物理气相沉积系统和处理标的物的方法与流程

金属材料;冶金;铸造;磨削;抛光设备的制造及处理,应用技术1.本揭露关于一种物理气相沉积系统和处理标的物的方法。背景技术：2.半导体晶圆用于诸如移动电话、膝上型计算机、桌上型计算机、平板计算机、手表、游戏系统及各种其他工业、商业及消费性电子产品的大量电子装置中。半导体晶圆通常经历一或多种处理以产生所要的特征。技术实现要素：3.根据本揭露的一些实施例中，一种物理气相沉积系统包括物理气相沉积腔室，物理气相沉积腔室界定一物理气相沉积空间，在物理气相沉积空间内将一标的物的一标的物材料沉积至一晶圆上。物理气相沉积系统包括物理气相沉积腔室中的标的物。标的物用以覆盖在晶圆上。标的物的边缘自标的物的第一表面延伸至标的物的第二表面，标的物的第二表面与第一表面相反。标的物的边缘的第一部分具有第一表面粗糙度。标的物的边缘的第一部分自标的物的第一表面朝向标的物的边缘的第二部分延伸至多6毫米。标的物的边缘的第二部分具有小于第一表面粗糙度的第二表面粗糙度。4.根据本揭露的一些实施例中，一种物理气相沉积系统包括物理气相沉积腔室、一屏蔽结构及一气体传导结构。物理气相沉积腔室界定一物理气相沉积空间，在该物理气相沉积空间内将一标的物的一标的物材料沉积至一晶圆上，其中该物理气相沉积腔室包含一入口以将一第一气体引入至该物理气相沉积腔室中；屏蔽结构位于该物理气相沉积腔室中，用于禁止该第一气体自该物理气相沉积空间散逸；气体传导结构位于该物理气相沉积腔室中，用于将该第一气体传导至该物理气相沉积空间中，其中该气体传导结构位在该屏蔽结构的一壁与该晶圆之间。5.根据本揭露的一些实施例中，一种处理标的物的方法，包含以下步骤。处理一标的物的一边缘的一第一部分以将该标的物的该边缘的该第一部分的一表面粗糙度增大至一第一表面粗糙度。标的物的该边缘自该标的物的一第一表面延伸至该标的物的一第二表面，该第二表面与该标的物的该第一表面相反。标的物的该边缘的该第一部分自该标的物的该第一表面朝向该标的物的该边缘的一第二部分延伸至多6毫米。标的物的该边缘的该第一部分的该第一表面粗糙度高于该标的物的该边缘的该第二部分的一第二表面粗糙度。附图说明6.当结合随附附图来阅读时，根据以下详细描述将最好地理解本揭露的态样。请注意，根据业内的标准做法，并未按比例绘制各种特征。事实上，为了论述的清楚起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。7.图1例示根据一些实施例的物理气相沉积(physical vapor deposition，pvd)系统的至少一部分的横截面视图；8.图2例示根据一些实施例的pvd系统的至少一部分的横截面视图；9.图3a至图3b例示根据一些实施例的pvd系统的至少一部分的透视图；10.图4a至图4b例示根据一些实施例的pvd系统的至少一部分的透视图；11.图5a至图5b例示根据一些实施例的pvd系统的至少一部分的透视图；12.图6例示根据一些实施例的pvd系统的至少一部分的底面视图；13.图7例示根据一些实施例的pvd系统的至少一部分的横截面视图；14.图8至图18例示根据一些实施例的pvd系统的至少一部分的透视图；15.图19是例示根据一些实施例的方法的流程图；16.图20例示根据一些实施例的示范性计算机可读媒体，其中可包含用以体现本文中阐述的条款的处理器可执行指令。17.【符号说明】18.100:pvd系统19.102:标的物20.104:第一表面21.106:第二表面22.108:边缘23.110:边缘的第一部分24.112:边缘的第二部分25.114:第一距离26.116:pvd空间27.118:晶圆28.119:表面29.120:背板结构30.122:内腔室壁31.124:盖结构32.126:屏蔽结构33.128:晶圆支撑件34.130:沉积结构35.132:第二泵36.134:腔室壁37.136:入口38.138:第一侧壁39.140:第一气体40.142:第二侧壁41.144:第一发电机42.146:磁体43.150:pvd腔室44.152:角度45.154:路径46.302:腔室结构47.304:距离48.402:第一部分的第一区域49.404:第一部分的第二区域50.406:第一高度51.410:第二高度52.412:第二部分的第一区域53.414:第二部分的第二区域54.416:腔室结构的第一部分55.418:腔室结构的第二部分56.420:距离57.422:距离58.502:第一部分的第三区域59.504:第一部分的第四区域60.506:第三高度61.508:第四高度62.510:第二部分的第三区域63.512:第二部分的第四区域64.516:柱65.516a:第一柱66.516b:第二柱67.702:气体传导结构68.704:开口69.706:内侧壁70.708:外侧壁71.710:电浆72.712:壁73.714:空间74.716:上部区75.718:下部区76.802:直径77.1202:第一组78.1204:第二组79.1206:第三组80.1208:距离81.1210:距离82.1212:距离83.1302:第一组84.1304:第二组85.1306:第三组86.1402:第一组87.1404:第二组88.1406:第三组89.1502:第一组90.1504:第二组91.1506:第三组92.1508:第四组93.1602:第一组94.1604:第二组95.1606:第三组96.1608:第四组97.1702:第一组98.1704:第二组99.1706:第三组100.1708:第四组101.1802:第一组102.1804:第二组103.1806:第三组104.1808:第四组105.1810:顶表面106.1812:距离107.1814:距离108.1816:距离109.1818:距离110.1900:方法111.1902:步骤112.2000:实施例113.2002:方法114.2004:处理器可执行的计算机指令115.2006:计算机可读数据116.2008:计算机可读媒体具体实施方式117.以下揭示内容提供了用于实施所提供主题的不同特征的若干不同实施例或实例。以下描述了组件及配置的特定实例以简化本揭露。当然，这些仅为实例，且不意欲具有限制性。例如，以下描述中在第二特征之上或上形成第一特征可包括其中第一特征及第二特征形成为直接接触的实施例，且亦可包括其中额外特征可形成于第一特征与第二特征之间以使得第一特征及第二特征可能不直接接触的实施例。另外，本揭露可在各种实例中重复参考数字或字母。此重复是为了简单及清楚的目的，且本身并不表示所论述的各种实施例或组态之间的关系。118.此外，为便于描述，本文中可使用诸如“下方”、“之下”、“下部”、“上方”、“上部”等等空间相对术语来描述一个元件或特征与另一(些)元件或特征的关系，如图中所例示。除图中所例示的定向之外，空间相对术语还意欲涵盖装置在使用或操作中的不同定向。可以其他方式来定向设备(旋转90度或以其他定向)，并且同样地可相应地解释本文所使用的空间相对描述词。119.物理气相沉积(pvd)系统具有pvd腔室，该pvd腔室界定pvd空间，在该pvd空间内将标的物的标的物材料沉积至晶圆上。标的物的边缘自标的物的第一表面延伸至标的物的第二表面，该第二表面与标的物的第一表面相反。标的物的边缘的第一部分具有第一表面粗糙度。标的物的边缘的第一部分自标的物的第一表面朝向标的物的边缘的第二部分延伸至多第一距离。第一距离为至多约6毫米。标的物的边缘的第二部分具有小于第一表面粗糙度的第二表面粗糙度。与标的物具有延伸得比第一距离远的粗糙部分的其他系统相比，将标的物的边缘的第一部分(自标的物的第一表面朝向标的物的边缘的第二部分)的延伸限制为第一距离提供了在一或多个pvd制程期间累积在一或多个晶圆上的污染物量的减少。与标的物具有延伸得比第一距离远的粗糙部分的其他系统相比，将标的物的边缘的第一部分的延伸限制为第一距离提供了pvd腔室中的电弧量的减少。考虑到污染物量的减少及/或电弧量的减少，pvd系统比其他pvd系统更高效地操作，诸如由于禁止对pvd系统的一或多个组件的损坏、需要对pvd腔室的清洁及/或维护更少、在晶圆中产出更少的晶圆缺陷等。120.pvd腔室包含入口以将第一气体引入至pvd腔室中。在一些实施例中，pvd系统包含pvd腔室中的气体传导结构以将第一气体引导至pvd空间中。在一些实施例中，与不具有气体传导结构的其他系统相比，气体传导结构提供了第一气体向pvd空间中的流动及/或分布的增大的均匀性。考虑到第一气体向pvd空间中的流动及/或分布的增大的均匀性，pvd系统自第一气体建立贯穿pvd空间且/或在标的物下具有更稳定且/或均匀的电浆浓度及/或电浆密度的电浆。考虑到第一气体向pvd空间中的流动及/或分布的增大的均匀性及/或更稳定且/或均匀的电浆浓度及/或电浆密度，与不具有气体传导结构的其他系统相比，pvd系统提供了发生在pvd空间中的电弧量的减少。在一些实施例中，与不具有气体传导结构的系统相比，pvd腔室中的气体传导结构提供了在pvd空间的上部区中的第一气体的增大的浓度及/或密度。在一些实施例中，与不具有气体传导结构的系统相比，pvd腔室中的气体传导结构提供了在pvd空间的上部区中建立的电浆的增大的浓度及/或密度。在上部区中的第一气体的增大的浓度及/或密度及/或电浆的增大的浓度及/或密度提供了pvd系统的更高效的操作，诸如一或多个pvd制程期间增大的沉积速率(诸如由于电浆在标的物上的撞击力的增大)。121.图1至图2例示根据一些实施例的pvd系统100。图1至图2所描绘的视图是用于例示pvd系统100的一些内部态样的横截面视图。参考图1，pvd系统100包含pvd腔室150，pvd腔室150界定pvd空间116，在pvd空间116内将标的物102的标的物材料沉积至晶圆118上。在一些实施例中，pvd系统100用以执行pvd制程以在晶圆118的表面119上形成薄膜，诸如用于制造一或多个半导体装置。薄膜包含标的物材料。在一些实施例中，薄膜是金属硬遮罩(metal hard mask，mhm)膜或其他合适的薄膜中的至少一者。122.pvd系统100包含pvd腔室150中的晶圆支撑件128。晶圆支撑件128用以支撑pvd空间116中的晶圆118。晶圆支撑件128包含晶圆夹头、静电夹头、台座或其他合适的结构中的至少一者。在一些实施例中，晶圆支撑件128包含用以诸如在执行pvd制程期间对晶圆118进行加热的加热器。123.pvd腔室150包含用以将第一气体140引入至pvd腔室中150的入口136。在一些实施例中，pvd腔室150耦接至入口136处的管子。第一气体140离开管子且经由入口136进入pvd腔室150。入口136对应于在pvd腔室150的腔室壁134及/或pvd腔室150的其他部分中的至少一者中界定的开口。在一些实施例中，入口136由pvd腔室150的腔室壁134的第一侧壁138及pvd腔室150的腔室壁134的第二侧壁142界定。在一些实施例中，pvd系统100包含第一泵(未图示)，其用以经由管子或pvd腔室150的入口136中的至少一者将第一气体140传导至pvd腔室150中。一或多个阀、密封胶、o形环等可存在于入口136处以提供对第一气体140自管子至pvd腔室150的流动的控制。第一气体140包含氩气(ar)或其他合适气体中的至少一者。在一些实施例中，pvd系统100包含pvd腔室150中的第二泵132。第二泵132是真空泵或其他合适的泵中的至少一者。第二泵132用以诸如在pvd制程期间维持pvd腔室150中的第一气体140的压力。在一些实施例中，pvd系统100包含诸如质量流控制器(mass flow controller，mfc)的控制器(未图示)，其用以控制pvd腔室150中的第一气体140的压力。控制器基于自pvd系统100的一或多个感测器接收的一或多个信号来控制第一泵、入口136处的一或多个阀、第二泵132或pvd系统100的一或多个其他合适组件中的至少一者。一或多个感测器包含一或多个压力感测器(诸如压力计)或一或多个其他合适感测器中的至少一者。一或多个压力感测器包含以下中的至少一者：定位在pvd腔室150中或上的压力感测器、定位在pvd空间116中的压力感测器、定位在第一泵中或上的压力感测器、定位在第二泵132中或上的压力感测器、定位在管子中或上的压力感测器、定位在晶圆支撑件128中或上的压力感测器、定位在腔室壁134上的压力感测器、定位在入口136中或上的压力感测器或者定位在另一合适位置处的压力感测器。一或多个压力信号指示一或多个压力。控制器基于一或多个压力来控制第一泵、入口136处的一或多个阀、第二泵132或pvd系统100的一或多个其他合适组件中的至少一者。pvd腔室150、第一泵、第二泵132、控制器及/或入口136的其他结构及/或组态在本揭露的范畴内。124.pvd腔室150包含背板结构120。背板结构120在标的物102之上。标的物102耦接至背板结构120或pvd腔室150的其他部分中的至少一者以维持标的物102在背板结构120与晶圆118之间的定位。背板结构120、标的物102及/或pvd腔室150的其他结构及/或组态在本揭露的范畴内。125.pvd系统100包含盖结构124(诸如盖环)、屏蔽结构126或沉积结构130(诸如沉积环)中的至少一者。屏蔽结构126用以禁止第一气体140自pvd空间116散逸。pvd腔室150包含在背板结构120之下的内腔室壁122。在一些实施例中，第一气体140经由盖结构124与屏蔽结构126之间的路径154传导至pvd空间116中。盖结构124、屏蔽结构126、内腔室壁122及/或沉积结构130的其他结构及/或组态在本揭露的范畴内。126.标的物102包含以下中的至少一者：钛(titanium，ti)、铝(aluminum，al)、氮化钛(titanium nitride，tin)、铝化钛(titanium aluminum，tial)、铜(copper，cu)、钴(cobalt，co)、铝铜合金(aluminum copper，alcu)、铜铝合金(copper aluminum，cual)、铜锰合金(copper manganese，cumn)、钽(tantalum，ta)或其他合适材料。标的物102在晶圆118之上。标的物102的边缘108自标的物102的第一表面104延伸至标的物102的第二表面106，第二表面106与标的物102的第一表面104相反。标的物102的第一表面104是以下中的至少一者：在背板结构120之下、与背板结构120直接接触或与背板结构120间接接触。标的物102的第二表面106面向晶圆118。标的物102的其他结构及/或组态在本揭露的范畴内。127.在一些实施例中，标的物102的边缘108相对于标的物102的第一表面104以角度152倾斜(图1所示)。标的物102的边缘108以角度152自标的物102的第一表面104延伸至标的物102的第二表面106。在一些实施例中，标的物102的边缘108竖直地及/或垂直于标的物102的第一表面104或标的物102的第二表面106中的至少一者的延伸方向自标的物102的第一表面104延伸至标的物102的第二表面106(图2所示)。标的物102的其他结构及/或组态在本揭露的范畴内。128.标的物102的边缘108的第一部分110具有第一表面粗糙度。在一些实施例中，标的物102的边缘108的第一部分110经处理以达成第一表面粗糙度。标的物102的边缘108的第二部分112具有第二表面粗糙度。第二表面粗糙度小于第一表面粗糙度。第二表面粗糙度约等于或不同于第二表面106的第三表面粗糙度。标的物102的边缘108的第一部分110在标的物102的边缘108的第二部分112之上。标的物102的边缘108的第一部分110自标的物102的第一表面104朝向标的物102的边缘108的第二部分112延伸至多第一距离114。第一距离114为至多约6毫米(诸如约2毫米至约6毫米之间，诸如约4毫米至约6毫米之间，或诸如约4毫米至约5.5毫米之间)。第一距离114的其他值在本揭露的范畴内。标的物102的边缘108的其他结构及/或组态在本揭露的范畴内。通过将标的物102的边缘108的第一部分110的延伸的第一距离114提供成至少最小距离(诸如约4毫米)及/或至多最大距离(诸如约6毫米)，标的物102的边缘108的第一部分110诸如通过由于相对增大的第一表面粗糙度而捕获污染物来禁止污染物(诸如粒子)在使用标的物102执行的一或多个pvd制程期间累积在一或多个晶圆上。129.第一表面粗糙度为约1微米至约30微米之间(诸如约3微米至约23微米之间)。第二表面粗糙度及/或第三表面粗糙度为至多约3微米(诸如至多约1.6微米)。第一表面粗糙度、第二表面粗糙度及/或第三表面粗糙度的其他值在本揭露的范畴内。130.在一些实施例中，标的物102包含alcu，标的物102的粒度为约20微米至约70微米之间(诸如约30微米至约50微米之间)，及/或第一表面粗糙度为约1微米至约10微米之间(诸如约3微米至约8微米之间)。在一些实施例中，标的物102包含ti，标的物102是射频(radio frequency，rf)ti标的物，标的物102的粒度为约5微米至约25微米之间(诸如约11微米至约19微米之间)，第二表面粗糙度为约0.1微米至约0.5微米之间(诸如约0.13微米至约0.41微米之间)，及/或第三表面粗糙度为约0.1微米至约0.5微米之间(诸如约0.13微米至约0.41微米之间)。在一些实施例中，标的物102包含ta，标的物102是g12 ta标的物，标的物102的粒度为至多约100微米(诸如至多约70微米)，及/或第一表面粗糙度为约2微米至约10微米之间(诸如约5微米至约8微米之间)。在一些实施例中，标的物102包含ta，标的物102是bs ta标的物，标的物102的粒度为约30微米至约150微米之间(诸如约57微米至约120微米之间)，第一表面粗糙度为约10微米至约30微米之间(诸如约12微米至约23微米之间)，第二表面粗糙度为至多约1微米(诸如至多约0.4微米)，及/或第三表面粗糙度为至多约1微米(诸如至多约0.4微米)。在一些实施例中，标的物102包含cu，标的物102的粒度为约10微米至约80微米之间(诸如约30微米至约50微米之间)，第二表面粗糙度为至多约3微米(诸如至多约1.6微米)，及/或第三表面粗糙度为至多约3微米(诸如至多约1.6微米)。在一些实施例中，标的物102包含cumn，及/或标的物102的粒度为至多约2微米(诸如至多约1微米)。在一些实施例中，标的物102包含co，及/或标的物102的粒度为至多约2微米(诸如至多约0.8微米)。131.标的物102的边缘108的第一部分110经处理以达成第一表面粗糙度。标的物102的边缘108的第一部分110是使用至少一种处理方法处理以达成第一表面粗糙度，该至少一种处理方法包含以下中的至少一者：对标的物102的边缘108的第一部分110进行喷砂除污(诸如“喷砂”)、对标的物102的边缘108的第一部分110进行珠击(诸如使用珠及/或熔融珠)、对标的物102的边缘108的第一部分110进行滚纹、或其他合适的处理方法。标的物102的边缘108的第一部分110具有直的水平线条、成角度的线、交叉线等中的至少一者的图案。用于达成第一表面粗糙度的其他方法及/或标的物102的边缘108的其他结构及/或组态在本揭露的范畴内。132.pvd系统100包含第一发电机144，其电耦接至pvd腔室150，诸如至背板结构120或pvd腔室150的其他部分。第一发电机144用以产生电力，诸如rf电力或直流(direct current，dc)电力中的至少一者。pvd系统100包含一或多个磁体146。在一些实施例中，pvd系统100包含第二发电机(未图示)，其电耦接至pvd腔室150，诸如至晶圆支撑件128或pvd腔室150的其他部分。第二发电机用以产生偏压电力。第一气体140进入pvd空间116。pvd系统100用以在pvd空间116中自第一气体140建立电浆(诸如图7所示的电浆710)。电浆用于将标的物102的标的物材料沉积至晶圆118上，诸如以在晶圆118的表面119上形成薄膜。自标的物102去除标的物材料(诸如标的物102的原子及/或分子)且通过电浆将其转换成蒸气(诸如借助于撞击及/或冲击在标的物102上的电浆的气体离子)。蒸气在晶圆118上经历凝结，诸如以在晶圆118的表面119上形成薄膜。pvd系统100使用以下中的至少一者建立电浆：第一发电机144、第二发电机、一或多个磁体146或pvd系统100的一或多个其他合适组件。第一发电机144、第二发电机或者一或多个磁体146中的至少一者经控制以进行以下中的至少一者：控制pvd空间116中的离子撞击力，或获得形成于晶圆118的表面119上的薄膜的一或多个所要性质。第一发电机144、第二发电机、一或多个磁体146及/或晶圆支撑件128之间的相互作用在本揭露的范畴内。133.pvd腔室150中的粒子诸如在pvd制程期间粘附至标的物102的边缘108的第一部分110且/或累积在标的物102的边缘108的第一部分110上。累积在标的物102的边缘108的第一部分110上的第一粒子量大于累积在标的物102的边缘108的第二部分112上的第二粒子量，这诸如至少是由于第一表面粗糙度高于第二表面粗糙度。因此，具有第一表面粗糙度的标的物102的边缘108的第一部分110禁止污染物(诸如粒子)累积在晶圆118上，这诸如至少是由于否则在标的物102的边缘108的第一部分110不具有高于第二表面粗糙度的表面粗糙度的情况下将会累积在晶圆118上的污染物粘附至标的物102的边缘108的第一部分110。134.标的物102的使用寿命是有限的。标的物102的使用寿命可以pvd系统100或pvd腔室150中的至少一者所消耗的累计能量(诸如千瓦时)为单位来量测及/或表达。标的物102的使用寿命的终点为约1,000千瓦时至约3,000千瓦时之间(诸如约2,000千瓦时)。标的物102的使用寿命的终点的其他值在本揭露的范畴内。在到达标的物102的使用寿命的终点之后，可更换标的物102，诸如以避免过度使用标的物102，过度使用可导致以下中的至少一者：标的物102穿孔、生产损失、对pvd系统100的一或多个组件的损坏、安全问题等。随着标的物102的使用寿命的进展且标的物102由pvd系统100使用，标的物102的标的物尺寸(诸如标的物厚度)减小(诸如由于pvd系统100及将标的物材料自标的物102沉积至诸如晶圆118的一或多个晶圆)。135.在一些实施例中，标的物102的边缘108的第一部分110的延伸的第一距离114为至少最小距离。最小距离为约2毫米至约6毫米之间(诸如约2毫米至约5.5毫米之间，诸如约2毫米至约4毫米之间，诸如约4毫米至约6毫米之间，或诸如4毫米)。通过将标的物102的边缘108的第一部分110的延伸的第一距离114提供成至少最小距离，标的物102的边缘108的第一部分110禁止污染物在贯穿标的物102的使用寿命所执行的pvd制程期间累积在一或多个晶圆上，这诸如至少是由于否则在第一距离114小于最小距离的情况下将会累积在晶圆上的污染物粘附至标的物102的边缘108的第一部分110。136.在一些实施例中，标的物102的第一部分110的延伸的第一距离114为至多最大距离。最大距离为约4毫米至约6毫米之间(诸如约4毫米至约5.5毫米之间，诸如约5毫米至约6毫米之间，或诸如6毫米)。将标的物102的边缘108的第一部分110(自标的物的第一表面104朝向标的物102的边缘108的第二部分112)的延伸限制为至多最大距离提供了在一或多个pvd制程期间累积在晶圆上的污染物量的减少。诸如当达到标的物102的使用寿命的第一点时，标的物102的标的物尺寸减小至第一临限值标的物尺寸。标的物102的使用寿命的第一点为约1,100千瓦时至约1,800千瓦时之间(诸如约1,400千瓦时)。标的物102的使用寿命的第一点的其他值在本揭露的范畴内。在一些pvd系统中，标的物的边缘的粗糙部分(诸如标的物102的边缘108的第一部分110)自标的物的顶表面朝向标的物的边缘的非粗糙部分延伸第二距离。第二距离可大于最大距离。在那些pvd系统中，在达到标的物的使用寿命的第一点及/或标的物的标的物尺寸减小至第一临限值标的物尺寸之后，先前在一或多个先前pvd制程期间粘附至标的物的边缘的粗糙部分的污染物在达到标的物的使用寿命的第一点及/或标的物的标的物尺寸达到第一临限值标的物尺寸之后所执行的后续pvd制程期间自标的物遭到去除，这诸如是由于随着标的物的标的物尺寸减小，边缘的粗糙部分变得更多地曝露于气体及/或电浆。所去除污染物的至少一部分累积在一或多个晶圆上。137.在一些实施例中，当达到标的物102的使用寿命的第一点或标的物102的标的物尺寸达到第一临限值标的物尺寸中的至少一者时变得更多地曝露于第一气体140及/或电浆的标的物102的边缘108的至少一部分不包括标的物102的边缘108的第一部分110，这是由于将标的物102的边缘108的第一部分110的延伸限制为至多最大距离。在一些实施例中，与其中标的物102的边缘108的第一部分110(自标的物的第一表面104朝向标的物102的边缘108的第二部分112)的延伸大于最大距离的其他pvd系统相比，当达到标的物102的使用寿命的第一点或标的物102的标的物尺寸达到第一临限值标的物尺寸中的至少一者时，第一部分110更少地曝露于第一气体140及/或电浆。标的物102的边缘108的第一部分110的减少的曝露于第一气体140及/或电浆提供了在达到标的物102的使用寿命的第一点及/或标的物102的标的物尺寸达到第一临限值标的物尺寸中的至少一者之后所执行的pvd制程期间自标的物102的边缘108去除的污染物量的减少。自标的物102的边缘108去除的污染物量的减少提供了在达到标的物102的使用寿命的第一点及/或标的物102的标的物尺寸达到第一临限值标的物尺寸中的至少一者之后所执行的pvd制程期间累积在晶圆上的污染物量的减少。考虑到累积在晶圆上的污染物量的减少，pvd系统100比其他pvd系统更高效地操作，诸如需要对pvd腔室150的清洁及/或维护更少、在晶圆中产出更少的晶圆缺陷等。138.将标的物102的边缘108的第一部分110(自标的物的第一表面104朝向标的物102的边缘108的第二部分112)的延伸限制为至多最大距离提供了发生在pvd系统100中的电弧量的减少。诸如当达到标的物102的使用寿命的第二点时，标的物102的标的物尺寸减小至第二临限值标的物尺寸。标的物102的使用寿命的第二点为约1,100千瓦时至约1,800千瓦时之间(诸如约1,400千瓦时)。标的物102的使用寿命的第二点的其他值在本揭露的范畴内。在其中标的物的边缘的粗糙部分(诸如标的物102的边缘108的第一部分110)自标的物的顶表面朝向标的物的边缘的非粗糙部分延伸第二距离的一些pvd系统中，当达到标的物的使用寿命的第二点及/或标的物的标的物尺寸减小至第二临限值标的物尺寸时，电弧发生。电弧至少是由于随着标的物的标的物尺寸减小，标的物的粗糙部分变得更多地曝露于电浆，这可导致电浆与在标的物的粗糙部分中的粗糙边缘及/或尖峰处的电强度之间的增大的相互作用量，其中在标的物的粗糙部分中的粗糙边缘及/或尖峰处的电强度高于在标的物的非粗糙部分处的电强度。139.在一些实施例中，与其中标的物102的边缘108的第一部分110(自标的物的第一表面104朝向标的物102的边缘108的第二部分112)的延伸大于最大距离的其他pvd系统相比，当达到标的物102的使用寿命的第二点或标的物102的标的物尺寸达到第二临限值标的物尺寸中的至少一者时，第一部分110更少地曝露于电浆。在一些实施例中，与其中标的物102的边缘108的第一部分110(自标的物的第一表面104朝向标的物102的边缘108的第二部分112)的延伸大于最大距离的其他系统相比，标的物102的边缘108的第一部分110的减少的曝露于电浆提供了在达到标的物102的使用寿命的第二点或标的物102的标的物尺寸达到第二临限值标的物尺寸中的至少一者之后所执行的pvd制程中发生的电弧量的减少。考虑到电弧量的减少，pvd系统100比其他pvd系统更高效地操作，诸如禁止对pvd系统100的一或多个组件的损坏、需要对pvd系统100的维护更少等。140.图3a至图3b例示根据一些实施例的pvd系统100的透视图。图3a例示根据一些实施例的在标的物102之上的背板结构120。在诸如图3a及图3b所示的一些实施例中，标的物102的边缘108的第一部分110围绕标的物102的边缘108自标的物102的第一表面104朝向标的物102的边缘108的第二部分112延伸的距离保持恒定或者约等于第一距离114或小于第一距离114。141.图3b例示根据一些实施例的背板结构120、标的物102及pvd腔室150的腔室结构302。腔室结构302对应于pvd腔室150的至少一部分，诸如内腔室壁122、腔室壁134或pvd腔室150的其他部分中的至少一者。腔室结构302与标的物102的边缘108的第一部分110之间的距离304为至少第一临限值距离。在一些实施例中，基于腔室结构302的结构组态及/或定位，标的物102的边缘108的第一部分110经设计且/或标的物102经处理(诸如使用一或多种处理方法)以使得腔室结构302与标的物102的边缘108的第一部分110之间的距离304为至少第一临限值距离。142.图4a至图4b例示根据一些实施例的pvd系统100的透视图。图4a例示根据一些实施例的在标的物102之上的背板结构120。标的物102的边缘108的第一部分110的第一区域402在标的物102的边缘108的第二部分112的第一区域412之上且朝向第一区域412延伸。标的物102的边缘108的第一部分110的第二区域404在标的物102的边缘108的第二部分112的第二区域414之上且朝向第二区域414延伸。143.标的物102的边缘108的第一部分110的第一区域402具有第一尺寸，且标的物102的边缘108的第一部分110的第二区域404具有第二尺寸。第一尺寸不同于第二尺寸。在一些实施例中，第一尺寸对应于标的物102的边缘108的第一部分110的第一区域402的第一高度406。第一高度406对应于标的物102的边缘108的第一部分110的第一区域402自标的物102的第一表面104朝向标的物102的边缘108的第二部分112的第一区域412延伸的距离。第一高度406至多等于第一距离114的最大距离。第二尺寸对应于标的物102的边缘108的第一部分110的第二区域404的第二高度410。第二高度410对应于标的物102的边缘108的第一部分110的第二区域404自标的物102的第一表面104朝向标的物102的边缘108的第二部分112的第二区域414延伸的距离。第二高度410小于第一高度406。标的物102的边缘108的第一部分110的第一区域402具有第一形状，且标的物102的边缘108的第一部分110的第二区域404具有第二形状。在一些实施例中，第一形状不同于第二形状。144.图4b例示根据一些实施例的背板结构120、标的物102及pvd腔室150的腔室结构302。腔室结构302与标的物102之间的距离沿着腔室结构302的圆周改变，这诸如至少是由于腔室结构302的高度沿着腔室结构302的圆周改变。标的物102的边缘108的第一部分110的第一区域402与腔室结构302的第一部分416之间的距离422为至少第一临限值距离。标的物102的边缘108的第一部分110的第二区域404与腔室结构302的第二部分418之间的距离420为至少第一临限值距离。在一些实施例中，基于腔室结构302的结构组态及/或定位，标的物102的边缘108的第一部分110经设计且/或标的物102经处理(诸如使用一或多种处理方法)以使得标的物102的边缘108的第一部分110的各区域(诸如第一区域402及/或第二区域404)与腔室结构302的各部分(诸如腔室结构302的第一部分416及/或腔室结构302的第二部分418)之间的距离(诸如距离422及/或距离420)为至少第一临限值距离。145.图5a至图5b例示根据一些实施例的pvd系统100的透视图。图5a例示根据一些实施例的在标的物102之上的背板结构120。标的物102的边缘108的第一部分110的第三区域502在标的物102的边缘108的第二部分112的第三区域510之上且朝向第三区域510延伸。标的物102的边缘108的第一部分110的第四区域504在标的物102的边缘108的第二部分112的第四区域512之上且朝向第四区域512延伸。146.标的物102的边缘108的第一部分110的第三区域502具有第三尺寸，且标的物102的边缘108的第一部分110的第四区域504具有第四尺寸。第三尺寸不同于第四尺寸。在一些实施例中，第三尺寸对应于标的物102的边缘108的第一部分110的第三区域502的第三高度506。第三高度506对应于标的物102的边缘108的第一部分110的第三区域502自标的物102的第一表面104朝向标的物102的边缘108的第二部分112的第三区域510延伸的距离。第三高度506至多等于第一距离114的最大距离。第四尺寸对应于标的物102的边缘108的第一部分110的第四区域504的第四高度508。第四高度508对应于标的物102的边缘108的第一部分110的第四区域504自标的物102的第一表面104朝向标的物102的边缘108的第二部分112的第四区域512延伸的距离。第四高度508小于第三高度506。标的物102的边缘108的第一部分110的第三区域502具有第三形状，且标的物102的边缘108的第一部分110的第四区域504具有第四形状。在一些实施例中，第三形状不同于第四形状。147.图5b例示根据一些实施例的背板结构120、标的物102及pvd腔室150的腔室结构302。在一些实施例中，腔室结构302包含诸如沿着腔室结构302的圆周定位的柱516。标的物102的边缘108的第一部分110的第三区域502与柱516中的第一柱516a之间的距离522为至少第一临限值距离。标的物102的边缘108的第一部分110的第四区域504与柱516中的第二柱516b之间的距离524为至少第一临限值距离。在一些实施例中，基于腔室结构302及/或柱516的结构组态及/或定位，标的物102的边缘108的第一部分110经设计且/或标的物102经处理(诸如使用一或多种处理方法)以使得标的物102的边缘108的第一部分110的各区域(诸如第三区域502及/或第四区域504)与腔室结构302的柱516之间的距离(诸如距离522及/或距离524)为至少第一临限值距离。148.形成标的物102以使得得标的物102的边缘108的第一部分110的各区域与腔室结构302的各部分之间的距离为至少第一临限值距离(诸如参考图3a至图5b所描述)由于禁止腔室结构302与标的物102的边缘108的第一部分110之间的一或多种相互作用(诸如电相互作用)而禁止电弧发生。因此，与其中标的物的粗糙部分与腔室结构之间的距离小于第一临限值距离的其他系统相比，通过形成标的物102以使得标的物102的边缘108的第一部分110的各区域与腔室结构302的各部分之间的距离为至少第一临限值距离提供了发生在pvd系统100中的电弧量的减少。考虑到电弧量的减少，pvd系统100比其他pvd系统更高效地操作，诸如由于禁止对pvd系统100的一或多个组件的损坏、需要对pvd腔室150的维护更少等。149.图6例示根据诸如其中标的物102的边缘108不是倾斜(图2所示)的一些实施例的在背板结构120之下的标的物102的底面视图。在一些实施例中，标的物102的第二表面106是曝露的。150.图7例示根据一些实施例的pvd系统100的横截面视图。pvd系统100包含pvd腔室150中的气体传导结构702(诸如气体传导环)以将第一气体140传导至pvd空间116中。气体传导结构702在屏蔽结构126的壁712与晶圆118、晶圆支撑件128、沉积结构130或盖结构124中的至少一者之间。开口704界定于气体传导结构702中。开口704中的一开口可具有任何形状。开口704中的第一开口自气体传导结构702的内侧壁706延伸至气体传导结构702的外侧壁708，外侧壁708与气体传导结构702的内侧壁706相反。内侧壁706面向pvd空间116。外侧壁708面向屏蔽结构126的壁712。气体传导结构702的其他结构及/或组态在本揭露的范畴内。151.图7中展示了箭头，其代表根据一些实施例的第一气体140的流动。第一气体140经由盖结构124与屏蔽结构126之间的路径154传导至空间714中。空间714由气体传导结构702、屏蔽结构126、内腔室壁122或pvd腔室150的其他部分中的至少一者界定。空间714在气体传导结构702与屏蔽结构126的壁712之间。第一气体140自空间714流动，穿过开口704，进入pvd空间116。气体传导结构702、盖结构124及/或屏蔽结构126的其他结构及/或组态在本揭露的范畴内。152.在一些实施例中，与不具有pvd腔室150中的气体传导结构702的其他系统相比，气体传导结构702提供了第一气体向pvd空间116中的流动及/或分布的增大的均匀性。考虑到第一气体140向pvd空间116中的流动及/或分布的增大的均匀性，pvd系统100自第一气体140建立贯穿pvd空间116且/或在标的物102下具有更稳定且/或均匀的电浆浓度及/或密度的电浆710。考虑到第一气体140向pvd空间116中的流动及/或分布的增大的均匀性及/或更稳定且/或均匀的电浆浓度及/或密度，与不具有气体传导结构702的其他系统相比，pvd系统100提供了发生在pvd空间116中的电弧量的减少。153.其他pvd系统不具有pvd腔室中的气体传导结构702。在那些pvd系统中，pvd气体(诸如第一气体140)向pvd空间(诸如pvd空间116)中的流动及/或分布是不均匀的。在那些pvd系统中，电浆是自pvd气体建立，贯穿pvd空间具有不稳定且/或不均匀的电浆浓度及/或电浆密度，这可在pvd空间中造成电弧。在那些pvd系统中，pvd气体的浓度及/或密度在pvd空间的下部区中比在pvd空间的上部区中更高，其中pvd空间的下部区比上部区离pvd腔室中的标的物更远。在那些pvd系统中，自pvd气体建立的电浆的浓度及/或密度在pvd空间的下部区中比在pvd空间的上部区中更高。154.与不具有气体传导结构702的系统相比，pvd腔室150中的气体传导结构702提供了在pvd空间116的上部区716中的第一气体140的增大的浓度及/或密度。与不具有气体传导结构702的系统相比，pvd腔室150中的气体传导结构702提供了在pvd空间116的上部区716中建立的电浆710的增大的浓度及/或密度。在上部区716中的第一气体140的增大的浓度及/或密度及/或电浆710的增大的浓度及/或密度提供了pvd系统100的更高效的操作，诸如一或多个pvd制程期间增大的沉积速率(诸如由于电浆710在标的物102上的撞击力的增大)。在一些实施例中，在pvd空间116的上部区716中的第一气体140的浓度及/或密度是以下中的至少一者：高于或约等于在pvd空间116的下部区718中的第一气体140的浓度及/或密度，其中下部区718比上部区716离标的物102更远。在一些实施例中，在pvd空间116的上部区716中的电浆710的浓度及/或密度是以下中的至少一者：高于或约等于在pvd空间116的下部区718中的电浆710的浓度及/或密度。155.图8例示根据一些实施例的气体传导结构702的至少一部分的透视图。气体传导结构702是中空圆柱体、圆盘、环或其他合适结构中的至少一者。开口704界定于气体传导结构702内且穿透气体传导结构702。在诸如图8所示的一些实施例中，开口704中的一开口的横截面形状是圆形。开口704中的一开口的直径802为约0.1毫米至约5毫米之间(诸如约1毫米至约2毫米之间)。156.图9例示根据一些实施例的气体传导结构702的至少一部分的透视图。在诸如图9所示的一些实施例中，开口704中的一开口的横截面形状是矩形。157.图10例示根据一些实施例的气体传导结构702的至少一部分的透视图。在诸如图10所示的一些实施例中，开口704中的一开口的横截面形状是椭圆形。158.图11例示根据一些实施例的气体传导结构702的至少一部分的透视图。在诸如图11所示的一些实施例中，开口704中的一开口的横截面形状是三角形。159.在诸如图8至图11所例示的一些实施例中，开口704的形状彼此类似且/或开口704的尺吋彼此类似。根据诸如图8至图11所例示的一些实施例，开口704贯穿气体传导结构702的至少一部分均匀地分布。除图8至图11所示的那些以外的开口704的形状及/或组态在本揭露的范畴内。160.在一些实施例中，界定于气体传导结构702内且穿透气体传导结构702的开口704的数目、尺寸、形状、分布或其他特性中的至少一者根据各种因素在开口704之间改变。因此，快速申请(包括随附权利要求书的范畴)不限于本文中提供的实例。161.在一些实施例中，开口704中的第一开口的第一形状不同于开口704中的第二开口的第二形状。在一些实施例中，开口704中的第一开口的第一尺寸(诸如第一尺寸、第一横截面积及/或第一体积)不同于开口704中的第二开口的第二尺寸(诸如第二尺寸、第二横截面积及/或第二体积)。在一些实施例中，开口704中的第一开口的第一形状不同于开口704中的第二开口的第二形状，但第一开口的第一尺寸(诸如第一尺寸、第一横截面积及/或第一体积)类似于第二开口的第二尺寸(诸如第二尺寸、第二横截面积及/或第二体积)。在一些实施例中，开口704中的第一开口的第一尺寸(诸如第一尺寸、第一横截面积及/或第一体积)不同于开口704中的第二开口的第二尺寸(诸如第二尺寸、第二横截面积及/或第二体积)，但第一开口的第一形状类似于第二开口的第二形状。在一些实施例中，开口704中的第一开口具有圆锥形状且开口704中的第二开口具有圆锥形状，但第一圆锥形状大于第二圆锥形状。在一些实施例中，开口704中的第一开口具有圆柱形状且开口704中的第二开口具有圆柱形状，但第一圆柱形状大于第二圆柱形状。在一些实施例中，开口704贯穿气体传导结构702不均匀地分布。开口704中的第一开口以第一距离与开口704中的第二开口分离。开口704中的第二开口以第二距离与开口704中的第三开口分离。在一些实施例中，第二距离不同于第一距离。162.图12例示根据一些实施例的气体传导结构702的至少一部分的透视图。气体传导结构702界定第一复数组开口704。涵盖第一复数组开口704中的任何数目个组，其中各别组具有任何数目个开口704，这在组与组之间是相同或不同的。第一复数组开口704包含以下中的至少一者：第一组1202开口704、在第一组1202下的第二组1204开口704、在第二组1204下的第三组1206开口704、或一或多个其他组开口704。第一组1202比第二组1204更靠近标的物102。第二组1204比第三组1206更靠近标的物102。第一组1202的开口704的密度比第二组1204更大。第二组1204的开口704的密度比第三组1206更大。第一组1202的两个相邻开口704之间的距离1212小于第二组1204的两个相邻开口704之间的距离1210。第二组1204的两个相邻开口704之间的距离1210小于第三组1206的两个相邻开口704之间的距离1208。第一组1202具有任何数目个开口704，诸如一或多个开口。第二组1204具有任何数目个开口704，诸如一或多个开口。第三组1206具有任何数目个开口704，诸如一或多个开口。在一些实施例中，第一气体140向pvd空间116中的基本均匀的流动及/或分布发生在第一复数组开口704当中。在一些实施例中，第一气体140向pvd空间116中的流动在第一复数组开口704中的一或多个上部组(诸如第一组1202)当中比在第一复数组开口704中的一或多个下部组(诸如第三组1206)当中更大。第一复数组开口704的其他组态在本揭露的范畴内。163.图13例示根据一些实施例的气体传导结构702的至少一部分的透视图。气体传导结构702界定第二复数组开口704。涵盖第二复数组开口704中的任何数目个组，其中各别组具有任何数目个开口704，这在组与组之间是相同或不同的。第二复数组开口704包含以下中的至少一者：第一组1302开口704、在第一组1302下的第二组1304开口704、在第二组1304下的第三组1306开口704、或一或多个其他组开口704。第一组1302比第二组1304更靠近标的物102。第二组1304比第三组1306更靠近标的物102。第一组1302中的开口704大于第二组1304中的开口704。第二组1304中的开口704大于第三组1306中的开口704。在一些实施例中，第一组1302、第二组1304及第三组1306相对于彼此具有不同密度的开口704或不同数目个开口704。第一组1302具有任何数目个开口704，诸如一或多个开口。第二组1304具有任何数目个开口704，诸如一或多个开口。第三组1306具有任何数目个开口704，诸如一或多个开口。在一些实施例中，第一气体140向pvd空间116中的基本均匀的流动及/或分布发生在第二复数组开口704当中。在一些实施例中，第一气体140向pvd空间116中的流动在第二复数组开口704中的一或多个上部组(诸如第一组1302)当中比在第二复数组开口704中的一或多个下部组(诸如第三组1306)当中更大。第二复数组开口704的其他组态在本揭露的范畴内。164.图14例示根据一些实施例的气体传导结构702的至少一部分的透视图。气体传导结构702界定第三复数组开口704。涵盖第三复数组开口704中的任何数目个组，其中各别组具有任何数目个开口704，这在组与组之间是相同或不同的。第三复数组开口704包含以下中的至少一者：第一组1402开口704、在第一组1402下的第二组1404开口704、在第二组1404下的第三组1406开口704、或一或多个其他组开口704。第一组1402比第二组1404更靠近标的物102。第二组1404比第三组1406更靠近标的物102。第一组1402中的开口704、第二组1404中的开口704及第三组1406中的开口704相对于彼此具有不同的形状。第一组1402中的开口704的一或多个第一形状包含圆形横截面形状或其他合适形状中的至少一者。第二组1404中的开口704的一或多个第二形状包含矩形横截面形状或其他合适形状中的至少一者。第三组1406中的开口704的一或多个第三形状包含椭圆形横截面形状或其他合适形状中的至少一者。在一些实施例中，第一组1402、第二组1404及第三组1406相对于彼此具有不同密度的开口704或不同数目个开口704。第一组1402具有任何数目个开口704，诸如一或多个开口。第二组1404具有任何数目个开口704，诸如一或多个开口。第三组1406具有任何数目个开口704，诸如一或多个开口。在一些实施例中，第一气体140向pvd空间116中的基本均匀的流动及/或分布发生在第三复数组开口704当中。在一些实施例中，第一气体140向pvd空间116中的流动在第三复数组开口704中的一或多个上部组(诸如第一组1402)当中比在第三复数组开口704中的一或多个下部组(诸如第三组1406)当中更大。第三复数组开口704的其他组态在本揭露的范畴内。165.图15例示根据一些实施例的气体传导结构702的至少一部分的透视图。气体传导结构702界定第四复数组开口704。涵盖第四复数组开口704中的任何数目个组，其中各别组具有任何数目个开口704，这在组与组之间是相同或不同的。第四复数组开口704包含以下中的至少一者：第一组1502开口704、第二组1504开口704、第三组1506开口704、第四组1508开口704、或一或多个其他组开口704。第一组1502包含界定于气体传导结构702的第一部分中的开口704，该第一部分沿着气体传导结构702的圆周的一部分延伸。第二组1504包含界定于气体传导结构702的第二部分中的开口704，该第二部分沿着气体传导结构702的圆周的一部分延伸，其中气体传导结构702的第二部分与气体传导结构702的第一部分相邻。第三组1506包含界定于气体传导结构702的第三部分中的开口704，该第三部分沿着气体传导结构702的圆周的一部分延伸，其中气体传导结构702的第三部分与气体传导结构702的第二部分相邻。第四组1508包含界定于气体传导结构702的第四部分中的开口704，该第四部分沿着气体传导结构702的圆周的一部分延伸，其中气体传导结构702的第四部分与气体传导结构702的第三部分相邻。第一组1502的开口704的密度比第二组1504更大。第二组1504的开口704的密度比第三组1506更大。第三组1506的开口704的密度比第四组1508更大。第一组1502具有任何数目个开口704，诸如一或多个开口。第二组1504具有任何数目个开口704，诸如一或多个开口。第三组1506具有任何数目个开口704，诸如一或多个开口。第四组1508具有任何数目个开口704，诸如一或多个开口。在一些实施例中，第一气体140向pvd空间116中的基本均匀的流动及/或分布发生在第四复数组开口704当中。在一些实施例中，第一气体140向pvd空间116中的流动在气体传导结构702的一或多个上部区中的开口704当中比在气体传导结构702的一或多个下部区中的开口704当中更大。第四复数组开口704的其他组态在本揭露的范畴内。166.图16例示根据一些实施例的气体传导结构702的至少一部分的透视图。气体传导结构702界定第五复数组开口704。涵盖第五复数组开口704中的任何数目个组，其中各别组具有任何数目个开口704，这在组与组之间是相同或不同的。第五复数组开口704包含以下中的至少一者：第一组1602开口704、第二组1604开口704、第三组1606开口704、第四组1608开口704、或一或多个其他组开口704。第一组1602包含界定于气体传导结构702的第一部分中的开口704，该第一部分沿着气体传导结构702的圆周的一部分延伸。第二组1604包含界定于气体传导结构702的第二部分中的开口704，该第二部分沿着气体传导结构702的圆周的一部分延伸，其中气体传导结构702的第二部分与气体传导结构702的第一部分相邻。第三组1606包含界定于气体传导结构702的第三部分中的开口704，该第三部分沿着气体传导结构702的圆周的一部分延伸，其中气体传导结构702的第三部分与气体传导结构702的第二部分相邻。第四组1608包含界定于气体传导结构702的第四部分中的开口704，该第四部分沿着气体传导结构702的圆周的一部分延伸，其中气体传导结构702的第四部分与气体传导结构702的第三部分相邻。第一组1602中的开口704大于第二组1604中的开口704。第二组1604中的开口704大于第三组1606中的开口704。第三组1606中的开口704大于第四组1608中的开口704。在一些实施例中，第一组1602、第二组1604、第三组1606及第四组1608相对于彼此具有不同密度的开口704或不同数目个开口704。第一组1602具有任何数目个开口704，诸如一或多个开口。第二组1604具有任何数目个开口704，诸如一或多个开口。第三组1606具有任何数目个开口704，诸如一或多个开口。第四组1608具有任何数目个开口704，诸如一或多个开口。在一些实施例中，第一气体140向pvd空间116中的基本均匀的流动及/或分布发生在第五复数组开口704当中。在一些实施例中，第一气体140向pvd空间116中的流动在气体传导结构702的一或多个上部区中的开口704当中比在气体传导结构702的一或多个下部区中的开口704当中更大。第五复数组开口704的其他组态在本揭露的范畴内。167.图17例示根据一些实施例的气体传导结构702的至少一部分的透视图。气体传导结构702界定第六复数组开口704。涵盖第六复数组开口704中的任何数目个组，其中各别组具有任何数目个开口704，这在组与组之间是相同或不同的。第六复数组开口704包含以下中的至少一者：第一组1702开口704、第二组1704开口704、第三组1706开口704、第四组1708开口704、或一或多个其他组开口704。第一组1702包含界定于气体传导结构702的第一部分中的开口704，该第一部分沿着气体传导结构702的圆周的一部分延伸。第二组1704包含界定于气体传导结构702的第二部分中的开口704，该第二部分沿着气体传导结构702的圆周的一部分延伸，其中气体传导结构702的第二部分与气体传导结构702的第一部分相邻。第三组1706包含界定于气体传导结构702的第三部分中的开口704，该第三部分沿着气体传导结构702的圆周的一部分延伸，其中气体传导结构702的第三部分与气体传导结构702的第二部分相邻。第四组1708包含界定于气体传导结构702的第四部分中的开口704，该第四部分沿着气体传导结构702的圆周的一部分延伸，其中气体传导结构702的第四部分与气体传导结构702的第三部分相邻。第一组1702中的开口704、第二组1704中的开口704、第三组1706中的开口704及第四组1708中的开口704相对于彼此具有不同的形状。第一组1702中的开口704的一或多个第一形状包含圆形横截面形状或其他合适形状中的至少一者。第二组1704中的开口704的一或多个第二形状包含矩形横截面形状或其他合适形状中的至少一者。第三组1706中的开口704的一或多个第三形状包含椭圆形横截面形状或其他合适形状中的至少一者。第四组1708中的开口704的一或多个第四形状包含三角形横截面形状或其他合适形状中的至少一者。在一些实施例中，第一组1702、第二组1704、第三组1706及第四组1708相对于彼此具有不同密度的开口704或不同数目个开口704。第一组1702具有任何数目个开口704，诸如一或多个开口。第二组1704具有任何数目个开口704，诸如一或多个开口。第三组1706具有任何数目个开口704，诸如一或多个开口。第四组1708具有任何数目个开口704，诸如一或多个开口。在一些实施例中，第一气体140向pvd空间116中的基本均匀的流动及/或分布发生在第六复数组开口704当中。在一些实施例中，第一气体140向pvd空间116中的流动在气体传导结构702的一或多个上部区中的开口704当中比在气体传导结构702的一或多个下部区中的开口704当中更大。第六复数组开口704的其他组态在本揭露的范畴内。168.图18例示根据一些实施例的气体传导结构702的至少一部分的透视图。界定于气体传导结构702中的开口704与气体传导结构702的顶表面1810的距离改变。气体传导结构702界定第七复数组开口704。涵盖第七复数组开口704中的任何数目个组，其中各别组具有任何数目个开口704，这在组与组之间是相同或不同的。第七复数组开口704包含以下中的至少一者：第一组1802开口704、第二组1804开口704、第三组1806开口704、第四组1808开口704、或一或多个其他组开口704。第一组1802包含界定于气体传导结构702的第一部分中的开口704，该第一部分沿着气体传导结构702的圆周的一部分延伸。第二组1804包含界定于气体传导结构702的第二部分中的开口704，该第二部分沿着气体传导结构702的圆周的一部分延伸，其中气体传导结构702的第二部分与气体传导结构702的第一部分相邻。第三组1806包含界定于气体传导结构702的第三部分中的开口704，该第三部分沿着气体传导结构702的圆周的一部分延伸，其中气体传导结构702的第三部分与气体传导结构702的第二部分相邻。第四组1808包含界定于气体传导结构702的第四部分中的开口704，该第四部分沿着气体传导结构702的圆周的一部分延伸，其中气体传导结构702的第四部分与气体传导结构702的第三部分相邻。第一组1802中的开口704比第二组1804中的开口704更靠近顶表面1810。第一组1802中的开口704与顶表面1810之间的距离1812小于第二组1804中的开口704与顶表面1810之间的距离1814。第二组1804中的开口704比第三组1806中的开口704更靠近顶表面1810。第二组1804中的开口704与顶表面1810之间的距离1814大于第三组1806中的开口704与顶表面1810之间的距离1816。第三组1806中的开口704比第四组1804中的开口704更靠近顶表面1810。第三组1806中的开口704与顶表面1810之间的距离1816大于第四组1808中的开口704与顶表面1810之间的距离1818。第一组1802具有任何数目个开口704，诸如一或多个开口。第二组1804具有任何数目个开口704，诸如一或多个开口。第三组1806具有任何数目个开口704，诸如一或多个开口。第四组1808具有任何数目个开口704，诸如一或多个开口。在一些实施例中，第一气体140向pvd空间116中的基本均匀的流动及/或分布发生在第七复数组开口704当中。在一些实施例中，第一气体140向pvd空间116中的流动在气体传导结构702的一或多个上部区中的开口704当中比在气体传导结构702的一或多个下部区中的开口704当中更大。第七复数组开口704的其他组态在本揭露的范畴内。169.根据一些实施例，图19中例示方法1900。在1902处，处理标的物的边缘的第一部分以将标的物的边缘的第一部分的表面粗糙度增大至第一表面粗糙度。标的物是标的物102或其他合适标的物中的至少一者。标的物的边缘是边缘108或其他合适边缘中的至少一者。标的物的边缘的第一部分是第一部分110或其他合适部分中的至少一者。标的物的边缘自标的物的第一表面延伸至标的物的第二表面，该第二表面与标的物的第一表面相反。标的物的第一表面是第一表面104或其他合适表面中的至少一者。标的物的第二表面是第二表面106或其他合适表面中的至少一者。标的物的边缘的第一部分自标的物的第一表面向标的物的边缘的第二部分延伸至多约6毫米。标的物的边缘的第二部分是第二部分112或其他合适部分中的至少一者。边缘的第一部分的第一表面粗糙度高于标的物的边缘的第二部分的第二表面粗糙度。170.在一些实施例中，处理标的物的边缘的第一部分包含以下中的至少一者：对标的物的边缘的第一部分进行喷砂除污、对标的物的边缘的第一部分进行珠击、对标的物的边缘的第一部分进行滚纹、或执行其他合适的处理方法。171.在一些实施例中，在1902处的处理之后，将标的物转移至pvd腔室，诸如pvd腔室150或其他合适的pvd腔室中的至少一者。172.在一些实施例中，经由入口将第一气体引入至pvd腔室。第一气体是第一气体140或其他合适气体中的至少一者。入口是入口136或其他合适入口中的至少一者。第一气体是经由界定于pvd腔室中的气体传导结构中的一或多个开口传导至由pvd腔室界定的空间中。空间是pvd空间116或其他合适空间中的至少一者。一或多个开口是开口704或其他合适开口中的至少一者。气体传导结构是气体传导结构702或其他合适的气体传导结构中的至少一者。173.在一些实施例中，处理标的物的边缘的第一部分是基于pvd腔室来执行，以使得pvd腔室的腔室壁与标的物的边缘的第一部分之间的距离为至少临限值距离。腔室壁是腔室壁134、内腔室壁122或其他合适的腔室壁中的至少一者。临限值距离是第一临限值距离或其他合适的临限值距离中的至少一者。174.在一些实施例中，处理标的物的边缘的第一部分是基于以下中的至少一者来执行：标的物的粒度、标的物的材料、标的物的标的物类型、标的物的粘附性、或标的物的一或多种其他合适的标的物特性。175.在一些实施例中，用于处理标的物的边缘的第一部分的一或多种处理方法是基于标的物的粒度来选择。处理标的物的边缘的第一部分包含：在标的物的粒度超过第一临限值粒度的情况下执行第一处理方法。在一些实施例中，第一处理方法包含对标的物的边缘的第一部分进行滚纹，诸如辊滚纹或其他合适的滚纹。处理标的物的边缘的第一部分包含：在标的物的粒度小于第一临限值粒度的情况下执行第二处理方法。在一些实施例中，第二处理方法包含对标的物的边缘的第一部分进行喷砂除污，诸如低粗糙度喷砂除污或其他合适的喷砂除污。第一临限值粒度为约50微米至约70微米之间。第一临限值粒度的其他值在本揭露的范畴内。176.在一些实施例中，用于处理标的物的边缘的第一部分的一或多种处理方法是基于标的物的粘附性来选择。处理标的物的边缘的第一部分包含：在标的物的粘附性小于第一临限值粘附性的情况下执行第三处理方法。在一些实施例中，第三处理方法包含诸如使用包含tial或其他合适材料中的至少一者的珠及/或熔融珠对标的物的边缘的第一部分进行珠击。177.在一些实施例中，标的物的边缘的第一部分的所要表面粗糙度是基于标的物的粒度来选择。在一些实施例中，处理标的物的边缘的第一部分是基于所要表面粗糙度来执行，以使得第一部分的第一表面粗糙度约等于所要表面粗糙度或在所要表面粗糙度的临限值范围内。在一些实施例中，在标的物的粒度小于第二临限值粒度的情况下，所要表面粗糙度为约1微米至约10微米之间(诸如约3微米至约8微米之间，或诸如约5微米至约8微米之间)。在一些实施例中，在标的物的粒度大于第二临限值粒度的情况下，所要表面粗糙度为约10微米至约30微米之间(诸如约12微米至约23微米之间)。第二临限值粒度为约50微米至约70微米之间。第二临限值粒度的其他值在本揭露的范畴内。178.在一些实施例中，用于处理标的物的边缘的第一部分的一或多种处理方法是基于标的物的边缘的第一部分的所要表面粗糙度来选择。处理标的物的边缘的第一部分包含：在所要表面粗糙度超过第一临限值所要表面粗糙度的情况下执行第四处理方法。在一些实施例中，第四处理方法包含对标的物的边缘的第一部分进行滚纹，诸如辊滚纹或其他合适的滚纹。处理标的物的边缘的第一部分包含：在所要表面粗糙度小于第一临限值所要表面粗糙度的情况下执行第五处理方法。在一些实施例中，第五处理方法包含对标的物的边缘的第一部分进行喷砂除污，诸如低粗糙度喷砂除污或其他合适的喷砂除污。179.在一些实施例中，标的物的标的物材料诸如在使用标的物执行的pvd制程期间经沉积至pvd腔室中的晶圆上。晶圆是晶圆118或其他合适晶圆中的至少一者。180.一或多个实施例涉及计算机可读媒体，其包含用以实施本文所呈现的技术中的一或多者的处理器可执行指令。图20中例示示范性计算机可读媒体，其中实施例2000包含计算机可读媒体2008(例如，cd-r、dvd-r、快闪驱动器、硬盘驱动器的磁盘等)，其上编码有计算机可读数据2006。此计算机可读数据2006继而包含一组处理器可执行的计算机指令2004，处理器可执行的计算机指令2004用以在由处理器执行时实施本文中阐述的原理中的一或多者。在一些实施例中2000中，处理器可执行的计算机指令2004用以在由处理器执行时实施方法2002，诸如前述方法中的至少一些。在一些实施例中，处理器可执行的计算机指令2004用以在由处理器执行时实施系统，诸如一或多个前述系统中的至少一些。一般熟悉此项技术者可设计出用以根据本文所呈现的技术来操作的许多此类计算机可读媒体。181.在一些实施例中，提供一种pvd系统。pvd系统包括pvd腔室，该pvd腔室界定pvd空间，在该pvd空间内将标的物的标的物材料沉积至晶圆上。pvd系统包括pvd腔室中的标的物。标的物用以覆盖在晶圆上。标的物的边缘自标的物的第一表面延伸至标的物的第二表面，该第二表面与标的物的第一表面相反。标的物的边缘的第一部分具有第一表面粗糙度。标的物的边缘的第一部分自标的物的第一表面朝向标的物的边缘的第二部分延伸至多约6毫米。标的物的边缘的第二部分具有小于第一表面粗糙度的第二表面粗糙度。在一些实施例中，标的物的边缘的一第一区域具有一第一尺寸，第一区域自标的物的第一表面延伸并且在标的物的边缘的第二部分的一第一区域上且朝向第一区域延伸；标的物的边缘的一第二区域具有一第二尺寸，第二区域自标的物的第一表面延伸并且在标的物的边缘的第二部分的一第二区域上且朝向第二区域延伸；且第一尺寸不同于第二尺寸。在一些实施例中，标的物的边缘的一第一区域具有一第一形状，第一区域自标的物的第一表面延伸并且在标的物的边缘的第二部分的一第一区域上且朝向第一区域延伸；标的物的边缘的一第二区域具有一第二形状，第二区域自标的物的第一表面延伸并且在标的物的边缘的第二部分的一第二区域上且朝向第二区域延伸；第一形状不同于第二形状。在一些实施例中，标的物的边缘的第一部分经喷砂除污以达成第一表面粗糙度。在一些实施例中，标的物的边缘的一第一区域自标的物的第一表面朝向标的物的边缘的第二部分的一第一区域延伸一第一距离；标的物的边缘的一第二区域自标的物的第一表面朝向标的物的边缘的第二部分的一第二区域延伸一第二距离；第一距离不同于第二距离。在一些实施例中，pvd系统还包含一加热器。加热器位于pvd腔室中，用于对晶圆进行加热。在一些实施例中，pvd腔室还包含一背板结构。背板结构位在标的物上。182.在一些实施例中，提供一种pvd系统。pvd系统包括一pvd腔室、一屏蔽结构与一气体传导结构。pvd腔室界定pvd空间，在pvd空间内将标的物的标的物材料沉积至晶圆上。pvd腔室包含一入口以将第一气体引入至pvd腔室中。屏蔽结构位于pvd腔室中以禁止第一气体自pvd空间散逸。气体传导结构位于pvd腔室中，以将第一气体引导至pvd空间中。气体传导结构在屏蔽结构的壁与晶圆之间。在一些实施例中，一或多个开口界定于气体传导结构中；上述开口中的一第一开口自气体传导结构的一内侧壁延伸至气体传导结构的一外侧壁，气体传导结构的外侧壁与内侧壁相反；且内侧壁面向pvd空间。在一些实施例中，第一气体的至少一部分经由第一开口流入pvd空间中。在一些实施例中，上述开口中的一第二开口自气体传导结构的内侧壁延伸至气体传导结构的外侧壁。第一开口具有一第一形状；第二开口具有一第二形状；且第一形状不同于第二形状。在一些实施例中，上述开口中的一第二开口自气体传导结构的内侧壁延伸至气体传导结构的外侧壁；第一开口具有一第一尺寸；第二开口具有一第二尺寸，且第一尺寸不同于第二尺寸。在一些实施例中，上述开口中的一第二开口自气体传导结构的内侧壁延伸至气体传导结构的外侧壁；上述开口中的一第三开口自气体传导结构的内侧壁延伸至气体传导结构的外侧壁。第一开口以一第一距离与第二开口分离。第二开口以一第二距离与第三开口分离。第一距离不同于第二距离。在一些实施例中，pvd系统还包含一发电机。发电机耦接至pvd腔室，用于产生一射频电力以在pvd空间中自第一气体建立一电浆。在一些实施例中，pvd系统还包含一晶圆支撑件。晶圆支撑件位于pvd腔室中，用于支撑pvd腔室中的晶圆。在一些实施例中，pvd系统还包含以下特征。pvd腔室中的标的物；标的物用以覆盖在晶圆上；标的物的一边缘自标的物的一第一表面延伸至标的物的一第二表面，标的物的第二表面与第一表面相反；标的物的边缘的一第一部分具有一第一表面粗糙度；标的物的边缘的第一部分自标的物的第一表面朝向标的物的边缘的一第二部分延伸至多约6毫米；标的物的边缘的第二部分具有小于第一表面粗糙度的一第二表面粗糙度。183.在一些实施例中，提供一种处理标的物的方法。处理标的物的方法包括：处理标的物的边缘的第一部分以将标的物的边缘的第一部分的表面粗糙度增大至第一表面粗糙度。标的物的边缘自标的物的第一表面延伸至标的物的第二表面，该第二表面与标的物的第一表面相反。标的物的边缘的第一部分自标的物的第一表面朝向标的物的边缘的第二部分延伸至多约6毫米。标的物的边缘的第一部分的第一表面粗糙度高于标的物的边缘的第二部分的第二表面粗糙度。在一些实施例中，处理标的物的边缘的第一部分的步骤包含以下步骤。对标的物的边缘的第一部分进行喷砂除污。在一些实施例中，处理标的物的方法还包含以下步骤。将标的物转移至一pvd腔室；经由一入口将一第一气体引入至pvd腔室；将第一气体经由界定于pvd腔室中的一气体传导结构中的一或多个开口传导至由pvd腔室界定的一空间中。在一些实施例中，处理标的物的方法还包含以下步骤。将标的物转移至一pvd腔室，处理标的物的边缘的第一部分是基于pvd腔室来执行，以使得pvd腔室的一腔室壁与标的物的边缘的第一部分之间的一距离为至少一临限值距离。184.前述内容概述了若干实施例的特征，以便熟悉此项技术者可更好地理解本揭露的态样。熟悉此项技术者应了解，他们可容易使用本揭露作为基础来设计或修改其他制程及结构以便实现本文所介绍的实施例的相同目的及/或达成此等实施例的相同优点。熟悉此项技术者亦应意识到，此类等效构造不脱离本揭露的精神及范畴，且他们可在不脱离本揭露的精神及范畴的情况下在本文中进行各种改变、替代及变更。185.尽管已经用特定于结构特征或方法动作的语言来描述主题，但是应理解，随附权利要求书的主题不一定限于上文描述的特定特征或动作。相反，上文描述的特定特征及动作是揭示为实施权利要求中的至少一些的示范性形式。186.本文中提供了实施例的各种操作。描述操作中的一些或全部的次序不应理解为暗示这些操作一定是次序相依的。得益于本描述，将了解替代性排序。此外，将理解，不一定所有操作都存在于本文中提供的每一实施例中。此外，将理解，在一些实施例中并非所有操作都是必需的。187.将了解，例如为了简单及容易理解的目的，本文中描绘的层、特征、元件等经例示为相对于彼此具有特定尺寸，诸如结构尺寸或定向，且其实际尺寸在一些实施例中基本不同于本文所例示的尺寸。因此，存在用于形成本文中提及的层、区、特征、元件等的多种技术，诸如以下中的至少一者：蚀刻技术、平坦化技术、植入技术、掺杂技术、旋涂技术、溅镀技术、生长技术、或诸如化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)的沉积技术。188.此外，“示范性”在本文中用于意谓用作实例、例子、例示等，且不一定是有利的。如本技术案中所使用，“或”意欲意谓包含性“或”而非排他性“或”。另外，如本技术案及附随权利要求书中所使用的“一”一般应理解为意谓“一或多个”，除非另外规定或从上下文中显而易见是针对单数形式。此外，a及b中的至少一者及/或类似物一般意谓a或b或者a及b两者。此外，在使用“包括”、“具有”或其变型的情况下，此类术语意欲为包含性的，方式与术语“包含”类似。此外，除非另外规定，否则“第一”、“第二”或类似物不意欲暗示时间态样、空间态样或排序等。相反，此类术语仅仅用作特征、元件、项目等的识别符、名称等。例如，第一元件及第二元件一般对应于元件a及元件b或两个不同的元件或两个相同的元件或同一元件。189.此外，尽管已经参考一或多个实施方案来展示且描述本揭露，但是基于阅读并理解本说明书及随附附图，其他一般熟悉此项技术者将想到等效的替代及修改。本揭露包含所有此类修改及替代且仅由所附权利要求书的范畴限制。特别是关于由上述组件(例如，元件、资源等)执行的各种功能，用于描述此类组件的术语意欲(除非另外指出)对应于执行所描述组件的规定功能的(例如，功能上等效的)、但是结构上不等效于所揭示结构的任何组件。另外，虽然可能已经参考若干实施方案中的仅一者来揭示本揭露的特定特征，但此种特征可与其他实施方案的一或多个其他特征相结合，这对于任何给定或特定应用可为所要的且有利的。









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