一种新型LTPO背板结构及制作方法与流程

电气元件制品的制造及其应用技术一种新型ltpo背板结构及制作方法1.技术领域2.本发明属于背板技术领域，具体是指一种新型ltpo背板结构及制作方法。背景技术：3.目前市面上的中小尺寸oled面板，背板主要使用ltps（低温多晶硅）与igzo（氧化镓锌铟）两种技术。4.使用ltps背板结构的oled面板具有较大的电子迁移率和开口率，可以实现较高的分辨率。虽然ltps结构的开态电流较大，但是漏电流也大，需要不断充电维持电容电位，导致功耗较高和无法低频驱动。5.使用igzo背板结构的oled面板与非晶硅基板工艺相似，生产成本较ltps背板结构低，但是igzo迁移率较ltps低，tft尺寸更大，使得分辨率也较低；并且igzo的性质不稳定，在空气中易氧化，面板使用寿命较低。技术实现要素：6.为了解决上述难题，本发明提供了一种新型ltpo背板结构，该结构将背板分为双层结构，底层为顶栅结构的驱动tft，采用ltps作为半导体；顶层为顶栅结构的开关tft，使用igzo作为半导体，这种结构结合ltps电子迁移率高和igzo漏电流小的优点，使面板的功耗更低、稳定性更好，且能实现面板低频刷新显示。7.为了实现上述功能模，本发明采取的技术方案如下：一种新型ltpo背板结构，包括poly半导体层，基板上通过ela(准分子激光退火)工艺形成poly半导体层，所述poly半导体层上设有gi层和金属层m1栅极，所述gi层将金属层m1栅极和poly半导体层隔开，所述gi层和金属层m1栅极外设有绝缘层pv1，所述绝缘层pv1上设有金属层m2，所述金属层m2与金属层m1栅极相连，所述金属层m2外设有绝缘层pv2，所述绝缘层pv2上设有金属层m3，所述金属层m3（ovdd讯号）与金属层m2通过绝缘层pv2形成像素驱动电路的储存电容cst，所述金属层m3上设有绝缘层pv3层，所述绝缘层pv3层上镀膜形成igzo半导体层，所述igzo半导体层上设有gi层和金属层m4栅极，所述gi层将金属层m4栅极与igzo半导体层隔开，scan（扫描）讯号通过金属层m4送入，所述金属层m4栅极和igzo半导体层上设有绝缘层pv4，所述绝缘层pv4上设有金属层m5，所述金属层m5和金属层m2相连，金属层m5作为开关tft的source、drain极和金属层m2相连，将data讯号送到驱动tft的金属层m1栅极并存储在电容cst中，所述金属层m5上设有有机平整层oc，所述有机平整层oc上设有阳极金属层anode，所述阳极金属层anode与金属层m3相连，接收ovdd电流讯号，所述有机平整层oc上设有画素定义层pdl，所述阳极金属层anode上设有开口。8.其中，所述绝缘层pv1上设有via1洞，所述金属层m2通过via1洞与金属层m1栅极相连。9.进一步地，所述绝缘层pv2上设有via2洞，所述金属层m3通过via2洞与驱动tft的drain和source极相连。10.优选地，所述绝缘层pv4上设有via4洞，所述金属层m5通过via4洞与金属层m2相连。11.其中，所述有机平整层oc上设有oc洞，所述阳极金属层anode通过oc洞与金属层m3相连。12.本发明还包括一种新型ltpo背板结构的制作方法，包括如下步骤：（1）在玻璃基板上镀上非晶硅（a-si）膜层，通过ela（准分子激光退火）工艺在中间部位形成poly（ltps）半导体层，再用离子注入工艺将p+离子注入poly左右两端，分别形成source电极和drain电极；（2）在半导体层poly上分别镀上gi层和金属层m1(栅极)，gi层将金属层m1栅极和半导体层隔开；（3）绝缘层pv1覆盖金属层m1、gi膜层和source电极、drain电极；（4）绝缘层pv1打via1洞；（5）在绝缘层pv1上镀上金属层m2并通过via1洞与金属层m1栅极相连；（6）镀上绝缘层pv2覆盖金属层m2；（7）在绝缘层pv2打via2洞；（8）在绝缘层pv2上镀上金属层m3，金属层m3（ovdd讯号）通过via2洞与驱动tft的drain和source极相连，与金属层m2通过绝缘层pv2形成像素驱动电路的储存电容cst；（9）绝缘层pv3覆盖金属层m3，在pv3层镀膜形成igzo半导体层，在igzo半导体层上分别镀上gi层和金属层m4栅极，gi层将金属层m4栅极与igzo半导体层隔开，scan（扫描）讯号通过金属层m4送入；（10）绝缘层pv4覆盖金属层m4栅极和igzo半导体层；（11）绝缘层pv4打via4洞；（12）在绝缘层pv4上镀上金属层m5，金属层m5作为开关tft的source、drain极和金属层m2相连，将data讯号送到驱动tft的金属层m1栅极并存储在电容cst中；（13）有机平整层oc覆盖金属层m5；（14）有机平整层oc上打oc洞；（15）在有机平整层oc上镀上阳极金属层anode与金属层m3相连，接收ovdd电流讯号；（16）在有机平整层oc上镀上画素定义层pdl，并在阳极金属层anode处开口。13.本发明采取上述结构取得有益效果如下：本发明提供的新型ltpo背板结构及制作方法，操作简单，结构紧凑，设计合理，与传统的ltps背板相比，减小开关tft的漏电流，使驱动tft在显示时间内打开大小恒定，降低了面板的功耗；与传统的igzo背板相比，驱动tft尺寸减小和tft分层分布，使单个像素的驱动电路面积减小，增大了ppi，提高了分辨率，使画面显示更清晰；结合了ltps和igzo两种背板结构的优点，提高面板稳定性，增大面板开口率，实现面板低频刷新显示。附图说明14.图1为本发明提供的新型ltpo背板结构的结构示意图；图2为本发明提供的新型ltpo背板结构的背板光罩pep顺序示意图。具体实施方式15.下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。16.在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。以下结合附图，对本发明做进一步详细说明。17.如图1-2所示，本发明提供的新型ltpo背板结构，包括poly半导体层，基板上通过ela(准分子激光退火)工艺形成poly半导体层，poly半导体层上设有gi层和金属层m1栅极，gi层将金属层m1栅极和poly半导体层隔开，gi层和金属层m1栅极外设有绝缘层pv1，绝缘层pv1上设有金属层m2，金属层m2与金属层m1栅极相连，金属层m2外设有绝缘层pv2，绝缘层pv2上设有金属层m3，金属层m3（ovdd讯号）与驱动tft的drain和source极相连，金属层m3（ovdd讯号）与金属层m2通过绝缘层pv2形成像素驱动电路的储存电容cst，金属层m3上设有绝缘层pv3层，绝缘层pv3层上镀膜形成igzo半导体层，igzo半导体层上设有gi层和金属层m4栅极，gi层将金属层m4栅极与igzo半导体层隔开，scan（扫描）讯号通过金属层m4送入，金属层m4栅极和igzo半导体层上设有绝缘层pv4，绝缘层pv4上设有金属层m5，金属层m5和金属层m2相连，金属层m5作为开关tft的source、drain极和金属层m2相连，将data讯号送到驱动tft的金属层m1栅极并存储在电容cst中，金属层m5上设有有机平整层oc，有机平整层oc上设有阳极金属层anode，阳极金属层anode与金属层m3相连，接收ovdd电流讯号，有机平整层oc上设有画素定义层pdl，阳极金属层anode上设有开口。18.绝缘层pv1上设有via1洞，金属层m2通过via1洞与金属层m1栅极相连；绝缘层pv2上设有via2洞，金属层m3通过via2洞与驱动tft的drain和source极相连；绝缘层pv4上设有via4洞，金属层m5通过via4洞与金属层m2相连；有机平整层oc上设有oc洞，阳极金属层anode通过oc洞与金属层m3相连。19.本发明还包括一种新型ltpo背板结构的制作方法，包括如下步骤：（1）在玻璃基板上镀上非晶硅（a-si）膜层，通过ela（准分子激光退火）工艺在中间部位形成poly（ltps）半导体层，再用离子注入工艺将p+离子注入poly左右两端，分别形成source电极和drain电极；（2）在半导体层poly上分别镀上gi层和金属层m1(栅极)，gi层将金属层m1栅极和半导体层隔开；（3）绝缘层pv1覆盖金属层m1、gi膜层和source电极、drain电极；（4）绝缘层pv1打via1洞；（5）在绝缘层pv1上镀上金属层m2并通过via1洞与金属层m1栅极相连；（6）镀上绝缘层pv2覆盖金属层m2；（7）在绝缘层pv2打via2洞；（8）在绝缘层pv2上镀上金属层m3，金属层m3（ovdd讯号）通过via2洞与驱动tft的drain和source极相连，与金属层m2通过绝缘层pv2形成像素驱动电路的储存电容cst；（9）绝缘层pv3覆盖金属层m3，在pv3层镀膜形成igzo半导体层，在igzo半导体层上分别镀上gi层和金属层m4栅极，gi层将金属层m4栅极与igzo半导体层隔开，scan（扫描）讯号通过金属层m4送入；（10）绝缘层pv4覆盖金属层m4栅极和igzo半导体层；（11）绝缘层pv4打via4洞；（12）在绝缘层pv4上镀上金属层m5，金属层m5作为开关tft的source、drain极和金属层m2相连，将data讯号送到驱动tft的金属层m1栅极并存储在电容cst中；（13）有机平整层oc覆盖金属层m5；（14）有机平整层oc上打oc洞；（15）在有机平整层oc上镀上阳极金属层anode与金属层m3相连，接收ovdd电流讯号；（16）在有机平整层oc上镀上画素定义层pdl，并在阳极金属层anode处开口。20.具体使用如下：（1）在玻璃基板上镀上非晶硅（a-si）膜层，通过ela（准分子激光退火）工艺在中间部位形成poly（ltps）半导体层，再用离子注入工艺将p+离子注入poly左右两端，分别形成source电极和drain电极；（2）在半导体层poly上分别镀上gi层和金属层m1(栅极)，gi层将金属层m1栅极和半导体层隔开；（3）绝缘层pv1覆盖金属层m1、gi膜层和source电极、drain电极；（4）绝缘层pv1打via1洞；（5）在绝缘层pv1上镀上金属层m2并通过via1洞与金属层m1栅极相连；（6）镀上绝缘层pv2覆盖金属层m2；（7）在绝缘层pv2打via2洞；（8）在绝缘层pv2上镀上金属层m3，金属层m3（ovdd讯号）通过via2洞与驱动tft的drain和source极相连，与金属层m2通过绝缘层pv2形成像素驱动电路的储存电容cst；（9）绝缘层pv3覆盖金属层m3，在pv3层镀膜形成igzo半导体层，在igzo半导体层上分别镀上gi层和金属层m4栅极，gi层将金属层m4栅极与igzo半导体层隔开，scan（扫描）讯号通过金属层m4送入；（10）绝缘层pv4覆盖金属层m4栅极和igzo半导体层；（11）绝缘层pv4打via4洞；（12）在绝缘层pv4上镀上金属层m5，金属层m5作为开关tft的source、drain极和金属层m2相连，将data讯号送到驱动tft的金属层m1栅极并存储在电容cst中；（13）有机平整层oc覆盖金属层m5；（14）有机平整层oc上打oc洞；（15）在有机平整层oc上镀上阳极金属层anode与金属层m3相连，接收ovdd电流讯号；（16）在有机平整层oc上镀上画素定义层pdl，并在阳极金属层anode处开口。21.以上对本发明及其实施方式进行了描述，这种描述没有限制性，附图中所示的也只是本发明的实施方式之一，实际的结构并不局限于此。总而言之如果本领域的普通技术人员受其启示，在不脱离本发明创造宗旨的情况下，不经创造性的设计出与该技术方案相似的结构方式及实施例，均应属于本发明的保护范围。









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