CO/CU选择性湿蚀刻剂的制作方法

金属材料;冶金;铸造;磨削;抛光设备的制造及处理,应用技术co/cu选择性湿蚀刻剂1.背景技术领域2.所公开和所要求保护的主题涉及湿蚀刻剂。具体地，所公开和所要求保护的主题涉及表现出高铜和钴蚀刻速率的湿蚀刻剂，其中两种金属之间的蚀刻速率比可以变化。背景技术：3.co/cu复合互连系统由于其良好的em和tddb(时间相关介电击穿)可靠性而广泛应用于先进ic装置的beol中。对于下一个先进技术装置，cu和co凹陷对于完全自对准的通孔设计变得更加重要。然而，由于(i)铜和钴的化学性质的差异和(ii)两种金属之间的电偶腐蚀效应，常规的高速率铜湿蚀刻剂不能同时实现高钴蚀刻速率。4.例如，已经描述了(参见journal of applied electrochemistry，33：403-10(2003))包含氯化铜二水合物的基于单乙醇胺的制剂可以提供高的铜蚀刻速率。尽管常规的铜湿蚀刻剂在高ph值下提供高蚀刻速率，但由于在钴表面上形成惰性co(oh)2层，钴蚀刻速率在高ph值下非常低。技术实现要素：5.该发明内容部分未指定所公开和所要求保护的主题的每个实施方案和/或渐进地新颖的方面。相反，该发明内容仅提供了对不同实施方案的初步讨论和相对于常规技术和已知技术的对应新颖性点。对于所公开和所要求保护的主题和实施方案的附加细节和/或可能的观点，读者可以参考下面进一步讨论的本公开的实施方式部分和相应附图。6.为了清楚起见，已经给出了本文描述的不同步骤的讨论顺序。通常，本文公开的步骤可以以任何合适的顺序执行。另外，尽管本文中所公开的每一个不同特征、技术、配置等可在本公开的不同地方论述，但旨在每一概念可彼此独立地或适当时彼此组合地执行。因此，所公开和所要求保护的主题可以以许多不同的方式来体现和查看。7.所公开和所要求保护的主题涉及可以高蚀刻速率(当铜和钴耦合时》/分钟)除去铜和钴两者的新型化学制剂，其还克服两种金属之间的化学性质差异和电偶腐蚀效应。在另一个方面，所述新型制剂表现出cu和co在约1:1范围内的优异蚀刻选择性。8.所公开和所要求保护的化学制剂包含：9.(i)至少一种烷醇胺，其具有至少两个碳原子、至少一个氨基取代基和至少一个羟基取代基，其中所述氨基和羟基取代基连接至两个不同的碳原子，其优选为式(i)：[0010][0011]其中r1和r2各自独立地选自h、未取代的c1-c6烷基、取代的c1-c6烷基、支链c3-c6烷基和c1-c6烷基氨基；[0012](ii)至少一种ph调节剂，用于将所述制剂的ph调节至约9和约12之间；[0013](iii)至少一种螯合剂；以及[0014](iv)水。[0015]在所述实施方案的另一方面，所公开和所要求保护的化学制剂基本上由(i)、(ii)、(iii)和(iv)组成。在所述实施方案的另一方面，所公开和所要求保护的化学制剂由(i)、(ii)、(iii)和(iv)组成。[0016]在另一个实施方案中，所公开和所要求保护的化学制剂包含上述(i)、(ii)、(iii)、(iv)并且还包含(v)至少一种水混溶性溶剂。在该实施方案的另一方面，所公开和所要求保护的化学制剂基本上由(i)、(ii)、(iii)、(iv)和(v)组成。在该实施方案的另一方面，所公开和所要求保护的化学制剂由(i)、(ii)、(iii)、(iv)和(v)组成。[0017]在另一个实施方案中，所公开和所要求保护的化学制剂包含上述(i)、(ii)、(iii)和(iv)并且还包含(vi)至少一种润湿性调节材料(例如表面活性剂)以改善粗糙度性能。在该实施方案的另一方面，所公开和所要求保护的化学制剂基本上由(i)、(ii)、(iii)、(iv)和(vi)组成。在该实施方案的另一方面，所公开和所要求保护的化学制剂由(i)、(ii)、(iii)、(iv)和(vi)组成。[0018]在另一个实施方案中，所公开和所要求保护的化学制剂包含(i)、(ii)、(iii)、(iv)、(v)和(vi)。在该实施方案的另一方面，所公开和所要求保护的化学制剂基本上由(i)、(ii)、(iii)、(iv)、(v)和(vi)组成。在所述实施方案的另一方面，所公开和所要求保护的化学制剂由(i)、(ii)、(iii)、(iv)、(v)和(vi)组成。[0019]在另一方面，所述至少一种水混溶性溶剂(v)包含至少两种水混溶性溶剂。[0020]在一个实施方案中，所述制剂包含式(i)的烷醇胺，其中r1和r2中的一个或两个为h。[0021]在一个实施方案中，所述制剂包含式(i)的烷醇胺，其中r1和r2两者均为h：[0022][0023]在一个实施方案中，所述制剂包含式(i)的烷醇胺，其中r1和r2中的一个为h且r1和r2中的另一个为-ch3基团：[0024][0025]在一个实施方案中，所述制剂包含式(i)的烷醇胺，其中r1和r2中的一个是h且r1和r2中的另一个是式-ch2ch2oh的取代的c1-c6烷基：[0026][0027]在一个实施方案中，所述制剂包含式(i)的烷醇胺，其中r1和r2两者均为式-ch2ch2oh的取代的c1-c6烷基：[0028][0029]在一个实施方案中，所述制剂包含式(i)的烷醇胺，其中r1和r2中的一个是h且r1和r2中的另一个是式-ch2ch2nh2的取代的c1-c6烷基：[0030][0031]所公开和所要求保护的主题进一步涉及所公开和所要求保护的化学制剂的用途和合成。[0032]所公开和所要求保护的主题还涉及一种用于测试模拟器件晶片的电偶腐蚀效应的蚀刻制剂的cu和co蚀刻速率(描述为“耦合”)的方法。图1示出了耦合测试。附图说明[0033]被包含以提供对所公开的主题的进一步理解并且被并入本说明书中并构成本说明书的一部分的附图示出了所公开的主题的实施方案，并且与说明书一起用于解释所公开的主题的原理。在附图中：[0034]图1示出了用于测试cu和co蚀刻速率的耦合烧杯测试；[0035]图2图示了几种烷醇胺的耦合co/cu蚀刻速率；[0036]图3图示了与不含ph调节剂的溶液(ex.1)相比，由于添加ph调节剂(ex.2)而对耦合蚀刻速率的影响；[0037]图4图示了由于添加螯合剂所引起的对蚀刻速率以及对cu和co选择性的影响；[0038]图5图示了由于添加能够改变表面润湿性的溶剂对蚀刻速率的影响；[0039]图6图示了由于在ex.13和ex.16中添加表面活性剂对蚀刻速率的影响；以及[0040]图7示出了在铜上ex.13和ex.16的afm表面粗糙度分析。[0041]定义[0042]除非另有说明，说明书和权利要求书中使用的以下术语对于本技术应具有以下含义。[0043]在本技术中，单数的使用包含复数，并且词语“一个”、“一种”和“所述”表示“至少一个”，除非另有特别说明。此外，术语“包含”以及比如“包括”和“含有”的其它形式的使用不是限制性的。此外，术语如“元件”或“组件”涵盖包含一个单元的元件或组件以及包含多于一个单元的元件或组件，除非另有明确说明。如本文所用，除非另外指明，否则连接词“和”旨在是包含性的，而连接词“或”不旨在是排他性的。例如，短语“或，可选地”旨在是排他性的。如本文所用，术语“和/或”是指前述要素的任何组合，包括使用单个要素。[0044]当与可测量的数值变量结合使用时，术语“约”或“大约”是指变量的指示值和在指示值的实验误差内(例如，在平均值的95％置信限内)或在指示值的百分比内(例如，±10％、±5％)的变量的所有值，以较大者为准。[0045]如本文所用，“cx-y”表示链中碳原子的数目。例如，c1-6烷基是指具有1至6个碳的链的烷基链(例如，甲基、乙基、丙基、丁基、戊基和己基)。除非另有特别说明，所述链可以是直链或支链的。[0046]除非另外指明，否则“烷基”是指可为直链、支链(例如甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基等)、环状(例如环己基、环丙基、环戊基等)或多环(例如降冰片基、金刚烷基等)的烃基。合适的非环基团可以是甲基、乙基、正丙基或异丙基、正丁基、异丁基或叔丁基、直链或支链戊基、己基、庚基、辛基、癸基、十二烷基、十四烷基和十六烷基。除非另有说明，否则烷基是指1-10个碳原子的部分。这些烷基部分可以是取代或未取代的。[0047]“卤代烷基”是指其中一个或多个氢已被卤素(例如f、cl、br和i)取代的如上定义的直链、环状或支链饱和烷基基团。因此，例如，氟化烷基(又称为“氟烷基”)是指其中一个或多个氢已被氟取代的如上定义的直链、环状或支链饱和烷基基团(例如，三氟甲基、全氟乙基、2,2,2-三氟乙基、全氟异丙基、全氟环己基等)。若这样的卤代烷基部分(例如氟代烷基部分)不是全卤代/多卤代的，其可以是未取代的或进一步取代的。[0048]“烷氧基”(亦称为“烷基氧基”)是指通过氧基(-o-)部分连接的如上定义的烷基基团(例如，甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、1,2-异丙氧基、环戊氧基、环己氧基等)。这些烷氧基部分可以是取代或未取代的。[0049]“烷基羰基”是指通过羰基(-c(＝o-))部分连接的如上定义的烷基基团(例如，甲基羰基、乙基羰基、丙基羰基、丁基羰基、环戊基羰基等)。这些烷基羰基部分可以是取代或未取代的。[0050]“卤代”或“卤基”是指卤素(例如，f、cl、br和i)。[0051]“羟基”(亦称为“氢氧基”)是指-oh基团。[0052]除非另有说明，当涉及烷基、烷氧基、氟化烷基等时，术语“取代的”是指还含有一个或多个包括(但不限于)以下取代基的这些部分之一：烷基、取代的烷基、未取代的芳基、取代的芳基、烷氧基、烷基芳基、卤代烷基、卤基、羟基、氨基和氨基烷基。类似地，术语“未取代的”是指其中不存在除氢以外的取代基的这些相同部分。[0053]如本文所用并且除非另外指明，否则术语“芳香族”是指具有离域共轭π体系并且具有4至20个碳原子的不饱和环烃(芳香族c4-c20烃)。示例性的芳香族化合物包括但不限于苯、甲苯、二甲苯、均三甲苯、乙苯类、异丙苯、萘、甲基萘、二甲基萘类、乙基萘类、苊烯、蒽、菲、苯并蒽(tetraphene)、并四苯、苯并蒽类(benzanthracenes)、荧蒽(fluoranthrene)、芘、2-苯并菲(chrysene)、三亚苯等，及其组合。芳香族化合物可以任选地被例如一个或多个烷基、烷氧基、卤素等取代。例如，芳香族化合物可以包括苯甲醚。另外，芳香族化合物可包含一个或多个杂原子。杂原子的实例包括但不限于氮、氧、磷、硼和/或硫。具有一个或多个杂原子的芳香族化合物包括但不限于呋喃、苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、噁唑、噻唑等，及其组合。芳香族化合物可以包含单环、双环、三环和/或多环的环(在一些实施方案中，至少单环、仅单环和双环或者仅单环)并且可以是稠环。[0054]术语“非芳香族”是指连接在至少一个环结构中的四个或更多个碳原子，其中环结构中的四个或更多个碳原子中的至少一个不是芳香族碳原子。[0055]当提及以重量％计的本文所述的本发明湿蚀刻剂的组合物时，应理解，在任何情况下，所有组分(包含非必要组分，如杂质)的重量％都不应加至大于100重量％。在“基本上由所述组分组成”的组合物中，这样的组分可总计为组合物的100重量％或可总计小于100重量％。当组分总计小于100重量％时，这样的组合物可包含一些少量的非必要的污染物或杂质。例如，在一个这样的实施方案中，所述制剂可含有2重量％或更少的杂质。在另一个实施方案中，所述制剂可含有1重量％或更少的杂质。在另一个实施方案中，所述制剂可含有0.05重量％或更少的杂质。在其它这样的实施方案中，所述成分可形成至少90重量％，更优选地至少95重量％，更优选地至少99重量％，更优选地至少99.5重量％，最优选地至少99.9重量％，且可包含不实质影响湿蚀刻剂的性能的其它成分。否则，如果不存在大量的非必要杂质组分，应理解所有必要组成组分的组成将基本上总计达100重量％。[0056]本文使用的章节标题是出于组织目的，而不应被解释为限制所描述的主题。本技术中引用的所有文献或文献的部分，包含但不限于专利、专利申请、文章、书籍和论文，出于任何目的通过引用以其整体明确地并入本文。在任何并入的文献和类似材料以与本技术中术语的定义相矛盾的方式定义该术语的情况下，以本技术为准。具体实施方式[0057]应当理解，前面的一般描述和下面的详细描述两者都是说明性和解释性的，而不是对所要求保护的主题的限制。根据本说明书中提供的描述，所公开的主题的目的、特征、优点和思想对于本领域技术人员而言将是显而易见的，并且所公开的主题基于本文中出现的描述将易于由本领域技术人员实践。出于解释的目的而包含示出用于实践所公开的主题的优选模式的任何“优选实施方案”和/或实例的描述，并且不旨在限制权利要求的范围。[0058]本领域技术人员还将清楚，在不脱离本文公开的公开主题的精神和范围的情况下，可以基于说明书中描述的方面对如何实践公开的主题进行各种修改。[0059]如上所述，所公开的主题涉及能够以高蚀刻速率(当铜和钴耦合时》/分钟)除去铜和钴两者的化学制剂，其还克服两种金属之间的化学性质差异和电偶腐蚀效应，并且具有在约1至1.2范围内的cu和co的蚀刻选择性。因此，当铜和钴耦合时，所述制剂具有大于约/分钟的铜蚀刻速率和大于约/分钟的钴蚀刻速率。在另一个实施方案中，当铜和钴耦合时，所述制剂具有大于约/分钟的铜蚀刻速率和大于约/分钟的钴蚀刻速率。[0060]在一个实施方案中，所公开和所要求保护的化学制剂包含：[0061](i)至少一种烷醇胺，其具有至少两个碳原子、至少一个氨基取代基和至少一个羟基取代基，所述氨基和羟基取代基连接至两个不同的碳原子；[0062](ii)至少一种ph调节剂，用于将所述制剂的ph调节至约9和约12之间；[0063](iii)至少一种螯合剂；以及[0064](iv)水。[0065]在该实施方案的一个方面，具有至少两个碳原子、至少一个氨基取代基和至少一个羟基取代基且氨基和羟基取代基连接至两个不同碳原子的至少一种烷醇胺具有式(i)：[0066][0067]其中r1和r2各自独立地选自h、未取代的c1-c6烷基、取代的c1-c6烷基、支链c3-c6烷基和c1-c6烷基氨基。[0068]在上述实施方案的另一方面，所述制剂基本上由以下组成：(i)至少一种烷醇胺，其具有至少两个碳原子、至少一个氨基取代基和至少一个羟基取代基，所述氨基和羟基取代基连接至两个不同的碳原子，(ii)至少一种ph调节剂，用于将制剂的ph调节至约9和约12之间；(iii)至少一种螯合剂和(iv)水。在这样的实施方案中，(i)、(ii)、(iii)和(iv)的组合量不一定等于100重量％，并且可以包含不会实质上改变制剂有效性的其它成分(例如，另外的溶剂，包括水、常用添加剂和/或杂质)。在该实施方案的一个方面，具有至少两个碳原子、至少一个氨基取代基和至少一个羟基取代基且氨基和羟基取代基连接至两个不同碳原子的至少一种烷醇胺具有式(i)：[0069][0070]其中r1和r2各自独立地选自h、未取代的c1-c6烷基、取代的c1-c6烷基、支链c3-c6烷基和c1-c6烷基氨基。[0071]在该实施方案的另一方面，所述制剂由以下组成：(i)至少一种烷醇胺，其具有至少两个碳原子、至少一个氨基取代基和至少一个羟基取代基，其中所述氨基和羟基取代基连接至两个不同的碳原子，(ii)至少一种ph调节剂，用于将制剂的ph调节至约9和约12之间；(iii)至少一种螯合剂；和(iv)水。在这样的实施方案中，(i)、(ii)、(iii)和(iv)的组合量等于约100重量％，但可包含其它少量和/或痕量的杂质，所述杂质以不会实质上改变制剂有效性的少量存在。例如，在一个这样的实施方案中，所述制剂可含有2重量％或更少的杂质。在另一个实施方案中，所述制剂可含有1重量％或更少的杂质。在另一个实施方案中，所述制剂可含有0.05重量％或更少的杂质。在该实施方案的一个方面，具有至少两个碳原子、至少一个氨基取代基和至少一个羟基取代基且氨基和羟基取代基连接至两个不同碳原子的至少一种烷醇胺具有式(i)：[0072][0073]其中r1和r2各自独立地选自h、未取代的c1-c6烷基、取代的c1-c6烷基、支链c3-c6烷基和c1-c6烷基氨基。[0074]在另一个实施方案中，所公开和所要求保护的化学制剂包含：[0075](i)至少一种烷醇胺，其具有至少两个碳原子、至少一个氨基取代基和至少一个羟基取代基，所述氨基和羟基取代基连接至两个不同的碳原子；[0076](ii)至少一种ph调节剂，用于将所述制剂的ph调节至约9和约12之间；[0077](iii)至少一种螯合剂；[0078](iv)水；以及[0079](v)至少一种水混溶性溶剂。[0080]在该实施方案的一个方面，具有至少两个碳原子、至少一个氨基取代基和至少一个羟基取代基且氨基和羟基取代基连接至两个不同碳原子的至少一种烷醇胺具有式(i)：[0081][0082]其中r1和r2各自独立地选自h、未取代的c1-c6烷基、取代的c1-c6烷基、支链c3-c6烷基和c1-c6烷基氨基。[0083]在该实施方案的另一方面，所述制剂基本上由以下组成：(i)至少一种烷醇胺，其具有至少两个碳原子、至少一个氨基取代基和至少一个羟基取代基，其中所述氨基和羟基取代基连接至两个不同的碳原子，(ii)至少一种ph调节剂，用于将制剂的ph调节至约9和约12之间；(iii)至少一种螯合剂；(iv)水；和(v)不同浓度的至少一种水混溶性溶剂。在这样的实施方案中，(i)、(ii)、(iii)、(iv)和(v)的组合量不一定等于100重量％，并且可以包含不会实质上改变制剂有效性的其它成分(例如，另外的溶剂，包括水、常用添加剂和/或杂质)。在该实施方案的一个方面，具有至少两个碳原子、至少一个氨基取代基和至少一个羟基取代基且氨基和羟基取代基连接至两个不同碳原子的至少一种烷醇胺具有式(i)：[0084][0085]其中r1和r2各自独立地选自h、未取代的c1-c6烷基、取代的c1-c6烷基、支链c3-c6烷基和c1-c6烷基氨基。[0086]在另一个实施方案中，所述制剂由以下组成：(i)至少一种烷醇胺，其具有至少两个碳原子、至少一个氨基取代基和至少一个羟基取代基，其中所述氨基和羟基取代基连接至两个不同的碳原子，(ii)至少一种ph调节剂，用于将所述制剂的ph调节至约9和约12之间；(iii)至少一种螯合剂；(iv)水；和(v)不同浓度的至少一种水混溶性溶剂。在这样的实施方案中，(i)、(ii)、(iii)、(iv)和(v)的组合量等于约100重量％，但可以包含其它少量和/或痕量的杂质，所述杂质以不会实质上改变制剂有效性的少量存在。例如，在一个这样的实施方案中，所述制剂可含有2重量％或更少的杂质。在另一个实施方案中，所述制剂可含有1重量％或更少的杂质。在另一个实施方案中，所述制剂可含有0.05重量％或更少％的杂质。在该实施方案的一个方面，具有至少两个碳原子、至少一个氨基取代基和至少一个羟基取代基且氨基和羟基取代基连接至两个不同碳原子的至少一种烷醇胺具有式(i)：[0087][0088]其中r1和r2各自独立地选自h、未取代的c1-c6烷基、取代的c1-c6烷基、支链c3-c6烷基和c1-c6烷基氨基。[0089]在另一个实施方案中，所公开和所要求保护的化学制剂包含：[0090](i)至少一种烷醇胺，其具有至少两个碳原子、至少一个氨基取代基和至少一个羟基取代基，所述氨基和羟基取代基连接至两个不同的碳原子；[0091](ii)至少一种ph调节剂，用于将所述制剂的ph调节至约9和约12之间；[0092](iii)至少一种螯合剂；[0093](iv)水；[0094](v)至少一种水混溶性溶剂；以及[0095](vi)至少一种润湿性调节材料。[0096]在该实施方案的一个方面，具有至少两个碳原子、至少一个氨基取代基和至少一个羟基取代基且氨基和羟基取代基连接至两个不同碳原子的至少一种烷醇胺具有式(i)：[0097][0098]其中r1和r2各自独立地选自h、未取代的c1-c6烷基、取代的c1-c6烷基、支链c3-c6烷基和c1-c6烷基氨基。[0099]在该实施方案的另一方面，所述制剂基本上由以下组成：(i)至少一种烷醇胺，其具有至少两个碳原子、至少一个氨基取代基和至少一个羟基取代基，其中所述氨基和羟基取代基连接至两个不同的碳原子，(ii)至少一种ph调节剂，用于将所述制剂的ph调节至约9和约12之间；(iii)至少一种螯合剂；(iv)水；(v)至少一种水混溶性溶剂和(vi)至少一种不同浓度的润湿性调节材料。在这样的实施方案中，(i)、(ii)、(iii)、(iv)、(v)和(vi)的组合量不一定等于100重量％，并且可以包含不会实质上改变制剂有效性的其它成分(例如，另外的溶剂，包括水、常用添加剂和/或杂质)。在该述实施方案的一个方面，具有至少两个碳原子、至少一个氨基取代基和至少一个羟基取代基且氨基和羟基取代基连接至两个不同碳原子的至少一种烷醇胺具有式(i)：[0100][0101]其中r1和r2各自独立地选自h、未取代的c1-c6烷基、取代的c1-c6烷基、支链c3-c6烷基和c1-c6烷基氨基。在该实施方案的另一方面，所述至少一种润湿性调节材料是表面活性剂。[0102]在该实施方案的另一方面，所述制剂由以下组成：(i)至少一种烷醇胺，其具有至少两个碳原子、至少一个氨基取代基和至少一个羟基取代基，其中所述氨基和羟基取代基连接至两个不同的碳原子，(ii)至少一种ph调节剂，用于将所述制剂的ph调节至约9和约12之间；(iii)至少一种螯合剂；(iv)水；(v)至少一种水混溶性溶剂和(vi)至少一种不同浓度的润湿性调节材料。在这样的实施方案中，(i)、(ii)、(iii)、(iv)、(v)和(vi)的组合量等于约100重量％，但可包含其它少量和/或痕量的杂质，所述杂质以不会实质上改变制剂有效性的少量存在。例如，在一个这样的实施方案中，所述制剂可含有2重量％或更少的杂质。在另一个实施方案中，所述制剂可含有1重量％或更少的杂质。在另一个实施方案中，所述制剂可含有0.05重量％或更少的杂质。在所述实施方案的一个方面，具有至少两个碳原子、至少一个氨基取代基和至少一个羟基取代基且所述氨基和羟基取代基连接至两个不同的碳原子的至少一种烷醇胺，优选为式(i)：[0103]其中r1和r2各自独立地选自h、未取代的c1-c6烷基、取代的c1-c6烷基、支链c3-c6烷基和c1-c6烷基氨基。在该实施方案的另一方面，所述至少一种润湿性调节材料是表面活性剂。[0104]在另一个实施方案中，所公开和所要求保护的化学制剂包含：[0105](i)至少一种烷醇胺，其具有至少两个碳原子、至少一个氨基取代基和至少一个羟基取代基，所述氨基和羟基取代基连接至两个不同的碳原子；[0106](ii)至少一种ph调节剂，用于将所述制剂的ph调节至约9和约12之间；[0107](iii)至少一种螯合剂；[0108](iv)水；以及[0109](vi)至少一种润湿性调节材料。[0110]在该实施方案的一个方面，具有至少两个碳原子、至少一个氨基取代基和至少一个羟基取代基且氨基和羟基取代基连接至两个不同碳原子的至少一种烷醇胺具有式(i)：[0111][0112]其中r1和r2各自独立地选自h、未取代的c1-c6烷基、取代的c1-c6烷基、支链c3-c6烷基和c1-c6烷基氨基。[0113]在该实施方案的另一方面，所述制剂基本上由以下组成：(i)至少一种烷醇胺，其具有至少两个碳原子、至少一个氨基取代基和至少一个羟基取代基，其中所述氨基和羟基取代基连接至两个不同的碳原子，(ii)至少一种ph调节剂，用于将所述制剂的ph调节至约9和约12之间；(iii)至少一种螯合剂；(iv)水和(vi)不同浓度的至少一种润湿性调节材料。在这样的实施方案中，(i)、(ii)、(iii)、(iv)和(vi)的组合量不一定等于100重量％，并且可以包含不会实质上改变制剂有效性的其它成分(例如，另外的溶剂，包括水、常用添加剂和/或杂质)。在该实施方案的一个方面，具有至少两个碳原子、至少一个氨基取代基和至少一个羟基取代基且氨基和羟基取代基连接至两个不同碳原子的至少一种烷醇胺具有式(i)[0114][0115]其中r1和r2各自独立地选自h、未取代的c1-c6烷基、取代的c1-c6烷基、支链c3-c6烷基和c1-c6烷基氨基。在该实施方案的另一方面，所述至少一种润湿性调节材料是表面活性剂。[0116]在该实施方案的另一方面，所述制剂由以下组成：(i)至少一种烷醇胺，其具有至少两个碳原子、至少一个氨基取代基和至少一个羟基取代基，其中所述氨基和羟基取代基连接至两个不同的碳原子，(ii)至少一种ph调节剂，用于将所述制剂的ph调节至约9和约12之间；(iii)至少一种螯合剂；(iv)水和(vi)不同浓度的至少一种润湿性调节材料。在这样的实施方案中，(i)、(ii)、(iii)、(iv)和(vi)的组合量等于约100重量％，但可以包含其它少量和/或痕量的杂质，所述杂质以不会实质上改变制剂有效性的少量存在。例如，在一个这样的实施方案中，所述制剂可含有2重量％或更少的杂质。在另一个实施方案中，所述制剂可含有1重量％或更少的杂质。在另一个实施方案中，所述制剂可含有0.05重量％或更少的杂质。在该实施方案的一个方面，具有至少两个碳原子、至少一个氨基取代基和至少一个羟基取代基且所述氨基和羟基取代基连接至两个不同的碳原子的至少一种烷醇胺优选为式(i)：[0117][0118]其中r1和r2各自独立地选自h、未取代的c1-c6烷基、取代的c1-c6烷基、支链c3-c6烷基和c1-c6烷基氨基。在所述实施方案的另一方面，所述至少一种润湿性调节材料是表面活性剂。[0119]烷醇胺[0120]如上所述，所公开和所要求保护的制剂包含至少一种烷醇胺，其具有至少两个碳原子、至少一个氨基取代基和至少一个羟基取代基，所述氨基和羟基取代基连接到两个不同的碳原子上。在一些实施方案中，所公开和所要求保护的制剂包含约1重量％至约10重量％的一种或多种烷醇胺。在另一方面，所公开和所要求保护的制剂包含约5重量％的一种或多种烷醇胺。在另一方面，所公开和所要求保护的制剂包含约2重量％的一种或多种烷醇胺。在另一方面，所公开和所要求保护的制剂包含约1重量％的一种或多种烷醇胺。[0121]在一些实施方案中，所述烷醇胺是式(i)的1,2-烷醇胺：[0122]其中r1和r2各自独立地选自h、未取代的c1-c6烷基、取代的c1-c6烷基、支链c3-c6烷基和c1-c6烷基氨基。在一些实施方案中，r1和r2各自独立地选自h、未取代的c1-c4烷基、c1-c4烷基氨基和被醇或卤素取代的c1-c4烷基。[0123]在一个实施方案中，所述制剂包含式(i)的烷醇胺，其中r1和r2中的一个或两个为h。在另一方面，所述制剂的至少一种烷醇胺基本上由式(i)的烷醇胺组成，其中r1和r2中的一个或两个是h。在另一方面，所述制剂的至少一种烷醇胺由式(i)的烷醇胺组成，其中r1和r2中的一个或两个是h。[0124]在一个实施方案中，所述制剂包含式(i)的烷醇胺，其中r1和r2两者均为h：[0125][0126]在另一方面，所述制剂的至少一种烷醇胺基本上由式(i)的烷醇胺组成，其中r1和r2两者均为h。在另一方面，所述制剂的至少一种烷醇胺由式(i)的烷醇胺组成，其中r1和r2两者均为h。[0127]在一个实施方案中，所述制剂包含式(i)的烷醇胺，其中r1和r2中的一个为h且r1和r2中的另一个为-ch3基团：[0128][0129]在另一方面，所述制剂的至少一种烷醇胺基本上由式(i)的烷醇胺组成，其中r1和r2中的一个是h并且r1和r2中的另一个是-ch3基团。在另一方面，所述制剂的至少一种烷醇胺由式(i)的烷醇胺组成，其中r1和r2中的一个是h并且r1和r2中的另一个是-ch3基团。[0130]在一个实施方案中，所述制剂包含式(i)的烷醇胺，其中r1和r2中的一个是h，并且r1和r2中的另一个是式-ch2ch2oh的取代的c1-c6烷基：[0131][0132]在另一方面，所述制剂的至少一种烷醇胺基本上由式(i)的烷醇胺组成，其中r1和r2中的一个是h并且r1和r2中的另一个是式-ch2ch2oh的取代的c1-c6烷基。在另一方面，所述制剂的至少一种烷醇胺由式(i)的烷醇胺组成，其中r1和r2中的一个是h并且r1和r2中的另一个是式-ch2ch2oh的取代的c1-c6烷基。[0133]在一个实施方案中，所述制剂包含式(i)的烷醇胺，其中r1和r2两者均为式-ch2ch2oh的取代的c1-c6烷基：[0134][0135]在另一方面，所述制剂的至少一种烷醇胺基本上由式(i)的烷醇胺组成，其中r1和r2两者均为式-ch2ch2oh的取代的c1-c6烷基。在另一方面，所述制剂的至少一种烷醇胺由式(i)的烷醇胺组成，其中r1和r2两者均为式-ch2ch2oh的取代的c1-c6烷基。[0136]在一个实施方案中，所述制剂包含式(i)的烷醇胺，其中r1和r2中的一个是h，并且r1和r2中的另一个是式-ch2ch2nh2的取代的c1-c6烷基：[0137][0138]在另一方面，所述制剂的至少一种烷醇胺基本上由式(i)的烷醇胺组成，其中r1和r2中的一个是h并且r1和r2中的另一个是式-ch2ch2nh2的取代的c1-c6烷基。在另一方面，所述制剂的至少一种烷醇胺由式(i)的烷醇胺组成，其中r1和r2中的一个是h并且r1和r2中的另一个是式-ch2ch2nh2的取代的c1-c6烷基。[0139]在一些实施方案中，所述制剂的至少一种烷醇胺基本上由式(i)的化合物组成：[0140][0141]其中r1和r2各自独立地选自h、未取代的c1-c6烷基、取代的c1-c6烷基、支链c3-c6烷基和c1-c6烷基氨基。[0142]在一些实施方案中，所述制剂的至少一种烷醇胺由式(i)的化合物组成：[0143][0144]其中r1和r2各自独立地选自h、未取代的c1-c6烷基、取代的c1-c6烷基、支链c3-c6烷基和c1-c6烷基氨基。[0145]合适的烷醇胺还包括但不限于乙醇胺、n-甲基乙醇胺、n-乙基乙醇胺、n-丙基乙醇胺、n-丁基乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、n-甲基二乙醇胺、n-乙基二乙醇胺、异丙醇胺、二异丙醇胺、三异丙醇胺、n-甲基异丙醇胺、n-乙基异丙醇胺、n-丙基异丙醇胺、2-氨基丙烷-1-醇、n-甲基-2-氨基丙烷-1-醇、n-乙基-2-氨基丙烷-1-醇、1-氨基丙烷-3-醇、n-甲基-1-氨基丙烷-3-醇、n-乙基-1-氨基丙烷-3-醇、1-氨基丁烷-2-醇、n-甲基-1-氨基丁烷-2-醇、n-乙基-1-氨基丁烷-2-醇、2-氨基丁烷-1-醇、n-甲基-2-氨基丁烷-1-醇、n-乙基-2-氨基丁烷-1-醇、3-氨基丁烷-1-醇、n-甲基-3-氨基丁烷-1-醇、n-乙基-3-氨基丁烷-1-醇、1-氨基丁烷-4-醇、n-甲基-1-氨基丁烷-4-醇、n-乙基-1-氨基丁烷-4-醇、1-氨基-2-甲基丙烷-2-醇、2-氨基-2-甲基丙烷-1-醇、1-氨基戊烷-4-醇、2-氨基-4-甲基戊烷-1-醇、2-氨基己烷-1-醇、3-氨基庚烷-4-醇、1-氨基辛烷-2-醇、5-氨基辛烷-4-醇、1-氨基丙烷-2,3-二醇、2-氨基丙烷-1,3-二醇、三(氧甲基)氨基甲烷、1,2-二氨基丙烷-3-醇、1,3-二氨基丙烷-2-醇和2-(2-氨基乙氧基)乙醇。[0146]ph调节剂[0147]ph调节剂可以是适于将所述制剂的ph调节至约9和约12之间的任何材料。这些材料包括无机酸和有机酸，包括但不限于柠檬酸、硫酸、磷酸、草酸、丙二酸、乳酸、己二酸、乙酸、三氟乙酸、甲磺酸、甲苯磺酸、式h-x的氢卤酸(其中x＝f、cl、br或i)。优选的ph调节剂是氢氟酸(hf)和甲磺酸。[0148]在一个实施方案中，所述ph调节剂包含净氢氟酸(hf)。在另一个实施方案中，所述至少一种ph调节剂基本上由氢氟酸(hf)组成。在另一个实施方案中，所述至少一种ph调节剂由氢氟酸(hf)组成。[0149]在一个实施方案中，所述ph调节剂包含甲磺酸。在另一个实施方案中，所述至少一种ph调节剂基本上由甲磺酸组成。在另一个实施方案中，所述至少一种ph调节剂由甲磺酸组成。[0150]所述制剂通常包含约0.001重量％至约10重量％的ph调节剂。在其它实施方案中，所述制剂将包含约0.01重量％至约7.5重量％的ph调节剂。在其它实施方案中，所述制剂将包含约0.1重量％至约5.0重量％的ph调节剂。在其它实施方案中，所述制剂将包含约0.1重量％至约1.0重量％的ph调节剂。[0151]在一些实施方案中，所述制剂将包含约0.1重量％至约1.0重量％的净氢氟酸(hf)。在一个方面，所述制剂将包含约0.125重量％的净氢氟酸(hf)。在另一方面，所述制剂将包含约0.25重量％的净氢氟酸(hf)。在另一方面，所述制剂将包含约0.5重量％的净氢氟酸(hf)。在另一方面，所述制剂将包含约0.75重量％的净氢氟酸(hf)。在另一方面，所述制剂将包含约1.0重量％的净氢氟酸(hf)。[0152]在一些实施方案中，所述制剂将包含约0.1重量％至约5.0重量％的甲磺酸。在一些实施方案中，所述制剂将包含约0.1重量％至约2.0重量％的甲磺酸。在一些实施方案中，所述制剂将包含约1.0重量％至约1.5重量％的甲磺酸。在一些实施方案中，所述制剂将包含约0.5重量％的甲磺酸。在一些实施方案中，所述制剂将包含约1.0重量％的甲磺酸。在一些实施方案中，所述制剂将包含约1.2重量％的甲磺酸。在一些实施方案中，所述制剂将包含约1.5重量％的甲磺酸。[0153]螯合剂[0154]如上所述，所公开和所要求保护的制剂包含一种或多种金属螯合剂。金属螯合剂可起到增加组合物在溶液中保留金属的能力和提高金属蚀刻速率的作用。可用于此目的的螯合剂的典型实例是以下有机酸及其异构体和盐：乙二胺四乙酸(edta)、丁二胺四乙酸、(1,2-环己二胺)四乙酸(cydta)、二亚乙基三胺五乙酸(detpa)、乙二胺四丙酸、(羟乙基)乙二胺三乙酸(hedta)、n,n,n',n'-乙二胺四(亚甲基膦)酸(edtmp)、三亚乙基四胺六乙酸(ttha)、1,3-二氨基-2-羟基丙烷-n,n,n',n'-四乙酸(dhpta)、亚氨基二乙酸、甲基亚氨基二乙酸、丙二胺四乙酸、硝基三乙酸(nta)、柠檬酸、酒石酸、葡萄糖酸、糖酸、甘油酸、草酸、邻苯二甲酸、马来酸、扁桃酸、丙二酸、乳酸、水杨酸、没食子酸丙酯、连苯三酚、8-羟基喹啉和半胱氨酸。优选的螯合剂是氨基羧酸如edta、cydta和亚氨基二乙酸。[0155]在一些实施方案中，所述至少一种螯合剂包含edta。在一些实施方案中，所述至少一种螯合剂基本上由edta组成。在一些实施方案中，所述至少一种螯合剂由edta组成。[0156]在一些实施方案中，所述至少一种螯合剂包含cydta。在一些实施方案中，所述至少一种螯合剂基本上由cydta组成。在一些实施方案中，所述至少一种螯合剂由cydta组成。[0157]在一些实施方案中，所述至少一种螯合剂包含亚氨基二乙酸。在一些实施方案中，所述至少一种螯合剂基本上由亚氨基二乙酸组成。在一些实施方案中，所述至少一种螯合剂由亚氨基二乙酸组成。[0158]对于大多数应用，所述制剂将包含约0.1重量％至约10重量％的螯合剂。在一些实施方案中，所述制剂将包含约0.1重量％至约5重量％的螯合剂。在一些实施方案中，所述制剂将包含约0.1重量％至约3重量％的螯合剂。在一些实施方案中，所述制剂将包含约0.1重量％至约2重量％的螯合剂。在一些实施方案中，所述制剂将包含约0.1重量％至约1重量％的螯合剂。优选地，所述制剂将包含约0.1重量％至约0.5重量％的螯合剂。在其它实施方案中，所述制剂将包含约0.1重量％的螯合剂。[0159]在其它实施方案中，所述制剂包含约0.1重量％的edta。在其它实施方案中，所述制剂基本上由约0.1重量％的edta组成。在其它实施方案中，所述制剂由约0.1重量％的edta组成。[0160]在其它实施方案中，所述制剂包含约0.1重量％的亚氨基二乙酸。在其它实施方案中，所述制剂基本上由约0.1重量％的亚氨基二乙酸组成。在其它实施方案中，所述制剂由约0.1重量％的亚氨基二乙酸组成。[0161]水混溶性溶剂[0162]如上所述，所公开和所要求保护的制剂包含一种或多种能够改变表面润湿性的水混溶性溶剂，从而改善铜表面的粗糙度性能。合适的水混溶性溶剂包括但不限于乙二醇、丙二醇(pg)、1,4-丁二醇、三丙二醇甲醚、丙二醇丙醚、二甘醇正丁醚(bdg)、二丙二醇甲醚(dpm)、己氧基丙胺、聚(氧乙烯)二胺、二甲亚砜(dmso)、四氢呋喃、四氢糠醇、甘油、醇、环丁砜、亚砜或其混合物。优选的水混溶性溶剂是丙二醇(pg)、环丁砜和二甘醇丁醚(bdg)。[0163]对于大多数应用，所述制剂包含约1重量％至约25重量％的水混溶性溶剂。在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂基本上由约1重量％至约25重量％的水混溶性溶剂组成。在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂由约1重量％至约25重量％的水混溶性溶剂组成。[0164]在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂包含约5重量％至约20重量％的水混溶性溶剂。在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂基本上由约5重量％至约20重量％的水混溶性溶剂组成。在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂由约5重量％至约20重量％的水混溶性溶剂组成。[0165]在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂包含约10重量％至约20重量％的水混溶性溶剂。在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂基本上由约10重量％至约20重量％的水混溶性溶剂组成。在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂由约10重量％至约20重量％的水混溶性溶剂组成。[0166]在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂包含约15重量％至约20重量％的水混溶性溶剂。在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂基本上由约15重量％至约20重量％的水混溶性溶剂组成。在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂由约15重量％至约20重量％的水混溶性溶剂组成。[0167]在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂包含约20重量％的水混溶性溶剂。在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂基本上由约20重量％的水混溶性溶剂组成。在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂由约20重量％的水混溶性溶剂组成。[0168]在一些实施方案中，所述水混溶性溶剂包含pg。因此，这样的制剂包含约1重量％至约25重量％的pg。在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂基本上由约1重量％至约25重量％的pg组成。在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂由约1重量％至约25重量％的pg组成。[0169]在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂包含约5重量％至约20重量％的pg。在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂基本上由约5重量％至约20重量％的pg组成。在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂由约5重量％至约20重量％的pg组成。[0170]在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂包含约10重量％至约20重量％的pg。在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂基本上由约10重量％至约20重量％的pg组成。在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂由约10重量％至约20重量％的pg组成。[0171]在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂包含约15重量％至约20重量％的pg。在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂基本上由约15重量％至约20重量％的pg组成。在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂由约15重量％至约20重量％的pg组成。[0172]在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂包含约20重量％的pg。在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂基本上由约20重量％的pg组成。在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂由约20重量％的pg组成。[0173]在一些实施方案中，所述水混溶性溶剂包含pg。因此，这样的制剂包含约1重量％至约25重量％的环丁砜。在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂基本上由约1重量％至约25重量％的环丁砜组成。在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂由约1重量％至约25重量％的环丁砜组成。[0174]在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂包含约5重量％至约20重量％的环丁砜。在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂基本上由约5重量％至约20重量％的环丁砜组成。在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂由约5重量％至约20重量％的环丁砜组成。[0175]在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂包含约10重量％至约20重量％的环丁砜。在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂基本上由约10重量％至约20重量％的环丁砜组成。在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂由约10重量％至约20重量％的环丁砜组成。[0176]在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂包含约15重量％至约20重量％的环丁砜。在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂基本上由约15重量％至约20重量％的环丁砜组成。在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂由约15重量％至约20重量％的环丁砜组成。[0177]在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂包含约20重量％的环丁砜。在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂基本上由约20重量％的环丁砜组成。在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂由约20重量％的环丁砜组成。[0178]在一些实施方案中，所述水混溶性溶剂包括bdg。因此，这样的制剂包含约1重量％至约25重量％的bdg。在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂基本上由约1重量％至约25重量％的bdg组成。在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂由约1重量％至约25重量％的bdg组成。[0179]在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂包含约5重量％至约20重量％的bdg。在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂基本上由约5重量％至约20重量％的bdg组成。在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂由约5重量％至约20重量％的bdg组成。[0180]在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂包含约10重量％至约20重量％的bdg。在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂基本上由约10重量％至约20重量％的bdg组成。在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂由约10重量％至约20重量％的bdg组成。[0181]在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂包含约15重量％至约20重量％的bdg。在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂基本上由约15重量％至约20重量％的bdg组成。在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂由约15重量％至约20重量％的bdg组成。[0182]在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂包含约20重量％的bdg。在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂基本上由约20重量％的bdg组成。在其它实施方案中，所述制剂的一种或多种水混溶性溶剂由约20重量％的bdg组成。[0183]润湿性调节材料(如表面活性剂)[0184]如上所述，所公开和所要求保护的制剂可包含至少一种水溶性润湿性调节材料，例如非离子表面活性剂。表面活性剂用于帮助除去残余物。[0185]在一个实施方案中，所述润湿性调节材料包含表面活性剂。在另一个实施方案中，所述润湿性调节材料基本上由表面活性剂组成。在另一个实施方案中，所述润湿性调节材料由表面活性剂组成。[0186]水溶性润湿性调节材料分散剂的实例包括聚氧乙烯月桂基醚、聚氧乙烯鲸蜡基醚、聚氧乙烯硬脂基醚、聚氧乙烯油基醚、聚氧乙烯高级醇醚、聚氧乙烯辛基苯基醚、聚氧乙烯壬基苯基醚、聚氧乙烯衍生物、聚氧乙烯脱水山梨糖醇单月桂酸酯、聚氧乙烯脱水山梨糖醇单棕榈酸酯、聚氧乙烯脱水山梨糖醇单硬脂酸酯、聚氧乙烯脱水山梨糖醇三硬脂酸酯、聚氧乙烯脱水山梨糖醇单油酸酯、聚氧乙烯脱水山梨糖醇三油酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇四油酸酯、聚乙二醇单月桂酸酯、聚乙二醇单硬脂酸酯、聚乙二醇二硬脂酸酯、聚乙二醇单油酸酯、聚氧乙烯烷基胺、聚氧乙烯硬化蓖麻油、烷基烷醇酰胺及其混合物。[0187]可用于所公开和所要求保护的制剂中的市售表面活性剂包括但不限于tritontm x-100(4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯基-聚乙二醇溶液)和dynoltm 607(来自air products的市售产品)。[0188]如果存在，所述制剂将包含约0.001重量％至约5重量％的表面活性剂。在其它实施方案中，所述制剂将包含约0.01重量％至约2.5重量％的表面活性剂。在其它实施方案中，所述制剂将包含约0.1重量％至约1.0重量％的表面活性剂。[0189]实施例[0190]现在将参考本公开的更具体的实施方案和为这些实施方案提供支持的实验结果。以下给出实施例以更充分地说明所公开的主题，并且不应被解释为以任何方式限制所公开的主题。[0191]对于本领域技术人员显而易见的是，在不脱离所公开的主题的精神或范围的情况下，可以对所公开的主题和本文提供的具体实施例进行各种修改和变化。因此，所公开的主题(包含由以下实施例提供的描述)旨在涵盖落入任何权利要求及其等同物的范围内的所公开的主题的修改和变化。[0192]材料和方法：[0193]成分和缩写[0194]实施例中所使用的缩写如下：[0195][0196][0197]蚀刻速率测量：[0198]如图1所示，通过耦合测试模拟电偶腐蚀效应是将两个金属薄片试样彼此面对面接触来固定。通过4点resmap探针测量蚀刻速率，并通过bruker icon afm工具测量粗糙度数据。表1-5中的蚀刻速率在30℃下以1至5分钟的时间范围测量。[0199]对比实施例[0200]在0.8m水中制备没有其它成分的胺溶液，以如下评价cu和co蚀刻速率：[0201]胺溶液三乙醇胺n-甲基乙醇胺单乙醇胺ph1111.911.9cu e/r(a/min)2170244co e/r(a/min)221115耦合cu e/r(a/min)41.270.2125耦合co e/r(a/min)36.942.160.1cu/co e/r比率1.121.672.08[0202]表1：不同胺在0.8m水溶液中的作用[0203]可以看出，伯胺显示出最高的铜蚀刻速率，而钴蚀刻速率在所有胺中是低的。图2中图示了耦合的蚀刻速率。[0204]工作实施例[0205]a.ph效应的分析[0206][0207][0208]表2：通过调节hf的ph效应[0209]如表2所示，当ph值增加时，铜蚀刻增加，但同时钴蚀刻速率降低。利用单独地和耦合的金属收集cu和co的蚀刻速率。ex.1和ex.2的耦合蚀刻速率图示于图3中。当从其中两种金属彼此耦合的样品中收集蚀刻速率时，活性较高的金属的蚀刻速率将增加，而活性较低的金属的蚀刻速率将降低。该分析更好地模拟真实装置晶片中的电偶腐蚀效应。[0210]b.螯合剂效应的分析[0211]组分ex.3ex.7ex.8diw94.7594.6594.65mea555hf0.250.250.25edta‑‑0.1‑‑亚氨基二乙酸‑‑‑‑0.1总计100100100ph10.4810.4910.4耦合cu e/r91.783.1101.5耦合co e/r41.479.593.5cu:co比率2.211.051.09[0212]表3：用于改善cu与co选择性的螯合剂效应[0213]如表3中所示，添加螯合剂(例如添加至ex.3的制剂中)使cu与co蚀刻速率的选择性从2.21显著增加到1.05-1.09，同时还保持两种金属各自的蚀刻速率。图4图示了该数据。[0214]c.溶剂对粗糙度效应的分析[0215]组分ex.9ex.10ex.11ex.12diw93.773.773.773.7pg‑‑20‑‑‑‑环丁砜‑‑‑‑20‑‑bdg‑‑‑‑‑‑20mea5555edta0.10.10.10.1甲磺酸1.21.21.21.2总计100100100100耦合cu e/r83.142.1792.7116.37耦合co e/r79.539.174.782.9cu:co比率1.051.081.241.40粗糙度-ra值(nm)5.8443.713.66粗糙度-rq值(nm)7.065.044.464.4z-范围43.948.129.627.9[0216]表4.溶剂对粗糙度性能的效应[0217]如表4所示，添加能够改变表面润湿性的溶剂在铜表面处理(copper surfacing)上产生显著更好的粗糙度性能。图5图示了该数据。d.溶剂加表面活性剂对粗糙度效应的分析[0218][0219][0220]表5.具有溶剂和表面活性剂的制剂的粗糙度数据[0221]如表5所示，通过向碱性溶液中添加表面活性剂可以进一步改善粗糙度。表5表明添加润湿性改善溶剂和表面活性剂将粗糙度从5.84提高至1.64(改善约72％)。图6示出了ex.13和ex.16的数据。图7示出了这些样品的表面粗糙度分析。[0222]结果[0223]如上表中所示，当铜和钴耦合时，所公开和所要求保护的制剂提供大于约/分钟的铜蚀刻速率和大于约/分钟的钴蚀刻速率，且与此同时还在铜和钴耦合时提供期望的cu:co蚀刻速率比率。如所示，耦合co-cu蚀刻速率比通常在约0.9和约2.25之间。在一些实施方案中，当铜与钴耦合时，铜:钴的蚀刻速率比为约1.0至约2.20。在其它实施方案中，当铜与钴耦合时，铜:钴的蚀刻速率比为约0.95至约1.25。在其它实施方案中，当铜与钴耦合时，铜:钴的蚀刻速率比为约0.95至约1.1。在其它实施方案中，当铜与钴耦合时，铜:钴的蚀刻速率比为约1.0至约1.1。在其它实施方案中，当铜与钴耦合时，铜:钴的蚀刻速率比为约1.0。[0224]给定以上铜对钴蚀刻速率，在一些实施方案中，当铜与钴耦合时，所述制剂具有大于约/分钟的铜蚀刻速率和大于约/分钟的钴蚀刻速率，并且当铜与钴耦合时，所述制剂还具有约0.95至约1.25的铜:钴蚀刻速率比。在其它实施方案中，当铜和钴耦合时，所述制剂具有大于约/分钟的铜蚀刻速率和大于约/分钟的钴蚀刻速率，并且当铜和钴耦合时，所述制剂还具有约0.95至约1.1的铜:钴蚀刻速率比。在其它实施方案中，当铜与钴耦合时，所述制剂具有大于约/分钟的铜蚀刻速率和大于约/分钟的钴蚀刻速率，并且当铜与钴耦合时，所述制剂还具有约1的铜:钴蚀刻速率比。[0225]尽管已经以一定程度的特殊性地描述和说明了本发明，但是应当理解，本公开仅通过实施例的方式进行，并且在不脱离本发明的精神和范围的情况下，本领域技术人员可以对条件和步骤的顺序进行多种改变。









图片声明：本站部分配图来自人工智能系统AI生成,觅知网授权图片,PxHere摄影无版权图库。本站只作为美观性配图使用,无任何非法侵犯第三方意图,一切解释权归图片著作权方,本站不承担任何责任。如有恶意碰瓷者,必当奉陪到底严惩不贷!




内容声明：本文中引用的各种信息及资料（包括但不限于文字、数据、图表及超链接等）均来源于该信息及资料的相关主体（包括但不限于公司、媒体、协会等机构）的官方网站或公开发表的信息。部分内容参考包括:(百度百科,百度知道,头条百科,中国民法典,刑法,牛津词典,新华词典,汉语词典,国家院校,科普平台)等数据,内容仅供参考使用,不准确地方联系删除处理！本站为非盈利性质站点,发布内容不收取任何费用也不接任何广告!




免责声明：我们致力于保护作者版权，注重分享，被刊用文章因无法核实真实出处，未能及时与作者取得联系，或有版权异议的，请联系管理员，我们会立即处理，本文部分文字与图片资源来自于网络，部分文章是来自自研大数据AI进行生成,内容摘自(百度百科,百度知道,头条百科,中国民法典,刑法,牛津词典,新华词典,汉语词典,国家院校,科普平台)等数据,内容仅供学习参考,不准确地方联系删除处理!的,若有来源标注错误或侵犯了您的合法权益，请立即通知我们，情况属实，我们会第一时间予以删除，并同时向您表示歉意,谢谢!