发光装置、投影仪以及发光装置的制造方法与流程

电气元件制品的制造及其应用技术1.本发明涉及发光装置、投影仪以及发光装置的制造方法。背景技术：2.以往已知具备具有周期构造的多个纳米构造体的发光装置。在下述的专利文献1中公开了一种半导体光元件阵列，其具备半导体基板、设置在半导体基板上的多个纳米柱状结晶体、以及分别设置在多个纳米柱状结晶体上的活性层。这种纳米构造体具有柱状的形状，例如也被称为纳米柱、纳米线、纳米棒、纳米柱等。3.专利文献1：日本特开2013-239718号公报4.然而，在以往的具备纳米构造体的发光装置中，由于漏电流的影响而在本来的发光区域难以流过规定量的电流，因此有可能产生无法得到规定的发光量、在本来的发光区域以外的区域产生不希望的发光等不良情况。技术实现要素：5.为了解决上述课题，本发明的一个方式的发光装置具有：基板；柱状部组，其设置在所述基板上，由具有第一半导体层、发光层和第二半导体层的层叠构造的多个柱状部构成；以及电极，其设置在所述多个柱状部上，向所述多个柱状部注入电流，所述多个柱状部包含多个第一柱状部和配置在所述多个第一柱状部的周围的多个第二柱状部，所述第二柱状部具有所述第一柱状部的形状的一部分欠缺而成的形状，所述第二柱状部的高度比所述第一柱状部的高度低，所述电极与所述多个第二柱状部电绝缘。6.本发明的一个方式的投影仪具备本发明的一个方式的发光装置。7.本发明的一个方式的发光装置的制造方法具有以下工序：在基板上形成具有第一半导体层、发光层以及第二半导体层的层叠构造的多个柱状部；通过对所述多个柱状部进行蚀刻而形成柱状部组；对所述柱状部组进行蚀刻；以及形成与所述柱状部组电连接的电极，在形成所述多个柱状部的工序中，所述多个柱状部包含多个第一柱状部和配置于所述多个第一柱状部的周围的多个第二柱状部，所述第二柱状部具有所述第一柱状部的形状的一部分欠缺而成的形状，在对所述柱状部组进行蚀刻的工序中，以所述第二柱状部的高度比所述第一柱状部的高度低的方式对所述第二柱状部进行蚀刻，在形成所述电极的工序中，以所述第二柱状部与所述电极电绝缘的方式形成所述电极。附图说明8.图1是实施方式的投影仪的概略结构图。9.图2是示意性地表示实施方式的发光装置的俯视图。10.图3是沿着图2的ii-ii线的发光装置的剖视图。11.图4a是表示发光装置的制造工艺中的一个工序的剖视图。12.图4b是表示图4a之后的工序的剖视图。13.图4c是表示图4b之后的工序的剖视图。14.图4d是表示图4c之后的工序的剖视图。15.图4e是表示图4d之后的工序的剖视图。16.图4f是表示图4e之后的工序的剖视图。17.图5是发光部的俯视图。18.图6是用于说明以往的发光装置的问题点的图。19.标号说明20.1r、1g、1b：发光装置；10：基板；31、31c、31d：纳米柱(柱状部)；31a：纳米柱组(柱状部组)；33：第一半导体层；34：发光层；35：第二半导体层；60：第二电极(电极)；100：投影仪；311：第一纳米柱(第一柱状部)；312：第二纳米柱(第二柱状部)。具体实施方式21.以下，使用附图对本发明的一个实施方式进行说明。22.图1是本实施方式的投影仪的概略结构图。23.在以下的各附图中，为了容易观察各构成要素，有时根据构成要素而使尺寸的比例尺不同地进行表示。24.如图1所示，本实施方式的投影仪100是向屏幕scr投射图像的投射型图像显示装置。投影仪100具有发光装置1r、发光装置1g、发光装置1b、十字分色棱镜3和投射光学装置4。关于发光装置1r、1g、1b的结构，在后面叙述。25.发光装置1r射出红色光。发光装置1g射出绿色光。发光装置1b射出蓝色光。发光装置1r、1g、1b通过将各个发光部作为影像的像素而根据图像信息进行调制，能够不使用例如液晶光阀等光调制装置而直接形成影像。26.从发光装置1r、1g、1b分别射出的色光入射到十字分色棱镜3。十字分色棱镜3对从发光装置1r、1g、1b分别射出的色光进行合成并引导至投射光学装置4。投射光学装置4将由发光装置1r、1g、1b形成的影像放大并投射到屏幕scr。投射光学装置4由一个或多个投射透镜构成。27.具体而言，十字分色棱镜3是将4个直角棱镜贴合而形成的，在其内表面呈十字状地配置有反射红色光的电介质多层膜和反射蓝色光的电介质多层膜。通过这些电介质多层膜合成3种色光，形成示出彩色图像的光。合成后的光通过投射光学装置4投射到屏幕scr上，显示出放大后的图像。28.发光装置1r、1g、1b除了射出的光的波段不同以外，分别具有相同的基本结构。因此，以下，以发光装置1b为例，对其结构进行详细说明。29.图2是示意性地表示发光装置1b的结构的俯视图。30.以下，使用xyz正交坐标系对各部的结构进行说明。设与从光射出的方向观察发光装置1b的俯视形状为矩形的发光区域的一个边平行的轴为x轴，与发光区域的另一个边平行的轴为y轴，与x轴和y轴垂直的轴为z轴。若将与光射出的方向平行的轴定义为发光装置1b的光轴，则z轴与发光装置1b的光轴平行。31.如图2所示，发光装置1b具有配置成阵列状的多个发光部30。在本实施方式中，多个发光部30沿着x轴和y轴配置成矩阵状。由此，在发光装置1b中，能够构成将各发光部30作为一个像素而形成影像的自发光成像器。32.图3是表示发光装置1b的主要部分结构的剖视图。另外，图3是表示沿着图2的ii-ii线的截面的图，表示发光装置1b的截面。33.如图3所示，发光装置1b具备基板10、反射层11、半导体层12、发光部30、绝缘层40、第一电极50、第二电极60和布线70。34.本实施方式的第二电极60对应于技术方案的电极。35.在本实施方式中，在z轴方向上，设从基板10层叠构成发光部30的层叠构造的方向为上方，朝向层叠构造的层叠方向的相反侧的方向为下方来进行说明。但是，并不由此限定使用发光装置1b时的设置方向。另外，将从层叠构造的层叠方向、即发光装置1b的光轴的方向观察的情况称为俯视。36.基板10例如由硅(si)基板、氮化镓(gan)基板、蓝宝石基板等构成。在基板10的上表面设置有反射层11。反射层11例如由交替地层叠algan层和gan层而成的层叠体、交替地层叠alinn层和gan层而成的层叠体等构成。反射层11使由后述的纳米柱的发光层产生的光朝向与基板10相反的一侧反射。此外，也可以在基板10的下表面设置用于释放由发光部30产生的热的散热器。37.半导体层12设置在反射层11上。半导体层12是由n型的半导体材料构成的层，例如由n型gan层构成，具体而言由掺杂有si的gan层构成。38.发光部30具有多个纳米柱31和光传播层32。纳米柱31是在半导体层12上突出延伸的柱状的结晶构造体。纳米柱31的形状例如为多棱柱状、圆柱状、椭圆柱状等。在本实施方式中，纳米柱31的形状为圆柱状。纳米柱31的直径为nm级，具体而言，例如为10nm以上且500nm以下。纳米柱31的层叠方向的尺寸、即纳米柱31的高度例如为0.1μm以上且5μm以下。39.本实施方式的纳米柱31对应于技术方案的柱状部。40.另外，在纳米柱31的俯视形状为圆的情况下，纳米柱31的直径为圆的直径，在纳米柱31的俯视形状不是圆的情况下，纳米柱31的直径为最小包含圆的直径。例如在纳米柱31的俯视形状为多边形的情况下，纳米柱31的直径是在内部包含多边形的最小的圆的直径。在纳米柱31的俯视形状为椭圆的情况下，纳米柱31的直径是在内部包含椭圆的最小的圆的直径。41.纳米柱31的中心在纳米柱31的俯视形状为圆的情况下是圆的中心，在纳米柱31的俯视形状为非圆的形状的情况下是最小包含圆的中心。例如在纳米柱31的俯视形状为多边形的情况下，纳米柱31的中心是在内部包含多边形的最小的圆的中心。在纳米柱31的俯视形状为椭圆的情况下，纳米柱31的中心是在内部包含椭圆的最小的圆的中心。42.如图5所示，多个纳米柱31在俯视时在规定的方向上以规定的间距排列。纳米柱31能够显现光子晶体的效应，将发光层34发出的光封闭在基板10的面内方向并向层叠方向射出。基板10的面内方向是沿着与层叠方向正交的面的方向。43.纳米柱31具有第一半导体层33、发光层34和第二半导体层35。具体而言，纳米柱31具有从半导体层12侧依次层叠有第一半导体层33、发光层34以及第二半导体层35的层叠构造。构成纳米柱31的各层如后述那样通过外延生长而形成。44.第一半导体层33设置在半导体层12上。第一半导体层33设置在半导体层12与发光层34之间。第一半导体层33由n型的半导体层构成，例如由掺杂了si的n型的gan层构成。在本实施方式中，第一半导体层33由与半导体层12相同的材料构成。45.发光层34设置在第一半导体层33上。发光层34设置在第一半导体层33与第二半导体层35之间。发光层34例如具有交替地层叠多个gan层和ingan层而成的量子阱结构。发光层34通过经由第一半导体层33及第二半导体层35被注入电流而发光。另外，构成发光层34的gan层及ingan层的数量没有特别限定。在本实施方式的情况下，发光层34射出例如430nm～470nm的蓝色波段的蓝色光。46.第二半导体层35设置在发光层34上。第二半导体层35的导电型与第一半导体层33不同。即，第二半导体层35是由p型的半导体材料构成的层，例如由掺杂了mg的p型的gan层构成。第一半导体层33及第二半导体层35作为具有将光封闭在发光层34内的功能的包层发挥功能。47.光传播层32在俯视时包围各个纳米柱31地设置。因此，光传播层32设置于相邻的纳米柱31彼此之间的间隙。光传播层32的折射率低于发光层34的折射率。光传播层32例如由gan层、氧化钛(tio2)层等构成。构成光传播层32的gan层既可以是i型，也可以是n型，也可以是p型。光传播层32使在发光层34中产生的光在平面方向上传播。48.在发光部30中，由p型的第二半导体层35、未掺杂杂质的发光层34以及n型的第一半导体层33的层叠体构成pin二极管。第一半导体层33及第二半导体层35的带隙大于发光层34的带隙。在发光部30中，当在第一电极50与第二电极60之间施加相当于pin二极管的正向偏置电压的电压而注入电流时，在发光层34中发生电子与空穴的复合。通过该复合而产生发光。49.在发光层34中产生的光通过第一半导体层33和第二半导体层35在基板10的面内方向上通过光传播层32传播。此时，光通过纳米柱31的光子晶体的效应而形成驻波，被封闭在基板10的面内方向。被封闭的光在发光层34中受到增益而进行激光振荡。即，在发光层34中产生的光通过多个纳米柱31在基板10的面内方向上共振，进行激光振荡。具体而言，在发光层34中产生的光在由多个纳米柱31构成的共振部中在基板10的面内方向上共振，进行激光振荡。之后，由共振产生的+1次衍射光和-1次衍射光作为激光在层叠方向(z轴方向)上行进。50.在发光装置1b中，以在平面方向上传播的光的强度在z轴方向上在发光层34处最大的方式，设计第一半导体层33、第二半导体层35及发光层34的折射率及厚度。51.在本实施方式中，沿层叠方向行进的激光中的朝向基板10侧行进的激光被反射层11反射，朝向第二电极60侧行进。由此，发光部30能够从第二电极60侧射出光。52.如图3所示，在半导体层12上设置有掩模层37。掩模层37设置在光传播层32与半导体层12之间。掩模层37在发光部30的制造工序中，作为用于使构成各纳米柱31的膜在半导体层12上的特定的区域选择性地生长的掩模发挥功能。掩模层37例如由氧化硅层、氮化硅层等构成。53.绝缘层40设置在半导体层12上相邻的发光部30彼此之间。绝缘层40例如由氧化硅层构成。绝缘层40具有使由发光部30形成的半导体层12上的凹凸平坦化，并且保护发光部30的功能。54.第一电极50在发光部30的侧方设置在半导体层12上。第一电极50与发光部30对应地设置，经由半导体层12与发光部30电连接。第一电极50例如构成与发光部30对应地设置的晶体管的一部分、例如栅极，能够控制向纳米柱31注入的电流量。55.第一电极50可以与半导体层12欧姆接触。在图3的例子中，第一电极50经由半导体层12与各纳米柱31的第一半导体层33电连接。第一电极50是用于向发光层34注入电流的一侧的电极。第一电极50由ni、ti、cr、pt或au等金属层、或者将它们层叠而成的层叠金属膜等构成。56.第二电极60设置在发光部30上。第二电极60是用于向发光层34注入电流的另一个电极。第二电极60与发光部30对应地设置。第二电极60以与纳米柱31及光传播层32的一部分接触的方式设置。57.第二电极60需要具有导电性和透光性。因此，第二电极60由ni、ti、cr、pt或au等金属层、或者将它们层叠而成的层叠金属膜、ito(indium tin oxide：氧化铟锡)、izo(indium zinc oxide：氧化铟锌)等透明导电层等构成。在使用金属层的情况下，为了具有透光性，优选将金属层的膜厚减薄至数10nm左右。另外，第二电极60也可以具有由上述金属层构成的接触层与透明导电层的层叠结构。在该情况下，接触层起到提高透明导电层与各纳米柱31的导电性的作用。在发光层34中产生的光透过第二电极60而射出。58.布线70在俯视观察时，以一部分与第二电极60重叠的方式而设置在绝缘层40上。布线70经由第二电极60与发光部30中的各纳米柱31的第二半导体层35电连接。布线70例如由ni、ti、cr、pt或au等金属层、或者将它们层叠而成的层叠金属膜等构成。59.布线70例如经由接合线而与设置在基板10上的未图示的区域中的驱动电路连接。另外，第一电极50例如经由接合线与设置于基板10上的未图示的区域的驱动电路连接。基于这样的结构，发光部30通过使驱动电路驱动，能够经由第一电极50以及第二电极60向各纳米柱31的发光层34注入电流。60.图5是发光部30的俯视图。在图5中，用虚线表示在后述的制造工艺中最初形成的纳米柱31的全部，用实线表示最终残留的纳米柱31。另外，在图5中，省略布线70等的图示。61.如图5所示，本实施方式的发光部30在俯视时形成为圆形。如上所述，发光部30具有由具有第一半导体层33、发光层34以及第二半导体层35的层叠构造的多个纳米柱31构成的纳米柱组31a。62.本实施方式的纳米柱组31a对应于技术方案的柱状部组。63.多个纳米柱31包括多个第一纳米柱311和配置于多个第一纳米柱311的周围的多个第二纳米柱312。第二纳米柱312的数量比第一纳米柱311的数量少。在俯视时，第二电极60与多个第一纳米柱311以及多个第二纳米柱312相互重叠。64.本实施方式的第一纳米柱311对应于技术方案的第一柱状部。本实施方式的第二纳米柱312对应于技术方案的第二柱状部。65.在俯视时，多个第一纳米柱311配置于纳米柱组31a的靠近中央部的位置。第一纳米柱311的俯视形状为圆形。与此相对，多个第二纳米柱312在纳米柱组31a的周缘部配置于多个第一纳米柱311的周围。66.第二纳米柱312的俯视形状是圆的一部分欠缺而成的形状。即，在俯视时，第二纳米柱312具有第一纳米柱311的形状的一部分欠缺而成的形状。因此，在俯视时，第二纳米柱312的面积比第一纳米柱311的面积小。第二纳米柱312的面积相对于第一纳米柱311的面积的比例没有特别限定。另外，第二纳米柱312的俯视形状在全部的第二纳米柱312上不恒定，根据各个第二纳米柱312而随机地不同。此外，在本实施方式中，第二纳米柱312的俯视形状具有圆的一部分欠缺而成的形状，即，在俯视时，第二纳米柱312具有第一纳米柱311的形状的一部分欠缺而成的形状，但不限于俯视，第二纳米柱312的形状也可以是第一纳米柱311的形状的一部分欠缺而成的形状。67.如图3所示，第二纳米柱312的高度比第一纳米柱311的高度低。具体而言，第二纳米柱312的高度为第一纳米柱311的高度的4/5以下。第二纳米柱312的高度在全部的第二纳米柱312中不恒定，根据各个第二纳米柱312而随机地不同。如上所述，纳米柱31的高度为0.1μm以上且5μm以下，更具体而言，第一纳米柱311的高度例如为800～1500nm左右。因此，第二纳米柱312的高度例如为640～1200nm左右。68.多个第一纳米柱311的第二半导体层35分别与第二电极60接触。因此，第二电极60与多个第一纳米柱311在纳米柱组31a的中央部电连接。与此相对，多个第二纳米柱312不与第二电极60分别接触。因此，第二电极60与多个第二纳米柱312在纳米柱组31a的周缘部电绝缘。此外，在本实施方式中，第二电极60与第二纳米柱312经由绝缘层40而电绝缘。另外，第二电极60与第二纳米柱312也可以隔着空隙而绝缘。69.以下，对本实施方式的发光装置1b的制造方法进行说明。70.图4a～图4f是表示发光装置1b的制造工艺中的一个工序的剖视图。71.首先，在基板10上通过例如溅射法、蒸镀法等形成金属膜，形成反射层11。接着，在反射层11上通过外延生长形成半导体层12。作为外延生长法，例如可举出mocvd(metal organic chemical vapor deposition：金属有机化合物化学气相沉积)法、mbe(molecular beam epitaxy：分子束外延)法等。72.接着，如图4a所示，遍及半导体层12上的整个面形成多个纳米柱31。具体而言，在形成纳米柱31之前，在半导体层12上形成具有多个开口的掩模层37。掩模层37例如通过基于cvd(chemical vapor deposition：化学气相沉积)法、溅射法等的成膜、以及基于光刻以及蚀刻的图案化而形成。73.接着，将具有开口的掩模层37作为掩模，通过例如mocvd法、mbe法等，在半导体层12上使第一半导体层33、发光层34、第二半导体层35按该顺序外延生长，从而能够同时形成多个纳米柱31。74.接着，如图4b所示，在纳米柱31的周围形成绝缘膜，形成光传播层32。此时，为了在相邻的纳米柱31间的微细的间隙也能够成膜，优选使用例如ald(atomic layer deposition：原子层沉积)法等。75.接着，如图4c所示，通过使用了抗蚀剂图案(省略图示)的光刻以及蚀刻对多个纳米柱31进行图案化。由此，多个纳米柱31被分割成岛状，形成多个纳米柱组31a。此外，在该工序中，也可以使用能够确保蚀刻选择比更大的硬掩模来代替抗蚀剂图案。76.此时，如图5所示，在纳米柱组31a中以等间距配置有多个纳米柱31，因此沿着纳米柱组31a的外周配置的纳米柱31中的至少一部分纳米柱31与抗蚀剂图案的周缘部仅一部分重叠。因此，纳米柱31的从抗蚀剂图案露出的部分被蚀刻而缺损。或者，即使是与抗蚀剂图案完全重叠的纳米柱31，位于外周的纳米柱31也由于过蚀刻等而一部分被蚀刻，容易缺损。其结果，在纳米柱组31a的外周部，一部分缺损，由此形成比中央部的纳米柱31c细的纳米柱31d。在该时刻，纳米柱组31a的周边部的细的纳米柱31d具有与中央部的纳米柱31c同等的高度。77.接着，如图4d所示，进行用于降低纳米柱组31a的周边部的细的纳米柱31d的高度的蚀刻。具体而言，进行使用了碱系的药液的湿式蚀刻、或添加了氯系气体的等离子体蚀刻。此时，通过适当地调整蚀刻时间，以纳米柱组31a的周边部的纳米柱31d的高度成为中央部的纳米柱31c的高度的4/5以下左右的方式进行蚀刻。该工序中的蚀刻优选在比前一工序中的蚀刻更缓和的条件下进行。另外，在该工序中，可以在残留前一工序中的抗蚀剂图案的状态下进行，也可以在去除了前一工序中的抗蚀剂图案后进行。78.接着，如图4e所示，以填埋各纳米柱组31a之间的方式形成绝缘膜，作为绝缘层40。此时，绝缘层40例如能够通过基于旋涂等涂布法的成膜来形成。绝缘层40的膜厚优选与纳米柱31的高度相同，或者比纳米柱31的高度厚。此外，在绝缘层40的膜厚比纳米柱31的高度厚、各纳米柱组31a埋入绝缘层40的情况下，也可以在下一工序中形成与第二电极60接触用的开口部。79.接着，如图4f所示，形成与纳米柱组31a的各纳米柱31电连接的第二电极60。具体而言，第二电极60例如通过基于溅射法、真空蒸镀法等的金属膜或透明导电层的成膜及图案化而形成。80.接着，通过利用溅射法、真空蒸镀法进行成膜和图案化，形成布线70。由此，完成图3所示的本实施方式的发光装置1b。进而，进行第一电极50的形成、驱动电路的安装、基于线接合的驱动电路与第一电极50及第二电极60的电连接等。81.(本实施方式的效果)82.首先，对现有的发光装置的问题点进行说明。83.图6是用于说明以往的发光装置80的问题点的图。在图6中，对与图3相同的构成要素标注相同的附图标号。84.在上述的制造方法的说明中也进行了叙述，如图6所示，在纳米柱组31a的外周容易残存一部分缺损的细的纳米柱31d。这种纳米柱31d虽然形状不完全但与第二电极60电连接，因此由于晶体结构的紊乱等原因而成为漏电流l的路径。其结果，有时产生发光效率降低而无法得到规定的发光量、发光波长变得不稳定、在本来的发光区域以外的区域产生不希望的发光等不良情况。85.针对上述问题，本实施方式的发光装置1b具备：基板10；纳米柱组31a，其由具有第一半导体层33、发光层34以及第二半导体层35的层叠构造的多个纳米柱31构成；以及第二电极60，其设置在多个纳米柱31上，向多个纳米柱31注入电流。多个纳米柱31包括多个第一纳米柱311和配置于多个第一纳米柱311的周围的多个第二纳米柱312。在俯视时，第二纳米柱312具有第一纳米柱311的形状的一部分欠缺而成的形状，第二纳米柱312的高度比第一纳米柱311的高度低，第二电极60与多个第二纳米柱312在纳米柱组31a的周缘部电绝缘。86.即，在本实施方式的发光装置1b中，具有第一纳米柱311的形状的一部分欠缺而成的形状的第二纳米柱312残存于纳米柱组31a的周缘部，但残存的第二纳米柱312的高度比第一纳米柱311的高度低，第二电极60与第二纳米柱312电绝缘。由此，第二纳米柱312不会成为漏电流的路径。因此，根据本实施方式的发光装置1b，能够提高发光效率，在本来的发光区域中得到期望的发光量和发光波长。87.理想的是一部分缺损的纳米柱完全不残存，但现实上是困难的。这是因为，若想要完全去除在最初的蚀刻中残存的纳米柱而过度进行第二次蚀刻，则又导致在最初的蚀刻中本来未缺损的内侧的纳米柱受到损伤。从该观点出发，如本实施方式那样，即使比较轻地进行第二次蚀刻，在第一纳米柱311的周围残留有第二纳米柱312，只要从第二电极60分离而电绝缘，就不会成为漏电流的路径。因此，如本实施方式那样，使第二纳米柱312残留的情况与完全去除第二纳米柱312的情况相比，能够高效地抑制漏电流的产生。88.另外，在本实施方式的发光装置1b中，第二纳米柱312的高度为第一纳米柱311的高度的4/5以下。89.例如，若第一纳米柱311的高度在本实施方式的范围内为最小值800nm，则第二纳米柱312的高度为640nm，比第一纳米柱311的高度低160nm。此时，如图3所示，在第二纳米柱312与第二电极60之间存在具有160nm的膜厚的绝缘层40。通常，如果考虑在第一电极50与第二电极60之间施加20v左右的电压的情况，则认为如果存在具有160nm的膜厚的绝缘层40，则能够大致确保电绝缘状态。根据本发明人的见解可知，若对利用cvd法成膜的膜厚100nm的绝缘膜逐渐施加电压，则从电压成为20v左右的时刻起开始产生微小的漏电流。因此，认为如果是开始产生微小的漏电流的膜厚的1.5倍以上的膜厚，则几乎没有问题。90.另外，在本实施方式的发光装置1b中，第二纳米柱312的数量比第一纳米柱311的数量少。91.根据该结构，由于具有正常的俯视形状、没有缺损的第一纳米柱311占多数，因此能够确保具有期望的面积的发光部30。92.另外，在本实施方式的发光装置1b中，在俯视时，第二电极60与多个第一纳米柱311以及多个第二纳米柱312相互重叠。93.根据该结构，即使产生缺损的多个第二纳米柱312与第二电极60在俯视时相互重叠，也能够抑制漏电流的产生。94.此外，本发明的技术范围并不限定于上述实施方式，在不脱离本发明的主旨的范围内能够施加各种变更。95.例如，在上述实施方式中，对由ingan系材料构成的发光层进行了说明，但作为发光层，可根据所射出的光的波长而使用各种半导体材料。例如可以使用algan系、algaas系、ingaas系、ingaasp系、inp系、gap系、algap系等半导体材料。另外，也可以根据射出的光的波长，适当变更柱状构造体的直径或间距。96.此外，关于发光装置和投影仪的各构成要素的形状、数量、配置、材料等的具体记载，不限于上述实施方式，能够适当变更。在上述实施方式中，列举了将本发明的发光装置用作自发光成像器的例子，但也可以将本发明应用于将本发明的发光装置用作照明装置、另外将例如透射型的液晶显示元件用作光调制装置的投影仪。并且，也可以将本发明应用于使用反射型的液晶显示元件或数字微镜器件作为光调制装置的投影仪。97.在上述实施方式中，示出了将本发明的发光装置搭载于投影仪的例子，但不限于此。本发明的发光装置也能够应用于将微小的发光元件配置成阵列状而进行图像显示的μled(micro-light emitting diode：微发光二极管)显示器的发光元件。另外，本发明的发光装置也能够应用于照明器具、汽车的头灯等。98.本发明的一个方式的发光装置也可以具有以下的构成。99.本发明的一个方式的发光装置具有：基板；柱状部组，其设置在所述基板上，由具有第一半导体层、发光层和第二半导体层的层叠结构的多个柱状部构成；以及电极，其设置在所述多个柱状部上，向所述多个柱状部注入电流，所述多个柱状部包含多个第一柱状部和配置在所述多个第一柱状部的周围的多个第二柱状部，所述第二柱状部具有所述第一柱状部的形状的一部分欠缺而成的形状，所述第二柱状部的高度比所述第一柱状部的高度低，所述电极与所述多个第二柱状部电绝缘。100.在本发明的一个方式的发光装置中，也可以是，所述第二柱状部的高度为所述第一柱状部的高度的4/5以下。101.在本发明的一个方式的发光装置中，也可以是，所述第二柱状部的数量比所述第一柱状部的数量少。102.在本发明的一个方式的发光装置中，也可以是，在从所述层叠构造的层叠方向观察的俯视时，所述电极与所述多个第一柱状部和所述多个第二柱状部相互重叠。103.本发明的一个方式的发光装置也可以具有覆盖所述柱状部组的绝缘层，所述电极与所述第二柱状部经由所述绝缘层而电绝缘。104.本发明的一个方式的投影仪也可以具有以下的结构。105.本发明的一个方式的投影仪具备本发明的一个方式的发光装置。106.本发明的一个方式的发光装置的制造方法也可以具有以下的构成。107.本发明的一个方式的发光装置的制造方法具有：在基板上形成具有第一半导体层、发光层以及第二半导体层的层叠构造的多个柱状部的工序；通过对所述多个柱状部进行蚀刻而形成柱状部组的工序；对所述柱状部组进行蚀刻的工序；以及形成与所述柱状部组电连接的电极的工序，在形成所述多个柱状部的工序中，所述多个柱状部包含多个第一柱状部和配置于所述多个第一柱状部的周围的多个第二柱状部，所述第二柱状部具有所述第一柱状部的形状的一部分欠缺而成的形状，在对所述柱状部组进行蚀刻的工序中，以所述第二柱状部的高度比所述第一柱状部的高度低的方式对所述第二柱状部进行蚀刻，在形成所述电极的工序中，以所述第二柱状部与所述电极电绝缘的方式形成所述电极。108.在本发明的一个方式的发光装置的制造方法中，也可以是，在形成所述电极的工序中，以在从所述层叠构造的层叠方向观察的俯视时所述电极与所述多个第一柱状部和所述多个第二柱状部相互重叠的方式形成所述电极。109.在本发明的一个方式的发光装置的制造方法中，也可以是，具有形成覆盖所述柱状部组的绝缘层的工序，在形成所述电极的工序中，以所述电极与所述第二柱状部经由所述绝缘层而电绝缘的方式形成所述电极。









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