用于数字材料沉积到半导体晶片上的方法及设备与流程

电气元件制品的制造及其应用技术1.本公开涉及微电子装置领域。更特定来说，本公开涉及用于形成微电子装置的光刻工艺。背景技术：2.用于半导体制造的光刻工艺需要将光致抗蚀剂层施覆到晶片。通常，晶片被与溶剂混合的厚的光致抗蚀剂层覆盖，且晶片在旋涂工艺中旋转以将多余的光致抗蚀剂及溶剂从晶片上甩掉。这是非常低效的过程，浪费了接着必须被处理掉的大部分光致抗蚀剂，从而产生额外成本。另外，旋涂工艺在晶片边缘上面留下光致抗蚀剂，通常称为边珠，其必须被移除，从而产生额外过程步骤及成本。将光致抗蚀剂层施覆到晶片的其它方法，例如喷涂，不能跨晶片提供光致抗蚀剂的均匀厚度，从而限制了半导体制造工艺的适用性。技术实现要素：3.本公开介绍一种用于形成微电子装置的方法。在一个实施方案中，所公开方法涉及在晶片处于允许第一光致抗蚀剂子层中的光致抗蚀剂充分流动以达到小于10％厚度非均匀性的第一温度下时使用按需液滴位点在所述晶片上形成所述第一光致抗蚀剂子层。当所述晶片在第一方向上相对于所述按需液滴位点移动时，形成所述第一光致抗蚀剂子层。移除所述第一光致抗蚀剂子层中的溶剂的部分。当所述晶片处于允许第二光致抗蚀剂子层中的光致抗蚀剂充分流动以在经组合第一及第二光致抗蚀剂子层中达到小于10％厚度非均匀性的第二温度下时，所述第二光致抗蚀剂子层使用所述按需液滴位点形成于所述第一光致抗蚀剂子层上。当所述晶片在与所述第一方向相反的第二方向上相对于所述按需液滴位点移动时，形成所述第二光致抗蚀剂子层。移除所述第二光致抗蚀剂子层中的溶剂的部分。附图说明4.图1a到图1p描绘形成微电子装置的实例方法的阶段。5.图2a到图2d是在另一实例形成方法的阶段中描绘的微电子装置的横截面。6.图3a到图3c是在另一实例形成方法的阶段中描绘的微电子装置的横截面。7.图4是在另一实例形成方法中描绘的微电子装置的横截面。8.图5a及图5b是在另一实例形成方法的阶段中描绘的微电子装置的横截面。9.图6a及图6b是在另一实例形成方法的阶段中描绘的微电子装置的横截面。10.图7a及图7b是在另一实例形成方法的阶段中描绘的微电子装置的横截面。11.图8a及图8b是在另一实例形成方法的阶段中描绘的微电子装置的横截面。具体实施方式12.本公开参考附图进行描述。图并非按比例绘制且提供图仅是为了说明本公开。本公开的若干方面参考实例应用在下文进行描述来说明。应理解，陈述众多特定细节、关系及方法来提供本公开的理解。本公开不受动作或事件的所说明的排序限制，这是因为一些动作可按不同顺序及/或与其它动作或事件同时发生。此外，并不需要所有所说明的动作或事件来实施根据本公开的方法。13.微电子装置是通过在晶片上形成光致抗蚀剂层来形成。光致抗蚀剂层包含晶片上的第一光致抗蚀剂子层及所述第一光致抗蚀剂子层上的第二光致抗蚀剂子层。第一光致抗蚀剂子层由按需液滴位点形成。当按需液滴位点将光致抗蚀剂与溶剂的混合物的第一离散量施配到晶片上时，晶片在第一方向上相对于按需液滴位点移动。晶片被维持在第一温度范围下，此允许第一光致抗蚀剂子层中的光致抗蚀剂树脂充分流动，从而减少第一光致抗蚀剂子层中的纹波及其它非平面特征，以达到小于10％的厚度非均匀性，即，第一光致抗蚀剂子层的厚度的标准偏差小于第一光致抗蚀剂子层的平均厚度的10％。晶片的减速被保持低于足以减轻第一光致抗蚀剂子层的移位且以便维持低于10％的厚度非均匀性的值。使第一光致抗蚀剂子层的厚度非均匀性低于10％可视作是必要的以使用光致抗蚀剂层实现后续光刻操作。在将额外光致抗蚀剂添加到光致抗蚀剂层之前，第一光致抗蚀剂子层中的溶剂的部分通过蒸发移除。14.在按需液滴位点将光致抗蚀剂与溶剂的混合物的第二离散量施配到第一光致抗蚀剂子层上时，第二光致抗蚀剂子层是通过在与第一方向相反的第二方向上相对于按需液滴位点移动晶片来形成。晶片被维持在第二温度下，其允许第二光致抗蚀剂子层中的光致抗蚀剂充分流动以在经组合第一及第二光致抗蚀剂子层中达到小于10％的厚度非均匀性。晶片的减速被保持低于足以减轻第二光致抗蚀剂子层的移位且以便维持低于10％的厚度非均匀性的值。使第二光致抗蚀剂子层的厚度非均匀性低于10％也可视作是必要的以使用光致抗蚀剂层实现后续光刻操作。在将额外光致抗蚀剂添加到光致抗蚀剂层之前，第二光致抗蚀剂子层中的溶剂的部分通过蒸发移除。15.额外光致抗蚀剂子层可通过重复进行用于形成第一及第二光致抗蚀剂子层的步骤来添加到光致抗蚀剂层。光致抗蚀剂层曝光到经图案化紫外(uv)光，且经显影以移除曝光到uv光的光致抗蚀剂层，以形成经图案化光致抗蚀剂层。经图案化光致抗蚀剂层用于制造微电子装置，例如作为镀敷掩模、植入掩模或蚀刻掩模。16.应注意，例如上面及下方的术语可在本公开中使用。这些术语不应被理解为限制结构或元件的位置或定向，而是应用于提供结构或元件之间的空间关系。类似地，例如“向内”及“向外”的词语分别是指朝向及远离晶片中心的方向。17.图1a到图1p描绘形成微电子装置的实例方法的阶段。参考图1a，微电子装置100是晶片101的部分，其可含有额外微电子装置102。作为实例，微电子装置100可经实施为集成电路、离散半导体装置、微机电系统(mems)装置、电光装置、微光机系统装置或微流体装置。作为实例，晶片101可经实施为半导体晶片，例如硅晶片、具有iii-v半导体材料的外延层的硅晶片、绝缘体上硅(soi)晶片、具有半导体材料层的蓝宝石晶片、mems衬底晶片或微流体衬底晶片。举例来说，晶片101可具有100毫米(mm)、125mm、150mm、200mm或300mm的直径。晶片101具有第一表面103，其具有接近于晶片101的横向周边的横向周边104。除了可能出现在微电子装置100及额外微电子装置102中的每一者中的规则拓扑特征外，第一表面103是平面或平坦的。出于本公开的目的，术语“横向”及“横向地”是指平行于第一表面103的方向，且在下面的实例中也对应地如此。第一表面103在晶片101的横向周边处不会延伸到晶片101的弯曲表面上。在本实例中，第一表面103的涂层区105延伸于微电子装置100及额外微电子装置102上面，但不会延伸到第一表面103的横向周边104。涂层区105可取决于用于形成微电子装置100的制造工艺而延伸到横向周边104的1mm到3mm内。18.晶片101定位于晶片固持器106上。晶片固持器106可包含例如铝或不锈钢，用真空端口(未展示)或机械夹钳(未展示)将晶片101固持在适当位置。晶片固持器106经配置以例如通过一或多个加热器107来加热晶片101。19.晶片固持器106经配置以在按需液滴位点108下方输送晶片101。按需液滴位点108延伸跨至少与涂层区105一样宽的宽度。按需液滴位点108经配置以施配光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物109的离散量。作为实例，光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物109的离散量可具有10皮升(pl)到50pl的平均体积。光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物109具有适于从按需液滴位点108施配的粘度。光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物109可在20℃到25℃下具有如通过例如奥斯特瓦尔德(ostwald)粘度计的毛细管粘度计测量的2厘泊(cp)到20cp的粘度。此外，光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物109具有适于从按需液滴位点108施配的表面张力。光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物109可在20℃到25℃下具有如通过动态表面张力测量方法测量的20达因/厘米(dyne/cm)到50dyne/cm的表面张力。表面张力与粘度之比可维持在50cm/秒到500cm/秒的范围内，以提供由按需液滴位点108施配的光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物109的离散量的一致体积。20.光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物109可具有10重量百分比到20重量百分比的光致抗蚀剂树脂含量，其中混合物109的剩余物基本上由溶剂组成。出于本公开的目的，术语“基本上由溶剂组成”涵盖具有不会影响形成光致抗蚀剂层及在光致抗蚀剂层上执行光刻工艺的其它材料的光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物。除了光致抗蚀剂树脂及溶剂外，光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物109最多包含微量材料。光致抗蚀剂树脂可包含酚醛清漆树脂及光引发剂，例如重氮醌。溶剂可包含两种或更多种溶剂，其中溶剂的浓度经选择以提供所期望的粘度值及所期望的表面张力。举例来说，溶剂可包含丙二醇甲醚乙酸酯(pgmea)及γ丁内酯(gbl)。制备光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物109的实例方法可包含将具有约35％光致抗蚀剂树脂及65％溶剂(例如乙酸正丁酯或二甲苯)的100份az p4620光致抗蚀剂与60份的pgmea及90份的gbl混合。光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物109的其它配方在本实例的范围内，且制备光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物109的其它方法也在本实例的范围内。21.光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物109经提供到按需液滴位点108。混合物109可被分发系统110提供到按需液滴位点108，如图1a中指示。替代地，混合物109可通过在处理晶片101前将混合物109添加到每一按需液滴位点108处的个别贮器来提供到按需液滴位点108。22.晶片101被加热到例如45℃到50℃的第一温度范围内的温度。晶片固持器106在按需液滴位点108下方移动晶片101。图1a描绘晶片固持器106开始移动晶片101，如由增速箭头111指示。晶片固持器106可以小于500毫米/秒2(mm/s2)的速率加速。23.参考图1b，随着晶片固持器106在按需液滴位点108下方移动晶片101，按需液滴位点108将光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物109施配到晶片101上以在晶片101上形成第一光致抗蚀剂子层112，从而覆盖涂层区105。按需液滴位点108中的每一者以具有10pl到50pl的第一平均液滴体积的第一离散量施配光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物109。举例来说，按需液滴位点108中的每一者可以2000个液滴/秒到4000个液滴/秒的第一平均液滴频率施配第一离散量。第一光致抗蚀剂子层112是连续的，且覆盖涂层区105。晶片固持器106可在按需液滴位点108下方以第一恒定速度移动，如由第一速度箭头113指示。第一恒定速度可经选择以提供第一光致抗蚀剂子层112的所期望厚度，同时维持完全覆盖涂层区105。第一恒定速度可取决于第一平均液滴体积及第一平均液滴频率而为50毫米/秒(mm/s)到150mm/sec。举例来说，第一光致抗蚀剂子层112具有30微米到50微米的第一平均涂覆厚度，其是紧接在第一光致抗蚀剂子层112形成之后的平均厚度。晶片101被维持在第一温度范围内的温度下，此允许第一光致抗蚀剂子层112中的光致抗蚀剂树脂在被施配到晶片101上之后充分流动，从而减少第一光致抗蚀剂子层112中的纹波及其它非平面特征，以达到小于10％的厚度非均匀性。如果晶片101的温度下降到小于第一温度范围的温度，那么第一光致抗蚀剂子层112可能由于光致抗蚀剂树脂的不充分流动而展现大于10％的厚度变化，从而在涂层区105上面具有几厘米的横向尺寸。如果晶片101的温度增加到大于第一温度范围的温度，那么第一光致抗蚀剂子层112可能由于第一光致抗蚀剂子层112在光致抗蚀剂树脂可充分流动以使厚度均匀之前快速变干而展现大于10％的厚度变化，从而在涂层区105上面具有几毫米的横向尺寸。第一温度范围的上限及下限经选择以在第一光致抗蚀剂子层112中达到小于10％的厚度非均匀性。50℃的上限及45℃的下限经选择以为本实例中公开的工艺参数提供所期望的厚度均匀性。上限及下限可经调整以适应光致抗蚀剂树脂与溶剂的特定混合物109、第一光致抗蚀剂子层112的厚度或其它工艺参数。第一温度范围的跨度，即上限与下限之间的差，可为3℃到10℃，以在第一光致抗蚀剂子层112中达到一致均匀性。24.图1b描绘中途形成的第一光致抗蚀剂子层112。任选地，在按需液滴位点108将光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物109施配到晶片101上以形成第一光致抗蚀剂子层112时，防干蒸气114可被引入到晶片101上面，以减少来自第一光致抗蚀剂子层112的溶剂损失。防干蒸气114可包含例如呈蒸气形式的类似于或相同于光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物109中的溶剂的化学物。当按需液滴位点108将光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物109施配到晶片101上时来自第一光致抗蚀剂子层112的溶剂损失可导致跨晶片的第一光致抗蚀剂子层112中的厚度非均匀性，这是因为在工艺中早期形成的第一光致抗蚀剂子层112的区域可损失更多溶剂且因此比在工艺中稍后形成的第一光致抗蚀剂子层112的区域更薄。引入防干蒸气114可有利地改进第一光致抗蚀剂子层112的厚度均匀性。25.参考图1c，晶片固持器106在第一光致抗蚀剂子层112形成之后减速到停止，如由减速箭头115指示。晶片固持器106可以小于500mm/s2的减速速率减速到停止，以减小第一光致抗蚀剂子层112的横向移位。第一光致抗蚀剂子层112的横向移位可导致跨涂层区105的第一光致抗蚀剂子层112的厚度非均匀性大于百分之几，其可超过使用第一光致抗蚀剂子层112进行的厚度光刻工艺的工艺宽容度。26.参考图1d，呈溶剂蒸气116形式的溶剂的部分从第一光致抗蚀剂子层112移除。溶剂蒸气116可通过使干燥的氮气或干燥的空气环境通过第一光致抗蚀剂子层112上面来移除。晶片101可被维持在第一温度范围内的温度下，以促进溶剂移除，同时维持低于10％的厚度非均匀性。溶剂在规定的第一干燥时间内移除，如由秒表117示意性指示；作为实例，第一干燥时间可为1秒到10秒。作为实例，第一光致抗蚀剂子层112中10重量百分比与75重量百分比之间的溶剂可在第一干燥时间期间移除。在光致抗蚀剂与溶剂的混合物109的额外子层形成于第一光致抗蚀剂子层112上之后，从第一光致抗蚀剂子层112移除溶剂的小于10重量百分比可能需要额外干燥时间。从第一光致抗蚀剂子层112移除溶剂的超过75重量百分比可能导致形成于第一光致抗蚀剂子层112上的光致抗蚀剂与溶剂的混合物109的额外子层的不良粘附。第一光致抗蚀剂子层112的厚度可根据在第一干燥时间期间移除的溶剂量而减小。27.参考图1e，晶片固持器106可将晶片101横向地移动达小于邻近按需液滴位点108之间的横向分离119的第一横向距离118。出于本公开的目的，术语“横向”是指平行于晶片101的第一表面103的方向。第一横向距离118及横向分离119垂直于晶片101及晶片固持器106在按需液滴位点108下方的移动方向。在晶片101上形成光致抗蚀剂与溶剂的混合物109的额外子层前，晶片固持器106可将晶片101横向地移动达第一横向距离118，以改进经组合子层的厚度均匀性。28.参考图1f，晶片101经加热到可相同于第一温度范围的第二温度范围内的温度。晶片固持器106在按需液滴位点108下方移动晶片101。图1f描绘晶片固持器106开始移动晶片101，如由增速箭头120指示。从第一光致抗蚀剂子层112移除溶剂的部分可减小第一光致抗蚀剂子层112在加速或减速期间的移位，使得晶片固持器106可在第一光致抗蚀剂子层112形成之后、溶剂的部分被移除之前以大于参考图1c公开的减速速率的速率加速。29.参考图1g，随着晶片固持器106在按需液滴位点108下方移动晶片101，按需液滴位点108将光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物109施配到晶片101上以在第一光致抗蚀剂子层112上形成第二光致抗蚀剂子层121，从而覆盖涂层区105。按需液滴位点108中的每一者以具有10pl到50pl的第二平均液滴体积的第二离散量施配光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物109。第二离散量可具有等于第一离散量的体积的体积。举例来说，按需液滴位点108中的每一者可以2000个液滴/秒到4000个液滴/秒的第二平均液滴频率施配第二离散量。第二平均液滴频率可等于第一平均液滴频率。第二光致抗蚀剂子层121是连续的，且覆盖涂层区105。晶片固持器106可在按需液滴位点108下方以第二恒定速度移动，如由第二速度箭头122指示。第二恒定速度可经选择以提供第二光致抗蚀剂子层121的所期望厚度，同时维持完全覆盖涂层区105。第二恒定速度可取决于第二平均液滴体积及第二平均液滴频率而为50mm/s到150mm/sec。第二恒定速度可等于第一恒定速度。举例来说，第二光致抗蚀剂子层121具有30微米到50微米的第二平均涂覆厚度，其是紧接在第二光致抗蚀剂子层121形成之后的平均厚度。晶片101被维持在第二温度范围内的温度下，此允许第二光致抗蚀剂子层121中的光致抗蚀剂树脂在被施配到第一光致抗蚀剂子层112上之后充分流动，从而减少第二光致抗蚀剂子层121中的纹波及其它非平面特征，以达到小于10％的厚度非均匀性。图1g描绘中途形成的第二光致抗蚀剂子层121。任选地，在按需液滴位点108将光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物109施配到晶片101上以形成第二光致抗蚀剂子层121时，防干蒸气114可被引入到晶片101上面，以减少来自第二光致抗蚀剂子层121的溶剂损失，从而获得参考图1b公开的益处。30.参考图1h，晶片固持器106在第二光致抗蚀剂子层121形成之后减速到停止，如由减速箭头123指示。晶片固持器106可以小于500mm/s2的减速速率减速到停止，以减小第二光致抗蚀剂子层121的横向移位，这是因为第二光致抗蚀剂子层121可倾向于在减速期间移位，此类似于第一光致抗蚀剂子层112移位的趋势，如参考图1c公开。31.参考图1i，呈溶剂蒸气116形式的溶剂的部分从第二光致抗蚀剂子层121移除。溶剂蒸气116可通过用于从第一光致抗蚀剂子层112移除溶剂蒸气116的类似方法移除，如参考图1e公开。晶片101可被维持在第二温度范围内的温度下，以促进溶剂移除，同时维持低于10％的厚度非均匀性。溶剂在规定的第二干燥时间内移除，如由秒表117示意性指示；作为实例，第二干燥时间可为1秒到10秒，且可等于参考图1e论述的第一干燥时间。作为实例，第二光致抗蚀剂子层121中10重量百分比与75重量百分比之间的溶剂可在第二干燥时间期间移除。在光致抗蚀剂与溶剂的混合物109的额外子层形成于第二光致抗蚀剂子层121上之后，从第二光致抗蚀剂子层121移除溶剂的小于10重量百分比可能需要额外干燥时间。从第二光致抗蚀剂子层121移除溶剂的超过75重量百分比可能导致形成于第二光致抗蚀剂子层121上的光致抗蚀剂与溶剂的混合物109的额外子层的不良粘附。第二光致抗蚀剂子层121的厚度可根据在第二干燥时间期间移除的溶剂量而减小。32.参考图1j，第三光致抗蚀剂子层124可任选地形成于第二光致抗蚀剂子层121上。晶片固持器106可横向地移动达小于邻近按需液滴位点108之间的图1e的横向分离119的横向距离(未展示)。晶片固持器106可经移动以将晶片101定位于相对于图1a中所展示的按需液滴位点108相同的位置中。在晶片101上形成光致抗蚀剂与溶剂的混合物109的额外子层前，晶片固持器106可横向地移动以改进经组合子层的厚度均匀性。33.晶片101可被加热到可相同于第一温度范围或第二温度范围的第三温度范围内的温度。晶片固持器106在按需液滴位点108下方移动晶片101，例如，如参考图1f公开。从第二光致抗蚀剂子层112移除溶剂的部分可减小第二光致抗蚀剂子层121在加速或减速期间的移位，使得晶片固持器106可在第一光致抗蚀剂子层112及第二光致抗蚀剂子层121分别形成之后且在溶剂的部分被移除(如参考图1d及图1i公开)之前以大于参考图1c及图1h公开的减速速率的速率加速。34.随着晶片固持器106在按需液滴位点108下方移动晶片101，按需液滴位点108可将光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物109施配到晶片101上以在第二光致抗蚀剂子层121上形成第三光致抗蚀剂子层124，从而覆盖涂层区105。按需液滴位点108中的每一者以具有10pl到50pl的第三平均液滴体积的第三离散量施配光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物109。第三离散量可具有等于第一离散量或第二离散量的体积的体积。举例来说，按需液滴位点108中的每一者可以2000个液滴/秒到4000个液滴/秒的第三平均液滴频率施配第三离散量。第三平均液滴频率可等于第一平均液滴频率或第二平均液滴频率。第三光致抗蚀剂子层124是连续的，且覆盖涂层区105。晶片固持器106可在按需液滴位点108下方以第三恒定速度移动，如由第三速度箭头125指示。第三恒定速度可经选择以提供第三光致抗蚀剂子层124的所期望厚度，同时维持完全覆盖涂层区105。第三恒定速度可取决于第三平均液滴体积及第三平均液滴频率而为50mm/s到150mm/sec。第三恒定速度可等于第一恒定速度或第二恒定速度。举例来说，第三光致抗蚀剂子层124具有30微米到50微米的第三平均涂覆厚度，其是紧接在第三光致抗蚀剂子层124形成之后的平均厚度。晶片101被维持在第三温度范围内的温度下，以达到小于10％的厚度非均匀性，如参考第一光致抗蚀剂子层112及第二光致抗蚀剂子层121公开。图1j描绘中途形成的第三光致抗蚀剂子层124。任选地，在按需液滴位点108将光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物109施配到晶片101上以形成第三光致抗蚀剂子层124时，防干蒸气114可被引入到晶片101上面，以减少来自第三光致抗蚀剂子层124的溶剂损失，从而获得参考图1b公开的益处。在第三光致抗蚀剂子层124形成之后，晶片固持器106可减速，如参考图1c及图1h公开。第三光致抗蚀剂子层124中溶剂的部分被移除，如参考图1d及图1i公开。35.参考图1k，第四光致抗蚀剂子层126可任选地形成于第三光致抗蚀剂子层124上。晶片固持器106可横向地移动达小于邻近按需液滴位点108之间的图1e的横向分离119的横向距离(未展示)。晶片固持器106可经移动以将晶片101定位于相对于图1e中所展示的按需液滴位点108相同的位置中。在晶片101上形成光致抗蚀剂与溶剂的混合物109的额外子层前，晶片固持器106可横向地移动以改进经组合子层的厚度均匀性。36.晶片101可被加热到可相同于第一温度范围、第二温度范围或第三温度范围的第四温度范围内的温度。晶片固持器106在按需液滴位点108下方移动晶片101，例如，如参考图1f公开。从第三光致抗蚀剂子层124移除溶剂的部分可减小第三光致抗蚀剂子层124在加速或减速期间的移位，使得晶片固持器106可在第一光致抗蚀剂子层112及第二光致抗蚀剂子层121分别形成之后以大于参考图1c及图1h公开的减速速率的速率加速。37.随着晶片固持器106在按需液滴位点108下方移动晶片101，按需液滴位点108将光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物109施配到晶片101上以在第三光致抗蚀剂子层124上形成第四致抗蚀剂子层126，从而覆盖涂层区105。按需液滴位点108中的每一者以具有10pl到50pl的第四平均液滴体积的第四离散量施配光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物109。第四离散量可具有等于第一离散量、第二离散量或第三离散量的体积的体积。举例来说，按需液滴位点108中的每一者可以2000个液滴/秒到4000个液滴/秒的第四平均液滴频率施配第四离散量。第四平均液滴频率可等于第一平均液滴频率、第二平均液滴频率或第三平均液滴频率。第四光致抗蚀剂子层126是连续的，且覆盖涂层区105。晶片固持器106可在按需液滴位点108下方以第四恒定速度移动，如由第四速度箭头127指示。第四恒定速度可经选择以提供第四光致抗蚀剂子层126的所期望厚度，同时维持完全覆盖涂层区105。第四恒定速度可取决于第四平均液滴体积及第四平均液滴频率而为50mm/s到150mm/sec。第四恒定速度可等于第一恒定速度、第二恒定速度或第三恒定速度。举例来说，第四光致抗蚀剂子层126具有30微米到50微米的第四平均涂覆厚度，其是紧接在第四光致抗蚀剂子层126形成之后的平均厚度。晶片101被维持在第四温度范围内的温度下，以达到小于10％的厚度非均匀性，如参考第一光致抗蚀剂子层112及第二光致抗蚀剂子层121公开。图1k描绘中途形成的第四光致抗蚀剂子层126。任选地，在按需液滴位点108将光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物109施配到晶片101上以形成第四光致抗蚀剂子层126时，防干蒸气114可被引入到晶片101上面，以减少来自第四光致抗蚀剂子层126的溶剂损失，从而获得参考图1b公开的益处。在第四光致抗蚀剂子层126形成之后，晶片固持器106可减速，如参考图1c及图1h公开。第四光致抗蚀剂子层126中溶剂的部分可被移除，如参考图1d及图1i公开。38.图1l描绘在第一光致抗蚀剂子层112、第二光致抗蚀剂子层121、第三光致抗蚀剂子层124及第四光致抗蚀剂子层126形成之后的晶片101。第一光致抗蚀剂子层112、第二光致抗蚀剂子层121、第三光致抗蚀剂子层124及第四光致抗蚀剂子层126在晶片101的第一表面103上提供光致抗蚀剂层128的至少一部分。光致抗蚀剂层128覆盖涂层区105，但不会延伸到第一表面103的横向周边104。除了第一光致抗蚀剂子层112、第二光致抗蚀剂子层121、第三光致抗蚀剂子层124及第四光致抗蚀剂子层126外，光致抗蚀剂层128还可包含额外光致抗蚀剂子层(未展示)。额外光致抗蚀剂子层可如参考第一光致抗蚀剂子层112、第二光致抗蚀剂子层121、第三光致抗蚀剂子层124或第四光致抗蚀剂子层126公开般形成。相较于通过其中绝大部分光致抗蚀剂树脂被从晶片101甩掉且丢弃的旋涂工艺形成光致抗蚀剂层128，通过本实例的方法形成光致抗蚀剂层128可有利地减少所消耗的光致抗蚀剂树脂的量。图1m到图1p是在实例形成方法中的后续步骤的阶段中描绘的微电子装置100的横截面。39.参考图1m，本实例的晶片101可包含衬底129，例如半导体衬底或蓝宝石衬底。晶片101可包含接合垫130，其是导电的。接合垫130可包含例如铝或铜。晶片101可进一步包含衬底129及接合垫130上的镀敷种子层131。镀敷种子层131延伸到晶片101的第一表面103。镀敷种子层131是导电的，且电接触到接合垫130。作为实例，镀敷种子层131可包含接触衬底129及接合垫130的粘附子层、所述粘附子层上的任选屏障子层及所述屏障子层上的低电阻子层。粘附子层可包含钛或钨，以向衬底129及接合垫130提供镀敷种子层131的所期望粘附。低电阻子层可包含铜以提供适于后续镀敷工艺的表面。屏障子层(如果存在)可包含镍、钴或钼，以减少铜从低电阻子层扩散到晶片101中。40.光致抗蚀剂层128接触镀敷种子层131。光致抗蚀剂层128包含第一光致抗蚀剂子层112、第二光致抗蚀剂子层121、第三光致抗蚀剂子层124及第四光致抗蚀剂子层126。41.晶片101安置于光刻工具132中，光刻工具132包含光源133及光学元件134，在图1m中描绘为透镜134。光掩模135在光刻工具132中安置于光源133与光学元件134之间的光学路径中。光掩模135具有阻光几何结构136，其减少了uv光137的透射。42.uv光137由光源133产生且入射于光掩模135上。uv光137的部分通过光掩模135透射于未被阻光几何结构136阻挡的区中且入射于光学元件134上。uv光137的部分聚焦到光致抗蚀剂层128上，从而在接合垫130上面的凸块接合柱138的区中曝光第一光致抗蚀剂子层112、第二光致抗蚀剂子层121、第三光致抗蚀剂子层124及第四光致抗蚀剂子层126中的光致抗蚀剂树脂。由uv光137曝光的光致抗蚀剂树脂从环酮转化为羧酸。43.参考图1n，使用显影剂溶液139的正性显影工艺溶解由图1m的uv光137曝光的光致抗蚀剂层128，即，在凸块接合柱138的区中。显影剂溶液139可包含例如氢氧化四甲基铵(tmah)或氢氧化钾(koh)的碱性水溶液。显影剂溶液139不会移除未被uv光137曝光的大量光致抗蚀剂层128，从而将未被uv光137曝光的光致抗蚀剂层128留在晶片上的适当位置。在显影剂溶液139溶解光致抗蚀剂层128之后，晶片101及光致抗蚀剂层128被冲洗及干燥。44.在本实例的替代版本中，使用负性光刻工艺，显影工艺可溶解其未被uv光137曝光的光致抗蚀剂层128，从而将被uv光137曝光的光致抗蚀剂层128留在晶片上的适当位置。45.参考图1o，使用镀浴140的镀敷工艺在凸块接合柱138的区中在镀敷种子层131上形成铜柱141。镀浴140包含镀敷到镀敷种子层131及部分形成的铜柱141上的铜离子。镀敷工艺可经实施为电镀工艺或非电镀工艺。在铜柱141之后，光致抗蚀剂层128被移除，从而暴露镀敷种子层131。光致抗蚀剂128可通过使用氧自由基的干法工艺与使用例如1-甲基-2-吡咯烷酮(nmp)的有机溶剂的湿法工艺的任何组合来移除。在光致抗蚀剂层128移除之后，被铜柱141暴露的镀敷种子层131被移除。镀敷种子层131可通过使用一或多种酸性水溶液的湿法蚀刻工艺移除。镀敷种子层131中的铜可使用例如氯化铁的水溶液移除。镀敷种子层131中的钛及钨可通过例如包含硝酸或浓过氧化氢的水溶液去除。46.参考图1p，任选屏障层142可形成于铜柱141上，且焊料凸块143可形成于屏障层142上。焊料凸块143可包含锡。举例来说，焊料凸块143可包含锡、铜及银的共晶合金。屏障层142可包含镍、钴或钼以减少铜从铜柱141扩散到焊料凸块143中且减少锡从焊料凸块143扩散到铜柱141中。屏障层142可通过例如镀敷形成。焊料凸块143可通过镀敷形成或通过将焊料膏施配到屏障层142上接着在焊料回流工艺中加热焊料膏来形成。47.图2a到图2d是在另一实例形成方法的阶段中描绘的微电子装置的横截面。参考图2a，微电子装置200是晶片201的部分，其可含有额外微电子装置(未展示)。微电子装置200可经实施为参考图1a的微电子装置100公开的装置中的任何者。晶片201可经实施为参考图1a的晶片101公开的晶片格式中的任何者。晶片201具有第一表面203，其具有接近于晶片201的横向周边的横向周边204。在本实例中，第一表面203的涂层区205延伸于微电子装置200及额外微电子装置上面，但不会延伸到第一表面203的横向周边204。涂层区205可取决于用于形成微电子装置200的制造工艺而延伸到横向周边204的1mm到3mm内。48.晶片201在按需液滴位点208下方移动。按需液滴位点208延伸跨至少与涂层区205一样宽的宽度。按需液滴位点208将光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物209的离散量施配到晶片201上以在第一表面203上形成第一光致抗蚀剂子层212，例如，如参考图1a到图1c公开。第一光致抗蚀剂子层212是连续的且覆盖涂层区205。涂层区205上面的第一光致抗蚀剂子层212的第一所涂覆厚度244具有小于10％的非均匀性。在任何溶剂从第一光致抗蚀剂子层212移除之前，第一所涂覆厚度244可为30微米到50微米。49.在本实例中，光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物209的离散量由按需液滴位点208以比由按需液滴位点208用于涂层区205中的频率更低的频率施配于涂层区205与第一表面203的横向周边204之间，使得第一光致抗蚀剂子层212的厚度从在涂层区205的横向周边处的第一所涂覆厚度244减小到锥形区域245中的零，锥形区域245从涂层区205的横向周边向外延伸达100微米到1mm的横向距离。此外，第一光致抗蚀剂子层212不会延伸到晶片边缘曝光(wee)区域246中，wee区域246从第一表面203的横向周边204向内延伸达1mm到3mm的横向距离。图2a描绘比wee区域246更宽的锥形区域245，以便更清楚地描绘锥形区域245中的第一光致抗蚀剂子层212的锥状轮廓。第一光致抗蚀剂子层212由于第一光致抗蚀剂子层212是由光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物209的离散量形成而在锥形区域245中具有锥状轮廓。锥形区域245中的锥状轮廓可有利地使光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物209能够由于表面张力而合并，而不会形成比第一所涂覆厚度244更厚的边珠。第一光致抗蚀剂子层212在锥形区域245中与晶片201粘附抵抗光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物209由于表面张力而收缩，从而将第一光致抗蚀剂子层212的厚度维持为不大于第一所涂覆厚度244。通过在wee区域246处突然终止光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物209的施配来形成第一光致抗蚀剂子层212会不合意地导致形成边珠。边珠干扰用于形成微电子装置200的光刻工艺及其它制造工艺。50.参考图2b，呈溶剂蒸气216形式的溶剂的部分从第一光致抗蚀剂子层212移除。溶剂蒸气216可通过类似于参考图1d公开的工艺的工艺移除。作为实例，第一光致抗蚀剂子层212中10重量百分比与75重量百分比之间的溶剂可被移除。涂层区205中的第一光致抗蚀剂子层212的厚度可根据所移除的溶剂量而减小到第一去溶厚度247。锥形区域245中的第一光致抗蚀剂子层212的厚度减小到零，使得锥形区域245中的第一光致抗蚀剂子层212的厚度不会超过第一去溶厚度247。此外，从第一光致抗蚀剂子层212移除溶剂的部分是在没有突然压力或温度变化的情况下执行，使得第一光致抗蚀剂子层212不会延伸到wee区域246中。51.参考图2c，晶片201在按需液滴位点208下方移动。按需液滴位点208将光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物209的离散量施配到晶片201上以在第一光致抗蚀剂子层212上形成第二光致抗蚀剂子层221，例如，如参考图1e到图1h公开。第二光致抗蚀剂子层221是连续的且覆盖涂层区205。涂层区205上面的第二光致抗蚀剂子层221的第二所涂覆厚度248具有小于10％的非均匀性。在任何溶剂从第二光致抗蚀剂子层221移除之前，第二所涂覆厚度248可为30微米到50微米。光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物209的离散量由按需液滴位点208以相较于涂层区205较低的频率施配于锥形区域245中，使得第二光致抗蚀剂子层221的厚度在锥形区域245中从第二所涂覆厚度248减小到零。此外，第二光致抗蚀剂子层221不会延伸到wee区域246中。第二光致抗蚀剂子层221在锥形区域245中具有通过与第一光致抗蚀剂子层212的锥状轮廓类似的工艺形成的锥状轮廓。第二光致抗蚀剂子层221在锥形区域245中与第一光致抗蚀剂子层212及晶片201粘附抵抗光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物209由于表面张力而收缩，从而将第二光致抗蚀剂子层221)的厚度维持为不大于第二所涂覆厚度248。52.参考图2d，呈溶剂蒸气216形式的溶剂的部分从第二光致抗蚀剂子层221移除。溶剂蒸气216可通过类似于参考图1d公开的工艺的工艺移除。作为实例，第二光致抗蚀剂子层221中10重量百分比与75重量百分比之间的溶剂可被移除。涂层区205中的第二光致抗蚀剂子层221的厚度可根据所移除的溶剂量而减小到第二去溶厚度249。锥形区域245中的第二光致抗蚀剂子层221的厚度减小到零，使得锥形区域245中的第二光致抗蚀剂子层221的厚度不会超过第二去溶厚度249。此外，从第二光致抗蚀剂子层221移除溶剂的部分是在没有突然压力或温度变化的情况下执行，使得第二光致抗蚀剂子层221不会延伸到wee区域246中。53.第一光致抗蚀剂子层212及第二光致抗蚀剂子层221在晶片201上提供光致抗蚀剂层228的至少一部分。光致抗蚀剂层228的额外光致抗蚀剂子层可通过类似于参考图2a到图2d公开的方法的方法形成于晶片201上，使得光致抗蚀剂层228的厚度在锥形区域245中减小到零，且光致抗蚀剂层228不会延伸到wee区域246中。使用本实例的方法形成光致抗蚀剂层228可通过消除对边珠移除工艺的要求而有利地降低微电子装置200的制造成本及制造复杂性，如果光致抗蚀剂层228通过旋涂工艺形成，那么将需要进行边珠移除工艺。54.图3a到图3c是在另一实例形成方法的阶段中描绘的微电子装置的横截面。参考图3a，微电子装置300是晶片301的部分，其可含有额外微电子装置(未展示)。微电子装置300可经实施为参考图1a的微电子装置100公开的装置中的任何者。晶片301可经实施为参考图1a的晶片101公开的晶片格式中的任何者。晶片301具有第一表面303，其延伸到晶片301的横向周边(未展示)。在本实例中，第一表面303的涂层区305延伸于微电子装置300及额外微电子装置上面，但不会延伸到晶片301的横向周边。55.晶片301以参考图1a到图1c公开的方式在按需液滴位点308下方移动。按需液滴位点308延伸跨至少与涂层区305一样宽的宽度。按需液滴位点308将光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物309的第一离散量施配到晶片301上以在第一表面303上形成光致抗蚀剂层328的第一光致抗蚀剂子层312，例如，如参考图1a到图1c公开。第一光致抗蚀剂子层312是连续的且覆盖涂层区305。图3a描绘紧接在光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物309被施配到晶片301上之后的第一光致抗蚀剂子层312。56.第一光致抗蚀剂子层312中的溶剂的部分被移除，从而导致第一光致抗蚀剂子层312的厚度减小。第一光致抗蚀剂子层312中溶剂的部分可被移除，如参考图1d公开。57.第一光致抗蚀剂子层312可具有非所要程度的厚度非均匀性，作为实例，此可由于从按需液滴位点308施配光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物的工艺中的意外变化。施配混合物309的工艺中的意外变化的一种可能来源可为混合物309的液滴的体积的变化。58.参考图3b，测量第一光致抗蚀剂子层312的厚度变化。厚度变化可使用具有扫描笔351的表面光度仪工具350测量，如图3b中描绘。替代地，厚度变化可使用非接触光学工具测量，例如光学干涉测量工具或反射计工具。测量第一光致抗蚀剂子层312的厚度变化的其它方法在本实例的范围内。59.参考图3c，晶片301以参考图1e到图1h公开的方式在按需液滴位点308下方移动。按需液滴位点308将光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物309的第二离散量施配到晶片301上以在第一表面303上形成光致抗蚀剂层328的第二光致抗蚀剂子层321。在本实例中，光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物309的第二离散量的施配针对按需液滴位点308中的每一者进行调整以补偿第一光致抗蚀剂子层312的厚度变化，使得光致抗蚀剂层328具有比单独第一光致抗蚀剂子层312的厚度均匀性更佳的厚度均匀性。更多混合物309可被施配于其中第一光致抗蚀剂子层312比第一光致抗蚀剂子层312的平均厚度更薄的区域中，且更少混合物309可被施配于其中第一光致抗蚀剂子层312比平均厚度更厚的区域中。混合物309的第二离散量的施配可通过调整混合物309的液滴的体积、通过调整液滴被施配的速率或通过调整液滴的体积及施配液滴的速率来调整。第二光致抗蚀剂子层321是连续的且覆盖涂层区305。图3c描绘紧接在光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物309被施配到晶片301上之后的第一光致抗蚀剂子层312。第二光致抗蚀剂子层321中的溶剂的部分被移除，从而导致第二光致抗蚀剂子层321的厚度减小。60.调整混合物309的液滴以补偿第一光致抗蚀剂子层312的厚度变化可有利地改进光致抗蚀剂层328的厚度均匀性。光致抗蚀剂层328的额外光致抗蚀剂子层可形成于第一光致抗蚀剂子层312与第二光致抗蚀剂子层321的组合上面，且可测量光致抗蚀剂层328的厚度变化。光致抗蚀剂层328的后续光致抗蚀剂子层可通过调整混合物309的液滴以补偿光致抗蚀剂层328的厚度变化从而进一步产生有利地经改进的厚度均匀性的优点来形成。61.图4是在另一实例形成方法中描绘的微电子装置的横截面。微电子装置400是晶片401的部分，其可含有额外微电子装置(未展示)。微电子装置400可经实施为参考图1a的微电子装置100公开的装置中的任何者。晶片401可经实施为参考图1a的晶片101公开的晶片格式中的任何者。晶片401具有第一表面403，其延伸到晶片401的横向周边(未展示)。在本实例中，第一表面403的涂层区405延伸于微电子装置400及额外微电子装置上面，但不会延伸到晶片401的横向周边。62.晶片401以参考图1a到图1c公开的方式在按需液滴位点408下方移动。按需液滴位点408延伸跨至少与涂层区405一样宽的宽度。按需液滴位点408经配置以施配光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物409的第一离散量。本实例的按需液滴位点408包含超声换能器452，其将超声能量应用到混合物409的离散量以将混合物409的离散量中的每一者分解成多个小液滴453。混合物409的离散量可具有10pl到50pl的体积，而小液滴453可具有混合物409的离散量的体积的1％到10％的体积。按需液滴位点408将呈小液滴453形式的混合物409的离散量施配到晶片401上以在第一表面403上形成光致抗蚀剂层428的第一光致抗蚀剂子层412。相较于具有混合物409的全部第一离散量的单个液滴，小液滴453可如图4中描绘般空间地分散。小液滴453可因此形成具有比针对混合物409的每一离散量以单个液滴施配混合物409更均匀的厚度的第一光致抗蚀剂子层412。第一光致抗蚀剂子层412是连续的且覆盖涂层区405。光致抗蚀剂层428的额外光致抗蚀剂子层可通过类似方法形成于第一光致抗蚀剂子层412上面，以为光致抗蚀剂层428提供所期望厚度。63.图5a及图5b是在另一实例形成方法的阶段中描绘的微电子装置的横截面。参考图5a，微电子装置500是晶片501的部分，其可含有额外微电子装置(未展示)。微电子装置500可经实施为参考图1a的微电子装置100公开的装置中的任何者。晶片501可经实施为参考图1a的晶片101公开的晶片格式中的任何者。晶片501具有第一表面503，其延伸到晶片501的横向周边(未展示)。在本实例中，第一表面503的涂层区505延伸于微电子装置500及额外微电子装置上面，但不会延伸到晶片501的横向周边。64.晶片501以参考图1a到图1c公开的方式以恒定速度在按需液滴位点508下方移动。按需液滴位点508延伸跨至少与涂层区505一样宽的宽度。按需液滴位点508将呈以第一施配频率施配的液滴554形式的光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物509的离散量施配到晶片501上以在第一表面503上形成光致抗蚀剂层528的第一光致抗蚀剂子层512。第一光致抗蚀剂子层512是连续的且覆盖涂层区505。第一施配频率可经选择使得第一光致抗蚀剂子层512经形成有足够的厚度以防止光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物509在液滴554被施配时汇集并合并于晶片501上。以较低频率施配液滴554可在第一光致抗蚀剂子层512中产生不合意的空隙。65.在液滴554被施配到晶片501上之后，第一光致抗蚀剂子层512中的溶剂的部分被移除，从而导致第一光致抗蚀剂子层512的厚度减小。第一光致抗蚀剂子层512中溶剂的部分可被移除，如参考图1d公开。66.参考图5b，晶片501以参考图1e到图1h公开的方式以恒定速度在按需液滴位点508下方移动。按需液滴位点508将呈以低于第一施配频率的第二施配频率施配的液滴554形式的光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物509的离散量施配到晶片501上以在第一光致抗蚀剂子层512上形成光致抗蚀剂层528的第二光致抗蚀剂子层521。第二光致抗蚀剂子层521是连续的且覆盖涂层区505。在液滴554被施配到晶片501上以形成第二光致抗蚀剂子层521之后，第二光致抗蚀剂子层521中的溶剂的部分被移除，从而导致第二光致抗蚀剂子层521的厚度减小。第二施配频率可经选择使得第二光致抗蚀剂子层521经形成有小于第一光致抗蚀剂子层512的厚度的厚度，以提供光致抗蚀剂层528的所期望厚度。在本实例的替代版本中，第二施配频率可大于第一施配频率，使得第二光致抗蚀剂子层521的厚度大于第一光致抗蚀剂子层512的厚度。67.图6a及图6b是在另一实例形成方法的阶段中描绘的微电子装置的横截面。参考图6a，微电子装置600是晶片601的部分，其可含有额外微电子装置(未展示)。微电子装置600可经实施为参考图1a的微电子装置100公开的装置中的任何者。晶片601可经实施为参考图1a的晶片101公开的晶片格式中的任何者。晶片601具有第一表面603，其延伸到晶片601的横向周边(未展示)。在本实例中，第一表面603的涂层区605延伸于微电子装置600及额外微电子装置上面，但不会延伸到晶片601的横向周边。68.晶片601以参考图1a到图1c公开的方式以恒定速度在按需液滴位点608下方移动。按需液滴位点608延伸跨至少与涂层区605一样宽的宽度。按需液滴位点608将呈以恒定频率施配的第一液滴654形式的光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物609的第一离散量施配到晶片601上以在第一表面603上形成光致抗蚀剂层628的第一光致抗蚀剂子层612。第一液滴654各自具有第一体积，作为实例，其可为10pl到50pl。第一光致抗蚀剂子层612是连续的且覆盖涂层区605。第一体积可经选择使得第一光致抗蚀剂子层612经形成有足够的厚度以防止光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物609在液滴654被施配时汇集并合并于晶片601上。以较低体积施配第一液滴654可在第一光致抗蚀剂子层612中产生不合意的空隙。69.在第一液滴654被施配到晶片601上之后，第一光致抗蚀剂子层612中的溶剂的部分被移除，从而导致第一光致抗蚀剂子层612的厚度减小。第一光致抗蚀剂子层612中溶剂的部分可被移除，如参考图1d公开。70.参考图6b，晶片601以参考图1e到图1h公开的方式以恒定速度在按需液滴位点608下方移动。按需液滴位点608以恒定频率将呈第二液滴655形式的光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物609的第二离散量施配到晶片601上以在第一光致抗蚀剂子层612上形成光致抗蚀剂层628的第二光致抗蚀剂子层621。第二液滴655各自具有第二体积，其小于第一体积。第二光致抗蚀剂子层621是连续的且覆盖涂层区605。在第二液滴655被施配到晶片601上以形成第二光致抗蚀剂子层621之后，第二光致抗蚀剂子层621中的溶剂的部分被移除，从而导致第二光致抗蚀剂子层621的厚度减小。第二体积可经选择使得第二光致抗蚀剂子层621经形成有小于第一光致抗蚀剂子层612的厚度的厚度，以提供光致抗蚀剂层628的所期望厚度。在本实例的替代版本中，第二体积可大于第一体积，使得第二光致抗蚀剂子层621的厚度大于第一光致抗蚀剂子层612的厚度。71.图7a及图7b是在另一实例形成方法的阶段中描绘的微电子装置的横截面。参考图7a，微电子装置700是晶片701的部分，其可含有额外微电子装置(未展示)。微电子装置700可经实施为参考图1a的微电子装置100公开的装置中的任何者。晶片701可经实施为参考图1a的晶片101公开的晶片格式中的任何者。在本实例中，晶片701包含半导体材料756，例如硅。半导体材料756可为p型，如图7a中指示。本实例的晶片701进一步包含半导体材料756上的电介质层757。电介质层757延伸到晶片701的第一表面703。作为实例，电介质层757可包含二氧化硅，可具有5纳米到100纳米的厚度，且可通过半导体材料756的热氧化而形成。电介质层757有时称为垫氧化物层或牺牲氧化物层。电介质层757的目的是使半导体材料756在制造工艺期间免受损坏及污染。72.光致抗蚀剂层728根据本文中公开的实例中的任何者形成于晶片701上面。光致抗蚀剂层728包含至少两个光致抗蚀剂子层；本实例的光致抗蚀剂层728包含形成于晶片701上的第一光致抗蚀剂子层712、形成于第一光致抗蚀剂子层712上的第二光致抗蚀剂子层721、形成于第二光致抗蚀剂子层721上的第三光致抗蚀剂子层724及形成于第三光致抗蚀剂子层724上的第四光致抗蚀剂子层726。光致抗蚀剂层728经图案化以暴露植入区758中的晶片701。光致抗蚀剂层728可如参考图1m及图1n公开般被图案化或通过另一图案化方法进行图案化。73.掺杂剂759经植入到其中被光致抗蚀剂层728暴露的半导体材料756中，以在半导体材料756中形成经植入区域760。掺杂剂759被光致抗蚀剂层728阻挡在经植入区域760外的晶片701。掺杂剂759可为n型掺杂剂，如图7a中指示，例如磷、砷或锑。在本实例的替代版本中，半导体材料756可为n型，或掺杂剂759可为p型掺杂剂，例如硼、镓或铟。通过本文中公开的实例中的任何者形成光致抗蚀剂层728可产生所公开的优点，例如相较于旋涂工艺减少所使用光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物的量，及消除对从晶片701的周边移除边珠的需要。74.在掺杂剂759被植入到半导体材料756中之后，移除光致抗蚀剂层728。光致抗蚀剂层728可通过在灰化工艺中将光致抗蚀剂层728曝光到氧自由基接着使用硫酸与过氧化氢的水性混合物进行湿法蚀刻工艺来移除。用于移除光致抗蚀剂层728的其它工艺，例如使用nmp进行的湿法工艺，也在本实例的范围内。电介质层757可在光致抗蚀剂层728移除期间有利地保护半导体材料756。75.参考图7b，晶片701通过退火工艺761加热，退火工艺761活化图7a的经植入区域760中的图7a的经植入掺杂剂759以在半导体材料756中形成n型区域762。退火工艺761可经实施为炉退火，在此情况中，经植入区域759可进一步扩散到半导体材料756中。替代地，退火工艺761可经实施为快速热退火工艺，例如尖峰退火或闪光退火。76.图8a及图8b是在另一实例形成方法的阶段中描绘的微电子装置的横截面。参考图8a，微电子装置800是晶片801的部分，其可含有额外微电子装置(未展示)。微电子装置800可经实施为参考图1a的微电子装置100公开的装置中的任何者。晶片801可经实施为参考图1a的晶片101公开的晶片格式中的任何者。在本实例中，晶片801包含衬底863，其可经实施为部分制造装置，且可包含半导体材料、金属导体及电介质层。本实例的晶片801还包含衬底863上的蚀刻停止层864。作为实例，蚀刻停止层864可包含二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氮化硅或碳氮氧化硅。本实例的晶片801进一步包含蚀刻停止层864上的材料层865。材料层865延伸到晶片801的第一表面803。材料层865可包含提供微电子装置800的结构元件的任何材料，例如铝、多晶硅、二氧化硅或具有低于二氧化硅的介电常数的电介质材料，有时称为低k电介质材料。蚀刻停止层864具有提供相对于材料层865的蚀刻选择性的组合物。77.光致抗蚀剂层828根据本文中公开的实例中的任何者形成于晶片801上面。光致抗蚀剂层828包含至少两个光致抗蚀剂子层；本实例的光致抗蚀剂层828包含形成于晶片801上的第一光致抗蚀剂子层812、形成于第一光致抗蚀剂子层812上的第二光致抗蚀剂子层821、形成于第二光致抗蚀剂子层821上的第三光致抗蚀剂子层824及形成于第三光致抗蚀剂子层824上的第四光致抗蚀剂子层826。光致抗蚀剂层828经图案化以暴露蚀刻区866中的晶片801。光致抗蚀剂层828可如参考图1m及图1n公开般被图案化或通过另一图案化方法进行图案化。通过本文中公开的实例中的任何者形成光致抗蚀剂层828可产生本文中公开的优点。78.蚀刻区866中的材料层865通过反应离子蚀刻(rie)工艺的蚀刻剂867移除。蚀刻剂867可包含卤素离子，例如氟离子，如图8a中指示，或可包含其它蚀刻剂。光致抗蚀剂层828防止蚀刻剂867攻击蚀刻区866外的材料层865。图8a描绘完成中途蚀刻区866中材料层865的移除。rie工艺继续直到蚀刻区866中的所有材料层865都被移除。蚀刻停止层864具有足够低的蚀刻速率，使得rie工艺可在蚀刻区866中的蚀刻停止层864被移除之前停止。在本实例的替代版本中，蚀刻区866中的材料层865可通过湿法蚀刻工艺移除。79.在蚀刻区866中的材料层865被移除之后，移除光致抗蚀剂层828。光致抗蚀剂层828可通过在灰化工艺中将光致抗蚀剂层828曝光到氧自由基接着使用氢氧化铵与过氧化氢的水性混合物进行湿法蚀刻工艺来移除。用于移除光致抗蚀剂层828的其它工艺，例如使用nmp进行的湿法工艺，也在本实例的范围内。图8b描绘光致抗蚀剂层828被移除之后的微电子装置800。80.本文中公开的实例的各个特征可在形成微电子装置的实例方法的其它实施方案中组合。举例来说，方法中的任何者可用于形成具有两个、三个、四个或更多个光致抗蚀剂子层的光致抗蚀剂层。光致抗蚀剂层中的任何者可经形成以在锥形区中具有减小的厚度，其围绕晶片的横向周边朝wee区域向内延伸。光致抗蚀剂层中的任何者可通过改变光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物的液滴的频率或体积来形成。光致抗蚀剂层中的任何者可通过使用超声以将光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物的离散量分解成多个小液滴来形成。光致抗蚀剂层中的任何者可通过在形成一或多个光致抗蚀剂子层之后测量厚度变化及在后续光致抗蚀剂子层形成期间调整光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物的施配以补偿所述厚度变化来形成。此外，除了镀敷掩模、植入掩模及蚀刻掩模之外，光致抗蚀剂层还可用于微电子装置制造的其它工艺。81.虽然上文已经描述本公开的各个实施例，但应理解，其仅作为实例而非通过限制来呈现。可根据本文中的公开内容对所公开的实施例作出众多改变，而不会背离本公开的精神或范围。因此，本发明的广度及范围不应受上述所描述的实施例中的任何者限制。确切来说，本公开的范围应根据所附权利要求书及其等效物定义。









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