，第一波束阻断物124a和第二波束阻断物124b能分别围绕第一轴线148和第二轴线152旋转以调节距离d1至距离d4中的任一者。另外，第一波束阻断物124a和第二波束阻断物124b能相对于萃取板122移动以进一步调节距离d1至距离d4中的任一者。在一些实施例中，第一波束阻断物124a可沿顺时针方向朝向中心肋板126旋转，且第二波束阻断物124b可沿逆时针方向旋转。这增加第一外部狭缝142b相对于第一内部狭缝142a的大小，且增加第二外部狭缝144b相对于第二内部狭缝144a的大小。在所示出的非限制性实施例中，第一波束阻断物124a旋转第一角‘‑α’，且第二波束阻断物124b旋转第二角‘+α’。第一角和第二角的绝对值可以相同或不同。37.图4a-4b更详细地展现本公开的原理。尽管仅示出了第一波束阻断物124a，但应了解，所描述的方法类似地适用于第二波束阻断物124b。图4a展现第一波束阻断物124a围绕第一轴线148旋转约2.5度的角‘α’，而图4b展现第一波束阻断物124a围绕第一轴线148旋转约5度的角‘β’。38.如上文所陈述，解决内部细束180和外部细束182的离子角分布的差异可通过旋转第一波束阻断物124a以使等位线分布184朝向第一内部狭缝142a且远离第一外部狭缝142b移位来克服。第一波束阻断物124a的旋转导致第一内部狭缝142a变窄和第一外部狭缝142b扩宽。变窄和分别地扩宽第一内部狭缝142a和第一外部狭缝142b将补偿所萃取的离子束电流的差异。内部狭缝将具有较小的横截面积，而外部狭缝将具有较大的横截面积。在一些实施例中等离子体密度与萃取狭缝面积之间的乘积应是恒定的，即，nm外部*a狭缝外部＝nm内部*a狭缝内部。39.平衡所萃取的穿过内部狭缝和外部狭缝的离子束电流可对离子角分布提供相同的空间电荷效应。尽管图中未示出，但应了解，穿过第二波束阻断物124b的第二内部狭缝144a在晶片116处类似地接收第三细束，且穿过第二波束阻断物124b的第二外部狭缝144b在晶片116处接收第四细束。40.阻断物的旋转和/或远离萃取板122移动的总体效应将为第一波束阻断物124a和第二波束阻断物124b两者的内部细束和外部细束的准类似离子角分布。举例来说，如在图5a中可看出，对应于旋转2.5度的第一波束阻断物124a和第二波束阻断物124b的iad针对内部细束180展示25度的平均角和4度的角展度，而外部细束182具有26.5度的角展度和0.5度的角展度。如图5b中所示出，当第一波束阻断物124a和第二波束阻断物124b旋转5度时，内部细束180的iad特性展示26度的平均角和3度的角展度，而外部细束182的平均角为26度，且角展度为0.5度。如所展现，内部细束180和外部细束182的iad在平均角方面类似且在角展度方面准类似。41.现转而参看图6a-6b，将描述根据本公开的实施例的用于旋转第一波束阻断物124a和第二波束阻断物124b的装置。如所示出，可使用在从第一主侧125延伸的安装结构123内可旋转和/或可移动的一组支撑件184a至支撑件184b将第一波束阻断物124a和第二波束阻断物124b耦合到萃取板122。如所示出，支撑件184a至支撑件184b可从相应第一波束阻断物124a和第二波束阻断物124b的第一端188延伸。尽管图中未示出，但应了解，类似支撑件可存在于第一波束阻断物124a和第二波束阻断物124b的相对端处。42.在一些实施例中，每一支撑件184a至支撑件184b可包含具有形成在其中的多个开口191的圆柱形轴190。销192能操作以与开口191中的一者接合，以在实现第一波束阻断物124a和第二波束阻断物124b的所要角位置后防止圆柱形轴190的旋转。如所示出，销192配置成与形成在安装结构123的上部表面195中的凹槽194的侧壁接合。为了调节第一波束阻断物124a和/或第二波束阻断物124b的角旋转，可去除销192。如在图6b中最佳示出，开口191可位于圆柱形轴190周围的不同角位置处。这些开口191的轴线垂直于圆柱形轴190的中心轴线且以预定的角增量旋转。旋转第一波束阻断物124a和第二波束阻断物124b，直到对应于所要角的开口191与凹槽194对准为止。43.图7为描绘根据本公开的实施例的方法200的流程图。在方框201处，方法200可包含提供沿等离子体腔室的一侧布置的离子萃取光学器件，所述离子萃取光学器件包含：包含第一开口和第二开口的萃取板、和在第一开口上方延伸的第一阻断物以及在第二开口上方延伸的第二阻断物，第一阻断物和第二阻断物中的每一个包含由内部边缘与萃取板之间的第一距离界定的内部狭缝和由外部边缘与萃取板之间的第二距离界定的外部狭缝。44.在一些实施例中，方法可包含围绕第一旋转轴旋转第一阻断物，所述第一旋转轴平行于由萃取板的第一主侧界定的平面而延伸；以及围绕第二旋转轴旋转第二阻断物，所述第二旋转轴平行于第一旋转轴而延伸。在一些实施例中，移动第一阻断物和第二阻断物可更包含沿第一轴线移动第一阻断物，所述第一轴线垂直于由萃取板的第一主侧界定的平面。45.在一些实施例中，方法可包含将腔室维持在接地电势下，其中晶片受负电压偏置。在一些实施例中，方法可包含在等离子体腔室内产生等离子体。46.在方框203处，方法可包含通过移动第一阻断物和第二阻断物来改变第一距离和第二距离中的至少一者。在方框205处，方法200可任选地包含通过内部狭缝和外部狭缝中的每一个将离子细束递送到晶片。47.如本文中所使用，术语“入射角”可指离子束的离子组相对于衬底表面上的法线的平均入射角。术语“角展度”可指以平均角为中心的分布宽度或入射角范围的简称。在本文中所公开的实施例中，新颖萃取系统可增加从带状束配置中的等离子体萃取的离子电流，而不影响离子束其他参数，例如入射角或角展度。48.虽然前述实施例集中于四个狭缝配置，但在额外实施例中，六个狭缝配置和八个狭缝配置是可能的。举例来说，可实现六个狭缝配置，其中两个中心肋板定位在共同切口区上方以界定三个萃取孔径。因此，三个相应波束阻断物可定位成与三个相应萃取孔径重叠，其中给定波束阻断物可与萃取孔径一起界定萃取狭缝对。同样地，可通过将三个中心肋板定位在共同切口区上方以界定四个萃取孔径来实现八个狭缝配置，所述孔径与四个波束阻断物配对。一般来说，根据本发明实施例的多狭缝离子萃取光学器件可使用一个切口区、n个中心肋板以及n+1个波束阻断物来构建，其中萃取狭缝的数目等于2(n+1)。49.出于方便和清楚起见，本文使用例如“顶部”、“底部”、“上部”、“下部”、“竖直”、“水平”、“横向”以及“纵向”的术语来描述如在图中呈现的组件和其组成部分的相对放置和定向。术语将包含具体提到的词、其派生词以及类似意思的词。50.如本文中所使用，以单数形式叙述并且前面有词“一”的元件或操作应被理解为包含多个元件或操作，直到明确叙述此类排除。此外，对本公开的“一个实施例”的引用并不意图为限制性的。额外的实施例也可并入到所叙述的特征中。51.此外，术语“实质上”或“基本上”以及术语“大约”或“大致地”可在一些实施例中可互换地使用，且可使用本领域的一般技术人员可接受的任何相对度量标准来描述。举例来说，这些术语能够充当与参考参数的比较，以表明能够提供期望运行的偏差。虽然未限制，但与参考参数的偏差可为例如小于1％、小于3％、小于5％、小于10％、小于15％、小于20％等的量。52.仍此外，技术人员将了解，当例如层、区或衬底的元件称为在另一元件上形成、沉积在另一元件上或设置“在”另一元件“上”、“在”另一元件“上方”或“在”另一元件“顶上”时，元件可直接在另一元件上或也可存在插入元件。相比之下，当元件称为“直接在”另一元件“上”、“直接在”另一元件“上方”或“直接在”另一元件“顶上”时，不存在插入元件。53.本公开的范围不受本文所描述的特定实施例限制。实际上，本领域的一般技术人员根据以上描述和附图将明白(除本文中所描述的那些实施例和修改之外)本公开的其它各种实施例和对本公开的修改。因此，这类其它实施例和修改意图属于本公开的范围。此外，已在用于特定用途的特定环境中的特定实施方案的上下文中描述本公开。本领域的一般技术人员将认识到，有用性不限于此，且本公开可有利地实施于用于多种用途的多种环境中。因此，上文阐述的权利要求应鉴于如本文中所描述的本公开的完全广度和精神来解释。









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