包括伪互连的封装的制作方法

电气元件制品的制造及其应用技术包括伪互连的封装1.优先权要求2.本专利申请要求于2020年03月05日提交的、题为“package comprising dummy interconnects”的美国非临时申请号16/810589的优先权，该申请被转让给本技术的受让人，并且在此通过引用明确并入本文。技术领域3.各种特征涉及包括集成器件的封装，但更具体地涉及包括集成器件和伪互连的封装。背景技术：4.图1图示了包括衬底102、集成器件104、无源器件106和包封层108的封装100。衬底102包括多个电介质层120、多个互连122和多个焊料互连124。多个焊料互连144被耦合到衬底102和集成器件104。包封层108将集成器件104、无源器件106和多个焊料互连144包封。集成器件130可以通过多个焊料互连132被耦合到衬底102的底侧。当封装100被耦合到板时，封装100可能受到很多应力(例如，剪切应力、机械应力)，这可能影响封装100的可靠性。一直需要提供更可靠的封装。技术实现要素：5.各种特征涉及包括集成器件的封装，但更具体地涉及包括集成器件和伪互连的封装。6.一个示例提供了一种封装，该封装包括：具有第一表面和第二表面的衬底；被耦合到衬底的第一表面的无源器件；位于衬底的第一表面之上的第一包封层，其中第一包封层对无源器件进行包封；被耦合到衬底的第二表面的集成器件；位于衬底的第二表面之上的第二包封层，其中第二包封层对集成器件进行包封；被耦合到衬底的多个贯通包封层互连；被耦合到多个贯通包封层互连的多个包封层互连；以及位于第二包封层中的至少一个伪互连，其中至少一个伪互连垂直位于集成器件的背侧之上。7.另一个示例提供了一种装置，包括衬底、无源器件、用于包封的第一部件、集成器件、用于包封的第二部件、多个贯通包封层互连以及至少一个伪互连。衬底包括第一表面和第二表面。衬底还包括多个互连。无源器件被耦合到衬底的第一表面。用于包封的第一部件位于衬底的第一表面之上，其中用于包封的第一部件对无源器件进行包封。集成器件被耦合到衬底的第二表面。用于包封的第二部件位于衬底的第二表面之上，其中用于包封的第二部件对集成器件进行包封。多个贯通包封层互连被耦合到衬底。多个包封层互连被耦合到多个贯通包封层互连。至少一个伪互连位于第二包封层中，其中至少一个伪互连垂直位于集成器件的背侧之上。8.另一个示例提供了一种用于制造封装的方法。该方法提供包括第一表面和第二表面的衬底，其中衬底还包括多个互连。该方法将无源器件耦合到衬底的第一表面。该方法在衬底的第一表面之上形成第一包封层，其中第一包封层对无源器件进行包封。该方法将集成器件耦合到衬底的第二表面。该方法提供到衬底的多个贯通包封层互连。该方法在衬底的第二表面之上形成第二包封层，其中第二包封层对集成器件进行包封。该方法提供到多个贯通包封层互连的多个包封层互连。该方法在第二包封层中提供至少一个伪互连，其中至少一个伪互连垂直位于集成器件的背侧之上。附图说明9.当结合附图进行以下阐述的详细描述时，各种特征、性质和优点将变得明显，在附图中，相同的附图标记始终对应地标识。10.图1图示了包括集成器件和衬底的封装的轮廓图。11.图2图示了包括衬底、集成器件、包封层和至少一个伪互连的封装的轮廓图。12.图3图示了包括包封层、至少一个伪互连和至少一个伪焊料互连的封装的底平面图。13.图4图示了包括衬底、集成器件、包封层和至少一个伪互连的封装的轮廓图。14.图5图示了包括衬底、集成器件、包封层和至少一个伪互连的封装的轮廓图。15.图6图示了包括衬底、集成器件、包封层和至少一个伪互连的封装的轮廓图。16.图7(包括图7a至图7f)图示了用于制造包括衬底、集成器件、包封层和至少一个伪互连的封装的示例性序列。17.图8图示了用于制造包括衬底、集成器件、包封层和至少一个伪互连的封装的方法的示例性流程图。18.图9(包括图9a至图9c)图示了用于制造包括衬底、集成器件、包封层和至少一个伪互连的封装的示例性序列。19.图10图示了用于制造包括衬底、集成器件、包封层和至少一个伪互连的封装的方法的示例性流程图。20.图11图示了各种电子设备，其可以对裸片、集成器件、集成无源器件(ipd)、无源组件、封装和/或本文中所描述的器件封装进行集成。具体实施方式21.在以下描述中，给出了具体细节以提供对本公开的各个方面的透彻理解。然而，本领域技术人员应当理解，可以在没有这些具体细节的情况下实践这些方面。例如，可以以框图示出电路，以便避免在不必要的细节中模糊这些方面。在其他实例中，可能未详细示出众所周知的电路、结构和技术，以免混淆本公开的方面。22.本公开描述了一种封装，该封装包括衬底、第一包封层、第二包封层、集成器件和无源器件。衬底包括多个互连。衬底还包括第一表面和第二表面。无源器件被耦合到衬底的第一表面。第一包封层位于衬底的第一表面之上。第一包封层对无源器件进行包封。集成器件被耦合到衬底的第二表面。第二包封层位于衬底的第二表面之上。第二包封层对集成器件进行包封。封装还包括(i)被耦合到衬底的多个贯通包封层互连，(ii)被耦合到多个贯通包封层互连的多个包封层互连，以及(iii)位于第二包封层中的至少一个伪互连。至少一个伪互连垂直位于集成器件的背侧之上。至少一个伪互连被配置为与集成器件无电连接。至少一个伪互连被配置为与无源器件无电连接。当封装被耦合到板时，至少一个伪互连有助于为封装提供结构支撑，这可以帮助提供更可靠的封装。此外，至少一个伪互连可以有助于将热量从集成器件散发出去，这可以有助于集成器件的性能。23.包括伪互连的示例性封装24.图2图示了包括伪互连的封装200的轮廓图。封装200被耦合到板290(例如，印刷电路板)。如下文将进一步描述的，伪互连有助于为封装提供附加的机械支撑，以提供板(例如，印刷电路板(pcb))级可靠性并且为封装200提供改进的散热能力。25.封装200包括衬底202、第一包封层204、第二包封层206、集成器件260、多个无源器件(例如，210、212、214、216)和集成器件218。衬底202包括至少一个电介质层220和多个互连222。衬底2022还包括第一表面和第二表面。无源器件(例如，210、212、214、216)和集成器件218被耦合到衬底202的第一表面(例如，通过它们相应的焊料互连217)。第一包封层204位于衬底202的第一表面之上。第一包封层204对无源器件(例如，210、212、214、216)和集成器件218进行包封。阻焊层240可以位于衬底202的第一表面之上。阻焊层240可以被认为是衬底202的部分。阻焊层240可以位于第一包封层204和至少一个电介质层220之间。另一集成器件260被耦合到衬底202的第二表面。例如，集成器件260的正侧可以被耦合到衬底202的第二表面。第二包封层206位于衬底202的第二表面之上。第二包封层206对集成器件260进行包封。26.封装200还包括(i)被耦合到衬底202的多个球互连270，(ii)被耦合到多个球互连270的多个包封层互连262，以及(iii)位于第二包封层206中的至少一个伪互连264。27.多个球互连270可以包括多个焊料互连272。多个焊料互连272可以有助于球互连270耦合到多个互连222和多个包封层互连262。在一些实施方式中，多个球互连270和多个焊料互连272是被耦合到衬底202的多个贯通包封层互连的示例。因此，图2可以图示了封装200，封装200包括(i)被耦合到衬底202的多个贯通包封层互连、以及(ii)被耦合到多个贯通包封层互连的多个包封层互连262。28.至少一个伪互连264垂直位于集成器件260的背侧之上。至少一个伪互连264被配置为与封装200的(多个)集成器件无电连接。至少一个伪互连264被配置为与封装200的(多个)无源器件无电连接。至少一个伪互连264可以通过增加表面积(封装200上的应力(例如，机械应力、热应力)通过该表面积而施加到其上)来有助于为封装200提供机械支撑。增加封装200与板290耦合的表面积有助于分散应力，并且有助于减小封装200与板290之间的特定耦合点处的应力，从而在封装200和板290之间导致更可靠的接合连接并且最终导致更可靠的封装。29.此外，至少一个伪互连264可以有助于封装200的散热。例如，至少一个伪互连264被定位为靠近(或可以接触)集成器件260。由于至少一个伪互连264具有比第二包封层206的热导率值更高的热导率值，因此至少一个伪互连264可以被配置作为集成器件260和/或封装200的热扩散器和/或散热器。至少一个伪互连264可以包括与多个包封层互连262相同或不同的材料。30.不同实施方式可以具有不同数目的伪互连。至少一个伪互连264可以具有不同的形状和/或尺寸。在一些实施方式中，至少一个伪互连264可以被耦合到集成器件260的背侧。31.封装200通过多个焊料互连282和多个焊料互连284被耦合到板290。多个焊料互连282被耦合到多个包封层互连262。多个焊料互连284被耦合到至少一个伪互连。多个焊料互连284可以被认为是多个伪焊料互连。32.图3图示了封装200的底平面图。如图3中所示，封装200包括第二包封层206、多个焊料互连282和多个焊料互连284。多个焊料互连284可以是多个伪焊料互连。多个伪焊料互连(例如，284)被配置为与封装200的(多个)集成器件无电连接。多个伪焊料互连(例如，284)被配置为与封装200的(多个)无源器件无电连接。与伪互连264类似，多个伪焊料互连284有助于为封装200提供机械支撑，并且有助于将热量从封装200和/或封装200中的集成器件散发出去。图3图示了多个焊料互连282横向包围多个焊料互连284。多个焊料互连282可以被定位为沿着封装200的外围，而多个焊料互连284可以被定位为围绕封装200的内部部分。33.注意，不同实施方式可以包括封装200的不同配置。例如，封装200的不同实施方式可以包括不同数目的集成器件和/或无源器件。例如，封装200可以包括多于一个的被耦合到衬底202的第二表面的集成器件。在另一个示例中，一个或多个无源器件可以被耦合到衬底202的第二表面。34.图4图示了包括伪互连的封装400。封装400与封装200类似，并且因此包括与封装200类似的组件。封装400包括热界面材料(tim)460。tim 460被耦合到集成器件260的背侧并且被耦合到至少一个伪互连264。tim 460被第二包封层206包封。tim 460具有比第二包封层206的热导率值更好(例如，更高)的热导率值。与在没有tim 460情况下的至少一个伪互连264相比，tim 460与至少一个伪互连264可以有助于为封装200和/或集成器件260提供更好的散热。35.图5图示了包括伪互连的封装500。封装500类似于封装200和/或封装400，并且因此包括与封装200和/或封装400类似的组件。封装500包括不同的贯通包封层互连。代替多个球互连270，封装500包括多个过孔570和电介质层572。电介质层572可以横向包围多个过孔570。多个过孔570可以被认为是多个柱。多个过孔570和电介质层572可以被第二包封层206包封。多个过孔570被耦合到衬底202和多个包封层互连262。36.图6图示了包括伪互连的封装600。封装600类似于封装200和/或封装400，并且因此包括与封装200和/或封装400类似的组件。封装600包括不同的贯通包封层互连。代替多个球互连270，封装600包括多个过孔670。多个过孔670可以被第二包封层206包封。多个过孔670被耦合到衬底202和多个包封层互连262。多个过孔670和多个包封层互连262可以被认为相同。如下面将进一步描述的，可以使用镀覆过程和/或溅射过程来形成多个过孔670。37.集成器件(例如，218、260)可以包括裸片(例如，半导体裸片)。集成器件可以包括射频(rf)设备、无源器件、滤波器、电容器、电感器、天线、发射器、接收器、表面声波(saw)滤波器、体声波(baw))滤波器、发光二极管(led)集成器件、基于碳化硅(sic)的集成器件和/或它们的组合。38.无源器件可以包括电容器和/或电阻器。各种包封层(例如，204、206)可以包括模具、树脂、环氧树脂和/或聚合物。包封层(例如，204、206)可以是用于包封的部件(例如，用于包封的第一部件、用于包封的第二部件)。39.已经描述了具有伪互连的各种封装，现在将在下面描述用于制造包括伪互连的封装的过程。40.用于制造包括伪互连的封装的示例性序列41.图7(其包括图7a至图7f)图示了用于提供或制造包括伪互连的封装的示例性序列。在一些实施方式中，图7a至图7f的序列可以用于提供或制造图2的封装200或本公开中描述的任何封装。42.应当注意，为了简化和/或阐明用于提供或制造封装的序列，图7a至图7f的序列可以将一个或多个阶段组合。在一些实施方式中，可以改变或修改过程的顺序。在一些实施方式中，可以在不背离本公开的精神的情况下，代替或替换过程中的一个或多个过程。不同实施方式可以不同地制造互连结构。43.如图7a中所示，阶段1图示了在提供载体700之后的状态。载体700可以是衬底和/或晶片。载体700可以包括玻璃和/或硅。载体700可以是第一载体。44.阶段2图示了在载体700之上形成多个互连702之后的状态。多个互连702可以包括迹线和/或垫。形成多个互连702可以包括形成种子层、执行光刻过程、镀覆过程、剥离过程和/或蚀刻过程。多个互连702可以是多个互连222的部分。45.阶段3图示了在多个互连702和载体700之上形成电介质层710之后的状态。可以在多个互连702和载体700之上沉积和/或涂覆电介质层710。电介质层710可以包括聚合物。46.阶段4图示了在电介质层710中形成腔711之后的状态。蚀刻过程可以用于形成腔711。47.阶段5图示了在电介质层710之上形成多个互连712之后的状态。多个互连712可以包括过孔、迹线和/或垫。形成多个互连712可以包括形成种子层、执行光刻过程、镀覆过程、剥离过程和/或蚀刻过程。多个互连712可以是多个互连222的部分。48.如图7b中所示，阶段6图示了在电介质层710之上形成电介质层720和多个互连722之后的状态。可以在多个互连712和电介质层710之上沉积和/或涂覆电介质层720。电介质层720可以包括聚合物。形成电介质层720可以包括在电介质层720中形成腔。蚀刻过程可以用于在电介质层720中形成腔。多个互连722可以包括过孔、迹线和/或垫。形成多个互连722可以包括形成种子层、执行光刻过程、镀覆过程、剥离过程和/或蚀刻过程。多个互连722可以是多个互连222的部分。49.阶段7图示了在电介质层720之上形成电介质层730和多个互连732之后的状态。可以在多个互连722和电介质层720之上沉积和/或涂覆电介质层730。电介质层730可以包括聚合物。形成电介质层730可以包括在电介质层730中形成腔。蚀刻过程可以用于在电介质层730中形成腔。多个互连732可以包括过孔、迹线和/或垫。形成多个互连732可以包括形成种子层、执行光刻过程、镀覆过程、剥离过程和/或蚀刻过程。多个互连732可以是多个互连222的部分。50.阶段8图示了在衬底202之上形成阻焊层240之后的状态。阻焊层240可以被认为是衬底202的部分。衬底202包括至少一个电介质层220和多个互连222。至少一个电介质层220可以表示电介质层710、720和730。多个互连222可以表示多个互连712、722和732。51.如图7c中所示，阶段9图示了在多个无源器件(例如，210、212、214、216)和集成器件218被耦合到衬底202的第一表面之后的状态。可以使用拾取和放置过程来将无源器件和集成器件放置在衬底202的第一表面之上。焊料互连(例如217)可以用于将无源器件(例如210、212、214、216)和集成器件218耦合到衬底202(例如，衬底202的互连)。52.阶段10图示了在衬底202的第一表面之上形成第一包封层204以使第一包封层204将无源器件(例如，210、212、214、216)和集成器件218包封之后的状态。形成和/或布置第一包封层204的过程可以包括使用压缩和传递模制过程、片材模制过程或液体模制过程。53.阶段11图示了在载体700与衬底202去耦合之后的状态。载体700可以通过研磨过程和/或剥离过程去耦合。54.如图7d中所示，阶段12图示了集成器件260和多个球互连270被耦合到衬底202的第二表面之后的状态。多个球互连270通过多个焊料互连272被耦合到衬底202。集成器件260通过多个焊料互连266被耦合到衬底202。注意，在一些实施方式中，代替多个球互连，可以替代地使用多个过孔570和电介质层572。55.阶段13图示了在集成器件260的背侧之上形成热界面材料(tim)460之后的状态。tim 460可以是可选的。56.如图7e中所示，阶段14图示了在引线框架760被耦合到和/或正在被耦合到多个球互连270和tim 460之后的状态。在一些实施方式中，引线框架760可以被直接耦合到集成器件260的背侧。引线框架760可以包括导电的结构。引线框架760可以包括一体件或者可以包括若干组件。引线框架760在成分上可以是均匀的，或者可以针对不同部分包括不同材料。57.阶段15图示了在衬底202和引线框架760之间形成第二包封层206之后的状态。第二包封层206可以对多个球互连270、多个焊料互连272、集成器件260、tim 460和/或引线框架760进行包封。形成和/或布置第二包封层206的过程可以包括使用压缩和传递模制过程、片材模制过程或液体模制过程。58.阶段16图示了在去除引线框架760的部分之后留下多个包封层互连262和至少一个伪互连264之后的状态。至少一个伪互连264可以包括与多个包封层互连262相同的材料或不同的材料。注意，至少一个伪互连264与多个包封层互连262之间的不同的阴影是为了有助于在视觉上区分伪互连和包封层互连。阴影的差异不一定指示材料的差异。可以使用研磨过程来去除引线框架760的部分。在一些实施方式中，也可以去除第二包封层206的部分以产生具有多个包封层互连262和至少一个伪互连264的平坦平面表面。阶段16可以图示封装200。59.阶段17图示了在多个焊料互连282被耦合到多个包封层互连262并且多个焊料互连284被耦合到至少一个伪互连264之后的状态。多个焊料互连284可以是多个伪焊料互连。阶段17可以图示包括多个伪互连和多个焊料伪互连的封装200。60.用于制造包括伪互连的封装的方法的示例性流程图61.在一些实施方式中，制造包括伪互连的封装包括若干过程。图8图示了用于提供或制造包括伪互连的封装的方法800的示例性流程图。在一些实施方式中，图8的方法800可以用于提供或制造本公开中描述的图2的封装(例如，200)。然而，方法800可以用于提供或制造本公开中描述的任何封装。62.应当注意，为了简化和/或阐明用于提供或制造封装的方法，图8的方法可以将一个或多个过程组合。在一些实施方式中，可以改变或修改过程的顺序。63.方法(在805处)提供包括至少一个电介质层(例如，220)和多个互连(例如，222)的衬底(例如，202)。电介质层220可以包括聚合物。形成电介质层220可以包括在电介质层220中形成腔。蚀刻过程可以用于在电介质层220中形成腔。多个互连222可以包括过孔、迹线和/或垫。形成多个互连222可以包括形成种子层、执行光刻过程、镀覆过程、剥离过程和/或蚀刻过程。图7a-图7b的阶段1-阶段8图示了提供衬底的示例。64.方法(在810处)将多个无源器件(例如，210、212、214、216)和集成器件218耦合到衬底202的第一表面。可以使用拾取和放置过程来将无源器件和集成器件放置在衬底202的第一表面之上。焊料互连(例如，217)可以用于将无源器件(例如，210、212、214、216)和集成器件218耦合到衬底202(例如，衬底202的互连)。图7c的阶段9图示了将无源器件耦合到衬底的示例。65.方法(在815处)在衬底的第一表面和组件之上形成第一包封层(例如，204)。第一包封层204形成在衬底202的第一表面之上，使得第一包封层204将无源器件(例如，210、212、214、216)和集成器件218包封。形成和/或布置第一包封层204的过程可以包括使用压缩和传递模制过程、片材模制过程或液体模制过程。图7c的阶段10图示了形成第一包封层的示例。66.方法(在820处)将组件(例如，集成器件、无源器件)和多个贯通包封层互连(例如，多个球互连270)耦合到衬底(例如，202)的第二表面。多个球互连270通过多个焊料互连272被耦合到衬底202。集成器件260通过多个焊料互连266被耦合到衬底202。注意，在一些实施方式中，代替多个球互连，可以替代地使用多个过孔570和电介质层572。图7d的阶段12图示了正被耦合到衬底的组件的示例。tim(例如，460)也可以可选地被耦合到集成器件。在一些实施方式中，当集成器件被耦合到衬底时，tim已经被耦合到集成器件。图7d的阶段13图示了被耦合到集成器件的tim的示例。67.方法(在825处)将引线框架(例如，760)耦合到多个贯通包封层互连(例如，多个球互连270)。引线框架760可以被耦合到tim460。在一些实施方式中，引线框架760可以被直接耦合到集成器件260的背侧。引线框架760可以包括导电的结构。引线框架760可以包括一体件或者可以包括若干组件。引线框架760在成分上可以是均匀的，或者可以针对不同部分包括不同材料。图7d的阶段14图示了被耦合到互连的引线框架的示例。68.方法(在830处)在衬底202和引线框架760之间形成第二包封层(例如，206)。第二包封层206可以将多个贯通包封层互连(例如，多个球互连270)、多个焊料互连272、集成器件260、tim 460和/或引线框架760包封。形成和/或布置第二包封层206的过程可以包括使用压缩和传递模制过程、片材模制过程，或液体模制过程。69.方法(在835处)去除引线框架760的部分以形成多个包封层互连262和至少一个伪互连264。研磨过程可以用于去除引线框架760的部分。在一些实施方式中，也可以去除第二包封层206的部分以产生具有多个包封层互连262和至少一个伪互连264的平坦平面表面。图7f的阶段16图示了在引线框架760的部分已经被去除之后的状态的示例。70.方法(在840处)(i)将多个焊料互连282耦合到多个包封层互连262，并且(ii)将多个焊料互连284耦合到至少一个伪互连264。焊料互连284可以是多个伪焊料互连。图7f的阶段17图示了被耦合到至少一个伪互连的焊料互连的示例。71.用于制造包括伪互连的封装的示例性序列72.图9(其包括图9a至图9c)图示了用于提供或制造包括伪互连的封装的示例性序列。在一些实施方式中，图9a至图9c的序列可以用于提供或制造图6的封装600或本公开中描述的任何封装。73.应当注意，为了简化和/或阐明用于提供或制造封装的序列，图9a至图9c的序列可以将一个或多个阶段组合。在一些实施方式中，可以改变或修改过程的顺序。在一些实施方式中，可以在不背离本公开的精神的情况下，代替或替换过程中的一个或多个过程。不同实施方式可以不同地制造互连结构。74.如图9a中所示，阶段1图示了在提供衬底(例如，202)、第一包封层204、多个无源器件(例如，210、212、214、216)和集成器件218之后的状态。图7a的阶段1可以表示图7c的阶段11，并且因此可以以与图7a-图7c的阶段1-阶段11中描述的类似方式进行制造。75.阶段2图示了在集成器件260被耦合到衬底202的第二表面之后的状态。集成器件260通过多个焊料互连266被耦合到衬底202。76.阶段3图示了在集成器件260的背侧之上形成的热界面材料(tim)460之后的状态。tim 460可以是可选的。77.如图9b中所示，阶段4图示了在衬底202的第二表面之上形成第二包封层206之后的状态。第二包封层206可以将集成器件260和tim 460包封。形成和/或布置第二包封层206的过程可以包括使用压缩和传递模制过程、片材模制过程或液体模制过程。78.阶段5图示了在第二包封层206中形成腔960之后的状态。腔960可以形成在tim 460和/或集成器件260的背侧之上。蚀刻过程(例如，光刻过程)和/或激光过程可以用于在第二包封层中形成腔960。79.如图9c中所示，阶段6图示了在形成多个过孔670、多个包封层互连262和至少一个伪互连264之后的状态。可以使用镀覆过程和/或溅射过程来形成多个过孔670、多个包封层互连262和至少一个伪互连264。多个过孔670和多个包封层互连262可以被认为相同。80.阶段7图示了在多个焊料互连282被耦合到多个包封层互连262并且多个焊料互连284被耦合到至少一个伪互连264之后的状态。多个焊料互连284可以是多个伪焊料互连。阶段7可以图示包括多个伪互连和多个焊料伪互连的封装600。81.用于制造包括伪互连的封装的方法的示例性流程图82.在一些实施方式中，制造包括伪互连的封装包括若干过程。图10图示了用于提供或制造包括伪互连的封装的方法1000的示例性流程图。在一些实施方式中，图10的方法1000可以用于提供或制造本公开中描述的图6的封装(例如，600)。然而，方法1000可用于提供或制造本公开中描述的任何封装。83.应当注意，为了简化和/或阐明用于提供或制造封装的方法，图10的方法可以将一个或多个过程组合。在一些实施方式中，可以改变或修改过程的顺序。84.方法(在1005处)提供衬底(例如，202)，衬底包括至少一个电介质层(例如，220)、多个互连(例如，222)、多个无源器件(例如，210、212、214、216)、集成器件218和第一包封层204。电介质层220可以包括聚合物。形成电介质层220可以包括在电介质层220中形成腔。蚀刻过程可以用于在电介质层220中形成腔。多个互连222可以包括过孔、迹线和/或垫。形成多个互连222可以包括形成种子层、执行光刻过程、镀覆过程、剥离过程和/或蚀刻过程。拾取和放置过程可以用于将无源器件和集成器件放置在衬底202的第一表面上。焊料互连(例如，217)可以用于将无源器件(例如，210、212、214、216)和集成器件218耦合到衬底202(例如衬底202的互连)。第一包封层204形成在衬底202的第一表面上，使得第一包封层204将无源器件(例如，210、212、214、216)和集成器件218包封。形成和/或布置第一包封层204的过程可以包括使用压缩和传递模制过程、片材模制过程或液体模制过程。图7a-图7c的阶段1-阶段11和图9a的阶段1图示了提供衬底、无源器件、集成器件和包封层的示例。85.方法(在1010处)将组件(例如，集成器件、无源器件)耦合到衬底(例如，202)的第二表面。集成器件260通过多个焊料互连266被耦合到衬底202。图9a的阶段2图示了被耦合到衬底的集成器件的示例。tim(例如460)可以被耦合到集成器件的背侧。图9a的阶段3图示了被耦合到集成器件的背侧的tim的示例。86.方法(在1015处)在衬底202的第二表面之上形成第二包封层(例如，206)。第二包封层206可以将集成器件260和tim 460包封。形成和/或布置第二包封层206的过程可以包括使用压缩和传递模制过程、片材模制过程或液体模制过程。图9b的阶段4图示了形成第二包封层的示例。87.方法(在1020处)在第二包封层206中形成腔(例如，960)。腔960可以形成在tim 460和/或集成器件260的背侧之上。蚀刻过程(例如，光刻过程)和/或激光过程可以用于在第二包封层中形成腔960。图9b的阶段5可以图示第二包封层中的腔的示例。88.方法(在1025处)在腔(例如，960)中形成多个过孔670、多个包封层互连262和至少一个伪互连264。可以使用镀覆过程和/或溅射过程来形成多个过孔670、多个包封层互连262和至少一个伪互连264。多个过孔670和多个包封层互连262可以被认为相同。图9c的阶段6图示了第二包封层206中的多个过孔670、多个包封层互连262和至少一个伪互连264的示例。89.方法(在1030处)(i)将多个焊料互连282耦合到多个包封层互连262，并且(ii)将多个焊料互连284耦合到至少一个伪互连264。多个焊料互连284可以是多个伪焊料互连。图9c的阶段7可以图示多个焊料伪互连的示例。90.示例性电子设备91.图11图示了可以与前述器件、集成器件、集成电路(ic)封装、集成电路(ic)器件、半导体器件、集成电路、裸片、中间件、封装、层叠封装(pop)、系统级封装(sip)或片上系统(soc)中的任一个集成的各种电子设备。例如，移动电话设备1102、膝上型计算机设备1104、固定位置终端设备1106、可穿戴设备1108或自动车辆1110可以包括如本文中描述的设备1100。设备1100可以是例如本文中描述的设备中的任何设备和/或集成电路(ic)封装。图11中图示的设备1102、1104、1106和1108以及自动车辆1110仅是示例性的。其他电子设备也可以以设备1100为特征，包括但不限于设备(例如，电子设备)组，该设备组包括移动设备、手持个人通信系统(pcs)单元、诸如个人数字助理的便携式数据单元、实现全球定位系统(gps)的设备、导航设备、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、诸如仪表读取装备的固定位置数据单元、通信设备、智能电话、平板计算机、计算机、可穿戴设备(例如、手表、眼镜)、物联网(iot)设备、服务器、路由器、在自动车辆(例如，自主车辆)中实现的电子设备、或存储或检索数据或计算机指令的任何其他设备、或它们的任何组合。92.在图2-图6、图7a-图7f、图8、图9a-图9c和/或图10-图11中图示的组件、过程、特征和/或功能中的一个或多个，可以被重新布置和/或组合成单个组件、过程、特征或功能，或者被实施在几个组件、过程或功能中。在不背离本公开的情况下，还可以添加附加的元件、组件、过程和/或功能。还应当注意，图2-图6、图7a-图7f、图8、图9a-图9c和/或图10-图11及其在本公开中的对应描述不限于裸片和/或ic。在一些实施方式中，图2-图6、图7a-图7f、图8、图9a-图9c和/或图10-图11及其对应描述可以用于制造、创建、提供和/或生产器件和/或集成器件。在一些实施方式中，器件可以包括裸片、集成器件、集成无源器件(ipd)、裸片封装、集成电路(ic)器件、器件封装、集成电路(ic)封装、晶片、半导体器件、层叠封装(pop)器件、散热器件和/或中间件。93.注意，本公开中的附图可以表示各种部件、组件、对象、器件、封装、集成器件、集成电路和/或晶体管的实际表示和/或概念表示。在一些情况下，图可能不是按比例的。在一些情况下，为了清楚起见，可能未显示所有组件和/或部件。在一些情况下，图中各个部件和/或组件的定位、位置、尺寸和/或形状可以是示例性的。在一些实施方式中，图中的各种组件和/或部件可以是可选的。94.词语“示例性”在本文中用于意指“用作示例、实例或说明”。在本文中描述为“示例性”的任何实施方式或方面不必被解释为比本公开的其他方面更优选或有利。同样，术语“方面”不要求本公开的所有方面包括所讨论的特征、优点或操作模式。本文中使用的术语“耦合”是指两个对象之间的直接或间接耦合。例如，如果对象a与对象b物理接触，并且对象b与对象c接触，则对象a和c仍可以被视为彼此耦合-即使它们没有直接物理接触。术语“电耦合”可以意指两个对象直接或间接耦合在一起，使得电流(例如，信号、功率、地)可以在两个对象之间传播。电耦合的两个对象可以具有或不具有在两个对象之间传播的电流。术语“包封”意指对象可以部分包封或完全包封另一个对象。还应当注意，如本技术中在一个组件位于另一组件之上的上下文中所使用的术语“之上”，可以用于意指在另一组件上和/或在另一组件中(例如，在组件的表面上或嵌入在组件中)的组件。因此，例如，在第二组件之上的第一组件可以意指(1)第一组件在第二组件之上，但不直接接触第二组件；(2)第一组件在第二组件(的表面)上；和/或(3)第一组件在(例如，嵌入在)第二组件中。本公开中使用的术语“大约‘值x’”或“近似值x”意指在‘值x’的10％以内。例如，大约1或近似1的值可以意指在0.9至1.1范围内的值。95.在一些实施方式中，互连是器件或封装的元件或组件，互连允许或促进两个点、元件和/或组件之间的电连接。在一些实施方式中，互连可以包括迹线、过孔、垫、柱、再分布金属层和/或凸块下金属化(ubm)层。互连可以包括一个或多个金属组件(例如，种子层+金属层)。在一些实施方式中，互连是导电材料，该导电材料可以被配置为提供用于电流(例如，数据信号、地或功率)的电路径。互连可以是电路的一部分。互连可以包括一个以上的元件或组件。互连可以由一个或多个互连定义。不同的实施方式可以使用相似或不同的过程来形成互连。在一些实施方式中，化学气相沉积(cvd)过程和/或物理气相沉积(pvd)过程用于形成互连。例如，可以使用溅射过程、喷涂和/或镀覆过程来形成互连。96.此外，注意，本文中包含的各种公开可以被描述为过程，过程被描绘为流程图表、流程图、结构图或框图。尽管流程图可以将操作描述为顺序过程，但操作中的许多操作可以并行或并发执行。此外，可以重新布置操作的顺序。过程当其操作完成时终止。97.在不背离本公开的情况下，可以在不同的系统中实现本文描述的本公开的各种特征。应当注意，本公开的前述方面仅是示例，不应当被解释为限制本公开。本公开的方面的描述旨在是说明性的，而非限制权利要求的范围。如此，本教导可以容易应用于其他类型的装置，并且许多备选、修改和变化对于本领域技术人员而言是明显的。









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