可调光发光装置的制作方法

照明工业产品的制造及其应用技术1.本技术涉及一种发光装置，特别是涉及一种可调光发光装置。背景技术：2.可调光发光装置中包括多个发光二极管芯片以及可分别控制多个发光二极管芯片的集成电路组件，以达到可产生任意色光的效果。目前市面上具有多种可调光发光装置，每一种可调光发光装置中发光二极管芯片与集成电路组件的配置方式都不同。3.有一些可调光发光装置不使用基板，并使发光二极管芯片与集成电路组件邻近设置。然而，一般的集成电路组件的外表面大多呈深色，发光二极管芯片产生的光线会被集成电路组件所吸收，使得可调光发光装置于某些角度的出光效果不佳，而负面影响可调光发光装置的出光均匀性。4.也有一些可调光发光装置是以金属打线的方式电性连接发光二极管芯片及集成电路组件。然而，金属打线的方式会使得可调光发光装置的体积较大，在制程上不易制造，而有良率偏低的问题。并且，金属打线会遮挡发光二极管芯片于某些角度的出光效果，而负面影响可调光发光装置的出光均匀性。5.因此，如何通过结构设计的改良，来提升可调光发光装置的出光效果以及出光均匀性，已成为该项事业所欲解决的重要课题之一。技术实现要素：6.本技术所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种可调光发光装置。7.为了解决上述的技术问题，本技术所采用的另外一技术方案是提供一种可调光发光装置。可调光发光装置包括一基板、一集成电路组件、复数个发光组件及一密封构件。基板具有一第一表面及一第二表面。集成电路组件设置于第二表面上。复数个发光组件设置于第一表面上。密封构件设置于第一表面上，并与复数个发光组件接触。8.本技术的其中一有益效果在于，本技术所提供的可调光发光装置，其能通过“密封构件设置于第一表面上，并与复数个发光组件接触”的技术方案，以提升可调光发光装置的出光效果及出光均匀性。9.为使能更进一步了解本技术的特征及技术内容，请参阅以下有关本技术的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本技术加以限制。附图说明10.图1为本技术第一实施例的可调光发光装置的立体示意图。11.图2为本技术第二实施例的可调光发光装置的立体示意图。12.图3为本技术第三实施例的可调光发光装置的俯视示意图。13.图4为本技术第四实施例的可调光发光装置的俯视示意图。14.图5为本技术第五实施例的可调光发光装置的俯视示意图。15.图6为本技术第一实施例至第五实施例中第一叠层与发光组件及集成电路组件的俯视示意图。16.图7为本技术第六实施例中第一叠层与发光组件及集成电路组件的俯视示意图。17.图8为本技术第一实施例至第六实施例中第二叠层的俯视示意图。18.图9为本技术第一实施例至第六实施例中第三叠层的俯视示意图。19.图10为本技术第一实施例至第六实施例中第三叠层的仰视示意图。20.图11为本技术第七实施例的可调光发光装置的俯视示意图。21.图12为本技术第八实施例的可调光发光装置的俯视示意图。22.图13为本技术第九实施例的可调光发光装置的俯视示意图。23.图14为本技术第十实施例的可调光发光装置的俯视示意图。24.图15为本技术第十一实施例的可调光发光装置的俯视示意图。25.图16为本技术第七实施例至第十一实施例中第一叠层与发光组件及集成电路组件的俯视示意图。26.图17为本技术第七实施例至第十一实施例中第二叠层的俯视示意图。27.图18为本技术第七实施例至第十一实施例中第三叠层的俯视示意图。28.图19为本技术第七实施例至第十一实施例中第四叠层的俯视示意图。29.图20为本技术第七实施例至第十一实施例中第五叠层的俯视示意图。30.图21为本技术第七实施例至第十一实施例中第五叠层的仰视示意图。31.图22为本技术第十二实施例的可调光发光装置的立体示意图。32.图23为本技术第十二实施例的可调光发光装置的侧剖示意图。33.图24为本技术第十三实施例的可调光发光装置的侧剖示意图。34.图25为本技术第十四实施例的可调光发光装置的侧剖示意图。35.图26为本技术第十五实施例的可调光发光装置的立体示意图。36.图27为本技术第十六实施例的可调光发光装置的立体示意图。37.图28为图27中剖面线的侧视剖面图。38.图29为图27中剖面线的侧视剖面图。39.图30为本技术第十七实施例的可调光发光装置的侧视剖面图。具体实施方式40.以下是通过特定的具体实例来说明本技术所公开有关“可调光发光装置”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本技术的优点与效果。本技术可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不背离本技术的构思下进行各种修改与变更。另外，事先声明，本技术的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘。以下的实施方式将进一步详细说明本技术的相关技术内容，但所公开的内容并非用以限制本技术的保护范围。另外，本文中所使用的术语“或”，应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。41.本技术的可调光发光装置可独立产生不同颜色的色光，在排除了金属打线的结构之后，可大幅缩小可调光发光装置的体积、降低可调光发光装置于制造时的不良率，并提升可调光发光装置的出光均匀性，进而达到改善目前市面上可调光发光装置的效果。42.请参阅图1所示，本技术的可调光发光装置包括一基板10、一集成电路组件20、复数个发光组件30及一密封构件40。43.集成电路组件20与复数个发光组件30间隔设置于基板10上，且集成电路组件20与复数个发光组件30彼此不接触。集成电路组件20与每个发光组件30电性连接，如此一来，集成电路组件20可分别控制每个发光组件30的发光强度。当复数个发光组件30产生的光线经混光叠加后可产生各种色光，进而达到调控可调光发光装置出光色彩的效果。44.复数个发光组件30彼此间隔设置于基板10上。于一些实施例中，复数个发光组件30可以是红光发光二极管芯片31、绿光发光二极管芯片32与蓝光发光二极管芯片33的组合，或是其他经叠加混光后可形成白光的多色芯片组合。于另一些实施例中，复数个发光组件30也可以是红光发光二极管芯片31、绿光发光二极管芯片32、蓝光发光二极管芯片33与白光芯片级发光二极管34的组合，或是其他经叠加混光后可形成白光的多色芯片与白光芯片级发光二极管34的组合。然而，本技术不限于此。45.密封构件40是由一透光材料所形成，密封构件40设置于基板10上，并与复数个发光组件30接触。密封构件40具有汇聚光线的功能，故可提升可调光发光装置的出光效率及出光均匀性。46.为了提升可调光发光装置的出光效率及出光均匀性，密封构件40围绕并接触复数个发光组件30，密封构件40至少接触复数个发光组件30的一侧面，较佳的，密封构件40还进一步接触发光组件30的一顶面。47.请合并参阅图1及图2所示，于本技术中，密封构件40可以是一光扩散层41、一透光层42或其等之组合。也就是说，密封构件40可以是一单层结构(光扩散层41或透光层42)或是一多层结构(如图2所示，光扩散层41及透光层42的堆叠组合)。48.当密封构件40是单层结构时，密封构件40的顶面可高过于发光组件30的顶面，即密封构件40完全覆盖发光组件30。49.又如图2所示，当密封构件40是多层结构时，密封构件40可包含光扩散层41与透光层42，且光扩散层41设置于基板10与透光层42之间。光扩散层41围绕于复数个发光组件30的侧面，且光扩散层41的一顶面可选择性与复数个发光组件30的顶面齐平。当复数个发光组件30的高度不同时(即复数个发光组件30的顶面位于不同水平高度)，光扩散层41可选择性与高度最低的发光组件30的顶面齐平。透光层42设置于光扩散层41以及复数个发光组件30上。50.具体来说，光扩散层41是以一硅系树脂或一环氧树脂作为一主材料，并于硅系树脂或环氧树脂中掺混光扩散粒子所形成。于一些实施例中，光扩散层41中光扩散粒子的浓度为5重量百分比至30重量百分比。光扩散粒子是选自于由二氧化硅、二氧化钛、二氧化锆及其任意组合所组成的群组。透光层42是以硅系树脂或环氧树脂作为一主材料所形成，但不掺混光扩散粒子。51.请参阅图1所示，本技术的可调光发光装置可进一步包括一反射构件50。反射构件50设置于基板10上，并隔开集成电路组件20与复数个发光组件30，可防止复数个发光组件30产生的光线被集成电路组件20所吸收。由于反射构件50具有反射光线的作用，可调光发光装置可具有更佳的出光效果以及出光均匀性。相较于未设置反射构件50的可调光发光装置，本技术的可调光发光装置具有更佳的发光强度，具体实验数据将于后叙述。52.具体来说，反射构件50是以硅系树脂或环氧树脂作为一主材料，并于硅系树脂或环氧树脂中掺混光反射粒子。于一些实施例中，反射构件50中光反射粒子的浓度为大于30重量百分比至50重量百分比。光反射粒子是选自于由二氧化硅、二氧化钛及其任意组合所组成的群组。53.[第一实施例][0054]请参阅图1所示，本技术第一实施例的可调光发光装置包括：基板10、集成电路组件20、复数个发光组件30、密封构件40及反射构件50。[0055]基板10具有一第一表面11，集成电路组件20与复数个发光组件30皆设置于第一表面11上，也就是说，集成电路组件20与复数个发光组件30位于基板10的同侧。第一实施例的可调光发光装置例示为上发光式可调光发光装置(top-view type color-programmable light emitting device)。[0056]复数个发光组件30呈线性排列，且复数个发光组件30包括红光发光二极管芯片31、绿光发光二极管芯片32、蓝光发光二极管芯片33与白光芯片级发光二极管34，并且，复数个发光组件30与集成电路组件20并排排列。[0057]反射构件50设置于第一表面11上，并隔开集成电路组件20与复数个发光组件30，以防止复数个发光组件30产生的光线被集成电路组件20吸收。具体来说，反射构件50将基板10的第一表面11区分为两个区域，集成电路组件20设置于其中一个区域，复数个发光组件30设置于另一个区域。[0058]密封构件40设置于第一表面11上，密封构件40填补于被反射构件50区分的两个区域，并完整覆盖集成电路组件20与复数个发光组件30。具体来说，密封构件40围绕并接触集成电路组件20的一侧面及一顶面，并且，密封构件40围绕并接触复数个发光组件30的侧面及顶面。[0059]本技术亦提供一种第一实施例的可调光发光装置的制造方式，其包括下列步骤：准备集成电路组件20与复数个发光组件30，其中，白光芯片级发光二极管34为事先封胶(荧光胶体)、封装及切割制备而得，因此，白光芯片级发光二极管34已被荧光胶体所完整覆盖。将集成电路组件20与复数个发光组件30设置于基板10上。于基板10上设置反射构件50，以隔开集成电路组件20与复数个发光组件30。接着，于基板10上设置密封构件40，密封构件40覆盖集成电路组件20与复数个发光组件30。最后，经切割后便可获得第一实施例的可调光发光装置。然而，第一实施例的可调光发光装置亦可由其他方式所制成，唯可达到相同的结构配置即可。[0060][试验例1][0061]为了证实本技术的可调光发光装置具有良好的出光效果，本技术制备了实施例1与比较例1的可调光发光装置。实施例1的可调光发光装置的结构对应于第一实施例的可调光发光装置，比较例1的可调光发光装置与实施例1的可调光发光装置相似，但不包含反射构件50，并且，仅使用红光发光二极管芯片31、绿光发光二极管芯片32、蓝光发光二极管芯片33作为复数个发光组件30。[0062]接着，于实施例1以及比较例1的可调光发光装置上通以5毫安的电流，以亮度测试仪测量可调光发光装置的发光强度。由结果可知，实施例1的可调光发光装置的发光强度为442.66毫烛光；比较例1的可调光发光装置的发光强度为419.97毫烛光。以比较例1的可调光发光装置可产生的光强度为100％，则实施例1的可调光发光装置可产生的光强度为105％。因此，本技术于集成电路组件20以及复数个发光组件30之间设置反射构件50，可提升5％可调光发光装置的发光强度。[0063][第二实施例][0064]请参阅图2所示，第二实施例的可调光发光装置与第一实施例的可调光发光装置(图1)相似，其差异在于：在设置反射构件50之后，先于第一表面11上形成光扩散层41，并使光扩散层41与复数个发光组件30等高。接着，再于集成电路组件20以及复数个发光组件30上形成透光层42。[0065][第三实施例][0066]请参阅图3所示，第三实施例的可调光发光装置与第一实施例的可调光发光装置(图1)相似，其差异在于：第三实施例中的反射构件50更进一步围绕集成电路组件20以及复数个发光组件30。换句话说，反射构件50不仅隔开集成电路组件20以及复数个发光组件30而形成两个区域，还封闭前述两个区域。因此，可调光发光装置可具有更佳的出光效果。[0067]第三实施例的可调光发光装置的制造方式与第一实施例的可调光发光装置的制造方式类似，唯在基板10上设置反射构件50步骤中，除了在基板10中间外，亦于基板10的边缘形成反射构件50，其余相同的步骤不再赘述。[0068][第四实施例][0069]请参阅图4所示，第四实施例的可调光发光装置与第一实施例的可调光发光装置(图1)相似，其差异在于：反射构件50完整包覆集成电路组件20，以达到完全隔开集成电路组件20以及复数个发光组件30的作用。如此一来，可完全避免复数个发光组件30产生的光线被集成电路组件20所吸收。[0070]第四实施例的可调光发光装置的制造方式与第一实施例的可调光发光装置的制造方式类似，其差异在于：在准备集成电路组件20与复数个发光组件30的步骤中，先以反射构件50包覆集成电路组件20。因此，可省略后续于基板10上设置反射构件50的步骤，而可直接于第一表面11上设置密封构件40，以覆盖集成电路组件20以及复数个发光组件30。[0071][第五实施例][0072]请参阅图5所示，第五实施例的可调光发光装置与第四实施例的可调光发光装置(图4)相似，其差异在于：第五实施例中的反射构件50更进一步区隔出每一个发光组件30。[0073]反射构件50不仅完整包覆集成电路组件20，还进一步将第一表面11区分为四个区域，红光发光二极管芯片31、绿光发光二极管芯片32、蓝光发光二极管芯片33与白光芯片级发光二极管34分别位于四个区域中，因此，反射构件50可达到隔开集成电路组件20以及复数个发光组件30的作用。[0074]第五实施例的可调光发光装置的制造方式包括下列步骤：准备集成电路组件20与复数个发光组件30，其中，红光发光二极管芯片31、绿光发光二极管芯片32、蓝光发光二极管芯片33与白光芯片级发光二极管34皆事先经封胶(荧光胶体)、封装及切割制备而得，因此，红光发光二极管芯片31、绿光发光二极管芯片32、蓝光发光二极管芯片33与白光芯片级发光二极管34已被荧光胶体所覆盖。将集成电路组件20与复数个发光组件30设置于基板10上。于基板10上设置反射构件50，反射构件50完整包覆集成电路组件20并区隔出红光发光二极管芯片31、绿光发光二极管芯片32、蓝光发光二极管芯片33与白光芯片级发光二极管34。接着，可选择性于复数个发光组件30上设置密封构件40。最后，经切割后可获得第五实施例的可调光发光装置。[0075]请参阅图6所示，前述第一实施例至第五实施例的可调光发光装置还进一步包括一图案化导电层60。图案化导电层60形成于基板10上，集成电路组件20通过图案化导电层60分别与每个发光组件30电性连接。并且，图案化导电层60与基板10构成一第一叠层70a。[0076]图案化导电层60可区分为一遮盖部与一裸露部，集成电路组件20与复数个发光组件30设置于遮盖部上，而未被集成电路组件20与复数个发光组件30遮盖的部分即为裸露部。裸露部的面积大于复数个发光组件30的面积的倍数介于大于0至100之间。于一些实施例中，裸露部的面积大于复数个发光组件30的面积的倍数介于1至100之间，也就是说，基板10裸露出的图案化导电层60的面积大于复数个发光组件30的面积，因此，于后续制程中，可通过裸露出的图案化导电层60进行对准，以精准控制可调光发光装置的规格。另一方面，图案化导电层60可区分为一共享电极61、多个独立电极62以及多个连接电极63。[0077]共享电极61沿一第一方向d1延伸，并且，共享电极61在一第二方向d2上间隔突出多个工作接点611。复数个发光组件30设置于工作接点611上，因此，共享电极61可使复数个发光组件30呈电性并联。[0078]多个独立电极62沿第一方向d1间隔排列。每一独立电极62具有一第一工作接点621与一第二工作接点622，复数个发光组件30设置于第一工作接点621上，集成电路组件20设置于第二工作接点622上，集成电路组件20可通过多个独立电极62分别与复数个发光组件30电性连接，因此，集成电路组件20可分别控制每个发光组件30的发光强度。[0079]多个连接电极63沿第一方向d1间隔排列。每一连接电极63具有一工作接点631，集成电路组件20设置于工作接点631上，以通过连接电极63与一电路母板电性连接。为了达到电性连接的效果，基板10上形成有多个贯孔(via hole)90，贯孔90形成的位置与连接电极63设置的位置重叠，且贯孔90内填充有导电金属。因此，集成电路组件20可通过连接电极63以及贯孔90内的导电金属，进一步与一电路母板电性连接。[0080]值得注意的是，共享电极61的工作接点611的数量、独立电极62的数量以及连接电极63的数量皆相等，并与复数个发光组件30的数量相对应。在第一实施例至第五实施例中，复数个发光组件30的数量为四个(如图6所示)，共享电极61的工作接点611的数量、独立电极62的数量以及连接电极63的数量也会是四个。多个独立电极62的位置分别与共享电极61的多个工作接点611的位置相对应，多个连接电极63的位置分别与多个独立电极62的位置相对应。如此一来，工作接点611、独立电极62与连接电极63呈线性排列，即朝第二方向d2排列。[0081][第六实施例][0082]请参阅图7所示，图7为本技术第六实施例中第一叠层70a与发光组件30及集成电路组件20的俯视示意图。在第六实施例中，复数个发光组件30的数量为三个，共享电极61的工作接点611的数量、独立电极62的数量以及连接电极63的数量也会是三个。并且，共享电极61还包括一延伸工作接点612，延伸工作接点612是由共享电极61沿第二方面d2延伸形成，延伸工作接点612与多个工作接点611平行且间隔排列。多个独立电极62的位置分别与共享电极61的多个工作接点611的位置相对应。[0083]为了使集成电路组件20可与电路母板彼此电性连接，除了图6或7所例示用以承载集成电路组件20与复数个发光组件30的第一叠层70a之外，可调光发光装置还可包括依序堆叠的一第二叠层70b与一第三叠层70c。通过第一叠层70a、第二叠层70b与第三叠层70c的电路设计，集成电路组件20可与电路母板彼此电性连接。[0084]图6及图7为第一叠层70a与发光组件30及集成电路组件20的俯视示意图。图8为第二叠层70b的俯视示意图。图9为第三叠层70c的俯视示意图。图10为第三叠层70c的仰视示意图。[0085]第二叠层70b与第三叠层70c各自包括间隔设置的一导电铜层71b、71c及一辅助铜层72b、72c。导电铜层71b、71c是实际用于电性连接的铜层。辅助铜层72b、72c虽也具有导电效果，但实际上并不参与电性连接，而是作为牺牲铜层，以避免可调光发光装置因热膨胀系数不均，而发生翘曲的现象。第三叠层70c的一底面形成有多个导电垫73c，以通过多个导电垫73c与电路母板电性连接。[0086]第一叠层70a、第二叠层70b与第三叠层70c上形成有多个贯孔90。贯孔90内填充有导电金属，故可在垂直方向达到电性连接的效果。如此一来，集成电路组件20可通过第一叠层70a、第二叠层70b与第三叠层70c而与电路母板电性连接。[0087][第七实施例][0088]请参阅图11所示，第七实施例的可调光发光装置与第三实施例的可调光发光装置(图3)相似，其差异在于：第七实施例中的集成电路组件20与复数个发光组件30呈线性排列，而非并排排列。另外，第七实施例不限于正面出光的应用方式，也可用为侧面出光的应用方式。[0089]具体来说，集成电路组件20、白光芯片级发光二极管34、红光发光二极管芯片31、绿光发光二极管芯片32与蓝光发光二极管芯片33依序线性排列于第一表面11上。反射构件50设置于集成电路组件20与白光芯片级发光二极管34之间，以达到区隔出集成电路组件20与复数个发光组件30的效果。并且，反射构件50还进一步围绕集成电路组件20与复数个发光组件30。也就是说，反射构件50不仅将集成电路组件20与复数个发光组件30区隔为两个区域，还封闭前述两个区域。密封构件40填充于前述两个区域，并覆盖第一表面11、集成电路组件20及复数个发光组件30。[0090]第七实施例的可调光发光装置例示为上发光式可调光发光装置或侧发光式可调光发光装置(side-view type color-programmable light emitting device)。[0091][第八实施例][0092]请参阅图12所示，第八实施例的可调光发光装置与第七实施例的可调光发光装置(图11)相似，其差异在于：第八实施例中的反射构件50围绕白光芯片级发光二极管34，且反射构件50接触于白光芯片级发光二极管34。由于白光芯片级发光二极管34位于集成电路组件20以及红光发光二极管芯片31、绿光发光二极管芯片32与蓝光发光二极管芯片33之间，因此，反射构件50仍可区隔出集成电路组件20与复数个发光组件30。[0093][第九实施例][0094]请参阅图13所示，第九实施例的可调光发光装置与第八实施例的可调光发光装置(图12)相似，其差异在于：第九实施例中的反射构件50还进一步围绕红光发光二极管芯片31、绿光发光二极管芯片32与蓝光发光二极管芯片33并与其相隔。也就是说，反射构件50封闭了设置有红光发光二极管芯片31、绿光发光二极管芯片32与蓝光发光二极管芯片33的区域。[0095][第十实施例][0096]请参阅图14所示，第十实施例的可调光发光装置与第九实施例的可调光发光装置(图13)相似，其差异在于：第十实施例中的反射构件50除了围绕红光发光二极管芯片31、绿光发光二极管芯片32与蓝光发光二极管芯片33，还进一步围绕集成电路组件20并与其相隔。也就是说，反射构件50封闭了设置有红光发光二极管芯片31、绿光发光二极管芯片32与蓝光发光二极管芯片33以及设置有集成电路组件20的区域。[0097][第十一实施例][0098]请参阅图15所示，第十一实施例的可调光发光装置与第八实施例的可调光发光装置(图12)相似，其差异在于：第十一实施例中的反射构件50除了围绕并接触白光芯片级发光二极管34之外，还进一步围绕并接触集成电路组件20。[0099]请参阅图16所示，第七实施例至第十一实施例的可调光发光装置还进一步包括图案化导电层60，图案化导电层60形成于基板10上，集成电路组件20可通过图案化导电层60分别与每个发光组件30电性连接，以分别控制每个发光组件30的明暗，集成电路组件20也可通过图案化导电层60与电路母板电性连接。并且，图案化导电层60与基板10构成一第一叠层70a。[0100]与前述相似，图案化导电层60可区分为一遮盖部与一裸露部，集成电路组件20与复数个发光组件30设置于遮盖部上，而未被集成电路组件20与复数个发光组件30遮盖的部分即为裸露部。裸露部的面积大于复数个发光组件30的面积的倍数介于大于0至100之间。于一些实施例中，裸露部的面积大于复数个发光组件30的面积的倍数介于大于1至100之间。[0101]为了使集成电路组件20与电路母板彼此电性连接，除了第一叠层70a之外，可调光发光装置还包括依序堆叠的一第二叠层70b、一第三叠层70c、一第四叠层70d及一第五叠层70e。通过第一叠层70a、第二叠层70b、第三叠层70c及、第四叠层70d及第五叠层70e的电路设计，集成电路组件20可与电路母板电性连接。[0102]图16是第一叠层70a与发光组件30及集成电路组件20的俯视示意图。图17为第二叠层70b的俯视示意图。图18为第三叠层70c的俯视示意图。图19为第四叠层70d的俯视示意图。图20为第五叠层70e的俯视示意图。图21为第五叠层70e的仰视示意图。[0103]与前述相似，第二叠层70b、第三叠层70c、第四叠层70d与第五叠层70e各自包括间隔设置的导电铜层71b、71c、71d、71e及辅助铜层72b、72c、72d、72e。[0104]第一叠层70a、第二叠层70b、第三叠层70c、第四叠层70d与第五叠层70e上形成有多个贯孔90，贯孔90内填充有导电金属，故可在垂直方向达到电性导通的效果。如此一来，集成电路组件20可通过第一叠层70a、第二叠层70b、第三叠层70c、第四叠层70d与第五叠层70e而与电路母板电性连接。[0105][第十二实施例][0106]请合并参阅图22、23所示，第十二实施例的可调光发光装置包括：基板10、集成电路组件20、复数个发光组件30、密封构件40及反射构件50。[0107]基板10具有第一表面11及一第二表面12，基板10还可包括多个导电垫14，导电垫14设置于基板10的一个或两个侧面。复数个发光组件30设置于第一表面11上，集成电路组件20设置于第二表面12上。也就是说，集成电路组件20与复数个发光组件30位于基板10的不同侧，以避免复数个发光组件30发出的光线被集成电路组件20吸收。第十二实施例的可调光发光装置是侧发光式可调光发光装置。[0108]在第十二实施例中，第二表面12与第一表面11相对。复数个发光组件30包括呈线性排列的红光发光二极管芯片31、绿光发光二极管芯片32与蓝光发光二极管芯片33。密封构件40设置于第一表面11上，密封构件40包括光扩散层41与透光层42，光扩散层41设置于第一表面11上，光扩散层41围绕并接触复数个发光组件30，且光扩散层41的顶面与复数个发光组件30的顶面齐平。透光层42覆盖于复数个发光组件30以及光扩散层41上。反射构件50设置于第一表面11上，并围绕复数个发光组件30。于其他实施例中，反射构件50的设置位置可与前述相似，例如，反射构件50接触白光芯片级封装体34、围绕并接触集成电路组件20、区隔出复数个发光组件30或其任意搭配组合。然而，本技术不限于此。[0109]在第十二实施例中，可调光发光装置还进一步包括：另一密封构件43，密封构件43设置于第二表面12上，且围绕并接触集成电路组件20。值得注意的是，密封构件43并无透光性的要求，因此，密封构件43可与第一表面11上的密封构件40相同或不同。也就是说，密封构件43可以是由透光材料或不透光材料形成。[0110]在第十二实施例的可调光发光装置的制造方式包括下列步骤：于基板10的第二表面12设置集成电路组件20，并填胶封装以形成密封构件43。于基板10的第一表面11设置复数个发光组件30。于基板10的第一表面11设置反射构件50。于基板10的第一表面11填胶封装以形成密封构件40。[0111][试验例2][0112]为了证实本技术的可调光发光装置具有良好的出光效果，本技术制备了实施例2与实施例3的可调光发光装置。实施例2的可调光发光装置对应于第十二实施例的可调光发光装置。实施例3的可调光发光装置与实施例2的可调光发光装置相似，但其密封构件40只包含一层光扩散层41。实施例2中密封构件40的厚度与实施例3中密封构件40的厚度相同。[0113]接着，于实施例2及3的可调光发光装置上通以20毫安的电流，以亮度测试仪测量可调光发光装置的发光强度。由结果可知，实施例2中红光发光二极管芯片31产生的光强度为519毫烛光、绿光发光二极管芯片32产生的光强度为1335毫烛光、蓝光发光二极管芯片33产生的光强度为324毫烛光。实施例3中红光发光二极管芯片31产生的光强度为404毫烛光、绿光发光二极管芯片32产生的光强度为1090毫烛光、蓝光发光二极管芯片33产生的光强度为227毫烛光。[0114]以实施例3中红光发光二极管芯片31产生的光强度为100％，实施例2中红光发光二极管芯片31产生的光强度为128％。以实施例3中绿光发光二极管芯片32产生的光强度为100％，实施例2中绿光发光二极管芯片32产生的光强度为122％。以实施例3中蓝光发光二极管芯片33产生的光强度为100％，实施例2中蓝光发光二极管芯片33产生的光强度为143％。因此，本技术密封构件40包含光扩散层41及透光层42，可提升20％至45％可调光发光装置的发光强度。[0115][第十三实施例][0116]请参阅图24所示，第十三实施例的可调光发光装置与第十二实施例的可调光发光装置(图22、23)相似，其差异在于：复数个发光组件30包括红光发光二极管芯片31、绿光发光二极管芯片32、蓝光发光二极管芯片33与白光芯片级发光二极管34。并且，红光发光二极管芯片31、绿光发光二极管芯片32、蓝光发光二极管芯片33与白光芯片级发光二极管34呈线性排列。[0117][第十四实施例][0118]请参阅图25所示，第十四实施例的可调光发光装置与第十三实施例的可调光发光装置(图24)相似，其差异在于：第十四实施例中的反射构件50将第一表面11区分为四个区域，红光发光二极管芯片31、绿光发光二极管芯片32、蓝光发光二极管芯片33与白光芯片级发光二极管34分别位于所述四个区域中，以提升可调光发光装置的出光强度及出光均匀性。[0119][第十五实施例][0120]请参阅图26所示，第十五实施例的可调光发光装置与第十三实施例的可调光发光装置(图24)相似，其差异在于：第十五实施例的基板10具有一第三表面13，第三表面13上设置有另外复数个发光组件30。[0121]第三表面13与第一表面11相对，第二表面12连接第三表面13与第一表面11。也就是说，可调光发光装置具有两组芯片组(复数个发光组件30)，且两组芯片组分别设置于基板10的相对两侧。于其他实施例中，两组芯片组也可分别位于基板10相邻的两个面上。另外，基板10还可包括多个导电垫14，导电垫14设置于基板10的一个或两个侧面上。[0122]集成电路组件20分别与两组复数个发光组件30电性连接，而可达到分别控制两组复数个发光组件30产生不同色光的效果。因此，本技术的可调光发光装置也可应用于双面发光的产品。密封构件40设置于第一表面11及第二表面12，同时亦可设置在第三表面13上(若该表面没有设置导电垫14)。并且，密封构件40覆盖于复数个发光组件30、另外复数个发光组件30以及集成电路组件20上。[0123]值得说明的是，第十五实施例的可调光发光装置可再进一步包括前述反射构件50，反射构件50的设置位置可与前述相似，具体来说，反射构件50可以围绕复数个发光组件30、围绕集成电路组件20、围绕并接触白光芯片级封装体34，并且可区隔出复数个发光组件30。然而，本技术不限于此。[0124][第十六实施例][0125]请合并参阅图27至图29，图27为本技术第十六实施例的可调光发光装置的立体示意图。图28是图27中剖面线的侧视剖面图，即图27中白光芯片级发光二极管34的一长边的侧视剖面图。图29是图27中剖面线的侧视剖面图，即图27中白光芯片级发光二极管34的一短边的侧视剖面图。[0126]第十六实施例的可调光发光装置包括基板10、集成电路组件20、复数个发光组件30、密封构件40及反射构件50。[0127]基板10具有第一表面11。集成电路组件10设置于第一表面11上。复数个发光组件30设置于第一表面11上，复数个发光组件30包括一白光芯片级封装体34，白光芯片级封装体34具有一芯片电极341。基板10的第一表面11设置有一第一焊垫111，并于第一焊垫111上设置一固晶材料342，以使白光芯片级封装体34的芯片电极341可通过固晶材料342与第一焊垫111电性连接。第一焊垫111的一宽度及/或一长度是白光芯片级发光二极管34的一宽度及/或一长度的80％至120％。密封构件40设置于第一表面11上，并围绕复数个发光组件30。[0128]在第十六实施例中，多个第一焊垫111之间的间隙并未填补有密封构件40，然而，本技术并不以此为限，多个第一焊垫111之间的间隙也可填补有密封构件40。[0129][第十七实施例][0130]请参阅图30所示，第十七实施例的可调光发光装置与第十六实施例的可调光发光装置(图28、29)相似，其差异在于：第十七实施例的第二表面12还设置有一第二焊垫121，第二焊垫121设置的位置与第一焊垫111设置的位置相对应。基板10上形成有连通第一表面11及第二表面12的贯穿孔100，且贯穿孔100内填充有一导电材料。贯穿孔100形成的位置与第一焊垫111以及第二焊垫121设置的位置重叠，因此，第一焊垫111以及第二焊垫121可通过导电材料达到电性连接的效果。[0131][实施例的有益效果][0132]本技术的其中一有益效果在于，本技术所提供的可调光发光装置，其能通过“密封构件40设置于第一表面11上，并与复数个发光组件30接触”的技术方案，以提升可调光发光装置的出光效果及出光均匀性。[0133]更进一步来说，本技术所提供的可调光发光装置，其能通过“密封构件40为一光扩散层41、一透光层42或其等之组合”的技术方案，以提升可调光发光装置的出光效果及出光均匀性。[0134]更进一步来说，本技术所提供的可调光发光装置，其能通过“可调光发光装置进一步包括一反射构件50，反射构件50设置于第一表面11并区隔出集成电路组件20及复数个发光组件30”的技术方案，以提升可调光发光装置的出光效果及出光均匀性。[0135]以上所公开的内容仅为本技术的优选可行实施例，并非因此局限本技术的权利要求书的保护范围，所以凡是运用本技术说明书及附图内容所做的等效技术变化，均包含于本技术的权利要求书的保护范围内。









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