硫族化物材料的保护性密封剂和其形成方法与流程

电气元件制品的制造及其应用技术硫族化物材料的保护性密封剂和其形成方法1.交叉引用2.本专利申请案要求保护古德(good)等人于2019年12月31申请的名称为“硫族化物材料的保护性密封剂和其形成方法(protective sealant for chalcogenide material and methods for forming the same)”的美国专利申请案第16/731,963号的优先权，所述申请案让与给其受让人，且所述申请案明确地以全文引用的方式并入本文中。背景技术：3.以下内容大体上涉及包含至少一个存储器装置的一或多个系统，且更具体来说涉及一种硫族化物材料的保护性密封剂和一种用于形成保护性密封剂的方法。4.存储器装置广泛用于在例如计算机、无线通信装置、摄影机、数字显示器和其类似者的各种电子装置中存储信息。信息通过编程存储器装置的不同状态而进行存储。举例来说，二进制装置最常存储通常由逻辑1或逻辑0表示的两种状态中的一者。在其它装置中，可存储多于两种状态。为了存取所存储信息，装置的组件可读取或感测存储器装置中的至少一种所存储状态。为了存储信息，装置的组件可在存储器装置中写入或编程状态。5.存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻ram(rram)、闪存、相变存储器(pcm)、其它基于硫族化物的存储器和其它存储器装置。存储器装置可以是易失性的或非易失性的。6.一般来说，改进存储器装置可包含增加存储器单元密度、提高读取/写入速度、增强可靠性、延长数据保持、降低功耗或缩减制造成本和其它方式。可能需要用于节省存储器阵列中的空间、增加存储器单元密度或减小存储器阵列的总功率使用的解决方案。附图说明7.图1说明了根据如本文中所公开的实例的支持硫族化物材料的保护性密封剂和其形成方法的存储器阵列的实例。8.图2a至2e说明了根据如本文中所公开的实例的支持硫族化物材料的保护性密封剂和其形成方法的实例存储器阵列的各种视图。9.图3说明了根据如本文中所公开的实例的支持硫族化物材料的保护性密封剂和其形成方法的强接合情况的实例。10.图4说明了根据如本文中所公开的实例的支持硫族化物材料的保护性密封剂和其形成方法的弱接合情况的实例。11.图5至8展示了说明根据如本文中所公开的实例的支持硫族化物材料的保护性密封剂和其形成方法的一或多种方法的流程图。具体实施方式12.一些存储器装置可包含硫族化物材料以充当存储器单元的存储组件以存储数据。随着存储器装置的组件的大小变得较小，通过蚀刻一些材料而引起的损坏可开始影响那些材料的性能。举例来说，存储器单元在存储数据时的有效性可与未受损或活动的存储器单元的硫族化物材料的量相关。在使用蚀刻操作暴露硫族化物材料的侧壁之后，后续步骤(例如蚀刻电极材料、清理阶段、沉积阶段或暴露于空气)可损坏硫族化物材料和/或使不合需要的化学成分混合在硫族化物材料中，借此减小适用于存储信息的硫族化物材料的块状或活性材料的体积。在更具体的实例中，如果工艺损坏一微米的材料，那么所损坏的块状或活性材料的百分比将按材料的总大小计。随着材料的大小变得较小，由给定工艺损坏的块状材料的百分比可增加。13.描述了用以形成衬垫以在制造工艺的后续操作或阶段期间保护例如存储元件材料的材料免于损坏的技艺。衬垫可使用强接合或弱接合来接合到材料(例如，硫族化物材料)。在一些情况下，可在制造工艺的蚀刻阶段期间沉积密封剂材料以防止后续蚀刻操作损坏刚刚蚀刻的材料。14.本公开的特征最初在如参考图1所描述的存储器阵列的上下文中描述。本公开的特征在如参考图2a至4所描述的上下文存储器阵列和接合情况中描述。本公开的这些和其它特征进一步由流程图说明且参考流程图描述，所述流程图涉及如参考图5至8所描述的硫族化物材料的保护性密封剂和其形成方法。15.图1说明了根据如本文中所公开的实例的支持硫族化物材料的保护性密封剂和其形成方法的存储器阵列100(例如，三维(3d)存储器阵列)的实例。存储器阵列100可包含定位于衬底104上方的存储器单元的第一阵列或甲板105和在第一阵列或甲板105的顶部上的存储器单元的第二阵列或甲板108和/或在甲板108的顶部上重复的更多甲板。16.存储器阵列100可包含字线110(例如，字线110-a和110-b)和数字线115。第一甲板105和第二甲板108的存储器单元各自可具有一或多个自选择存储器单元。第一甲板105和第二甲板108的存储器单元各自可具有零个、一或多个存储器单元(例如，分别为存储器单元125-a和存储器单元125-b)。尽管图2中所包含的一些元件以数字指示符进行标记，其它对应元件未被标记，但在努力提高所描绘特征的可视性和清晰度的过程中，所述元件相同或将被理解为类似的。17.第一甲板105的存储器单元可包含第一电极120-a、存储器单元125-a(例如，包含硫族化物材料)和第二电极130-a。另外，第二甲板108的存储器单元可包含第一电极120-b、存储器单元125-b(例如，包含硫族化物材料)和第二电极130-b。在一些实例中，第一甲板105和第二甲板108的存储器单元可具有共同导电线，以使得每一甲板105和108的对应存储器单元可共享位线115或字线110。举例来说，第二甲板108的第一电极120-b和第一甲板105的第二电极130-a可耦合至位线115以使得位线115由竖直邻近存储器单元共享。如果存储器阵列100包含多于一个甲板，那么解码器可定位于每一甲板上方或下方。举例来说，解码器可定位于第一甲板105上方和第二甲板108上方。在一些情况下，存储器单元125可以是相变存储器单元或自选择存储器单元的实例。18.在一些实例中，存储器单元可通过将电脉冲提供到单元来编程，所述单元可包含存储器存储元件。脉冲可经由第一存取线(例如，字线110)或第二存取线(例如，数字线115)或其组合提供。在一些情况下，在提供脉冲后，取决于存储器单元的极性，离子可在存储器存储元件内迁移。因此，相对于存储器存储元件的第一侧或第二侧的离子或原子的浓度可至少部分地基于第一存取线与第二存取线之间的电压的极性。在一些情况下，经不对称成形的存储器存储元件可使离子在具有更大面积的元件的部分处更拥挤。存储器存储元件的某些部分可具有较高电阻率，且因此可引起比存储器存储元件的其它部分更高的阈值电压。离子迁移的此描述表示用于达成本文中所描述的结果的自选择存储器单元的机制的实例。机制的此实例不应视为限制性的。本公开还包含用于达成本文中所描述的结果的自选择存储器单元的机制的其它实例。19.存储器阵列100的架构可称为交叉点架构，在一些情况下，在所述交叉点架构中，存储器单元形成于如图1中所说明的字线与位线之间的拓朴交叉点处。此交叉点架构可提供与其它存储器架构相比具有较低生产成本的相对较高密度数据存储。举例来说，交叉点架构可具有面积减小的存储器单元，且因而与其它架构相比可具有增加的存储器单元密度。举例来说，与具有6f2存储器单元面积的其它架构(例如具有三端选择组件的架构)相比，所述架构可具有4f2存储器单元面积，其中f是最小特征大小。举例来说，dram可使用晶体管(其是三端装置)作为每一存储器单元的选择组件，且与交叉点架构相比可具有较大存储器单元面积。20.虽然图1的实例展示了两个存储器甲板，但其它配置是可能的。在一些实例中，存储器单元的单个存储器甲板可被构建在衬底104上方，其可称为二维存储器。在一些实例中，存储器单元的三个或四个存储器甲板可以类似方式被配置于三维交叉点架构中。21.在一些实例中，存储器甲板中的一或多者可包含存储器单元125，所述存储器单元125包含硫族化物材料。举例来说，存储器单元125可包含硫族化物玻璃，例如(例如)硒(se)、碲(te)、砷(as)、锑(sb)、碳(c)、锗(ge)和硅(si)的合金。在一些实例中，主要具有硒(se)、砷(as)和锗(ge)的硫族化物材料可称为sag合金。在一些实例中，sag合金可包含硅(si)或铟(in)或其组合，且此类硫族化物材料可分别称为sisag合金或insag合金，或其组合。在一些实例中，硫族化物玻璃可包含各自呈原子或分子形式的额外元素，例如氢(h)、氧(o)、氮(n)、氯(cl)或氟(f)。22.在一些实例中，包含硫族化物材料的存储器单元125可通过施加第一电压经编程成逻辑状态。借助于实例，在特定存储器单元125经编程时，单元内的元素分离，从而引起离子迁移。取决于施加到存储器单元的电压的极性，离子可朝向特定电极迁移。举例来说，在存储器单元125中，离子可朝向负电极迁移。随后可通过跨单元施加电压来读取存储器单元以进行感测。在读取操作期间所看见的阈值电压可基于存储器单元中的离子分布和读取脉冲的极性。在其它实例中，在特定存储器单元125使用电压进行编程时，可在单元材料中诱导结构相位变化，从而使单元材料变为晶形或非晶形的。可通过跨单元施加电压来读取存储器单元125以感测非晶形存储器单元的高电阻状态或晶形存储器单元的低电阻状态。23.在一些情况下，作为存储器单元125的存取操作的部分，可将第一电压施加到解码器的第一导电线。在施加第一电压后，第一导电线可与同存储器单元125相关联的存取线(例如，字线110-a、字线110-b或位线115)耦合。举例来说，第一导电线可基于解码器的掺杂材料与存取线耦合，所述掺杂材料在第一方向上在第一导电线与存取线之间延伸。24.在一些实例中，可基于将解码器的第一导电线与存取线耦合来将第一电压施加到存储器单元125。解码器可包含在远离衬底104的表面的第一方向上在第一导电线与存储器单元的存储器阵列100的存取线之间延伸的一或多种掺杂材料。在一些情况下，解码器可与衬底104耦合。25.衬垫可形成于存储器阵列100中以在制造工艺的后续操作或阶段期间保护例如存储器单元125的材料免于损坏。衬垫可使用强接合或弱接合来接合到材料(例如，硫族化物材料)。在一些情况下，可在制造工艺的蚀刻阶段期间沉积密封剂材料以防止后续蚀刻操作损坏刚刚蚀刻的材料。26.图2a至2e说明根据如本文中所公开的实例的在可经执行以形成堆叠存储器装置的一系列步骤或工艺期间的实例存储器阵列200-a、200-b、200-c、200-d和200-e的各种视图。具体地，在图2a至2e中，展示了在存储器阵列结构中形成硫族化物单元材料的保护性接合取代的方法。27.各种技艺可用于形成存储器阵列200的材料或组件。这些技艺可包含例如化学气相沉积(cvd)、金属有机化学气相沉积(mocvd)、物理气相沉积(pvd)、溅镀沉积、原子层沉积(ald)或分子束外延法(mbe)，以及其它薄膜生长技艺。可使用多种技艺去除材料，所述技艺可包含例如化学蚀刻(也称为“湿式蚀刻”)、等离子体蚀刻(也称为“干式蚀刻”)或化学机械平坦化(cmp)。28.虽然为清楚和易于说明起见而未展示，但应理解，所说明阵列结构形成于衬底上方，除了其它以外，所述阵列结构可包含各种外围和支持电路系统，例如形成列和行驱动器电路系统和感测放大器电路系统的一部分的互补金属氧化物半导体(cmos)晶体管，以及通过上文所描述的列和行将此电路系统连接到存储器阵列的插座和布线。另外，衬底可包含一或多个存储器阵列或阵列的“甲板”。如本文中所使用，术语衬底包含块体半导体衬底以及形成于其上方的集成结构。29.图2a说明了根据如本文中所公开的实例的支持硫族化物材料的保护性密封剂和其形成方法的存储器阵列200-a的横截面图。存储器阵列200-a可包含更早处理步骤中所形成的材料的堆叠205。堆叠205可经配置以最终形成多个存储器单元，如本文中所描述。30.材料的堆叠205可包含定位在堆叠205中的其它材料的顶部上且定位成邻近于所述其它材料的多种材料。材料的堆叠205可包含氧化物材料210、导电材料215、薄层材料220、底部电极材料225、硫族化物材料230、顶部电极材料235和一或多种硬式掩模材料240。31.氧化物材料210可定位在材料的堆叠205的底部处。在一些实例中，氧化物材料210可以是与存储器单元相关联的衬底的实例。氧化物材料210可以是介电材料的实例。在一些实例中，氧化物材料210可形成于硬式掩模(未展示)上方。32.导电材料215可以是可作为一或多个存储器单元的存取线操作的。在一些实例中，导电材料215可以是与存储器单元相关联的字线的实例。在一些情况下，导电材料215可与氧化物材料210耦合或可定位于氧化物材料210上方。导电材料215可包含钨或铜或其组合。在一些实例中，导电材料215可用于形成导电线。33.薄层材料220可以是薄金属薄层的实例。薄层材料220可耦合或定位于导电材料215上方。34.底部电极材料225可以是与硫族化物材料230的电导体或电接点的实例。底部电极材料225可定位于薄层材料220与硫族化物材料230之间。在一些实例中，底部电极材料225可与导电材料215耦合。在此类实例中，薄层材料220不可存在于材料的堆叠205中。在一些实例中，底部电极材料225可由基于碳的材料或氮化物材料形成。在一些情况下，底部电极材料225可称为导电材料。35.硫族化物材料230可操作以基于施加到硫族化物材料230的电压来存储数据。举例来说，硫族化物材料230可操作以基于施加第一电压脉冲来存储第一状态且基于施加第二电压脉冲来存储第二状态。硫族化物材料230可用于形成任何类型的基于硫族化物的存储器单元，包含相变存储器单元、自选择存储器单元或使用硫族化物形成的另一类型的存储器单元。硫族化物材料230可与底部电极材料225、顶部电极材料235或其组合耦合。硫族化物材料230可以是存储元件材料的实例。在一些情况下，硫族化物材料230可形成存储元件。在一些情况下，硫族化物材料230可形成另一类型的元件，例如选择器。在一些情况下，参考硫族化物材料230所描述的特征可被应用于其它类型的材料，包含其它类型的存储元件材料。36.顶部电极材料235可以是与硫族化物材料230的电导体或电接点的实例。顶部电极材料235可定位于硫族化物材料230上方。在一些实例中，顶部电极材料235可由基于碳的材料或氮化物材料形成。在一些情况下，顶部电极材料235可称为导电材料。37.硬式掩模材料240可定位于顶部电极材料235上方且与所述顶部电极材料235耦合。硬式掩模材料240可为保护底层材料的部分的蚀刻掩模的实例。在此类实例中，可在制造工艺的蚀刻阶段期间保护在硬式掩模材料240下的区域免于蚀刻。例如沟槽245的一或多个沟槽可形成于硬式掩模材料240中或之间。沟槽245可例如至少部分地利用光刻掩模技艺来形成。蚀刻操作可使用各种技艺去除材料，所述技艺可包含例如化学蚀刻(也称为“湿式蚀刻”)、等离子体蚀刻(也称为“干式蚀刻”)或其组合。38.用于形成存储器单元的阵列的制造工艺可包含形成存储器阵列200-a的材料的堆叠205。根据堆叠205，存储器单元可由制造工艺形成。制造工艺可包含各自可定义用于推进制造工艺的步骤的一或多个参数的一或多个阶段。阶段的实例可以是用于蚀刻材料的至少一部分的一或多个蚀刻阶段、用于将材料沉积到堆叠205上的一或多个沉积阶段和用于从材料的堆叠205去除污染物的一或多个清理阶段。每一阶段可包含一或多个蚀刻过程、一或多个沉积过程或一或多个清理过程，或其组合。举例来说，制造工艺的蚀刻阶段可包含至少两个不同蚀刻参数。在此类实例中，第一蚀刻参数集合可用于蚀刻第一材料(例如，硫族化物材料230)，且与第一集合不同的第二蚀刻参数集合可用于蚀刻第二材料(例如，底部电极材料225)。可基于材料的特性来针对不同材料使用不同蚀刻参数集合。举例来说，第一材料可比第二材料更软，且不同参数可减少或缓和对经蚀刻的材料的不合需要的损坏。39.蚀刻阶段可包含蚀刻堆叠205中的多种材料。举例来说，单个蚀刻阶段可包含蚀刻顶部电极材料235、硫族化物材料230和底部电极材料225。蚀刻可自上而下发生，且因此堆叠205的顶部处的材料(例如，顶部电极材料235)可暴露于与不同蚀刻参数集合相关的蚀刻化学物质。在堆叠205中较高的材料比堆叠205中较低的材料(例如，底部电极材料225)更软或对某些蚀刻化学物质(例如，硫族化物材料230)具有更少的弹性时，用于蚀刻较低材料(例如，底部电极材料225)的蚀刻化学物质可损坏较高材料(例如，硫族化物材料230)。40.本文中描述了用于在硫族化物材料230的表面上形成衬垫以在相同蚀刻阶段期间保护所述硫族化物材料230免于与其它工艺相关联的蚀刻化学物质的影响或保护所述硫族化物材料230免于其它阶段的其它化学物质或工艺的影响的技艺。在蚀刻阶段期间，硫族化物材料230的一或多个表面可通过蚀刻工艺暴露。一或多种材料可在蚀刻阶段期间沉积于硫族化物材料230的一或多个暴露表面上以在硫族化物材料230的一或多个暴露表面上形成衬垫。在一些实例中，衬垫可产生与硫族化物材料230的强接合。在一些实例中，衬垫可产生与硫族化物材料230的弱接合。在此类实例中，衬垫的部分可在制造工艺的其它工艺或阶段期间被置换。41.图2b说明了根据如本文中所公开的实例的支持硫族化物材料的保护性密封剂和其形成方法的存储器阵列200-b的横截面图。存储器阵列200-b可以是参考图2a所描述的在用于蚀刻材料的堆叠205的蚀刻阶段期间的存储器阵列200-a的实例。举例来说，蚀刻阶段可被执行以从材料的连续薄片形成硫族化物材料230的线。产生此类线可使存储器阵列200-b更接近具有由硫族化物材料230形成的个别存储器单元。蚀刻阶段可使沟槽245更深地延伸到堆叠205材料中，尤其在不受硬式掩模材料240保护的区域中。42.蚀刻阶段可暴露存储器阵列200-b的一或多个层的侧壁。举例来说，蚀刻阶段可暴露顶部电极材料235、硫族化物材料230、底部电极材料225、薄金属薄层材料220的一或多个侧壁，或其组合可通过蚀刻阶段暴露。举例来说，硫族化物材料230的一或多个侧壁250可通过蚀刻暴露。在图2b中所展示的实例中，暴露侧壁250中的一些的一部分，同时其它侧壁250展示经暴露的较大部分。在蚀刻阶段完成之后，侧壁250可完全暴露。43.在蚀刻阶段期间，可蚀刻堆叠205中的不同材料，且这些不同材料可使用不同蚀刻参数或湿式或干式蚀刻化学物质来去除材料。举例来说，电极材料225和235可由比硫族化物材料230更硬的材料形成且可使用更强参数集合或蚀刻化学物质来进行蚀刻。因为一些材料可能在其它材料之后蚀刻，所以后续材料的蚀刻可损坏先前被蚀刻的材料。44.随着线的大小在存储器装置中变得较小，由蚀刻引起的损坏可产生更显著的影响。举例来说，存储器单元在存储数据时的有效性可与未受损的块体的量相关。在硫族化物材料230的侧壁250暴露之后，后续步骤(例如，蚀刻底部电极材料225、清理阶段或沉积阶段)可损坏硫族化物材料和/或使不合需要的化学成分在一或多个层中混合，借此减小适用于存储信息的硫族化物材料230的块体的体积。随着材料的大小变得较小，由给定工艺损坏的硫族化物材料的块体的百分比可增加。为了缓和在蚀刻之后对材料的损坏，可在蚀刻阶段期间沉积材料(例如，密封剂材料)以沿着受保护的材料的所暴露侧壁形成保护性衬垫。45.密封剂材料255可沉积到存储器阵列200-b的沟槽245中。密封剂材料255可被形成为所暴露侧壁的一或多个部分上方的保护性层。密封剂材料255可被形成为预定厚度。另外地或可替代地，密封剂材料255可包含硅。46.密封剂材料255可接触每一沟槽245的第一侧壁、第二侧壁和/或底部壁。在沉积之后，密封剂材料255可接触硫族化物材料230的侧壁250。在硫族化物材料230的侧壁250上形成衬垫270(在图2c中展示)可保护硫族化物材料230免于可通过损坏表面和/或使不合需要的化学成分在一或多个层中混合来劣化硫族化物材料230的不同后续蚀刻、清理或沉积工艺(例如，连续等离子体聚合、等离子体沉积等)的影响。衬垫270可通过靶向接合工艺在硫族化物材料230上实现边缘组合物，借此减少可在后续工艺(例如，干式蚀刻工艺、等离子体蚀刻工艺、湿式蚀刻工艺等)期间通过使用离子/基团循环发生的损坏。举例来说，例如基团和/或离子的高能反应物种可在蚀刻工艺期间产生。在一些情况下，基团和/或离子转移可发生(例如，一或多个离子和/或基团可沉积于硫族化物材料的一或多个边缘上)。另外地或可替代地，一或多个离子和/或基团可定位于硫族化物材料的块体中。47.如图2b中所展示，离子260和/或基团265可通过基团取代工艺或反应形成于硫族化物材料230的侧壁250上以产生反应性中间物手柄(reactive intermediate handle)。离子260和/或基团265可经沉积以形成衬垫270，如通过图2c所展示。衬垫270可形成于硫族化物材料230上以缓和与制造工艺的后续阶段或操作相关联的污染和/或元素损失。48.衬垫270可使用如参考图3所描述的强接合方案形成。可替代地，衬垫270可使用如参考图4所描述的弱接合方案形成。在使用弱接合方案时，衬垫270的一或多个部分的组合物可通过制造方案中的后续操作更改。在此类实例中，经沉积以形成衬垫270的密封剂材料可经配置以通过后续操作的化学物质更改。在弱接合情况的一些实例中，可使硫族化物材料230的侧壁250氧化。稍后，还原可在沉积工艺(例如，ald或cvd沉积工艺)中发生。49.可在执行硫族化物材料230的蚀刻的同时沉积密封剂材料。在一些实例中，密封剂材料可在蚀刻硫族化物材料230之后但在蚀刻底部电极材料225之前沉积。在蚀刻底部电极材料225时，由密封剂材料形成的衬垫270可保护硫族化物材料230以免于损坏硫族化物材料230和/或使不合需要的化学成分与硫族化物材料230混合。蚀刻底部电极材料225可在沉积密封剂材料之后发生。蚀刻底部电极材料225仍然可损坏衬垫270或使化学成分与衬垫270混合。在一些情况下，衬垫270可在蚀刻底部电极材料225期间或之后通过沉积密封剂材料(例如，第三密封剂材料)以补充、修复或添加到衬垫270来进行修复。衬垫270可通过在制造工艺的任何操作或阶段之后或期间沉积更多的密封剂材料来修复。50.图2c说明了根据如本文中所公开的实例的支持硫族化物材料的保护性密封剂和其形成方法的存储器阵列200-c的横截面图的实例。存储器阵列200-c可为参考图2b所描述的在已对材料的堆叠205的部分执行蚀刻和/或湿式清理工艺之后的存储器阵列200-b的实例。作为蚀刻阶段的部分，一或多个衬垫270形成于硫族化物材料230的侧壁250上。衬垫270(例如，硫族化物材料230的工程化侧壁)可以是自组装单层(sam)或共价接合结原子或化合物的实例，进一步参考图3和4进行描述。另外地或可替代地，衬垫270可以是包含一或多个sam的膜。衬垫270可在顶部电极材料235(例如，第一导电材料)与底部电极材料225(例如，第二导电材料)之间延伸。举例来说，衬垫270可形成于硫族化物材料230的一或多个边缘上。51.具有衬垫270的存储器阵列200-c可在蚀刻阶段之后在参考图3所描述的强接合情况下发生。可替代地，具有衬垫270的存储器阵列200-c可在制造工艺的清理阶段之后在参考图4所描述的弱接合情况下发生。52.制造工艺的清理阶段可包含湿式清理工艺以从材料的堆叠205中去除一或多种材料。在蚀刻工艺和其它工艺期间，各种材料或污染物可留在材料的堆叠205上。为了从堆叠205清理那些材料或污染物，可用各种化学品洗涤堆叠205或将堆叠205浸入各种化学品中。53.作为弱接合情况的部分，湿式清理工艺的化学物质可操作以更改衬垫270的组合物。在一些实例中，湿式清理工艺可通过氧化置换一或多个弱蚀刻封端的接合。在此类实例中，清理阶段可使衬垫的至少部分氧化。在一些实例中，衬垫270经配置以在蚀刻阶段之后发生的清理阶段和沉积阶段期间保护硫族化物材料230免于反应。54.图2d说明了根据如本文中所公开的实例的支持硫族化物材料的保护性密封剂和其形成方法的存储器阵列200-d的横截面图的实例。存储器阵列200-d可以是参考图2c所描述的在沉积衬垫275之后的存储器阵列200-c的实例。在一些情况下，衬垫275可以是牺牲衬垫的实例。55.衬垫275(例如，第二衬垫)可与衬垫270、顶部电极材料235、底部电极材料225、硬式掩模材料240、导电材料215、薄层材料220或其组合耦合。衬垫275可以是与衬垫270不同的材料。在一些情况下，第二衬垫可以是衬垫275的实例。衬垫275可经配置以保护堆叠205的部分免于制造工艺的后续操作或阶段的影响。举例来说，衬垫275可保护堆叠205免于后续蚀刻阶段、后续清理阶段或后续密封阶段的部分或其组合的影响。在一些情况下，可在制造工艺完成之前去除衬垫275。在一些情况下，可不在制造工艺完成之前去除衬垫275。56.图2e说明了根据如本文中所公开的实例的支持硫族化物材料的保护性密封剂和其形成方法的存储器阵列200-e的横截面图的实例。存储器阵列200-e可以是参考图2d所描述的在沉积密封剂材料以形成第二衬垫280之后的存储器阵列200-d的实例。存储器阵列200-e说明了楔形导柱样结构的实例。在一些情况下，存储器阵列200-e可经形成为竖直导柱样结构。举例来说，在存储器阵列200-d上形成第二衬垫可生成竖直导柱样结构。在其它实例中，例如由存储器阵列200-e所展示的实例，在一些情况下，导柱样结构可为楔形(例如，归因于蚀刻的某一各向同性度)。57.第二衬垫280可形成于衬垫270或衬垫275、顶部电极材料235、底部电极材料225、硬式掩模材料240、导电材料215、薄层材料220、氧化物材料210或其组合上方。第二衬垫280可以是与衬垫270不同的材料。在一些实例中，第二衬垫280可以是氮化硅衬垫的实例。58.为了形成存储器阵列200-e，存储器阵列200-d可经历各种操作或阶段。举例来说，可将蚀刻操作(例如，蚀刻阶段的部分)应用于存储器阵列200-d以去除导电材料215中的一些以形成导电线(例如，例如字线)。此蚀刻工艺可暴露导电材料215的一或多个侧壁或氧化物材料210的一或多个壁或其组合。在蚀刻步骤期间，可去除硬式掩模材料240或衬垫275的部分或其组合。可在蚀刻操作之后将清理操作(例如，清理阶段的部分)应用于存储器阵列以去除污染物。可将沉积操作(例如，沉积阶段的部分)应用于存储器阵列以形成第二衬垫280。沉积操作可密封材料的所得堆叠。59.为了获得存储器阵列200的最终导柱结构，可执行一或多个额外操作。举例来说，可将填充材料沉积在沟槽245中。在一些实例中，可去除硬式掩模材料240以暴露顶部电极材料235。在一些实例中，可沉积导电材料(未展示)以形成数字线。在一些实例中，导柱可通过去除形成数字线的导电材料、顶部电极材料235、硫族化物材料230、底部电极材料225或其组合的部分将导柱界定在垂直于第一方向的第二方向上。在第二方向上的蚀刻期间，可以与参考图2a至2e所描述的类似的方式通过衬垫材料保护硫族化物材料的侧壁，且可使用额外衬垫。60.图2a至2e说明了用于形成存储器阵列的工艺流程，所述工艺流程包含用以打开硫族化物材料230的蚀刻阶段、随后清理阶段、随后用以沉积衬垫275的沉积阶段、随后蚀刻阶段、清理阶段和用以密封堆叠(例如，沉积第二衬垫280)的沉积阶段。利用衬垫270的相同特征的其它工艺流程也是可能的。61.在用于形成存储器阵列的工艺流程的一些实例中，工艺流程可不包含沉积衬垫275。在此类实例中，蚀刻阶段、清理阶段和沉积阶段可在一个序列中完成。62.在用于形成存储器阵列的工艺流程的一些实例中，工艺流程可包含原位蚀刻化学技艺可贯穿工艺流程保护存储器阵列的一或多个特征的蚀刻阶段。在此类实例中，衬垫270可在操作或阶段完成之后修复或可与蚀刻阶段和/或其它阶段同时修复。63.在用于形成存储器阵列的工艺流程的一些实例中，工艺流程可包含回蚀工艺发生，其中在蚀刻阶段之后完全去除衬垫270。在此类实例中，在清理阶段期间和/或在沉积阶段期间，可发生修复衬垫270。在此类情况下，制造系统可经配置以在蚀刻阶段之后执行去除第一衬垫的至少一部分的回蚀工艺，且在执行回蚀工艺之后沉积第一密封剂材料以修复第一衬垫。64.图3说明了根据如本文中所公开的实例的支持硫族化物材料的保护性密封剂和其形成方法的强接合情况300的实例。针对衬垫270的强接合情况300包含与硫族化物材料230形成强接合。65.方框305包含在沉积密封剂材料以形成衬垫270之前硫族化物材料230的多种可能化学组合物的第一表示310和在沉积密封剂材料之后硫族化物材料230的侧壁250的多种可能化学组合物的第二表示315。66.如参考图2b所描述，块体可与硫族化物材料230相关联，且在此实例中可包括一或多种硫族化物元素或化合物，例如一或多种ge、as、se和/或in，以及其它元素。引入于强接合情况中的化学路径可在蚀刻阶段期间发生。在此实例中，沉积工艺可将化学活性离子、基团和/或化合物引入到所暴露块状材料。进料气体(例如，c2h2、ch4、cf3i或ash3以及其它气体)可在沉积工艺期间经引入以沿着块状材料的一或多个表面形成强接合且反应性的边缘组合物，例如sam。在此工艺期间，优选元素可沉积于块状材料的一或多个表面上。举例来说，如果块状材料包括t或q，那么可分别形成有机t化合物(tc)或有机q化合物(qc)化合物。在另一实例中，如果块状材料包括x或y，那么x-i或x-y接合可分别在边缘处形成。举例来说，如果块状材料包括ge或se，那么可分别形成有机锗(gec)或有机硒(sec)化合物。在另一实例中，如果块状材料包括as或in，那么asi或inas接合可分别在边缘处形成。块体可包括2018年12月1日发行的国际应用化学与纯化学联盟(iupac)元素周期表的一或多个第13族、第14族、第15族、第16族和/或第17族元素。67.在此实例中，在干式蚀刻步骤期间形成的强接合可具有大于439kj/mol的接合解离能。边缘可用作反应性中间物，例如，后续湿式清理工艺可引入羟基(oh)，从而进一步改变边缘组合物。方框320包含在清理阶段之后硫族化物材料230和/或衬垫270的多种可能化学组合物的表示。举例来说，可形成中间边缘组合物，例如t-coh、q-ioh、t-coh或q-y-oh。举例来说，可形成中间边缘组合物，例如gecoh、asioh、secoh或inasoh。羟基可进一步经历取代反应，其中所述所述羟基在沉积操作(例如，ald或cvd)期间经氮化硅置换。在一些情况下，沉积操作可经配置以沉积参考图2d所描述的衬垫275。在一些情况下，沉积操作可经配置以沉积密封剂材料以形成参考图2e所描述的第二衬垫280。以此方式，维持初始强接合，从而与t-cnsi、x-insi、q-cnsi和/或y-x-nsi的组合物形成工程化侧壁(如参考图2c至2e所描述)。在更具体的实例中，可维持初始强接合，从而与gecnsi、asinsi、secnsi和/或inasnsi的组合物形成工程化侧壁。方框325包含在沉积或密封阶段之后硫族化物材料230和/或衬垫270的多种可能化学组合物的表示。68.图4说明了根据如本文中所公开的实例的支持硫族化物材料的保护性密封剂和其形成方法的弱接合情况400的实例。针对衬垫270的弱接合情况400包含与硫族化物材料230形成弱接合。69.方框405包含在沉积密封剂材料以形成衬垫270之前硫族化物材料230的多种可能化学组合物的第一表示410和在沉积密封剂材料之后硫族化物材料330的侧壁250的多种可能化学组合物的第二表示415。70.如参考图2b和图3所描述，块体可与硫族化物材料230相关联，且在此实例中，可包含t、x、q和/或y(例如，ge、as、se和/或in)。在此实例中，化学接合可在蚀刻阶段期间和在其它阶段期间形成于硫族化物材料230上。在此实例中，块状材料可在蚀刻操作期间暴露于一或多种卤化氢(例如，hbr)，因此产生在后续氧化步骤期间易于受控化学取代的反应性手柄。可将此步骤中的反应性手柄视为待在清理阶段和/或沉积阶段期间交换的弱接合材料。在一些实例中，可将弱接合理解为与小于439kj/mol的接合解离能相关联的化学接合的物种。如所展示，块体可包括来自2018年12月1日发行的iupac元素周期表的一或多个第13族、第14族、第15族、第16族和/或第17族元素。71.举例来说，通过使块体(例如，硫族化物材料230)表面暴露于hbr，可产生br封端的表面(例如，tbr、xbr、qbr、ybr、gebr、asbr、sebr、inbr等)。在清理步骤(例如，氧化步骤)期间，br封端的表面(边缘)可暴露于羟基，因此在取代反应期间用羟基置换br原子(例如，或)。方框420包含在清理阶段之后硫族化物材料230和/或衬垫270的多种可能化学组合物的表示。在此步骤之后，块体的羟基封端的表面可在沉积阶段(例如，ald或cvd)期间经历还原反应以置换羟基，从而形成工程化侧壁(参考图2c至2e)。在一些情况下，沉积操作可经配置以沉积参考图2d所描述的衬垫275。在一些情况下，沉积操作可经配置以沉积密封剂材料以形成参考图2e所描述的第二衬垫280。工程化侧壁可具有tnsi、xnsi、qnsi和/或ynsi或gensi、asnsi、sensi和/或innsi的组合物以及其它组合物。方框425包含在沉积或密封阶段之后硫族化物材料230和/或衬垫270的多种可能化学组合物的表示。72.图5展示了说明根据本发明的方面的支持硫族化物材料的保护性密封剂和其形成方法的一或多种方法500的流程图。方法500的操作可通过制造系统或与制造系统相关联的一或多个控制器实施。在一些实例中，一或多个控制器可执行指令集来控制制造系统的一或多个功能元件以执行所描述功能。另外地或可替代地，一或多个控制器可使用专用硬件来执行所描述功能的方面。73.在505处，方法500可包含形成包含用于存储信息的硫族化物材料和/或开关装置和导电材料的材料的堆叠。505的操作可根据本文中所描述的方法来执行。74.在510处，方法500可包含作为制造工艺的蚀刻阶段的部分蚀刻材料的堆叠以形成导柱。510的操作可根据本文中所描述的方法来执行。75.在515处，方法500可包含作为蚀刻阶段的部分使用第一蚀刻参数集合蚀刻硫族化物材料以暴露硫族化物材料的侧壁。515的操作可根据本文中所描述的方法来执行。76.在520处，方法500可包含作为蚀刻阶段的部分在蚀刻硫族化物材料的至少一部分之后或期间将第一密封剂材料沉积在硫族化物材料的侧壁上以形成第一衬垫。520的操作可根据本文中所描述的方法来执行。77.在525处，方法500可包含作为蚀刻阶段的部分在沉积第一密封剂材料之后使用第二蚀刻参数集合蚀刻导电材料。525的操作可根据本文中所描述的方法来执行。78.在530处，方法500可包含作为在蚀刻阶段之后发生的沉积阶段的部分将第二密封剂材料沉积在导柱上方以形成第二衬垫。530的操作可根据本文中所描述的方法来执行。79.在一些实例中，如本文中所描述的设备可执行一或多种方法，例如方法500。设备可包含用于形成包含用于存储信息的硫族化物材料和导电材料的材料的堆叠、作为制造工艺的蚀刻阶段的部分蚀刻材料的堆叠以形成导柱的特征、构件或指令(例如，存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读介质)。蚀刻阶段可包含：使用第一蚀刻参数集合蚀刻硫族化物材料以暴露硫族化物材料的侧壁；在蚀刻硫族化物材料的至少一部分之后或期间将第一密封剂材料沉积在硫族化物材料的侧壁上以形成第一衬垫；在沉积第一密封剂材料之后使用第二蚀刻参数集合蚀刻导电材料。设备还可包含用于作为在蚀刻阶段之后发生的沉积阶段的部分将第二密封剂材料沉积在导柱上方以形成第二衬垫的特征、构件或指令(例如，存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读介质)。80.本文中所描述的方法500和设备的一些实例可进一步包含用于在蚀刻导电材料之后沉积第三密封剂材料以修复与硫族化物材料的侧壁耦合的第一衬垫的操作、特征、构件或指令，其中沉积第二密封剂材料可基于在蚀刻导电材料之后沉积第三密封剂材料。81.在本文中所描述的方法500和设备的一些实例中，沉积第一密封剂材料可进一步包含用于沉积经配置以与硫族化物材料接合的一或多种元素以形成第一衬垫的操作、特征、构件或指令。在本文中所描述的方法500和设备的一些实例中，一或多种元素包含基团形式或离子或反应性化合物。在本文中所描述的方法500和设备的一些实例中，一或多种元素包含一或多种卤素元素。82.本文中所描述的方法500和设备的一些实例可进一步包含用于作为在蚀刻阶段之后发生的清理阶段的部分使用湿式清理工艺清理导柱的操作、特征、构件或指令，其中沉积第二密封剂材料在清理阶段之后发生。83.在本文中所描述的方法500和设备的一些实例中，第一衬垫可经配置以在蚀刻阶段之后发生的清理阶段和沉积阶段期间保护硫族化物材料免于反应。在本文中所描述的方法500和设备的一些实例中，第一衬垫可经配置以保护硫族化物材料免于作为蚀刻阶段的部分用于蚀刻后续材料的一或多个工艺的影响。在本文中所描述的方法500和设备的一些实例中，蚀刻阶段包含干式蚀刻工艺。在本文中所描述的方法500和设备的一些实例中，第二衬垫包含氮化硅。84.图6展示了说明根据本发明的方面的支持硫族化物材料的保护性密封剂和其形成方法的一或多个方法600的流程图。方法600的操作可通过制造系统或与制造系统相关联的一或多个控制器实施。在一些实例中，一或多个控制器可执行指令集来控制制造系统的一或多个功能元件以执行所描述功能。另外地或可替代地，一或多个控制器可使用专用硬件来执行所描述功能的方面。85.在605处，方法600可包含形成包含用于存储信息的硫族化物材料和/或开关材料和导电材料的材料的堆叠。605的操作可根据本文中所描述的方法来执行。86.在610处，方法600可包含作为制造工艺的蚀刻阶段的部分蚀刻材料的堆叠以形成导柱。610的操作可根据本文中所描述的方法来执行。87.在615处，方法600可包含作为蚀刻阶段的部分使用第一蚀刻参数集合蚀刻硫族化物材料以暴露硫族化物材料的侧壁。615的操作可根据本文中所描述的方法来执行。88.在620处，方法600可包含作为蚀刻阶段的部分在蚀刻硫族化物材料之后将第一密封剂材料沉积在硫族化物材料的侧壁上以形成第一衬垫。620的操作可根据本文中所描述的方法来执行。89.在625处，方法600可包含作为蚀刻阶段的部分，作为在蚀刻阶段之后发生的阶段的部分使用基于取代的反应来更改第一衬垫的组合物。625的操作可根据本文中所描述的方法来执行。90.在一些实例中，如本文中所描述的设备可执行一或多种方法，例如方法600。设备可包含用于形成包含用于存储信息的硫族化物材料和导电材料的材料的堆叠且作为制造工艺的蚀刻阶段的部分蚀刻材料的堆叠以形成导柱的特征、构件或指令(例如，存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读介质)。蚀刻阶段可包含：使用第一蚀刻参数集合蚀刻硫族化物材料以暴露硫族化物材料的侧壁；在蚀刻硫族化物材料之后将第一密封剂材料沉积在硫族化物材料的侧壁上以形成第一衬垫；及作为蚀刻阶段的部分，作为在蚀刻阶段之后发生的阶段的部分使用基于取代的反应来更改第一衬垫的组合物。91.本文中所描述的方法600和设备的一些实例可进一步包含用于作为在蚀刻阶段之后发生的沉积阶段的部分将第二密封剂材料沉积在导柱上方以形成第二衬垫的操作、特征、构件或指令，其中更改第一衬垫的组合物在沉积阶段期间发生且阶段包含沉积阶段。本文中所描述的方法600和设备的一些实例可进一步包含用于作为在蚀刻阶段之后发生的清理阶段的部分使用湿式清理工艺清理导柱的操作、特征、构件或指令，其中更改第一衬垫的组合物在清理阶段期间发生且阶段包含清理阶段。92.在本文中所描述的方法600和设备的一些实例中，沉积第一密封剂材料可进一步包含用于使硫族化物材料的侧壁的表面氧化的操作、特征、构件或指令。在本文中所描述的方法600和设备的一些实例中，蚀刻阶段可进一步包含用于作为蚀刻阶段的部分且在沉积第一密封剂材料之后使用第二蚀刻参数集合蚀刻导电材料的操作、特征、构件或指令，其中更改第一衬垫的组合物可基于蚀刻导电材料。93.在本文中所描述的方法600和设备的一些实例中，沉积第一密封剂材料可进一步包含用于沉积经配置以与硫族化物材料接合的一或多种元素以形成第一衬垫的操作、特征、构件或指令。在本文中所描述的方法600和设备的一些实例中，一或多种元素包含一或多种离子。94.图7展示了说明根据本发明的方面的支持硫族化物材料的保护性密封剂和其形成方法的一或多种方法700的流程图。方法700的操作可通过制造系统或与制造系统相关联的一或多个控制器实施。在一些实例中，一或多个控制器可执行指令集来控制制造系统的一或多个功能元件以执行所描述功能。另外地或可替代地，一或多个控制器可使用专用硬件来执行所描述功能的方面。95.在705处，方法700可包含形成包含用于存储信息的硫族化物材料和导电材料的材料的堆叠。705的操作可根据本文中所描述的方法来执行。96.在710处，方法700可包含作为制造工艺的蚀刻阶段的部分蚀刻材料的堆叠以形成导柱。710的操作可根据本文中所描述的方法来执行。97.在715处，方法700可包含作为蚀刻阶段的部分使用第一蚀刻参数集合蚀刻硫族化物材料以暴露硫族化物材料的侧壁。715的操作可根据本文中所描述的方法来执行。98.在720处，方法700可包含作为蚀刻阶段的部分在蚀刻硫族化物材料之后将第一密封剂材料沉积在硫族化物材料的侧壁上以形成第一衬垫。720的操作可根据本文中所描述的方法来执行。99.在725处，方法700可包含作为蚀刻阶段的部分在沉积第一密封剂材料之后使用第二蚀刻参数集合蚀刻导电材料。725的操作可根据本文中所描述的方法来执行。100.在一些实例中，如本文中所描述的设备可执行一或多种方法，例如方法700。设备可包含用于形成包含用于存储信息的硫族化物材料和导电材料的材料的堆叠且作为制造工艺的蚀刻阶段的部分蚀刻材料的堆叠以形成导柱的特征、构件或指令(例如，存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读介质)。蚀刻阶段可包含：使用第一蚀刻参数集合蚀刻硫族化物材料以暴露硫族化物材料的侧壁；在蚀刻硫族化物材料之后将第一密封剂材料沉积在硫族化物材料的侧壁上以形成第一衬垫；及在沉积第一密封剂材料之后使用第二蚀刻参数集合蚀刻导电材料。101.本文中所描述的方法700和设备的一些实例可进一步包含用于作为在蚀刻阶段之后发生的清理阶段的部分使用湿式清理工艺清理导柱的操作、特征、构件或指令。在本文中所描述的方法700和设备的一些实例中，第一衬垫可经配置以在蚀刻阶段之后发生的清理阶段和其它阶段期间保护硫族化物材料免于反应。102.在本文中所描述的方法700和设备的一些实例中，沉积第一密封剂材料可进一步包含用于沉积经配置以与硫族化物材料接合的一或多种元素以形成第一衬垫的操作、特征、构件或指令。在本文中所描述的方法700和设备的一些实例中，一或多种元素包含基团形式或离子或反应性化合物。在本文中所描述的方法700和设备的一些实例中，一或多种元素包含一或多种卤素元素。103.图8展示了说明根据本发明的方面的支持硫族化物材料的保护性密封剂和其形成方法的一或多种方法800的流程图。方法800的操作可通过制造系统或与制造系统相关联的一或多个控制器实施。在一些实例中，一或多个控制器可执行指令集来控制制造系统的一或多个功能元件以执行所描述功能。另外地或可替代地，一或多个控制器可使用专用硬件来执行所描述功能的方面。104.在805处，方法800可包含形成包含用于存储信息的硫族化物材料和导电材料的材料的堆叠。805的操作可根据本文中所描述的方法来执行。105.在810处，方法800可包含作为制造工艺的蚀刻阶段的部分蚀刻材料的堆叠以形成导柱。810的操作可根据本文中所描述的方法来执行。106.在815处，方法800可包含作为蚀刻阶段的部分使用第一蚀刻参数集合蚀刻硫族化物材料以暴露硫族化物材料的侧壁。815的操作可根据本文中所描述的方法来执行。107.在820处，方法800可包含作为蚀刻阶段的部分在蚀刻硫族化物材料之后将第一密封剂材料沉积在硫族化物材料的侧壁上以形成第一衬垫。820的操作可根据本文中所描述的方法来执行。108.在825处，方法800可包含作为蚀刻阶段的部分在沉积第一密封剂材料之后使用第二蚀刻参数集合蚀刻导电材料。825的操作可根据本文中所描述的方法来执行。109.在830处，方法800可包含在蚀刻阶段之后执行去除第一衬垫的至少一部分的回蚀工艺。830的操作可根据本文中所描述的方法来执行。110.在835处，方法800可包含在执行回蚀工艺之后沉积第一密封剂材料以修复第一衬垫。835的操作可根据本文中所描述的方法来执行。111.在一些实例中，如本文中所描述的设备可执行一或多种方法，例如方法800。设备可包含用于形成包含用于存储信息的硫族化物材料和导电材料的材料的堆叠、作为制造工艺的蚀刻阶段的部分蚀刻材料的堆叠以形成导柱的特征、构件或指令(例如，存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读介质)。蚀刻阶段可包含：使用第一蚀刻参数集合蚀刻硫族化物材料以暴露硫族化物材料的侧壁；在蚀刻硫族化物材料之后将第一密封剂材料沉积在硫族化物材料的侧壁上以形成第一衬垫；及在沉积第一密封剂材料之后使用第二蚀刻参数集合蚀刻导电材料。设备还可包含用于在蚀刻阶段之后执行去除第一衬垫的至少一部分的回蚀工艺且在执行回蚀工艺之后沉积第一密封剂材料以修复第一衬垫的特征、构件或指令(例如，存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读介质)。112.本文中所描述的方法800和设备的一些实例可进一步包含用于作为在蚀刻阶段之后发生的清理阶段的部分使用湿式清理工艺清理导柱的操作、特征、构件或指令，其中执行回蚀工艺在使用湿式清理工艺清理导柱之后发生。本文中所描述的方法800和设备的一些实例可进一步包含用于作为在沉积第一密封剂材料以修复第一衬垫之后发生的沉积阶段的部分将第二密封剂材料沉积在导柱上方以形成第二衬垫的操作、特征、构件或指令。113.在本文中所描述的方法800和设备的一些实例中，沉积第一密封剂材料可进一步包含用于沉积经配置以与硫族化物材料接合的一或多种元素以形成第一衬垫的操作、特征、构件或指令。在本文中所描述的方法800和设备的一些实例中，第一衬垫可经配置以保护硫族化物材料免于作为蚀刻阶段的部分用于蚀刻后续材料的一或多个工艺的影响。在本文中所描述的方法800和设备的一些实例中，蚀刻阶段包含干式蚀刻工艺。114.应注意，上文所描述的方法描述了可能的实施，且操作和步骤可经重新布置或以其它方式修改，且其它实施是可能的。此外，可组合方法中的两者或更多者的部分。115.描述了一种设备。设备可包含：导柱，其包含第一电极、用于存储信息的与第一电极耦合的硫族化物材料和与硫族化物材料耦合的第二电极；第一衬垫，其与硫族化物材料的侧壁耦合且在第一电极与第二电极之间延伸；及第二衬垫，其与第一衬垫、导柱的第一电极和第二电极耦合，第二衬垫为与第一衬垫不同的材料。设备的一些实例可包含与导柱的第一电极耦合的导电线。设备的一些实例可包含薄层，其定位于导电线与导柱的第一电极之间。116.可使用各种不同技术和技艺中的任一者来表示本文中所描述的信息和信号。举例来说，可由电压、电流、电磁波、磁场或磁性粒子、光场或光粒子或其任何组合表示可贯穿以上描述参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和芯片。一些图可将信号说明为单个信号；然而，所属领域的一般技术人员应理解，所述信号可表示信号的总线，其中总线可具有各种位宽度。117.术语“电子通信”、“导电接触”、“连接”和“耦合”可指支持组件之间的信号流动的组件之间的关系。如果在组件之间存在可在任何时间支持组件之间的信号流动的任何导电路径，那么组件被认为彼此电子通信(或彼此导电接触或彼此连接或彼此耦合)。在任何给定时间，彼此电子通信(或彼此导电接触或彼此连接或彼此耦合)的组件之间的导电路径基于包含所连接组件的装置的操作而可为开路或闭路。所连接组件之间的导电路径可以是组件之间的直接导电路径，或所连接组件之间的导电路径可以是可包含例如开关、晶体管或其它组件的中间组件的间接导电路径。在一些实例中，可例如使用例如开关或晶体管的一或多个中间组件将所连接组件之间的信号流动中断一段时间。118.术语“耦合”是指从其中信号当前不能够通过导电路径在组件之间传达的组件之间的开路关系到其中信号能够通过导电路径在组件之间传达的组件之间的闭路关系的移动条件。当例如控制器的组件将其它组件耦合在一起时，所述组件发动允许信号通过先前并不准许信号流动的导电路径在其它组件之间流动的改变。119.术语“隔离”是指组件之间的关系，在所述关系下信号当前不能够在所述组件之间流动。如果在组件之间存在开路，那么所述组件彼此隔离。举例来说，由定位于组件之间的开关分离的两个组件在开关打开时彼此隔离。在控制器隔离两个组件时，控制器影响防止信号使用先前准许信号流动的导电路径在组件之间流动的改变。120.本文中所使用的术语“层”或“层级”是指几何结构(例如，相对于衬底)的阶层或薄片。每一层或层级可具有三个维度(例如，高度、宽度和深度)且可覆盖表面的至少一部分。举例来说，层或层级可为其中两个维度大于第三维度的三维结构，例如，薄膜。层或层级可包含不同元件、组件和/或材料。在一些实例中，一个层或层级可由两个或更多个子层或子层级构成。121.如本文中所使用，术语“大体上”意味经修饰的特性(例如，通过术语大体上修饰的动词或形容词)不必是绝对值但足够接近以达成特性的优点。122.如本文中所使用，术语“电极”可指电导体，且在一些实例中，可用作与存储器单元或存储器阵列的另一组件的电接点。电极可包含在存储器阵列的元件或组件之间提供导电路径的迹线、电线、导电线、导电层或其类似者。123.可在例如硅、锗、硅-锗合金、砷化镓、氮化镓等的半导体衬底上形成本文中所论述的包含存储器阵列的装置。在一些实例中，衬底是半导体晶片。在其它实例中，衬底可以是例如玻璃层上硅(sog)或蓝宝石上硅(sop)的绝缘体上硅(soi)衬底或另一衬底上的半导体材料的外延层。可通过使用包含但不限于磷、硼或砷的各种化学物种掺杂而控制衬底或衬底的子区的导电性。可通过离子植入或通过任何其它掺杂方式在衬底的初始形成或生长期间执行掺杂。124.本文中所论述的开关组件或晶体管可表示场效晶体管(fet)且包括包含源极、漏极和门极的三个端子装置。端子可通过导电材料(例如，金属)连接到其它电子元件。源极和漏极可以是导电的，且可包括重掺杂(例如，简并)的半导体区。源极与漏极可通过轻掺杂的半导体区或信道分离。如果信道是n型(即，大多数载波是信号)，那么fet可称为n型fet。如果信道是p型(即，大多数载波是空穴)，那么fet可称为p型fet。信道可由绝缘栅极氧化物加盖。可通过将电压施加到栅极来控制信道导电性。举例来说，将正电压或负电压分别施加到n型fet或p型fet可使得信道变得导电。在将大于或等于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极时，晶体管可“接通”或“启动”。在将小于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极时，晶体管可“断开”或“去启动”。125.本文中结合附图阐述的描述描述了实例配置，且并不表示可实施或在权利要求书的范围内的所有实例。本文中所使用的术语“示范性”意味“充当实例、例子或说明”且并不意味“优选”或“优于其它实例”。详细描述包含特定细节以提供对所描述技艺的理解。然而，可在无这些特定细节的情况下实践这些技艺。在一些情况下，以框图形式展示熟知的结构和装置以避免混淆所描述实例的概念。126.在附图中，类似组件或特征可具有相同参考标记。另外，可通过在参考标记之后加上破折号和在类似组件之间进行区分的第二标记来区分同一类型的各种组件。如果在说明书中只使用第一参考标记，那么描述适用于具有相同第一参考标记而与第二参考标记无关的类似组件中的任一者。127.可使用各种不同技术和技艺中的任一者来表示本文中所描述的信息和信号。举例来说，可由电压、电流、电磁波、磁场或磁性粒子、光场或光粒子或其任何组合表示可贯穿以上描述参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和芯片。128.结合本发明所描述的各种说明性方框和模块可通过通用处理器、数字信号处理器(dsp)、专用集成电路(asic)、场可编程门阵列(fpga)或其它可编程逻辑装置、离散栅极或晶体管逻辑、离散硬件组件或经设计以执行本文中所描述的功能的其任何组合来实施或执行。通用处理器可以是微处理器，但在替代例中，处理器可以是任何处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器还可实施为计算装置的组合(例如，dsp与微处理器的组合、多个微处理器、结合dsp核心的一或多个微处理器，或任何其它此配置)。129.本文中所描述的功能可以硬件、由处理器执行的软件、固件或其任何组合实施。如果以由处理器执行的软件实施，那么可将功能作为一或多个指令或代码存储于计算机可读介质上或通过计算机可读介质发射。其它实例和实施在本发明和所附权利要求书的范围内。举例来说，归因于软件的性质，上文所描述的功能可使用由处理器执行的软件、硬件、固件、硬联机或这些中的任一者的组合来实施。实施功能的特征还可物理上位于各种位置处，包含经分布以使得功能的部分在不同物理位置处实施。此外，如本文中所使用(包含在权利要求书中)，“或”在用于项目列表(例如，以例如“中的至少一者”或“中的一或多者”的词组作为结尾的项目列表)中时指示包含性列表，以使得(例如)a、b或c中的至少一者的列表意味a或b或c或ab或ac或bc或abc(即，a和b和c)。此外，如本文中所使用，词组“基于”不应视为对封闭条件集合的参考。举例来说，描述为“基于条件a”的示范性步骤在不脱离本发明的范围的情况下可是基于条件a和条件b两者。换句话说，如本文中所使用，应以与词组“至少部分地基于”相同的方式来解释词组“基于”。130.计算机可读介质包含非暂时性计算机存储介质和通信介质两者，通信介质包含促进计算机程序从一处传送到另一处的任何介质。非暂时性存储介质可以是可由通用或专用计算机存取的任何可用介质。借助于实例而非限制，非暂时性计算机可读介质可包括ram、rom、电可擦除可编程只读存储器(eeprom)、紧密光盘(cd)rom或其它光盘存储装置、磁盘存储装置或其它磁性存储装置，或可用于携载或存储呈指令或数据结构形式的所要程序代码构件且可由通用或专用计算机、或通用或专用处理器存取的任何其它非暂时性介质。此外，将任何连接恰当地称为计算机可读介质。举例来说，如果使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字用户线(dsl)或无线技术(例如，红外线、无线电和微波)而从网站、服务器或其它远程源发射软件，那么将同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字用户线(dsl)或无线技术(例如红外线、无线电和微波)包含于介质的定义中。如本文中所使用，磁盘和光盘包含cd、激光光盘、光学光盘、数字多功能光盘(dvd)、软盘和蓝光光盘，其中磁盘通常以磁性方式再生数据，而光盘通过激光以光学方式再生数据。以上各者的组合也包含于计算机可读介质的范围内。131.提供本文中的描述以使得所属领域的技术人员能够进行或使用本发明。对本发明的各种修改对于所属领域的技术人员来说将显而易见，且本文中所定义的一般原理可在不脱离本发明的范围的情况下应用于其它变化形式。因此，本发明并不限于本文中所描述的实例和设计，而应符合与本文中所公开的原理和新颖特征相一致的最广范围。









图片声明：本站部分配图来自人工智能系统AI生成,觅知网授权图片,PxHere摄影无版权图库。本站只作为美观性配图使用,无任何非法侵犯第三方意图,一切解释权归图片著作权方,本站不承担任何责任。如有恶意碰瓷者,必当奉陪到底严惩不贷!




内容声明：本文中引用的各种信息及资料（包括但不限于文字、数据、图表及超链接等）均来源于该信息及资料的相关主体（包括但不限于公司、媒体、协会等机构）的官方网站或公开发表的信息。部分内容参考包括:(百度百科,百度知道,头条百科,中国民法典,刑法,牛津词典,新华词典,汉语词典,国家院校,科普平台)等数据,内容仅供参考使用,不准确地方联系删除处理！本站为非盈利性质站点,发布内容不收取任何费用也不接任何广告!




免责声明：我们致力于保护作者版权，注重分享，被刊用文章因无法核实真实出处，未能及时与作者取得联系，或有版权异议的，请联系管理员，我们会立即处理，本文部分文字与图片资源来自于网络，部分文章是来自自研大数据AI进行生成,内容摘自(百度百科,百度知道,头条百科,中国民法典,刑法,牛津词典,新华词典,汉语词典,国家院校,科普平台)等数据,内容仅供学习参考,不准确地方联系删除处理!的,若有来源标注错误或侵犯了您的合法权益，请立即通知我们，情况属实，我们会第一时间予以删除，并同时向您表示歉意,谢谢!