硅晶片的缺陷检查方法及硅晶片的缺陷检查系统与流程

电气元件制品的制造及其应用技术1.本发明涉及一种关于硅晶片的缺陷检查方法及硅晶片的缺陷检查系统。背景技术：2.以往，实行检查硅晶片中发生的滑移位错。滑移位错的特征在于，由于位错移动明显存在硅原子水平浅的高低差，晶体方位的方向上具有长度。3.例如，专利文献1中，公开了使用激光的硅晶片的缺陷检查方法。该方法，从激光光源对硅晶片表面照射激光，通过以光二极体检测反射光，检测在硅晶片表面上形成的缺陷。4.现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2017-174933号公报。技术实现要素：5.发明所要解决的技术问题但是，专利文献1的手法中，主要发生滑移位错的硅晶片外周部中，激光的散射越强，越有可能无法得到充分的检测灵敏度。6.于是，本发明的目的在于提供能够高灵敏度检测硅晶片表面上发生的滑移位错的硅晶片的缺陷检查方法及硅晶片的缺陷检查系统。7.用于解决技术问题的方案本发明的主旨方案，如下：本发明的硅晶片的缺陷检查方法，其特征在于，包括：光照射工序，从光源对硅晶片的表面照射光；以及光检测工序，利用光检测器，检测所述表面反射的光；硅晶片的侧视中，入射光的光轴对硅晶片表面形成的角度θ1是67～78°，并且假设所述光检测器的检测光轴对硅晶片表面形成的角度是θ2时，θ1-θ2是-6～-1°或1～6°。8.在此，所谓“检测光轴”，是指成为光检测器的检测面法线方向的轴线。9.本发明的硅晶片的缺陷检查系统，其特征在于：具备：光源，可对硅晶片的表面照射光；以及光检测器，检测所述表面反射的光；对应硅晶片侧面的侧视中，入射光的光轴对于对应硅晶片表面的假想平面形成的角度θ1是67～78°，并且假设所述光检测器的检测光轴对于对应硅晶片表面的假想平面形成的角度是θ2时，θ1-θ2是-6～-1°或1～6°。10.发明效果根据本发明，能够提供能够高灵敏度检测硅晶片表面上发生的滑移位错的硅晶片的缺陷检查方法及硅晶片的缺陷检查系统。附图说明11.图1是显示本发明的一实施方式的硅晶片的缺陷检查方法中能够使用的光学系统的一例的侧视图。具体实施方式12.以下，关于本发明的实施方式，参考附图详细例示说明。13.《硅晶片的缺陷检查方法》说明关于本发明的一实施方式的硅晶片的缺陷检查方法。图1是显示本发明的方法中能够使用的光学系统的一例的侧视图。图1显示从侧面观察硅晶片w的图。14.如图1所示，该光学系统具备缺陷检查的对象物即硅晶片w、对硅晶片w表面照射光的光源1以及检测该表面反射的光的光检测器2。15.光源1可以是硅晶片w表面的缺陷检查中使用的任意已知的光源。光源1优选为能够照射虚拟平行光的光点式光导，也可以是其它例如荧光灯等的聚光灯，还也可以是激光光源。16.光检测器2可以是通过检测从硅晶片w表面反射的光，能够检测硅晶片w表面的缺陷的任意已知的光检测器。光检测器2优选可以是具有高分辨率透镜（不特别限定，例如远心镜头，例如倍率能够设为0.5～1.5倍，焦点深点设为50～80mm）的高解析度区域摄影机（不特别限定，例如解析度能够设为1.0～3.0mpixel，帧率设为50～200fps）。17.在此，图1的侧视（硅晶片w的侧视）中，入射光的光轴对硅晶片w表面形成的角度θ（如图1所示，“90°‑（入射角）”是67～78°，并且，假设光检测器2的检测光轴对硅晶片w表面形成的角度是θ2时，θ1-θ2是-6～-1°或1～6°。18.以下，说明关于直到完成本发明的经过。19.本发明者们，为了解决上述课题，反复专心研究关于能够高灵敏度检测硅晶片表面上形成的滑移位错的光学系统。本发明者们，不限于所谓与光对硅晶片的入射角相等的反射角的位置最容易聚光并在该角度上设置光检测器的以往技术常识，研究入射角、光检测器的位置后，上述角度θ1是规定的狭窄范围时，通过在特意偏离与光对硅晶片的入射角相等的反射角的位置的规定的狭窄范围内设置光检测器，查明可以高灵敏度检测硅晶片表面上形成的滑移位错。20.以下，说明关于其实验的细节。21.作为表面缺陷的检查对象，准备直径300mm、p型、晶体方位（100）的硅晶片。作为光源，准备能够照射虚拟平行光的光点式光导，作为光检测器，准备具有高分辨率透镜的高解析度区域摄影机。22.关于硅晶片的外周区域（从硅晶片的端缘往径向内侧6mm为止的区域），上述光源及光检测器的位置变更为上述角度θ1、θ2的同时，实行表面缺陷的检查。关于以晶体方位的方向为基准（0°）45°为止的范围实行检查。23.以下的表1中显示评价结果。并且，表1中，显示评价“a”是光量充分良好，评价“b”是光量良好，评价“c”是光量不足或过多。评价为“a”及“b”时，由于光量良好，能够高灵敏度检测硅晶片表面上发生的滑移位错。24.[表1][0025]如表1所示，入射光的光轴对硅晶片表面形成的角度θ1是67～78°，并且假设光检测器的检测光轴对硅晶片表面形成的角度是θ2时，θ1-θ2是-6～-1°或1～6°的情况下，评价结果为a或b，判明为良好。[0026]认为这是因为在根据晶体轴的光学散射强度低的对象物检测中，接近明视野中心的范围中由于反射光强度强，对比的确认困难，接近与暗视野的边界的范围中由于反射光的强度减弱，对比变得明确，缺陷确认变得容易。[0027]尤其，角度θ1是67°，θ1-θ2是-3°或3°的情况下，角度θ1是70～73°并且θ1-θ2是-4°或4°的情况下，角度θ1是74°并且θ1-θ2是-4°、-3°或4°的情况下，角度θ1是75°并且θ1-θ2是-3°或3°的情况下，以及角度θ1是78°并且θ1-θ2是-4°或3°或4°的情况下，评价结果为a，判明为特别良好。[0028]根据上述的见解，本实施方式的硅晶片的缺陷检查方法，包含：光照射工序，从光源对硅晶片的表面照射光；以及光检测工序，利用光检测器，检测该表面反射的光；硅晶片的侧视中，入射光的光轴对硅晶片表面形成的角度θ1是67～78°，并且假设光检测器的检测光轴对硅晶片表面形成的角度是θ2时，θ1-θ2是-6～-1°或1～6°。[0029]尤其，优选角度θ1是67°，θ1-θ2是-3°或3°，角度θ1是70～73°并且θ1-θ2是-4°或4°，角度θ1是74°并且θ1-θ2是-4°、-3°或4°，角度θ1是75°并且θ1-θ2是-3°或3°，以及角度θ1是78°并且θ1-θ2是-4°或3°或4°。[0030]《硅晶片的缺陷检查系统》根据本发明一实施方式的硅晶片的缺陷检查系统，具备：光源，可对硅晶片的表面照射光；以及光检测器，检测该表面反射的光；在硅晶片的侧视中，入射光的光轴对于对应硅晶片表面的假想平面形成的角度θ1是67～78°，并且假设光检测器的检测光轴对于对应硅晶片表面的假想平面形成的角度是θ2时，θ1-θ2是-6～-1°或1～6°。[0031]关于光源及光检测器，因为与说明关于硅晶片的检查方法相同，省略说明。[0032]尤其，优选角度θ1是67°，θ1-θ2是-3°或3°，角度θ1是70～73°并且θ1-θ2是-4°或4°，角度θ1是74°并且θ1-θ2是-4°、-3°或4°，角度θ1是75°并且θ1-θ2是-3°或3°，以及角度θ1是78°并且θ1-θ2是-4°或3°或4°。[0033]附图标记说明1-光源，2-光检测器，w-硅晶片。









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